CN112069009A - 一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备 - Google Patents

一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备 Download PDF

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Abstract

本发明属于终端设备领域，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备，包括步骤：在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。本发明解决了在Android系统在OTA升级之后系统出现异常，最后归结于DDR/flash硬件问题时，传统压力测试方法无法确认存在问题是硬件到底是DDR还是flash的问题。本发明通过模拟OTA升级时的环境和相关操作，能有效地复现出OTA升级过程中存在的异常现象，从而快速而精准地定位问题所在。

Description

一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端 设备
技术领域
本发明涉及终端设备领域，尤指一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备。
背景技术
针对Android系统OTA升级之后，出现系统不稳定，如系统无响应，死机等现象，这些现象很多时候会归结为DDR和flash不稳定造成，如何排查到底是DDR还是flash存在不稳定一直是一个比较难且急需解决的问题。
一般仅对DDR和flash做单独的压力测试，以测试出最终的问题硬件，且目前的DDR或flash压力测试都是在Android系统的正常工作模式下进行，很多时候很难测试出问题所在。
发明内容
本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备，可以通过在Recovery模式下进行压力测试，准确定位到存在问题的硬件，避免了Android系统再次不稳定。
本发明提供的技术方案如下：
一方面，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；
通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；
基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；
其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。
进一步优选地，所述基于解析后的所述命令和所述测试参数进行压力测试，包括步骤：
基于解析后的所述命令进行DDR压力测试；
当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试；
当所述DDR未通过所述DDR压力测试时，则停止所述压力测试。
进一步优选地，所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试，具体包括步骤：
获取并锁住堆内存，以建立DDR的临时存储地址；
读取DDR分区中所述DDR的分区数据，并将所述DDR的分区数据复制入所述DDR的临时存储地址；
比较所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据。
进一步优选地，在所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试之后，还包括：
判断所述DDR是否通过所述DDR压力测试，具体包括：
当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据一致时，所述DDR通过所述DDR压力测试；
当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据不一致时，所述DDR未通过所述DDR压力测试。
进一步优选地，所述当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试，具体包括步骤：
获取并锁住堆内存，以建立flash的临时存储地址；
读取flash分区中所述flash的原始分区数据，并将所述flash的原始分区数据复制入所述flash的临时存储地址；
通过写入与校验数据至所述flash的临时存储地址，以校验所述flash分区。
进一步优选地，在所述当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试之后，还包括步骤：
当所述flash分区中的数据为所述校验数据时，所述flash通过所述压力测试；
当所述flash分区中的数据为述flash的原始分区数据时，所述flash未通过所述压力测试；
当所述flash未通过所述压力测试时，返回所述flash的错误信息至压力测试文件，通过按power键停止所述压力测试。
进一步优选地，所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，还包括步骤：
当所述DDR或flash未通过对应的压力测试时，将所述DDR或所述flash的错误信息返回至压力测试文件；
通过按power键停止所述压力测试。
进一步优选地，在所述在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式之前，还包括步骤：
通过预设脚本生成只读分区的校验信息；
将只读分区的校验信息以文件的方式传输至数据分区，以建立所述压力测试文件。
另一方面，本发明还提供一种在Recovery模式下进行压力测试的装置，包括：
重启模块，用于在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；
解析模块，用于通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；
测试模块，用于基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；
其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。
再一方面，本发明还提供一种终端设备，所述终端设备包括：
处理器；以及，存储计算机可执行指令的存储器，所述可执行指令在被执行时使所述处理器执行所述在Recovery模式下进行压力测试的方法。
本发明提供的一种在Recovery模式下进行压力测试的方法、装置和终端设备，至少具有以下有益效果：
1)通过通过在Recovery模式下进行压力测试，准确定位到存在问题的硬件，避免了Android系统再次不稳定。
2)在本方案中通过在Recovery模式下模拟OTA升级过程的环境以及相关操作，来复现OTA升级过程中出现的异常现象。
3)通过本方案，通过分析出现异常现象时的日志来确定到底是DDR还是flash引起，从而精准定位存在问题的硬件，甚至可以定位到存在问题的内存物理地址或者存在问题的flash分区上的某一位。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
图1是本发明的一种在Recovery模式下进行压力测试的方法的一种实施例的流程示意图；
图2是本发明中一种在Recovery模式下进行压力测试的方法的另一个实施例的流程示意图；
图3是本发明中压力测试逻辑的示意图；
图4是本发明中一种在Recovery模式下进行压力测试的方法的又一个实施例的流程示意图；
图5是本发明中一种在Recovery模式下进行压力测试的装置的结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
在本文中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
如图1所示，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法的一个实施例，包括以下步骤：
S100在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式。
S200通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数。
S300基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试。
其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。
具体的，所述缓存分区为系统的cache分区，所述系统可以包括Android系统。
首先通过Main System通过特定的apk写命令到cache分区，并重启到Recovery模式。然后recovery进程通过解析cache分区的参数，决定进行DDR测试还是flash测试。
在本实施例中，本发明通过模拟OTA升级时的环境和相关操作，能有效地复现出OTA升级过程中存在的异常现象，从而快速而精准地定位问题所在。
如图2所示，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法的另一个实施例，包括以下步骤：
(1)通过特定的脚本生成modem,system,boot,recovery等只读分区校验信息，并以文件的方式push到Android系统的data分区。
(2)Main System通过特定的apk写命令到cache分区，并重启到Recovery模式。
(3)recovery进程通过解析cache分区的参数，决定进行DDR测试还是flash测试。
(4)测试过程中可以通过按下power键随时停止测试，若测试过程中出现分区检验不通过或者原数据与复制后的数据出现不一致等异常现象，会返回出现异常时的物理地址或者出现异常的分区，并将异常信息打印的屏幕或者日志中。
通本实施解决了在Android系统在OTA升级之后系统出现异常，最后分析问题归结于DDR/flash硬件问题时，传统压力测试方法无法确认存在问题是硬件到底是DDR还是flash的问题。
在本实施例中，通过模拟OTA升级时的环境和相关操作，能有效地复现出OTA升级过程中存在的异常现象，从而快速而精准地定位问题所在。
如图4所示，本发明提供一种在Recovery模式下进行压力测试的方法的一个实施例，包括以下步骤：
S100在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式。
S200通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数。
S301基于解析后的所述命令进行DDR压力测试。
S302当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行FLASH压力测试。
S303当所述DDR未通过所述DDR压力测试时，则停止所述压力测试。
具体的，所述命令包括执行DDR压力测试
示例性的，在本实施例中，如3所示，关于压力测试问题的分析逻辑：
示例性的，首先进行DDR的测试，若在DDR测试过程中出现异常，比如在复制数据的过程中，复制的数据与原数据存在差异，则说明DDR存在问题，此时不需要再做flash测试，因为在flash测试的过程中不可避免会操作内存，所以无法判断到底是由DDR引起还是flash引起。
若DDR在规定的测试时间内没有测出异常，则对flash进行测试，若flash测试出现异常，比如出现分区校验未通过，则可以认为flash存在问题，若flash在规定的时间内未测出异常，则认为flash和DDR都不存在问题。
与现有技术直接对DDR和flash做单独压力测试来说，在本实施例中，首先对DDR进行压力测试，然后对flash进行压力测试，能够节省压力测试的时间，以快速且准确的定位问题所在的硬件。
基于上述实施例，如图2所示，与上述实施例中的方法就不做一一赘述，本实施例中关于步骤S301所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试，具体包括步骤：
获取并锁住堆内存，以建立DDR的临时存储地址；读取DDR分区中所述DDR的分区数据，并将所述DDR的分区数据复制入所述DDR的临时存储地址；比较所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据。
判断所述DDR是否通过所述DDR压力测试，具体包括：
当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据一致时，所述DDR通过所述DDR压力测试；
当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据不一致时，所述DDR未通过所述DDR压力测试。
示例性的，当DDR测试开始后，获取堆内存、锁住堆内存，随机建立一个物理地址以存储后续的复制数据。读取DDR中每个一个分区中的数据，将分区的数据复制进物理地址中，看分区的元数据和复制后的数据是否出现不一致，当出现不一致的时候，此分区校验不通过，即DDR存在异常现象，硬件DDR出现问题。
在本实施例中，若DDR已经出现问题了，就不进行flash测试，直接根据DDR压力测试中返回的错误数据即返回测试过程中出现异常的物理地址或者出现异常的分区。
此方法不但可以确定DDR出现问题，甚至通过分析定位到存在问题的内存物理地址或者存在问题的DDR分区上的某一位，以做到精确定位。
在本实施例中，所述当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行FLASH压力测试，具体包括步骤：
获取并锁住堆内存，以建立FLASH的临时存储地址；读取FLASH分区中所述FLASH的原始分区数据，并将所述FLASH的原始分区数据复制入所述FLASH的临时存储地址；通过写入与校验数据至所述FLASH的临时存储地址，以校验所述FLASH分区。
示例性的，当DDR测试开始后，获取堆内存、锁住堆内存，随机建立一个物理地址以存储后续的分区数据。
然后，读取flash分区的数据至物理地址，写入数据至此分区，当写入的数据仍为分区复制数据时，说明此flash分区已经不能正常写入数据了，此硬件flash出现异常。
基于上述实施例，如图2所示，与上述实施例中的方法就不做一一赘述，本实施例中在所述当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行FLASH压力测试之后，还包括步骤：
当所述FLASH分区中的数据为所述校验数据时，所述FLASH通过所述压力测试。
当所述FLASH分区中的数据为述FLASH的原始分区数据时，所述FLASH未通过所述压力测试。
当所述FLASH未通过所述压力测试时，返回所述FLASH的错误信息至压力测试文件，通过按power键停止所述压力测试。
基于上述实施例，如图2所示，与上述实施例中的方法就不做一一赘述，本实施例中，所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，还包括步骤：
当所述DDR或FLASH未通过对应的压力测试时，将所述DDR或所述FLASH的错误信息返回至压力测试文件；通过按power键停止所述压力测试。
基于上述实施例，如图2所示，与上述实施例中的方法就不做一一赘述，本实施例中，在所述在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式之前，还包括步骤：
通过预设脚本生成只读分区的校验信息；将只读分区的校验信息以文件的方式传输至数据分区，以建立所述压力测试文件。
通过本发明可以在Recovery模式下模拟OTA升级过程的环境以及相关操作，来复现OTA升级过程中出现的异常现象。
然后通过分析出现异常现象时的日志来确定到底是DDR还是flash引起，从而精准定位存在问题的硬件，甚至可以定位到存在问题的内存物理地址或者存在问题的flash分区上的某一位。
另一方面，如图5所示，本发明还提供一种在Recovery模式下进行压力测试的装置，包括：
重启模块401，用于在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式。
解析模块402，用于通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数。
测试模块403，用于基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试。其中，所述压力测试的对象包括DDR和FLASH。
具体的，所述缓存分区为系统的cache分区，所述系统可以包括Android系统。
示例性的，重启模块401首先通过Main System通过特定的apk写命令到cache分区，并重启到Recovery模式。
然后recovery进程中的解析模块402通过解析cache分区的参数，决定进行DDR测试还是flash测试。
在本实施例中，本发明的装置能够实现通过模拟OTA升级时的环境和相关操作，能有效地复现出OTA升级过程中存在的异常现象，从而快速而精准地定位问题所在。
再一方面，本发明还提供一种终端设备，所述终端设备包括：
处理器；以及，存储计算机可执行指令的存储器，所述可执行指令在被执行时使所述处理器执行所述在Recovery模式下进行压力测试的方法。
具体的，在本实施例中，所述终端设备可以包括使用Android系统的设备，如手表、手机等。
通过本发明可以在Recovery模式下模拟OTA升级过程的环境以及相关操作，来复现终端设备在进行OTA升级过程中出现的异常现象。
然后通过分析出现异常现象时的日志来确定到底是终端设备的DDR还是flash引起，从而精准定位存在问题的硬件，甚至可以定位到存在问题的内存物理地址或者存在问题的flash分区上的某一位。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其他的方式实现。示例性的，以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，示例性的，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，示例性的，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性、机械或其他的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可能集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；
通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；
基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；
其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。
2.根据权利要求1所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，所述基于解析后的所述命令和所述测试参数进行压力测试，包括步骤：
基于解析后的所述命令进行DDR压力测试；
当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试；
当所述DDR未通过所述DDR压力测试时，则停止所述压力测试。
3.根据权利要求2所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试，具体包括步骤：
获取并锁住堆内存，以建立DDR的临时存储地址；
读取DDR分区中所述DDR的分区数据，并将所述DDR的分区数据复制入所述DDR的临时存储地址；
比较所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据。
4.根据权利要求2所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，在所述基于解析后的所述命令进行DDR压力测试之后，还包括：
判断所述DDR是否通过所述DDR压力测试，具体包括：
当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据一致时，所述DDR通过所述DDR压力测试；
当所述DDR分区中所述DDR的分区数据与所述DDR的临时存储地址中所述DDR的分区数据不一致时，所述DDR未通过所述DDR压力测试。
5.根据权利要求4所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，所述当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试，具体包括步骤：
获取并锁住堆内存，以建立flash的临时存储地址；
读取flash分区中所述flash的原始分区数据，并将所述flash的原始分区数据复制入所述flash的临时存储地址；
通过写入与校验数据至所述flash的临时存储地址，以校验所述flash分区。
6.根据权利要求5所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，在所述当所述DDR通过所述DDR压力测试时，则进行flash压力测试之后，还包括步骤：
当所述flash分区中的数据为所述校验数据时，所述flash通过所述压力测试；
当所述flash分区中的数据为述flash的原始分区数据时，所述flash未通过所述压力测试；
当所述flash未通过所述压力测试时，返回所述flash的错误信息至压力测试文件，通过按power键停止所述压力测试。
7.根据权利要求2～6中任一所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，还包括步骤：
当所述DDR或flash未通过对应的压力测试时，将所述DDR或所述flash的错误信息返回至压力测试文件；
通过按power键停止所述压力测试。
8.根据权利要求7所述在Recovery模式下进行压力测试的方法，其特征在于，在所述在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式之前，还包括步骤：
通过预设脚本生成只读分区的校验信息；
将只读分区的校验信息以文件的方式传输至数据分区，以建立所述压力测试文件。
9.一种在Recovery模式下进行压力测试的装置，其特征在于，包括：
重启模块，用于在缓存分区写入待执行的命令和测试参数，并重启到Recovery模式；
解析模块，用于通过Recovery模式下的Recovery进程解析所述命令和测试参数；
测试模块，用于基于解析后的所述命令和所述测试参数，进行压力测试；
其中，所述压力测试的对象包括DDR和flash。
10.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括如权利要求9所述的一种在Recovery模式下进行压力测试的装置，用于执行根据权利要求1～8中任一项所述在Recovery模式下进行压力测试的方法。
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