CN112054102A - 一种led芯片、显示模块及显示屏 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED芯片、显示模块及显示屏，LED芯片包括：电流局域注入层，用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值；有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。通过设置电流局域注入层，以控制有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值，以保证芯片发光亮度的同时使得LED芯片工作在线性区域；并且，有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形，以使有效发光区尽可能地远离衬底边沿，从而减少LED芯片侧向出光，简化后端LED显示模块、显示屏应用的设计及工艺复杂性。

Description

一种LED芯片、显示模块及显示屏
技术领域
本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种LED芯片、显示模块及显示屏。
背景技术
在LED芯片的应用中，普通LED芯片的应用主要以照明与显示器背光模块为主，而当前迅猛发展的Mini LED芯片则以户内、户外显示屏等为其主要应用方向。
在当前的LED芯片中，其设计绝大部分基于照明应用，如采用图形化衬底、分布式布拉格反射层等，当前使用的Mini LED芯片亦是使用同类设计。此类型芯片应用于照明或背光领域不存在任何问题，但应用于显示领域，则存在着重大缺陷：
1、亮度过大影响显示屏舒适度。为了使得LED芯片发光亮度较为合适，现有解决方案是应用小电流驱动LED芯片。当显示较暗图形时，LED芯片容易工作于小电流密度非线性区，而在此工作区中，LED芯片亮度不一，给点测分选、显示屏的校正带来了较大困难，如分选工作量大、校正时间长、显示屏低辉一致性差等。另外，如果芯片发光亮度过大，应用于LED显示模块时，芯片表面还需覆盖较厚的黑色膜层，以使芯片出光亮度位于人眼舒适区。覆盖黑色膜层，不仅增加LED显示模块的工艺复杂性，还存在黑色膜层厚度不一致带来的墨色一致性的问题。
2、侧光影响显示屏显示效果。从芯片侧面发射的光线在显示屏内部各组件间来回反射或折射，形成方向及强度各异的杂散光，影响显示屏的对比度。特别大视角时，侧光混光不均形成分布、大小各异的混色暗斑。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LED芯片、显示模块及显示屏，以克服上述缺陷。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种LED芯片，包括：
电流局域注入层，所述电流局域注入层用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值，有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。
可选地，LED芯片还包括：
N型半导体层，所述N型半导体层之上有第二底层电极，所述第二底层电极连接有第二外层电极；
发光层，所述发光层位于所述N型半导体层之上；
P型半导体层，所述P型半导体层位于所述发光层之上，所述电流局域注入层位于所述P型半导体层之上，所述电流局域注入层和所述P型半导体层之上还有第一底层电极，所述第一底层电极连接有第一外层电极；
其中，所述发光层为所述LED芯片发光区，所述有效发光区为所述发光层上与所述电流局域注入层正对的部分。
可选地，所述电流局域注入层为透明导电层，所述透明导电层与所述P型半导体层欧姆接触。
可选地，所述透明导电层为氧化铟锡ITO。
可选地，所述电流局域注入层为欧姆接触层，所述欧姆接触层与所述P型半导体层欧姆接触。
可选地，所述欧姆接触层为金属层。
可选地，所述第一底层电极与所述P型半导体层非欧姆接触。
可选地，所述第一底层电极和所述P型半导体层之间设有绝缘层。
可选地，所述电流局域注入层为圆形，所述有效发光区的位置及形状与所述电流局域注入层一致。
可选地，所述有效发光区远离衬底的边沿，用于减少自所述LED芯片边沿出射的光。
可选地，所述第一底层电极和所述第二底层电极的底部均包括具有低反射特性的低反射层。
可选地，所述低反射层包括多层金属膜，所述多层金属膜由外向里依次为Ni、Au及Ti金属膜。
可选地，所述多层金属膜可通过蒸镀或溅镀方法制得，所述Ni、Au及Ti金属膜的厚度分别为10nm、80nm及100nm。
可选地，所述预设值等于50％。
可选地，LED芯片还包括：
衬底；
缓冲层，位于所述衬底之上；
本征氮化镓层，位于所述缓冲层之上，所述N型半导体层位于所述本征氮化镓层之上；
电子阻挡层，位于所述发光层和所述P型半导体层之间；
钝化层，所述钝化层位于所述LED芯片的非发光面周侧。
可选地，所述钝化层为分布式布拉格反射层。
可选地，所述钝化层为二氧化硅或氮化硅层。
第二方面，本发明还提供了一种LED显示模块，包括：
基板，所述基板上设有多个正极和多个负极；
多个如上所述的LED芯片，所述LED芯片的所述第一外层电极与所述正极连接、所述第二外层电极与所述负极连接。
可选地，所述基板为PCB或玻璃基板。
第三方面，本发明还提供了一种LED显示屏，由至少两个如上所述的LED显示模块拼接而成。
与现有技术相比，本发明实施例具有以下有益效果：
本发明实施例提供的一种LED芯片、显示模块及显示屏，通过设置电流局域注入层，以控制有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值，以保证芯片发光亮度的同时使得LED芯片工作在线性区域；并且，有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形，以使有效发光区尽可能地远离衬底边沿，从而减少LED芯片侧向出光，简化后端LED显示模块、显示屏应用的设计及工艺复杂性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
图1为本发明实施例提供的一种LED芯片的结构图；
图2为本发明实施例提供的一种LED芯片的另一结构图；
图3为本发明实施例提供的电流局域注入层的形状结构图；
图4为本发明实施例提供的网格化工序后的芯片表面示意图；
图5为本发明实施例提供的隔离工序后的芯片表面示意图；
图6为本发明实施例提供的形成电流局域注入层后芯片表面示意图；
图7为本发明实施例提供的第一底层电极和第二底层电极的结构图；
图8为本发明实施例提供的一种LED显示模块的结构图。
图示说明：
LED芯片10、衬底101、缓冲层102、本征氮化镓层103、N型半导体层104、发光层105、电子阻挡层106、P型半导体层107、电流局域注入层108、第一底层电极109、第二底层电极110、钝化层111、第一外层电极112、第二外层电极113、绝缘层114；
基板201、负极202、正极203。
具体实施方式
为使得本发明的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示，本实施例提供了一种LED芯片10，包括：
N型半导体层104，N型半导体层104之上有第二底层电极110，第二底层电极110连接有第二外层电极113；
发光层105，发光层105位于N型半导体层104之上；
P型半导体层107，P型半导体层107位于发光层105之上；
电流局域注入层108，电流局域注入层108位于P型半导体层107之上，电流局域注入层108和P型半导体层107之上还有第一底层电极109，第一底层电极109连接有第一外层电极112。
本实施例中，发光层105作为LED芯片发光区，有效发光区为发光层105上与电流局域注入层108正对的部分。因此，可以通过控制电流局域注入层108的尺寸及位置，控制电流扩散，使从阳极注入的电流绝大部分经电流局域注入层108注入到有效发光区。而发光层105上除了有效发光区之外的部分极少电流注入，从而可在保持LED芯片10亮度的同时，提升LED芯片10的电流密度以使LED芯片10工作于线性区。在低电流驱动下，LED芯片10处于低亮度状态时依然工作于线性区，从而提升LED芯片10间的低辉一致性。
具体的，通过控制电流局域注入层108的尺寸及位置，可以控制有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值，例如预设值等于50％，以保证LED芯片10发光亮度的同时使得LED芯片10工作在线性区域；并且，通过控制电流局域注入层108的尺寸及位置，可以使有效发光区位于LED芯片10的中心，同时LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形，以保证有效发光区尽可能地远离衬底边沿，从而减少LED芯片10侧向出光，简化后端LED显示模块、显示屏应用的设计及工艺复杂性。
应当理解，有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值并不是固定的，可以根据需要调整该比值，但需保证LED芯片10能工作在线性区域。
进一步地，在本申请的另一实施例中，电流局域注入层108为透明导电层，透明导电层与P型半导体层107欧姆接触。可选地，透明导电层选为氧化铟锡ITO，其电流注入效率高。
进一步地，在本申请的另一实施例中，电流局域注入层108为欧姆接触层，欧姆接触层与P型半导体层107欧姆接触。具体的，欧姆接触层为金属层。
进一步地，在本申请的另一实施例中，第一底层电极109与P型半导体层107非欧姆接触。因此，电流绝大部分经电流局域注入层108注入，从而控制有效发光区面积。
请参阅图2所示，作为本实施例的一种可选方式，第一底层电极109和P型半导体层107之间设有绝缘层114，以更进一步地减少第一底层电极109向P型半导体层107间的电流注入。
进一步地，请参阅图3所示，在本申请的另一实施例中，电流局域注入层108为圆形，有效发光区的位置及形状与电流局域注入层一致，尺寸与其接近。应当理解，本实施例还可以根据需要，将电流局域注入层108设置为其他形状。
具体的，有效发光区尽可能地远离蓝宝石衬底101的边沿，可以减少自LED芯片10边沿出射的光，提升显示模块和显示屏的对比度。
为了更清楚地说明上述实施例提供的LED芯片的结构，请参阅图4、5、6所示。
图4为网格化工序后的芯片表面示意图。所述网格化工序利用ICP刻蚀至N型半导体层104，图中还包括有P MESA和N MESA，其中MESA为台面的意思。图5为隔离工序后的芯片表面示意图。所述隔离工序利用ICP刻蚀至衬底101。图6为形成电流局域注入层108后芯片表面示意图。
如图4、图5及图6所示，利用ICP将LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据发光区形状塑形。图形中部圆形部分为LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据发光区形状塑形后所形成的图形。该设计可以使有效发光区尽可能地远离衬底101边沿，从而减少LED芯片10侧向出光。
进一步地，请参阅图7所示，在本申请的另一实施例中，第一底层电极109和第二底层电极110的底部均包括具有低反射特性的低反射层。具体的，低反射层由低反射率材料制成，比如低反射率金属。可选地，低反射层包括多层金属膜，多层金属膜由外向里(即图1中由上往下方向)依次为Ni、Au及Ti金属膜。作为本实施例的一种可选方式，多层金属膜可通过蒸镀或溅镀方法制得，Ni、Au及Ti金属膜的厚度分别为10nm、80nm及100nm。
请参阅图1和图2所示，上述任一实施例提供的LED芯片10，还包括：
衬底101；
缓冲层102，位于衬底101之上；
本征氮化镓层103，位于缓冲层102之上，N型半导体层104位于本征氮化镓层103之上；
电子阻挡层106，位于发光层105和P型半导体层107之间；
钝化层111，钝化层111位于LED芯片10的非发光面周侧。钝化层111可为分布式布拉格反射层，可进一步减少边沿出射的光。或者，钝化层111为二氧化硅或氮化硅层。
请参阅图8所示，在本申请的另一实施例中，还提供了一种LED显示模块，包括：
基板201，基板201表面上设有多个电极，包括多个正极203和多个负极202；
多个如上任一实施例所述的LED芯片10，LED芯片10的第一外层电极112与正极203连接、第二外层电极113与负极202连接。
可选地，上述基板201为PCB或玻璃基板。
本实施例还提供了一种LED显示屏，由至少两个上述LED显示模块拼接而成。
本实施例提供的LED显示模块及显示屏，小面积有效发光区的应用，一方面使LED芯片10工作于线性区，提升低辉一致性；另一方面，减少LED芯片10侧向出光，提升LED显示模块及显示屏的对比度。
以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (13)

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
电流局域注入层，所述电流局域注入层用于使有效发光区面积与LED芯片发光区面积的比值小于预设值，有效发光区位于LED芯片的中心，LED芯片发光区周围非电极区域的外延层根据有效发光区的形状塑形。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
N型半导体层，所述N型半导体层之上有第二底层电极，所述第二底层电极连接有第二外层电极；
发光层，所述发光层位于所述N型半导体层之上；
P型半导体层，所述P型半导体层位于所述发光层之上，所述电流局域注入层位于所述P型半导体层之上，所述电流局域注入层和所述P型半导体层之上还有第一底层电极，所述第一底层电极连接有第一外层电极；
其中，所述发光层为所述LED芯片发光区，所述有效发光区为所述发光层上与所述电流局域注入层正对的部分。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述电流局域注入层为透明导电层，所述透明导电层与所述P型半导体层欧姆接触。
4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述电流局域注入层为欧姆接触层，所述欧姆接触层与所述P型半导体层欧姆接触。
5.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一底层电极与所述P型半导体层非欧姆接触。
6.根据权利要求2或5所述的LED芯片，其特征在于，所述第一底层电极和所述P型半导体层之间设有绝缘层。
7.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述电流局域注入层为圆形，所述有效发光区的位置及形状与所述电流局域注入层一致。
8.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述有效发光区远离衬底的边沿，用于减少自所述LED芯片边沿出射的光。
9.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一底层电极和所述第二底层电极的底部均包括具有低反射特性的低反射层。
10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述预设值等于50％。
11.一种LED显示模块，其特征在于，包括：
基板，所述基板上设有多个正极和多个负极；
多个如权利要求1至10中任一所述的LED芯片，所述LED芯片的所述第一外层电极与所述正极连接、所述第二外层电极与所述负极连接。
12.根据权利要求11所述的LED显示模块，其特征在于，所述基板为PCB或玻璃基板。
13.一种LED显示屏，其特征在于，由至少两个如权利要求11或12所述的LED显示模块拼接而成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112582514A (zh) * 2020-12-11 2021-03-30 东莞市中晶半导体科技有限公司 一种led芯片、多合一芯片、显示模块及显示屏

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6492661B1 (en) * 1999-11-04 2002-12-10 Fen-Ren Chien Light emitting semiconductor device having reflection layer structure
US20100167434A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Lextar Electronics Corp. Method for fabricating light emitting diode chip
CN102891230A (zh) * 2011-07-21 2013-01-23 富士施乐株式会社 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法
US9812609B1 (en) * 2016-04-11 2017-11-07 X Development Llc Semiconductor device including oxide current aperture
CN108206227A (zh) * 2018-01-26 2018-06-26 大连德豪光电科技有限公司 Led芯片及其制作方法、led光源模组
CN111430522A (zh) * 2020-05-09 2020-07-17 东莞市中晶半导体科技有限公司 Led芯片、led显示屏模组及制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6492661B1 (en) * 1999-11-04 2002-12-10 Fen-Ren Chien Light emitting semiconductor device having reflection layer structure
US20100167434A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Lextar Electronics Corp. Method for fabricating light emitting diode chip
CN102891230A (zh) * 2011-07-21 2013-01-23 富士施乐株式会社 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法
US9812609B1 (en) * 2016-04-11 2017-11-07 X Development Llc Semiconductor device including oxide current aperture
CN108206227A (zh) * 2018-01-26 2018-06-26 大连德豪光电科技有限公司 Led芯片及其制作方法、led光源模组
CN111430522A (zh) * 2020-05-09 2020-07-17 东莞市中晶半导体科技有限公司 Led芯片、led显示屏模组及制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112582514A (zh) * 2020-12-11 2021-03-30 东莞市中晶半导体科技有限公司 一种led芯片、多合一芯片、显示模块及显示屏

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