CN112041738A - 液晶显示面板 - Google Patents

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平田贡祥
下敷领文一
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Abstract

在液晶显示面板中,当定义了沿着像素的长边方向延伸并穿过像素电极(102)的短边方向的中心线时,边界区域(131)包括关于中心线(C101)设置在短边方向的一侧的第一部分(131a)和关于所述中心线(C101)设置在短边方向的另一侧的第二部分(131b)。在多个第一狭缝(112A~112G)的边界区域(131)侧的端部中,与边界区域(131)的第一部分(131a)相邻的端部比与边界区域(131)的第二部分(131b)相邻的端部更靠近边界区域(131)侧。在多个第二狭缝(122A~122H)的边界区域(131)侧的端部中,与边界区域(131)的第二部分(131b)相邻的端部比与边界区域(131)的第一部分(131a)相邻的端部更靠近边界区域(131)侧。

Description

液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示模式为VA模式的液晶显示面板。
背景技术
液晶显示装置是为了显示利用液晶组合物的显示装置,其代表性的显示方式是如下方式:从背光源对在一对基板间封入液晶组合物且由一对偏振片加持该一对基板和液晶组合物的液晶面板照射光,并对液晶组合物施加电压而使液晶分子的取向变化,由此控制透射液晶面板的光的量。这样的液晶显示装置具有薄型、轻量和低消耗电力的优点,因此,被利用于智能手机、平板PC、汽车导航等电子设备。
以往,作为液晶显示面板,将一个像素分割为多个取向区域(畴),按照每个取向区域使液晶分子向不同的方位取向,从而提高视角特性。作为对像素进行取向分割的方法,例如可举出将半像素分割为2行2列的四个取向区域的方法,且已研究出了专利文献1,2的4D-RTN(4Domain-Reverse Twisted Nematic)模式、专利文献2的4D-ECB(4Domain-Electrically Controled Birefringence)模式等。
在液晶分子的取向方向不同的区域之间的边界中,由于液晶分子的连续性,液晶分子的取向方向必定存在与一个偏振片的偏振轴平行的部分。在这样的状态下进行液晶显示时,上述部分由于不透光而视为暗线,从而降低透射率和对比度。
图12是表示专利文献3的液晶显示面板中的暗线1120的发生区域的一例的一个像素的示意平面图。
在上述专利文献3的液晶显示面板中,将一个像素分割为1列4行的4个取向区域。更详细地说,像素1000具有四个取向区域1000a~1000d,其中液晶分子1041的取向方向(倾斜方向)彼此不同。该取向区域1000a~1000d沿着像素1000的长边方向(图12的上下方向)排列。这里,如果将沿着像素1000的短边方向(图12的左右方向)的方向定义为0°,则取向区域1000a中的液晶分子1041的取向方向为45°,取向区域1000b中的液晶分子1041的取向方向为225°,取向区域1000c中的液体晶体分子1041的取向方向为135°,取向区域1000d中液晶分子1041的取向方向为315°。
由于取向区域1000a中液晶分子1041的取向方向与取向区域1000b中液晶分子1041的取向方向不同,所以暗线1120的一部分1120b沿着取向区域1000a和取向区域1000b的边界线延伸。由于在取向区域1000c中液晶分子1041的取向方向与在取向区域1000d中液晶分子1041的取向方向不同,所以暗线1120的另一部分沿着取向区域1000c和取向区域1000d的边界线延伸。
这样,由于设定液晶分子1041的取向方向,暗线1120b的一部分1120b沿着取向区域1000a和取向区域1000b的边界线延伸,暗线1120的另一部分1120a沿着取向区域1000c和取向区域1000d的边界线延伸。
另外,图12的1011是布线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5184618号公报
专利文献2:特开2011-85738号公报
专利文献3:国际公开第2017/047532号
发明内容
本发明所要解决的技术问题
本发明的发明人还对暗线1120的发生进行了模拟,观察了液晶分子的取向状态。
图13是表示模拟了暗线1120的发生的结果的一个像素的照片。图13中液晶分子1041以螺钉形状示出。更详细地说,螺钉的头部对应于图12的圆锥的底部。另一方面,与螺钉的头部侧相反侧的端部即前端部对应于图12的圆锥的顶部。
如图13所示,在包括取向区域之间的边界线的区域中,发生双暗线的同时,不规则地发生错位(disclination)P1001,P1002。即,发生错位P1001,P1002的位置,对于每个双暗线都不同。例如,在某个双暗线中,在像素的短边方向的中央部发生错位,而在其他的双暗线中,在像素的短边方向的端部发生。这是因为,错位的位置由周围液晶分子取向的取向方向的平衡决定,例如受预倾角的局部偏差、像素电极周边的形状以及电场的偏差等的影响。
因此,在上述以往的液晶显示面板中,由于错位P1001,P1002的发生位置不一致,存在显示不均的问题。
因此,本发明的课题在于提供能够改善显示的均匀度、提高显示品质的液晶显示面板。
解决问题的手段
本发明一方面涉及的液晶显示面板,
是显示模式为VA模式的液晶显示面板,包括:
多个长方形状的像素;
第一基板部,具有第一基板和像素电极;
液晶层,设置在所述第一基板部上,含有液晶分子;及
第二基板部,设置在所述液晶层上,具有第二基板和对向电极;
所述多个像素分别具有沿所述像素的长边方向排列的第一、第二取向区域,
当将与所述像素的长向方向正交的方向定义为所述像素的短边方向,并且沿着所述短边方向的方向定义为0°时,所述第一取向区域中的所述液晶分子的取向方向实质上为45°且所述第二取向区域中的液晶分子的取向方向实质上为225°,或者所述第一取向区域中的所述液晶分子的取向方向实质上为135°且所述第二取向区域中的液晶分子的取向方向实质上为315°。
所述像素电极具有:
第一狭缝形成区域,形成在与上述第一取向区域的所述液晶分子的取向方向平行的方向上延伸的多个第一狭缝;
第二狭缝形成区域,形成在与上述第二取向区域的所述液晶分子的取向方向平行的方向上延伸的多个第二狭缝;及
边界区域,设置在所述第一狭缝形成区域和所述第二狭缝形成区域之间;
所述边界区域没有形成狭缝,
当定义了沿着所述像素的长边方向延伸并穿过所述像素电极的短边方向的中心线时,所述边界区域包括关于所述中心线设置在所述短边方向的一侧的第一部分和关于所述中心线设置在所述短边方向的另一侧的第二部分,
在所述多个第一狭缝的所述边界区域侧的端部中,与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部比与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部更靠近所述边界区域侧,
在所述多个第二狭缝的所述边界区域侧的端部中,与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部比与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部更靠近所述边界区域侧。
这里,所述液晶分子的取向方向是在对液晶层施加电压时液晶分子的平面图中,从液晶分子的长轴方向且第一基板部侧的一端部朝向液晶分子的长轴方向且第二基板部侧的另一端部的方向。在这种情况下,当液晶分子的取向方向为0°时,该取向方向对应于液晶分子的长轴方向以及第一基板部侧的一端部朝向右侧的方向(即,3点的方向)。另外,在该情况下,当液晶分子的取向方向是45°时,其取向方向对应于液晶分子的取向方向0°逆时针旋转45°的取向方向。
另外,上述实质上45°是指30°~60°的范围内的角度,或40°~50°的范围内的角度。另外,上述实质上135°是指150°~120°的范围内的角度,或140°~130°的范围内的角度。另外,上述实质上225°是指210°~240°的范围内的角度,或220°~230°的范围内的角度。另外,上述实质上315°是指300°~330°的范围内的角度,或310°~320°的范围内的角度。
另外,所述边界区域是长方形状的区域,其具有平行于像素的长边方向并彼此面对的一对短边,以及平行于像素的短边方向并彼此面对的一对长边。在此,在所述多个第一狭缝的第二狭缝形成区域侧的端部中,最靠近第二狭缝形成区域的端部与长方形区域的在第一狭缝形成区域侧的短边接触。另一方面,在所述多个第二狭缝的第一狭缝形成区域侧的端部中,最靠近第一狭缝形成区域的端部与长方形区域的在第二狭缝形成区域侧的长边接触。
发明效果
本发明的液晶显示面板在上述多个第一狭缝的边界区域侧的端部中,与边界区域的第一部相邻的端部比与边界区域的第二部相邻的端部靠近于边界区域侧,另一方面,在多个第二狭缝的边界区域侧的端部中,边界区域的第二与部相邻的端部比与边界区域的第一部相邻的端部靠近于边界区域侧,由此能够改善显示的均匀度,提高显示品质。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的液晶显示面板的示意截面图。
图2是上述第一实施方式的液晶显示面板的示意截面图。
图3是用于说明上述第一实施方式的液晶分子的状态的示意立体图。
图4是上述第一实施方式的像素电极及其周边部放大后的平面图。
图5是上述像素电极的第一像素电极部的放大平面图。
图6是上述像素电极的第二像素电极部的放大平面图。
图7是上述第一实施方式的暗线的模拟照片
图8是本发明的第二实施方式的像素电极及其周边部放大后的平面图。
图9是上述像素电极的第一像素电极部的放大平面图。
图10是上述像素电极的第二像素电极部的放大平面图。
图11是上述第二实施方式的暗线的模拟照片。
图12是用于说明现有液晶显示面板的暗线的示意平面图。
图13是上述暗线的模拟照片。
具体实施方式
下面,根据图示的实施方式对本发明的液晶显示面板进行详细说明。此外,对个图中相同的部分标注相同附图标记并省略说明。
<第一实施方式>
图1是本发明第一实施方式的液晶显示面板的截面示意性示出的截面图。
液晶显示面板是显示模式为VA模式的液晶显示面板,其包括第一基板部10、第一垂直取向膜20、包含液晶分子41(图2,图3所示)的液晶层30、第二垂直取向膜40及第二基板部50。该第一垂直取向膜20、液晶层30、第二垂直取向膜40和第二基板部50依次层叠在第一基板部10上。另外,在第一垂直取向膜20和第二垂直取向膜40之间,设置有用于密封液晶层30的密封材料90。在此,来自第一基板部10侧的光在经过液晶层30后朝向第二基板部50侧。即,上述光进入液晶显示面板内,从第二基板部50侧出射到液晶显示面板外。
第一基板部10具有第一玻璃基板11和设置在该玻璃基板11的上表面的像素电极102。此外,在玻璃基板11的上面还设有薄膜晶体管13(图3,图4所示),该薄膜晶体管13电连接到像素电极102。另外,第一基板单元10的下方配置有第一偏振片60。另外,第一玻璃基板11为第一基板的一示例。
第二基板部50具有第二玻璃基板51、滤色器52以及对向电极103。该滤色器52以在第二玻璃基板51的厚度方向上与像素电极102相对的方式设置。另外,第二基板部50上,配置有第二偏振片70,该第二偏振片70具有与第一偏振片60的偏振轴(透射轴)正交的偏振轴。另外,第二玻璃基板51为第二基板的一示例。
像素电极102和对向电极103分别是由例如ITO(Indium Tin Oxide)构成的透明电极。
图2是示意性地表示液晶显示面板的平面图。在图2中,向液晶层30施加电压时的液晶分子41以圆锥状示出。更详细地说,与圆锥的顶部对应的液晶分子41的长轴方向的一端部位于第一基板部10侧。另一方面,与圆锥的底部对应的液晶分子41的长轴方向的另一端部位于第二基板部50侧。
在液晶显示面板中,多个长方形状的像素101以矩阵形式多个排列。各像素101具有四个取向区域101a~101d,其中液晶分子41的取向方向方向彼此不同。另外,该取向区域101a~101d沿着像素1000的长边方向(图2的上下方向)排列。另外,取向区域101a,101c是第一取向区域的一示例。另外,取向区域101b,101d是第二取向区域的一示例。
另外,在从第二基板部50侧观察液晶显示面板的情况下,当将与像素101的长向方向正交的方向定义为像素101的短边方向(图2的左右方向),并且沿着该短边方向的方向从图2中的左侧朝向图2中的右侧的方向(从液晶分子41的长轴方向的一端部到图2中的右侧的方向)定义为0°时,取向区域101a中的液晶分子41的取向方向实质上为135°,取向区域101b中的液晶分子41的取向方向实质上为315°,取向区域101c中的液晶分子41的取向方向实质上为45°,取向区域101d中的液晶分子41的取向方向实质上为225°。该些取向方向,例如,可以通过用偏振UV光遮蔽照射光取向膜来设置。
此外,为了提高液晶层30的透射率,像素101的短边方向被设定为与第一偏振片60的偏振轴平行。
这里,液晶分子41的取向方向是指不考虑相对于第一玻璃基板11的上表面的法线方向的倾斜角(预倾角)的方向。更详细地说,液晶分子41的取向方向是指在第一玻璃基板11的上表面投影液晶分子41时,即从第二基板部50侧观察液晶分子41时,液晶分子41的长轴方向的另一端部(第二基板部50侧的端部)朝向的方向。例如,如果液晶分子41的取向方向为10°,则从第二基板部50侧观察液晶分子41时,液晶分子41排列为液晶分子41的长轴方向的另一端部朝向的方向(从液晶分子41的长轴方向的一端侧朝向液晶分子41的长轴方向的另一端部的方向)为相对于液晶分子41的长轴方向的一端部朝向图2中的右侧的方向成为10°。此外,相对于从液晶分子41的长轴方向的一端部到图2中的右侧的方向的逆时针方向的角度设为正值。
另外,上述实质上45°是指30°~60°的范围内的角度,或40°~50°的范围内的角度。另外,上述实质上135°是指150°~120°的范围内的角度,或140°~130°的范围内的角度。另外,上述实质上225°是指210°~240°的范围内的角度,或220°~230°的范围内的角度。另外,上述实质上315°是指300°~330°的范围内的角度,或310°~320°的范围内的角度。
图2的14是沿着像素101的短边方向延伸的栅极布线。
图3是用于说明向液晶层30施加电压时液晶分子41的样子的示意立体图。
取向区域101a中的液晶分子41的倾斜角在像素电极102和对向电极103之间大致固定。与此相同,取向区域101b,101c,101d的各个中的液晶分子41的倾斜角在像素电极102和对向电极103之间大致固定。这里,液晶分子41的倾斜角是指液晶分子41的长轴相对于玻璃基板11的上表面形成的角度。
像素电极102设置在以矩阵状多个排列的长方形状的区域内。该区域是由相互平行的多条栅极布线14、14、…和相互平行的多条源极布线15、15、…来划分的区域。
栅极布线14、14、…设置在第一玻璃基板11上,在与像素101的短边方向平行的方向上延伸。另外,各栅极布线14电连接到薄膜晶体管13的栅极。
源极布线15设置在第一玻璃基板11上,且在与像素101的长边方向平行的方向上延伸。另外,各源极布线15电连接到薄膜晶体管13的源极。
作为薄膜晶体管13,例如,优选使用如下构成:使用硅或氧化物半导体而形成沟道的构成。作为上述氧化物半导体,例如能够使用由铟、镓、锌以及氧(O)构成的化合物(In-Ga-Zn-O)、由铟、锡、锌以及氧构成的化合物(In-Tin-Zn-O)、或者由铟、铝、锌以及氧构成的化合物(In-Al-Zn-O)。
另外,作为栅极布线14和源极布线15,可以使用在液晶显示面板的领域中通常使用的部件,例如铜、钛、铬、铝、钼等金属,以及它们的合金等。
滤光片52由红色滤光片52A、绿色滤光片52B和蓝色滤光片52C构成。该红色滤光片52A、绿色滤光片52B和蓝色滤光片52C分别位于沿着像素101的长边方向排列的多个像素电极102的上方,沿着像素101的长边方向延伸。
图4是将像素电极102及其周边部放大后的平面图。
薄膜晶体管13的漏极电连接到漏极布线16。该漏极布线16也经由接触孔17内的导体电连接到像素电极102。
在由栅极布线14、14、…和源极布线15、15、…划分的矩形区域内,还形成有电容布线18。该电容布线18沿着像素电极14的三边形成,电连接到像素电极102。
像素电极102具有在厚度方向(与图4的纸面垂直的方向)与取向区域101a,101b相对的第一像素电极部102a及在厚度方向上与取向区域101c,101d相对的第二像素电极部102b。在该第一像素电极部102a和第二像素电极部102b之间,沿着像素101的短边方向设置有矩形的切口部102c和连接部102d。
切口部102c从像素电极102的一对长边中的一边向该一对长边的另一边延伸。即,该切口部102c形成为沿像素101的短边方向延伸。
连接部102d是连接第一像素电极部102a和第二像素电极部102b的部分,以与切口部102c邻接的方式形成。另外,连接部102d位于上述一对长边的另一边侧。
图5是将第一像素电极部102a放大的平面图。
第一像素电极部102a具有在厚度方向(与图5的纸面垂直的方向)上与取向区域101a相对的第一狭缝形成区域111及在厚度方向上与取向区域101b相对的第二狭缝形成区域121和边界区域131。
在第一狭缝形成区域111中,形成有7条狭缝112A~112G,该狭缝112A~112G在与取向区域101a中的液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝112A~112G是第一狭缝的一示例。
狭缝112A~112G被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝112A~112G的宽度例如被设定为3.0μm。另外,狭缝112A~112G之间的间隔例如也被设定为3.0μm。即,狭缝112A~112G的形成间距例如也可以设定为6.0μm。另外,上述形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
在第二狭缝形成区域121中,形成有8条狭缝122A~122H,该狭缝122A~122H在与取向区域101b中的液晶分子的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝122A~122H是第二狭缝的一示例。
狭缝122A~122H被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝122A~122H的宽度被设定为与狭缝112A~112G的宽度相同的宽度。该狭缝122A~122H之间的间隔被设定为与狭缝112A~112G之间的间隔相同的间隔。另外,上述狭缝122A~122H的形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
边界区域131设置在第一狭缝形成区域111和第二狭缝形成区域121之间。该边界区域131的宽度(图5的上下方向的长度)被设定为比狭缝112A~112G或狭缝122A~122H的宽度窄的宽度。另外,边界区域131还包括沿像素101的短边方向排列的第一、第二部分131a,131b。在第一、第二部分131a,131b中都没有形成狭缝。在此,第一部分131a设置在比像素电极102的中心线C101更靠像素电极102的一侧(沿着像素101的短边方向的方向的一侧)。另外,第二部分131b设置在比像素电极102的中心线C101更靠像素电极102的另一侧(沿着像素101的短边方向的方向的另一侧)。即,对于像素电极102的中心线C101,第一部分131a位于一侧,而第二部分131b位于另一侧。换言之,第一、第二部分131a,131b相对于像素电极102的中心线C101彼此设置在相反侧。
对于边界区域131的第一部分131a,狭缝112A~112E的边界区域131侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧(图5中下侧)。另外,对于边界区域131的第一部分131a,狭缝122A,122B的边界区域131侧的端部配置在沿像素101的长边方向的另一侧(图5中上侧)。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝112C~112E,122A,122B的边界区域131侧的端部与边界区域131的第一部131a邻接。
对于边界区域131的第二部分131b,狭缝112F,112G的边界区域131侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧。另外,对于边界区域131的第二部分131b,狭缝122C~122H的边界区域131侧配置在沿像素101的长边方向的另一侧(图5中上侧)。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝112F,112G,122C~122E的边界区域131侧的端部与边界区域131的第二部131b邻接。
边界区域131的第一狭缝形成区域111侧的长边在狭缝112C,112F,112G的边界区域131侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部与边界区域131的第一狭缝形成区域111侧的长边连接。
边界区域131的第二狭缝形成区域121侧的长边在狭缝122A,122B,122E的边界区域131侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝122C,122D的边界区域131侧的端部与边界区域131的第二狭缝形成区域121侧的长边连接。
另外,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐。另外,狭缝112F,112G的边界区域131侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐。由此,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部,比狭缝112A~112C,112F,112G的边界区域131侧的端部更靠近于边界区域131侧。换言之,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部相对于边界区域131配置得相对近。狭缝112A~112C,112F,112G的边界区域131侧的端部相对于边界区域131配置得相对远。更详细地说,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部到达边界区域131,但是狭缝112A~112C,112F,112G的边界区域131侧的端部没有到达边界区域131。
另外,狭缝122A,122B的边界区域131侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐。另外,狭缝122C,122D的边界区域131侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐。由此,狭缝122C,122D的边界区域131侧的端部,比狭缝122A,122B,122E~122H的边界区域131侧的端部更靠近于边界区域131侧。换言之,狭缝122A,122B的边界区域131侧的端部相对于边界区域131配置得相对近。另一方面,狭缝122A,122B,122E~122H的边界区域131侧的端部相对于边界区域131配置得相对远。更详细地说,狭缝122C,122D的边界区域131侧的端部到达边界区域131,但是狭缝122A,122B,122E~122H的边界区域131侧的端部没有到达边界区域131。
另外,狭缝112D~112G的边界区域131侧的端部与狭缝122A~122D的边界区域131侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。此时,对称中心位于比边界区域131中的中心线C101更靠在图5中的左侧。另外,以使对称中心位于边界区域131内的中心线上的方式,配置狭缝112D~112G的边界区域131侧的端部和狭缝122A~122D的边界区域131侧的端部。
另外,狭缝112D~112G的边界区域131侧的端部和狭缝122A~122D的边界区域131侧的端部在沿像素101的长度方向的方向上相互对向。
此外,如图5所示,中心线C101穿过像素电极102的宽度(图5的左右方向的长度)的中心,并且沿着像素101的长边方向延伸。
图6是将第二像素电极部102b放大后的平面图。
第二像素电极部102b具有在厚度方向(与图6的纸面垂直的方向)上与取向区域101c相对的第一狭缝形成区域141、及在厚度方向上与取向区域101d相对的第二狭缝形成区域151、和边界区域161。
在第一狭缝形成区域141中,形成有8条狭缝142A~142H,该狭缝142A~142H在与取向区域101c中的液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝142A~142H是第一狭缝的一示例。
狭缝142A~142H被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝142A~142H的宽度例如被设定为3.0μm。另外,狭缝142A~142H之间的间隔例如也被设定为3.0μm。即,狭缝142A~142H的形成间距例如也可以设定为6.0μm。另外,上述形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
在第二狭缝形成区域151中,形成有8条狭缝152A~152H,该狭缝152A~152H在与取向区域101d中的液晶分子的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝152A~152H是第二狭缝的一示例。
狭缝152A~152H被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝152A~152H的宽度被设定为与狭缝142A~142H的宽度相同的宽度。另外,狭缝152A~152H之间的间隔被设定为与狭缝142A~142H之间的间隔相同的间隔。另外,上述狭缝152A~152H的形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
边界区域161设置在第一狭缝形成区域141和第二狭缝形成区域151之间。该边界区域161的宽度(图6的上下方向的长度)被设定为比狭缝142A~142H或狭缝152A~152H的宽度窄的宽度。边界区域161还包括沿像素101的短边方向排列的第一、第二部分161a,161b。在第一、第二部分161a,161b中都没有形成狭缝。在此,第一部分161a设置在比像素电极102的中心线C101更靠像素电极102的一侧(沿着像素101的短边方向的方向的一侧)。另外,第二部分161b设置在比像素电极102的中心线C101更靠像素电极102的另一侧(沿着像素101的短边方向的方向的另一侧)。即,对于像素电极102的中心线C101,第一部分161a位于一侧,而第二部分161b位于另一侧。换言之,第一、第二部分161a和161b相对于像素电极102的中心线C101彼此设置在相反侧。
对于边界区域161的第一部分161a,狭缝142A,142B的边界区域161侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧(图6中下侧)。对于边界区域161的第一部分161a,狭缝142A,142B的边界区域161侧的端部配置在沿像素101的长边方向的另一侧(图6中上侧)。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝142A,142B,152D~152F的边界区域161侧的端部与边界区域161的第一部分161a邻接。
对于边界区域161的第二部分161b,狭缝142A~142H的边界区域161侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧。另外,对于边界区域161的第二部分161b,狭缝152G,152H的边界区域161侧的端部配置在沿像素101的长边方向的另一侧。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝142C~142E,152G,152H的边界区域161侧的端部与边界区域161的第二部161b邻接。
边界区域161的第一狭缝形成区域141侧的长边在狭缝142A,142B,142E的边界区域161侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部与边界区域161的第一狭缝形成区域141侧的长边连接。
边界区域161的第二狭缝形成区域151侧的长边在狭缝152D,152G,152H的边界区域161侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部与边界区域161的第二狭缝形成区域151侧的长边连接。
另外,狭缝142A,142B的边界区域161侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐。另外,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐。由此,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部位于比狭缝142A,142B,142E~142H的边界区域161侧的端部更靠边界区域161侧。换言之,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部相对于边界区域161配置得相对近。另一方面,狭缝142A,142B,142E~142H的边界区域161侧的端部相对于边界区域161配置得相对远。更详细地说,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部到达边界区域161,但是狭缝142A,142B,142E~142H的边界区域131侧的端部没有到达边界区域161。
另外,狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐。另外,狭缝152G,152H的边界区域161侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐。由此,狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部位于比狭缝152A~152D,152G,152H的边界区域161侧的端部更靠边界区域161侧。换言之,狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部相对于边界区域161配置得相对近。另一方面,狭缝152A~152D,152G,152H的边界区域161侧的端部相对于边界区域161配置得相对远。更详细地说,狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部到达边界区域161,但是狭缝152A~152D,152G,152H的边界区域131侧的端部没有到达边界区域161。
另外,狭缝142A~142D的边界区域161侧的端部与狭缝152E~152H的边界区域161侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。此时,对称中心位于比边界区域161中的中心线C101更靠在图6中的左侧。另外,以使对称中心位于边界区域161内的中心线上的方式,配置狭缝142A~142D的边界区域161侧的端部和狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部。
另外,狭缝142A~142D的边界区域161侧的端部和狭缝152E~152H的边界区域161侧的端部在沿像素101的长度方向的方向上相互对向。
根据上述构成的液晶显示面板,在第一狭缝形成区域111侧,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部位于比狭缝112F,112G的边界区域131侧的端部更靠边界区域131侧。另外,在第二狭缝形成区域121侧,狭缝122C,122D的边界区域131侧的端部位于比狭缝122A,122B的边界区域131侧的端部更靠边界区域131侧。由此,通过对液晶层30施加电压,双暗线发生在像素101的第一像素电极部102a上的部分时,能够使边界区域131上的特定位置上发生双暗线的错位。
另外,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部位于比狭缝122A,122B,122E~122H的边界区域161侧的端部更靠边界区域161侧。另外,狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部位于比狭缝152G,152H的边界区域161侧的端部更靠边界区域161侧。由此,通过对液晶层30施加电压,双暗线发生在像素101的第一像素电极部102b上的部分时,能够使边界区域161上的特定位置上发生双暗线的错位。
因此,在像素101的第一、第二像素电极部102a,102b上的部分中,能够抑制双暗线的错位的发生位置不均匀,因此能够改善显示的均匀度,提高显示品质。
另外,由于在所述边界区域131,161中没有形成狭缝,所以通过设定宽度具有以下效果。
该边界区域131的宽度被设定为比狭缝112A~112G或狭缝122A~122H的宽度窄的宽度。由此,在液晶显示面板中与第一像素电极部102a对应的区域中,能够缩小施加电压时发生双暗线的区域,因此能够有效地抑制透射率降低。
另外,边界区域161的宽度被设定为比狭缝142A~142H或狭缝152A~152H的宽度窄的宽度。由此,在液晶显示面板中与第二像素电极部102b对应的区域中,能够缩小施加电压时发生双暗线的区域,因此能够有效地抑制透射率降低。
另外,在第一像素电极部102a的第一狭缝形成区域111中,两个狭缝112D,112E设置在比两个狭缝112F,112G更靠近边界区域131的附近。另外,在第一像素电极部102a的第二狭缝形成区域121侧中,两个狭缝122C,122D设置在比两个狭缝122A,122B更靠近边界区域131的附近。因此,在像素101的第一像素电极部102a上的部分中,能够达到提高抑制双暗线的错位的发生位置不均匀的效果。
另外,在第二像素电极部102b的第一狭缝形成区域141侧中,两个狭缝142C,142D设置在比两个狭缝142A,142B更靠近边界区域161的附近。另外,在第二像素电极部102b的第二狭缝形成区域151侧中,两个狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部设置在比两个狭缝152G,152H更靠近边界区域161的附近。因此,在像素101的第二像素电极部102b上的部分中,能够达到提高抑制双暗线的错位的发生位置不均匀的效果。
另外,在第一像素电极部102a中,狭缝112D,112E的边界区域131侧的端部和狭缝122A,122B的边界区域131侧的端部的、在沿像素101的长度方向的方向的位置是对齐的。另外,在第一像素电极部102a中,狭缝112F,112G的边界区域131侧的端部和狭缝122C,122D的边界区域131侧的端部的、在沿像素101的长度方向的方向的位置是对齐的。因此,在像素101的第一像素电极部102a上的部分中,能够达到提高抑制双暗线的错位的发生位置不均匀的效果。
另外,在第二像素电极部102b中,狭缝142A,142B的边界区域161侧的端部和狭缝152E,152F的边界区域161侧的端部的、在沿像素101的长度方向的方向的位置是对齐的。另外,在第二像素电极部102b中,狭缝142C,142D的边界区域161侧的端部和狭缝152G,152H的边界区域161侧的端部的、在沿像素101的长度方向的方向的位置是对齐的。因此,在像素101的第二像素电极部102b上的部分中,能够达到提高抑制双暗线的错位的发生位置不均匀的效果。
另外,狭缝112D~112G的边界区域131侧的端部与狭缝122A~122D的边界区域131侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。因此,虽然通过对第一像素电极部102a施加电压会发生双暗线,但抑制该双案线错位的发生位置不均匀的效果与该些端部呈现的形状没有呈点对称的形状时相比变高。
另外,狭缝142A~142D的边界区域161侧的端部与狭缝152E~152H的边界区域161侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。因此,虽然通过对第二像素电极部102a施加电压会发生双暗线,但抑制该双暗线的错位的发生位置不均匀的效果与该些端部呈现的形状没有呈点对称的形状时相比变高。
图7是示出模拟了上述第一实施方式的暗线1的发生的结果的一个像素的照片。在图7中,向液晶层30施加电压时的液晶分子41以圆锥状示出。更详细地说,圆锥的头部对应于图2,图3的圆锥的底部。另一方面,与圆锥的头部侧相反侧的端部即前端部对应于图2、图3的圆锥的顶部。
根据图7,错位P101以第一像素电极部102a的边界区域131与中心线C101重叠的方式发生,错位P111以第二像素电极部102b的边界区域161与中心线C101重叠的方式发生,错位P101和错位P111的、沿像素101的长度方向的位置是对齐的。
在上述第一实施方式中,取向区域101a~101d按取向区域101a~101d的顺序排列,但不限于该顺序,例如也可以按取向区域101b,101a,101d,101c的顺序排列。在以取向区域101b,101a,101d,101c的顺序排列的情况下,即使不变更像素电极102的形状,也能够得到与上述第一实施方式相同的作用效果。
在上述第一实施方式中,与取向区域101c和101d相比,取向区域101a和101b设置在远离像素电极102的薄膜晶体管13的位置上,但是也可以设置在靠近像素电极102的薄膜晶体管13的位置上。也就是说,也可以构成为取向区域101a,101b的位置与取向区域101c,101d的位置相互调换。
在上述第一实施方式中,像素101具有取向区域101a~101d,但也可以具有取向区域101a,101b且不具有取向区域101c,101d,也可以具有取向区域101c,101d且不具有取向区域101a,101b。即,一个像素101可以仅具有取向区域101a,101b,也可以仅具有取向区域101c,101d。
在第一实施方式中,第一偏振片60的偏振轴平行于像素101的短边方向,并且第二偏振片70的偏振轴平行于像素101的长边方向,但也可以第一偏振片60的偏振轴平行于像素101的长边方向,并且第二偏振片70的偏振轴平行于像素101的短边方向。
在上述第一实施方式中,栅极布线14没有形成为与像素电极102的长边方向的中央部重叠,但也可以形成为与像素电极102的长边方向的中央部重叠。在这种情况下,栅极布线14延伸的方向可以与像素101的短边方向平行,也可以与像素101的短边方向不平行。
在上述第一实施方式中,狭缝112A~112G的宽度与狭缝112A~112G之间的间隔相互相同,但也可以相互不同。
在上述第一实施方式中,狭缝122A~122H的宽度与狭缝122A~122H之间的间隔相互相同,但也可以相互不同。
在上述第一实施方式中,当像素电极102的短边方向的长度为L时,在其短边方向上,第一、第二部分131a,131b分别具有L/2的长度,但是例如第一部分131a可以具有L/3的长度,而第二部分131b具有2L/3的长度。
在上述第一实施方式中,狭缝112D~112G的边界区域131侧的端部和狭缝122A~122D的边界区域131侧的端部构成点对称的形状,但是例如,也可以仅由狭缝112E~112G的边界区域131侧的端部和狭缝122B~122D的边界区域131侧的端部构成点对称的形状。或者,也可以仅由狭缝112E,112F的边界区域131侧的端部与狭缝122B,122C的边界区域131侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。或者,也可以仅由狭缝112F的边界区域131侧的端部与狭缝122B的边界区域131侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。
在上述第一实施方式中,形成在第一狭缝形成区域111中的狭缝的数量为7条,但也可以是7条以外的多条。
在上述第一实施方式中,在第二狭缝形成区域121、第一狭缝形成区域141和第二狭缝形成区域151中形成的狭缝的数量为8条,但是也可以是8条以外的多条。
在上述第一实施方式中,狭缝142A~142D的边界区域161侧的端部和狭缝152E~152H的边界区域161侧的端部构成点对称的形状,但是例如可以仅由狭缝142B~142D的边界区域161侧的端部和狭缝152E~152G的边界区域161侧的端部构成点对称的形状。或者,也可以仅由狭缝142B,142C的边界区域161侧的端部与狭缝152F,152G的边界区域161侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。或者,也可以仅由狭缝142B的边界区域161侧的端部与狭缝152F的边界区域161侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。
在上述第一实施方式中,边界区域131的宽度被设定为比狭缝112A~112G或狭缝122A~122H的宽度窄的宽度,但是也可以设定为例如比狭缝112A~112G的宽度窄的宽度且比狭缝122A~122H的宽度宽的宽度,或者可以设定成比狭缝112A~112G的宽度宽的宽度且比狭缝122A~122H的宽度窄的宽度。
在上述第一实施方式中,边界区域161的宽度被设定为比狭缝142A~142H或狭缝152A~152H的宽度窄的宽度,但是也可以设定为例如比狭缝142A~142H的宽度窄的宽度且比狭缝152A~152H的宽度宽的宽度,或者可以设置成比狭缝142A~142H的宽度宽的宽度且比狭缝152A~152H的宽度窄的宽度。
<第二实施方式>
下面,对与上述第一实施方式的构成部分相同的构成部分赋予与上述第一实施方式的构成部分相同的附图标记,说明本发明的第二实施方式的液晶显示面板。
图8是本发明的第二实施方式的液晶显示面板所具备的像素电极202及其周边部放大后的平面图。
上述第二实施方式的液晶显示面板与上述第一实施方式的液晶显示面板不同之处在于,代替像素电极102而具备像素电极202。另外,在第二实施方式的液晶显示面板中,像素电极202以外的部分与上述第一实施方式的液晶显示面板的对应部分构成相同。
像素电极202具有在厚度方向(与图8的纸面垂直的方向)与取向区域101a,101b相对的第一像素电极部202a及在厚度方向上与取向区域101c,101d相对的第二像素电极部202b。
图9是将第一像素电极部202a放大后的平面图。
第一像素电极部202a具有在厚度方向(与图9的纸面垂直的方向)上与取向区域101a相对的第一狭缝形成区域211及在厚度方向上与取向区域101b相对的第二狭缝形成区域221、和边界区域231。
在第一狭缝形成区域211中,形成有8条狭缝212A~212H,该狭缝212A~212H在与取向区域101a中的液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝212A~212H是第一狭缝的一示例。
狭缝212A~212H被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝212A~212H的宽度例如被设定为3.0μm。另外,狭缝212A~212H之间的间隔例如也被设定为3.0μm。即,狭缝212A~212H的形成间距例如也可以设定为6.0μm。另外,上述形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
在第二狭缝形成区域221中,形成有8条狭缝222A~222H,该狭缝222A~222H在与取向区域101b中的液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝222A~222H是第二狭缝的一示例。
狭缝222A~222H也被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝222A~222H的宽度被设定为与狭缝212A~212H的宽度相同的宽度。该狭缝222A~222H之间的间隔被设定为与狭缝212A~212H之间的间隔相同的间隔。另外,狭缝222A~222H形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
边界区域231设置在第一狭缝形成区域211和第二狭缝形成区域221之间。该边界区域231的宽度(图9的上下方向的长度)被设定为比狭缝212A~212H或狭缝222A~222H的宽度窄的宽度。另外,边界区域231还包括沿像素101的短边方向排列的第一、第二部分231a和231b。在第一、第二部分231a、231b中都没有形成狭缝。在此,第一部分231a设置在比像素电极202的中心线C201更靠像素电极202的一侧(沿着像素101的短边方向的方向的一侧)。另外,第二部分231b设置在比像素电极202的中心线C201更靠像素电极202的另一侧(沿着像素101的短边方向的方向的另一侧)。即,对于像素电极202的中心线C201,第一部分231a位于一侧,而第二部分231b位于另一侧。换言之,第一和第二部分231a和231b相对于像素电极202的中心线C201彼此设置在相反侧。
对于边界区域231的第一部分231a,狭缝212A~212E的边界区域231侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧(图9中下侧)。另外,对于边界区域231的第一部分231a,狭缝222A和222B的边界区域231侧的端部配置在沿像素101的长边方向的另一侧(图9中上侧)。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝212C~212E、222A、222B的边界区域231侧的端部与边界区域231的第一部231a邻接。
对于边界区域231的第二部分231b,狭缝212F~212H的边界区域131侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧。另外,对于边界区域231的第二部分231b,狭缝222C~222H的边界区域231侧配置在沿像素101的长边方向的另一侧。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝212F~212H、222C~222E的边界区域231侧的端部与边界区域231的第二部分231b邻接。
边界区域231的第一狭缝形成区域211侧的长边在狭缝212C~212E的边界区域231侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝212F和212G的边界区域231侧的端部与边界区域231的第一狭缝形成区域211侧的长边连接。
边界区域231的第二狭缝形成区域221侧的长边在狭缝222C~222E的边界区域231侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝222A和222B的边界区域231侧的端部与边界区域231的第二狭缝形成区域221侧的长边连接。
另外,狭缝212D和212E的边界区域231侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐的。另外,狭缝212F~212H的边界区域231侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐的。由此,狭缝212F~212H的边界区域231侧的端部位于比狭缝212A~212E的边界区域231侧的端部更靠边界区域231侧。换言之,狭缝212F~212H的边界区域231侧的端部相对于边界区域231配置得相对近。另一方面,狭缝212A~212E的边界区域231侧的端部相对于边界区域231配置得相对远。更详细地说,狭缝212F~212H的边界区域231侧的端部到达边界区域231,但是狭缝212A~212E的边界区域231侧的端部没有到达边界区域231。
另外,狭缝222A和222B的边界区域231侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐的。另外,狭缝222C~222E的边界区域231侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐的。由此,狭缝222A、222B的边界区域231侧的端部位于比狭缝222C~222H的边界区域231侧的端部更靠边界区域231侧。换言之,狭缝222A、222B的边界区域231侧的端部相对于边界区域231配置得相对近。另一方面,狭缝222C~222H的边界区域231侧的端部相对于边界区域231配置得相对远。更详细地说,狭缝222A、222B的边界区域231侧的端部到达边界区域231,但是狭缝222C~222H的边界区域231侧的端部没有到达边界区域231。
另外,狭缝212D~212G的边界区域231侧的端部与狭缝222A~222D的边界区域231侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。此时,对称中心位于边界区域231中的中心线C201上。
另外,狭缝212D~212G的边界区域231侧的端部和狭缝222A~222D的边界区域231侧的端部在沿像素101的长度方向的方向上相互对向。
此外,如图9所示,中心线C201穿过像素电极202的宽度(图9的左右方向的长度)的中心,并且沿着像素101的长边方向延伸。
图10是将第二像素电极部202b放大后的平面图。
第二像素电极部202b具有在厚度方向(与图10的纸面垂直的方向)上与取向区域101c相对的第一狭缝形成区域241及在厚度方向上与取向区域101d相对的第二狭缝形成区域251和边界区域261。
在第一狭缝形成区域241中,形成有8条狭缝242A~242H,该狭缝242A~242H在与取向区域101c中的液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝242A~242H是第一狭缝的一示例。
狭缝242A~242H被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝242A~242H的宽度例如被设定为3.0μm。另外,狭缝242A~242H之间的间隔例如也被设定为3.0μm。即,狭缝242A~242H的形成间距例如也可以设定为6.0μm。另外,上述形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
在第一狭缝形成区域251中,形成有9条狭缝252A~252I,该狭缝252A~252I在与取向区域101d中的液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸。此外,狭缝252A~252I是第二狭缝的一示例。
狭缝252A~252I被设定为具有彼此不同的长度,但具有彼此相同的宽度。该狭缝252A~252I的宽度被设定为与狭缝242A~242H的宽度相同的宽度。该狭缝252A~252I之间的间隔被设定为与狭缝242A~242H之间的间隔相同的间隔。另外,上述狭缝252A~252I的形成间距在提高像素101的透射率的观点上,例如优选为7.0μm以下,便于制造的观点上,例如优选为5.2μm以上。
边界区域261设置在第一狭缝形成区域241和第二狭缝形成区域251之间。该边界区域261的宽度(图10的上下方向的长度)被设定为比狭缝242A~242H或狭缝252A~252I的宽度窄的宽度。另外,边界区域261还包括沿像素101的短边方向排列的第一、第二部分261a、261b。在第一、第二部分261a、261b中都没有形成狭缝。在此,第一部分261a设置在像素电极202的中心线C201的像素电极202的一侧(沿着像素101的短边方向的方向的一侧)。另外,第二部分261b设置在比像素电极202的中心线C201更靠像素电极202的另一侧(沿着像素101的短边方向的方向的另一侧)。即,对于像素电极202的中心线C201,第一部分261a位于一侧,而第二部分261b位于另一侧。换言之,第一、第二部分261a、261b相对于像素电极202的中心线C101彼此设置在相反侧。
对于边界区域261的第一部分261a,狭缝242A和242B的边界区域261侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧(图10中下侧)。对于边界区域261的第一部分261a,狭缝252A~252F的边界区域261侧的端部配置在沿像素101的长边方向的另一侧(图10中上侧)。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝242A、242B、252D~252F的边界区域231侧的端部与边界区域261的第一部分261a邻接。
对于边界区域261的第二部分261b,狭缝242C~242H的边界区域261侧的端部配置在沿像素101的长边方向的一侧。另外,对于边界区域261的第二部分261b,狭缝252G~252I的边界区域261侧配置在沿像素101的长边方向的另一侧。另外,在沿着像素101的长边方向的方向上,狭缝242C~242E、252G~252I的边界区域261侧的端部与边界区域261的第二部261b邻接。
边界区域261的第一狭缝形成区域241侧的长边在狭缝242C~242E的边界区域261侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝242A和242B的边界区域261侧的端部与边界区域261的第一狭缝形成区域241侧的长边连接。
边界区域261的第二狭缝形成区域251侧的长边在狭缝252D~252F的边界区域261侧的端部之间具有规定的间隔。另一方面,狭缝252G~252I的边界区域261侧的端部与边界区域261的第一狭缝形成区域251侧的长边连接。
另外,狭缝242A和242B的边界区域261侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐的。另外,狭缝242C~242E的边界区域261侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐的。由此,狭缝242A和242B的边界区域261侧的端部位于比狭缝242C~242H的边界区域261侧的端部更靠边界区域261侧。换言之,狭缝242A和242B的边界区域261侧的端部相对于边界区域261配置得相对近。另一方面,狭缝242C~242H的边界区域261侧的端部相对于边界区域261配置得相对远。更详细地说,狭缝242A和242B的边界区域261侧的端部到达边界区域261,但是狭缝242C~242H的边界区域261侧的端部没有到达边界区域261。
另外,狭缝252E和252F的边界区域261侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置为对齐的。另外,狭缝252G~252I的边界区域261侧的端部的、沿像素101的短边方向的位置也为对齐的。由此,狭缝252G~252I的边界区域261侧的端部位于比狭缝252A~252F的边界区域261侧的端部更靠边界区域261侧。换言之,狭缝252G~252I的边界区域261侧的端部相对于边界区域261配置得相对近。狭缝252A~252F的边界区域261侧的端部相对于边界区域261配置得相对远。更详细地说,狭缝252G~252I的边界区域261侧的端部到达边界区域261,但是狭缝252A~252F的边界区域261侧的端部没有到达边界区域261。
另外,狭缝242A~242D的边界区域261侧的端部与狭缝252E~252H的边界区域261侧的端部呈现的形状呈点对称的形状。此时,对称中心位于边界区域261中的中心线C201上。
另外,狭缝242A~242D的边界区域261侧的端部和狭缝252E~252H的边界区域161侧的端部在沿像素101的长度方向的方向上相互对向。
根据上述结构的液晶显示面板,在边界区域231、261中没有形成狭缝。此外,在狭缝212D~212G、222A~222D的边界区域231侧的端部构成点对称的形状,并且在狭缝242A~242D、252E~252H的边界区域261侧的端部构成点对称的形状。其结果,获得与上述第一实施方式相同的作用效果。
图11是示出模拟了上述第二实施方式的暗线的发生的结果的一个像素的照片。在图11中,与图7相同,向液晶层30施加电压时的液晶分子41以圆锥状示出。
从图11可以看出,在狭缝212D~212G、222A~222D的边界区域231侧的端部呈现的形状的对称中心的上方附近发生错位P201。并且,也可以看出,在狭缝242A~242D、252E~252H的边界区域261侧的端部呈现的形状的对象中心的上方附近发生错位P211。
另外,可以看出在第一像素电极部202a上也发生错位P202、P203,在第二像素电极部202b上也发生错位P212、P213,但错位P202、P203和错位P212、P213沿着像素101的长度方向位置对齐。
对本发明的具体的实施方式已进行说明,但本发明不限定于上述第一和第二实施方式及其变形例,能在本发明的范围中进行各种变形来实施。例如,删除或替换上述第一和第二实施方式中记载的内容的一部分也可以作为本发明的一个实施方式。另外,也可以对第二实施方式进行上述第一实施方式所记载的变形,来创建本发明的一个实施方式。
另外,专利第5184618号公报、日本特开2011-85738号公报以及国际公开第2017/0447532号的记载可以被援用于本发明的液晶显示面板。例如,作为本发明的液晶显示面板的材料、制造方法的一个示例,可以援用专利第5184618号公报、日本特开2011-85738号公报以及国际公开第2017/0447532号记载的材料、制造方法等。
也就是说,总结上述公开如下。
本发明一方面涉及的液晶显示面板,
是显示模式为VA模式的液晶显示面板,包括:
多个长方形状的像素101;
第一基板部10,具有第一基板11和像素电极102,202;
液晶层30,设置在所述第一基板部10上,含有液晶分子41;及
第二基板部50,设置在所述液晶层30上,具有第二基板51和对向电极103;
所述多个像素101分别具有沿所述像素101的长边方向排列的第一、第二取向区域101a,101b,101c,101d,
当将与所述像素101的长向方向正交的方向定义为所述像素101的短边方向,并且沿着所述短边方向的方向定义为0°时,所述第一取向区域101a,101c中的所述液晶分子41的取向方向实质上为45°且所述第二取向区域101b,101d中的液晶分子41的取向方向实质上为225°,或者所述第一取向区域101a,101c中的所述液晶分子41的取向方向实质上为135°且所述第二取向区域101b,101d中的液晶分子41的取向方向实质上为315°,所述像素电极102,202具有:
第一狭缝形成区域111,141,211,241,形成在与上述第一取向区域101a,101c的所述液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸的多个第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H;
第二狭缝形成区域121,151,221,251,形成在与上述第二取向区域101b,101d的所述液晶分子41的取向方向平行的方向上延伸的多个第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I;及
边界区域131,161,231,261,设置在所述第一狭缝形成区域111,141,211,241和所述第二狭缝形成区域121,151,221,251之间;所述边界区域131,161,231,261没有形成狭缝,
当定义了沿着所述像素101的长边方向延伸并穿过所述像素电极102,202的短边方向的中心线时C101,C201,所述边界区域131,161,231,261包括关于所述中心线C101,C201设置在所述短边方向的一侧的第一部分131a,161a,231a,261a和关于所述中心线C101,C201设置在所述短边方向的另一侧的第二部分131b,161b,231b,261b,
在所述多个第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H的所述边界区域131,161,231,261侧的端部中,与所述边界区域131,161,231,261的所述第一部分131a,161a,231a,261a相邻的端部比与所述边界区域131,161,231,261的所述第二部分131b,161b,231b,261b相邻的端部更靠近所述边界区域131,161,231,261侧,
在所述多个第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I的所述边界区域131,161,231,261侧的端部中,与所述边界区域131,161,231,261的所述第二部分131b,161b,231b,261b相邻的端部比与所述边界区域131,161,231,261的所述第一部分131a,161a,231a,261a相邻的端部更靠近所述边界区域131,161,231,261侧。
在上述结构的液晶显示面板中,当对上述液晶层30施加电压时,在第一取向区域和第二取向区域之间的边界线附近发生双暗线。此时,上述第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H的边界区域131,161,231,261侧的端部和第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252通过如上所述设定与A~252I的边界区域131,161,231,261侧的端部的关系,可以在边界区域上的特定位置发生双暗线的错位P101,P111,P201~P203,P211~P213。因此,能够抑制上述回位P101,P111,P201~P203,P211~P213的发生位置的不均,因此能够改善显示的均匀度,提高显示品质。
在一个实施方式的液晶显示面板中,
在上述多个第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H的上述边界区域131,161,231,261侧的端部中,上述边界区域131,161,231,261的上述第一部分131a,161a,231a,261a相邻的端部以及与上述边界区域131,161,231,261的上述第二部131b,161b,231b,261b相邻的端部都具有多个,在上述多个第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I的上述边界区域131,161,231,261侧的端部中,上述边界区域131,161,231,261的上述第一部131a,161a,231a,261a相邻的端部以及与上述边界区域131,161,231,261的上述第二部131b,161b,231b,261b相邻的端部也都具有多个。
根据上述实施方式,通过这些端部的数量为多个,能够提高抑制错位P101,P111,P201~P203,P211~P213的发生位置的不均匀的效果。
在一个实施方式的液晶显示面板中,
在上述多个第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H的上述边界区域131,161,231,261侧的端部中,与上述边界区域131,161,231,261的上述第一部分131a,161a,231a,261a相邻的端部及上述多个第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I的上述边界区域131,161,231,261侧的端部中,与上述边界区域131,161,231,261的第一部分131a,161a,231a,261a相邻的端部在沿着像素101的长边方向的方向上彼此相对,
在上述多个第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H的上述边界区域131,161,231,261侧的端部中,与上述边界区域131,161,231,261的上述第二部分131b,161b、231b、261b相邻的端部及上述多个第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I的上述边界区域131,161,231,261侧的端部中,与上述边界区域131,161,231,261部分131b,161b、231b和261b相邻的端部在沿着像素101的长边方向的方向上彼此相对。
根据上述实施方式,上述第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H的边界区域131,161,231,261侧的端部和第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I的边界区域131,161,231,261侧的端部之间的位置关系,通过如上所述设定,能够提高抑制错位P101,P111,P201~P203,P211~P213的发生位置的不均的效果。
在一个实施方式的液晶显示面板中,
上述多个第一狭缝112D~112G,142A~142D,212D~212G,242A~242D的上述边界区域131,161,231,261侧的端部,与上述多个第二狭缝122A~122D,152E~152H,222A~222D、252E~252H的上述边界区域131,161,231,261侧的端部的形状呈点对称的形状。
根据上述实施方式,上述多个第一缝隙112D~112G,142A~142D,212D~212G,242A~242D的边界区域131,161,231,261侧的端部,与多个第二缝隙122A~122D,152E~152H,222A~222D,252E~252H的边界区域131,161,231,261侧的端部的形状呈点对称的形状,从而可以提高抑制错位P101,P111,P201~P203,P211~P213的发生位置的不均的效果。
在一个实施方式的液晶显示面板中,
所述边界区域131,161,231,261在所述像素101的长边方向上具有宽度,上述宽度比上述第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H与上述第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I中的至少一个的宽度窄。
根据上述实施方式,由于比上述第一狭缝112A~112G,142A~142H,212A~212H,242A~242H与上述第二狭缝122A~122H,152A~152H,222A~222H,252A~252I中的至少一个的宽度窄,所以在液晶显示面板中与像素电极102,202对应的区域中,可以使施加电压时发生双暗线的区域变窄。结果,可以有效地抑制透射率降低。
附图标记说明
10 第一基板部
11 第一玻璃基板
20 第一垂直取向膜
30 液晶层
41 液晶分子
40 第二垂直取向膜
50 第二基板部
51 第二玻璃基板
90 密封材料
101 像素
101a~101d 取向区域
102,202 像素电极
103 对向电极
102a,202a 第一像素电极部
102b,202b 第二像素电极部
111,141,211,241 第一狭缝形成区域
112A~112G,122A~112H,142A~142H,152A~152H,212A~212H,222A~222H,242A~242H,252A~252I 狭缝
121,151,221,251 第二狭缝形成区域
131,161,231,261 边界区域
131a,161a,231a,261a 第一部分
131b,161b,231b,261b 第二部分
C101,C201 中心线

Claims (5)

1.一种液晶显示面板,其的显示模式为VA模式,其特征在于,包括:
多个长方形状的像素;
第一基板部,具有第一基板和像素电极;
液晶层,设置在所述第一基板部上,含有液晶分子;及
第二基板部,设置在所述液晶层上,具有第二基板和对向电极,
所述多个像素分别具有沿所述像素的长边方向排列的第一取向区域与第二取向区域,
当将与所述像素的长边方向正交的方向定义为所述像素的短边方向,并且沿着所述短边方向的方向定义为0°时,所述第一取向区域中的所述液晶分子的取向方向实质上为45°且所述第二取向区域中的液晶分子的取向方向实质上为225°,或者所述第一取向区域中的所述液晶分子的取向方向实质上为135°且所述第二取向区域中的液晶分子的取向方向实质上为315°,
所述像素电极具有:
第一狭缝形成区域,形成有在与上述第一取向区域的所述液晶分子的取向方向平行的方向上延伸的多个第一狭缝;
第二狭缝形成区域,形成有在与上述第二取向区域的所述液晶分子的取向方向平行的方向上延伸的多个第二狭缝;及
边界区域,设置在所述第一狭缝形成区域与所述第二狭缝形成区域之间;
所述边界区域没有形成狭缝,
当定义了沿着所述像素的长边方向延伸并穿过所述像素电极的短边方向的中心线时,所述边界区域包括关于所述中心线设置在所述短边方向的一侧的第一部分和关于所述中心线设置在所述短边方向的另一侧的第二部分,
在所述多个第一狭缝的所述边界区域侧的端部中,与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部比与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部更靠近所述边界区域侧,
在所述多个第二狭缝的所述边界区域侧的端部中,与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部比与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部更靠近所述边界区域侧。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,
在所述多个第一狭缝的所述边界区域侧的端部中,与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部及与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部均有多个,
在所述多个第二狭缝的所述边界区域侧的端部中,与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部及与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部也均有多个。
3.如权利要求1或2所述的液晶显示面板,其特征在于,
在所述多个第一狭缝的所述边界区域侧的端部中的与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部,与在所述多个第二狭缝的所述边界区域侧的端部中的与所述边界区域的所述第一部分相邻的端部,在沿所述像素的长边方向的方向上彼此对向,
在所述多个第一狭缝的所述边界区域侧的端部中的与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部,与在所述多个第二狭缝的所述边界区域侧的端部中的与所述边界区域的所述第二部分相邻的端部,在沿所述像素的长边方向的方向上彼此对向。
4.如权利要求1至3中任一项所述的液晶显示面板,其特征在于,
所述多个第一狭缝的所述边界区域侧的端部与所述多个第二狭缝的所述边界区域侧的端部的形状呈点对称的形状。
5.如权利要求1至4中任一项所述的液晶显示面板,其特征在于,
所述边界区域在所述像素的长边方向上具有宽度,
所述宽度比所述第一狭缝与所述第二狭缝中的至少一个的宽度窄。
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