CN112014661B - 一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统，包括：测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压；对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值；测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压；按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性。本发明的方法为更好的对避雷器电阻片在直流偏置电压下的长期运行稳定性进行考核，从而保证避雷器的稳定运行提供了技术支撑。

Description

一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统
技术领域
本发明涉及避雷器技术领域，并且更具体地，涉及一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统。
背景技术
氧化锌电阻片是避雷器核心部件，其性能直接决定避雷器性能好坏。电阻片加速老化试验作为验证避雷器长期运行稳定性及寿命评估的重要手段，是一项重要的型式试验内容。
现有的检测方法是通过功率损耗来确定电阻片的老化特性。随着我国特高压直流输电技术的发展，直流避雷器获得了大量的使用。一方面，直流电阻片配方和工艺在近年来也取得了很大进步，对于国内目前特高压工程用电阻片，在长期加速老化条件下功耗曲线出现持续下降或稳定的状态，这样无法通过功耗曲线判定电阻片是否通过试验，同时利用Arrhenius模型预测寿命的方法对此类电阻片会失效。另一方面，对于换流站避雷器来说，除交流滤波场避雷器外，其他位置避雷器的持续运行电压或多或少都有直流分量的存在。对于直流避雷器电阻片，当施加长时间的直流偏置电压后会导致电阻片晶界势垒不对称，使得电阻片正反向直流参考电压和残压出现不同程度的升高或者降低，使得电阻片正反向伏安特性不对称，并且，当荷电率较高时这种不对称情况愈加明显。若继续按照现有的技术标准仅仅从功耗判断避雷器电阻片是否通过老化试验将掩盖这一问题，同时，电阻片直流参考电压和残压变化将使得整只避雷器电气参数发生变化。尤其，当功率反送时电阻片承受反向电压作用，若此方向直流参考电压下降程度太大，将使得泄漏电流急剧增大，严重时造成设备损坏。
因此，需要一种能够准确地确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法。
发明内容
本发明提出一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统，以解决如何对直流避雷器电阻片的老化特性进行检测的问题。
为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，提供了一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法，所述方法包括：
测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压；
对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值；
测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压；
根据所述第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压、第一正向残压、第一反向残压、第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压、第二正向残压、第二反向残压、功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性。
优选地，其中在对所述电阻片进行加速老化试验时，将所述电阻片置于温控箱内，所述温控箱内的介质和与所述电阻片对应的避雷器内的介质相同，且所述温控箱内的介质密度大于等于避雷器中的介质密度。
优选地，其中所述对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，包括：
保持所述电阻片处于预设的试验温度范围内，按照预设的电压持续时间对所述电阻片施加预设的加速老化试验电压，在施加试验电压的时间处于第一预设时间范围内时，对所述电阻片的功率损耗进行测量，以获取所述电阻片的功率损耗开始值；并在获取到所述功率损耗开始值后按照预设的时间间隔继续对所述电阻片的功率损耗进行测量，获取功率损耗最大值和功率损耗最小值；其中，所述功率损耗最大值为从测量到功率损耗最小值到老化试验结束期间的最大的功率损耗。
优选地，其中所述预设的老化特性判据，包括：
若所述电阻片的功率损耗最大值与功率损耗最小值的比值小于等于第一预设阈值，并且所述功率损耗最小值与功率损耗开始值的比值小于等于第二预设阈值，并且所述第一正向直流参考电压与第二正向直流参考电压间的正向直流参考电压变化率、第一反向直流参考电压和第二反向直流参考电压间的反向直流参考电压变化率、第一正向残压与第二正向残压间的正向残压变化率和第二正向残压与第二反向残压间的反向残压变化率的残压变化率均小于等于第三阈值，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
优选地，其中所述第一预设阈值为1.3，所述第二预设阈值为1.1，所述第三预设阈值为5％，所述预设倍数包括：0.5倍和1倍。
根据本发明的另一个方面，提供了一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的系统，所述系统包括：
第一测量单元，用于测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压；
功率损耗获取单元，用于对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值；
第二测量单元，用于测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压；
老化特性确定单元，用于根据所述第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压、第一正向残压、第一反向残压、第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压、第二正向残压、第二反向残压、功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性。
优选地，其中在对所述电阻片进行加速老化试验时，将所述电阻片置于温控箱内，所述温控箱内的介质和与所述电阻片对应的避雷器内的介质相同，且所述温控箱内的介质密度大于等于避雷器中的介质密度。
优选地，其中所述功率损耗获取单元，对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，包括：
保持所述电阻片处于预设的试验温度范围内，按照预设的电压持续时间对所述电阻片施加预设的加速老化试验电压，在施加试验电压的时间处于第一预设时间范围内时，对所述电阻片的功率损耗进行测量，以获取所述电阻片的功率损耗开始值；并在获取到所述功率损耗开始值后按照预设的时间间隔继续对所述电阻片的功率损耗进行测量，获取功率损耗最大值和功率损耗最小值；其中，所述功率损耗最大值为从测量到功率损耗最小值到老化试验结束期间的最大的功率损耗。
优选地，其中所述预设的老化特性判据，包括：
若所述电阻片的功率损耗最大值与功率损耗最小值的比值小于等于第一预设阈值，并且所述功率损耗最小值与功率损耗开始值的比值小于等于第二预设阈值，并且所述第一正向直流参考电压与第二正向直流参考电压间的正向直流参考电压变化率、第一反向直流参考电压和第二反向直流参考电压间的反向直流参考电压变化率、第一正向残压与第二正向残压间的正向残压变化率和第二正向残压与第二反向残压间的反向残压变化率均小于等于第三阈值，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
优选地，其中所述第一预设阈值为1.3，所述第二预设阈值为1.1，所述第三预设阈值为5％，所述预设倍数包括：0.5倍和1倍。
本发明提供了一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法及系统，针对直流避雷器电阻片在长期直流偏置作用下出现的参考电压和残压的正负极性不对称问题，对电阻片的加速老化试验进行了改进，并重新确定了老化特性判据，为更好的对避雷器电阻片在直流偏置电压下的长期运行稳定性进行考核，从而保证避雷器的稳定运行提供了技术支撑。
附图说明
通过参考下面的附图，可以更为完整地理解本发明的示例性实施方式：
图1为根据本发明实施方式的确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法100的流程图；
图2为根据本发明实施方式的加速老化试验的流程图；
图3为根据本发明实施方式的某电阻片在在100％荷电率下加速老化试验的功率曲线；以及
图4为根据本发明实施方式的确定直流避雷器电阻片的老化特性的系统400的结构示意图。
具体实施方式
现在参考附图介绍本发明的示例性实施方式，然而，本发明可以用许多不同的形式来实施，并且不局限于此处描述的实施例，提供这些实施例是为了详尽地且完全地公开本发明，并且向所属技术领域的技术人员充分传达本发明的范围。对于表示在附图中的示例性实施方式中的术语并不是对本发明的限定。在附图中，相同的单元/元件使用相同的附图标记。
除非另有说明，此处使用的术语(包括科技术语)对所属技术领域的技术人员具有通常的理解含义。另外，可以理解的是，以通常使用的词典限定的术语，应当被理解为与其相关领域的语境具有一致的含义，而不应该被理解为理想化的或过于正式的意义。
图1为根据本发明实施方式的确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法100的流程图。如图1所示，本发明实施方式提供的确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法，针对直流避雷器电阻片在长期直流偏置作用下出现的参考电压和残压的正负极性不对称问题，对电阻片的加速老化试验进行了改进，并重新确定了老化特性判据，为更好的对避雷器电阻片在直流偏置电压下的长期运行稳定性进行考核，从而保证避雷器的稳定运行提供了技术支撑。本发明实施方式提供的确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法100，从步骤101处开始，在步骤101测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压。
优选地，所述预设倍数包括：所述预设倍数包括：0.5倍和1倍。
对于直流避雷器电阻片，当施加长时间的直流偏置电压后会导致电阻片晶界势垒不对称，使得电阻片正反向直流参考电压和残压出现不同程度的升高或者降低，使得电阻片正反向伏安特性不对称，并且，当荷电率较高时这种不对称情况愈加明显。若继续按照现有的技术标准仅仅从功耗判断避雷器电阻片是否通过老化试验将掩盖这一问题，同时，电阻片直流参考电压和残压变化将使得整只避雷器电气参数发生变化。尤其，当功率反送时电阻片承受反向电压作用，若此方向直流参考电压下降程度太大，将使得泄漏电流急剧增大，严重时造成设备损坏。因此，在本发明的实施方式中考虑电阻片老化前后正反向的直流参考电压和残压变化。
在本发明的实施方式中，在环境温度下，测量老化试验前电阻片的正向直流参考电压U1mA+、反向直流参考电压U1mA-和残压；其中，残压包括0.5倍标称放电电流下的正向残压Ures(0.5In)+和反向残压Ures(0.5In)-；1倍标称放电电流下的正向残压Ures(In)+和反向残压Ures(In)-。其中，电阻片的参考电压和残压以及工频电压均满足标准(GB/T 11032)要求。
在步骤102，对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值。
优选地，其中在对所述电阻片进行加速老化试验时，将所述电阻片置于温控箱内，所述温控箱内的介质和与所述电阻片对应的避雷器内的介质相同，且所述温控箱内的介质密度大于等于避雷器中的介质密度。
优选地，其中所述对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，包括：
保持所述电阻片处于预设的试验温度范围内，按照预设的电压持续时间对所述电阻片施加预设的加速老化试验电压，在施加试验电压的时间处于第一预设时间范围内时，对所述电阻片的功率损耗进行测量，以获取所述电阻片的功率损耗开始值；并在获取到所述功率损耗开始值后按照预设的时间间隔继续对所述电阻片的功率损耗进行测量，获取功率损耗最大值和功率损耗最小值；其中，所述功率损耗最大值为从测量到功率损耗最小值到老化试验结束期间的最大的功率损耗。
在本发明的实施方式中，在对电阻片进行老化试验时，电阻片所在的环境应按照整只避雷器来进行模拟，包括所有与电阻片直接接触的材料(固体或液体)。在试验时，应将电阻片置于具有和避雷器内部相同介质的温控箱中，箱内的容积应至少为电阻片体积的2倍，并且箱内的介质密度应不低于避雷器中介质密度。特殊情况下，如果能够证明，在敞开的空气中进行的试验等价于在实际介质中进行的试验，则可以在敞开的空气中进行老化试验。
在本发明的实施方式中，预设的试验温度范围、电压持续时间、第一预设时间范围和预设的时间间隔可以根据需求设定。例如可以根据现有的老化试验的时间和温度等数据进行测试。例如，在本发明的实施方式中，在进行老化试验时，控制电阻片表面温度在预设的试验温度范围115℃±4K内。试验时，将电阻片加热到预设的试验温度范围115℃±4K内，并在施加预设的加速老化试验电压Uct后的第一预设时间范围1h-2h内测量电阻片的功率损耗开始值Pstart，并在这个电压下持续1000h，在获取Pstart后，每隔不超过预设的时间间隔100h测量一次电阻片的功率损耗，获取功率损耗最大值Pmax和功率损耗最小值Pmin。其中，最终的测量Pend应在老化时间大于1000+100h之后测量。
另外，在试验期间允许试品上偶然断电，但总累积断电时间不得超过设置的断电时间24h，且中断的时间不计入试验的持续时间内，最终的测量应再持续施加电压100h后进行；并且在允许的温度范围内，所有的测量应在相同温度±1K下进行。
在步骤103，测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压。
在本发明的实时方式中，在加速老化试验结束后，待电阻片降至室温后，同标准101一样，再次测量电阻片的正向直流参考电压U1mA+、反向直流参考电压U1mA-、0.5倍标称放电电流下的正向残压Ures(0.5In)+和反向残压Ures(0.5In)-以及1倍标称放电电流下的正向残压Ures(In)+和反向残压Ures(In)-。
在步骤104，根据所述第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压、第一正向残压、第一反向残压、第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压、第二正向残压、第二反向残压、功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性。
优选地，其中所述预设的老化特性判据，包括：
若所述电阻片的功率损耗最大值与功率损耗最小值的比值小于等于第一预设阈值，并且所述功率损耗最小值与功率损耗开始值的比值小于等于第二预设阈值，并且所述第一正向直流参考电压与第二正向直流参考电压间的正向直流参考电压变化率、第一反向直流参考电压和第二反向直流参考电压间的反向直流参考电压变化率、第一正向残压与第二正向残压间的正向残压变化率和第二正向残压与第二反向残压间的反向残压变化率均小于等于第三阈值，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
优选地，其中所述第一预设阈值为1.3，所述第二预设阈值为1.1，所述第三预设阈值为5％。
在确定电阻片的老化特性时，第一预设阈值、第二预设阈值为1.1和第三预设阈值可以根据需求进行设置。例如，设置第一预设阈值为1.3，设置第二预设阈值为1.1，设置第三预设阈值为5％。
在本发明的实施方式中，若电阻片的功率损耗最大值Pmax与功率损耗最小值Pmin的比值小于等于第一预设阈值1.3，并且所述功率损耗最小值Pmin与功率损耗开始值Pstart的比值小于等于第二预设阈值1.1，并且老化前后电阻片的正向直流参考电压U1mA+的变化率、反向直流参考电压U1mA-的变化率、0.5倍标称放电电流下的正向残压Ures(0.5In)+的变化率、0.5倍标称放电电流下的反向残压Ures(0.5In)-的变化率、1倍标称放电电流下的正向残压Ures(In)+的变化率和1倍标称放电电流下的反向残压Ures(In)-的变化率均小于等于第三阈值5％，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
另外，还可以对多个相同型号的电阻片同时进行老化特性的检测，以保证测量结果的准确性。
图2为根据本发明实施方式的加速老化试验的流程图。如图2所示，整个过程包括：
S1,测量电阻片在老化试验前的正反向直流参考电压U1mA(U1mA+和U1mA-)和残压Ures(Ures(0.5In)+、Ures(0.5In)-、Ures(In)+和Ures(In)-)；
S2，按照指定的电压波形和荷电率，在115℃下老化1000h，并获取功率损耗开始值Pstart、功率损耗最大值Pmax和功率损耗最小值Pmin；
S3，测量电阻片在老化试验后的正反向直流参考电压U1mA(U1mA+和U1mA-)和残压Ures(Ures(0.5In)+、Ures(0.5In)-、Ures(In)+和Ures(In)-)；
S4，判断是否满足Pmax≤1.3Pmin且Pmin≤1.1Pstart，若满足，则进行入步骤S5，反之，则进入步骤S7；
S5，判断老化前后的正反向直流参考电压的变化率和残压的变化率是否均满足小于等于5％，若满足则进入步骤S6；反之，则进入步骤S7；
S6，确定电阻片通过老化试验，电阻片的老化特性为稳定；
S7，确定电阻片未通过老化试验，电阻片的老化特性为不稳定。
在本发明的实施方式中，选取了国内A厂家的ZnO电阻片在100％荷电率下进行直流老化试验。规定施加老化电压的方向为正方向，标记为“+”；与老化电压相反的方向为负方向，标记为“-”。得到老化过程中的功率损耗曲线如图3所示。刚加上老化电压时，功率损耗较高，随着老化时间推移，功率损耗持续下降。在0-100h，功率损耗迅速下降；100h之后，功率损耗缓慢下降。仅从功耗来判断，电阻片似乎处于永久“稳定”状态，如果真是这样，那么利用Arrhenius模型预测寿命的方法对此类电阻片会失效。
用现有的技术标准规定的方法判定功耗曲线时，此电阻片是通过加速老化试验的。然而，根据本发明实施方式提供的方法，可以得到如表1所示的电阻片老化前后电气参数。从表1中可以看出，电阻片反向参考电压下降已超过5％，这在电阻片实际运行中是不允许的。因此，按照本发明规定的试验方法及判定依据，可以认为其没有通过加速老化试验。因此，通过对直流参考电压和残压的变化率进行规定，能够使得直流避雷器电阻片的老化判定方法更有效。
表1 A厂家3#电阻片老化前后电气参数(kV)
Figure BDA0002589713290000101
图4为根据本发明实施方式的确定直流避雷器电阻片的老化特性的系统400的结构示意图。如图4所示，本发明实施方式提供的确定直流避雷器电阻片的老化特性的系统400，包括：第一测量单元401、功率损耗获取单元402、第二测量单元403和老化特性确定单元404。
优选地，所述第一测量单元401，用于测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压.
优选地，所述功率损耗获取单元402，用于对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值。
优选地，其中在对所述电阻片进行加速老化试验时，将所述电阻片置于温控箱内，所述温控箱内的介质和与所述电阻片对应的避雷器内的介质相同，且所述温控箱内的介质密度大于等于避雷器中的介质密度。
优选地，其中所述功率损耗获取单元402，对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，包括：
保持所述电阻片处于预设的试验温度范围内，按照预设的电压持续时间对所述电阻片施加预设的加速老化试验电压，在施加试验电压的时间处于第一预设时间范围内时，对所述电阻片的功率损耗进行测量，以获取所述电阻片的功率损耗开始值；并在获取到所述功率损耗开始值后按照预设的时间间隔继续对所述电阻片的功率损耗进行测量，获取功率损耗最大值和功率损耗最小值；其中，所述功率损耗最大值为从测量到功率损耗最小值到老化试验结束期间的最大的功率损耗。
优选地，所述第二测量单元403，用于测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压。
优选地，所述老化特性确定单元404，用于根据所述第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压、第一正向残压、第一反向残压、第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压、第二正向残压、第二反向残压、功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性。
优选地，其中所述预设的老化特性判据，包括：
若所述电阻片的功率损耗最大值与功率损耗最小值的比值小于等于第一预设阈值，并且所述功率损耗最小值与功率损耗开始值的比值小于等于第二预设阈值，并且所述第一正向直流参考电压与第二正向直流参考电压间的正向直流参考电压变化率、第一反向直流参考电压和第二反向直流参考电压间的反向直流参考电压变化率、第一正向残压与第二正向残压间的正向残压变化率和第二正向残压与第二反向残压间的反向残压变化率均小于等于第三阈值，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
优选地，其中所述第一预设阈值为1.3，所述第二预设阈值为1.1，所述第三预设阈值为5％，所述预设倍数包括：0.5倍和1倍。
本发明的实施例的确定直流避雷器电阻片的老化特性的系统400与本发明的另一个实施例的确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法100相对应，在此不再赘述。
已经通过参考少量实施方式描述了本发明。然而，本领域技术人员所公知的，正如附带的专利权利要求所限定的，除了本发明以上公开的其他的实施例等同地落在本发明的范围内。
通常地，在权利要求中使用的所有术语都根据他们在技术领域的通常含义被解释，除非在其中被另外明确地定义。所有的参考“一个/所述/该[装置、组件等]”都被开放地解释为所述装置、组件等中的至少一个实例，除非另外明确地说明。这里公开的任何方法的步骤都没必要以公开的准确的顺序运行，除非明确地说明。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本发明的权利要求保护范围之内。

Claims (8)

1.一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的方法，其特征在于，所述方法包括：
测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压；
对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值；
测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压；
根据所述第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压、第一正向残压、第一反向残压、第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压、第二正向残压、第二反向残压、功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性；
其中，所述预设的老化特性判据，包括：
若所述电阻片的功率损耗最大值与功率损耗最小值的比值小于等于第一预设阈值，并且所述功率损耗最小值与功率损耗开始值的比值小于等于第二预设阈值，并且所述第一正向直流参考电压与第二正向直流参考电压间的正向直流参考电压变化率、第一反向直流参考电压和第二反向直流参考电压间的反向直流参考电压变化率、第一正向残压与第二正向残压间的正向残压变化率和第二正向残压与第二反向残压间的反向残压变化率均小于等于第三阈值，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述电阻片进行加速老化试验时，将所述电阻片置于温控箱内，所述温控箱内的介质和与所述电阻片对应的避雷器内的介质相同，且所述温控箱内的介质密度大于等于避雷器中的介质密度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，包括：
保持所述电阻片处于预设的试验温度范围内，按照预设的电压持续时间对所述电阻片施加预设的加速老化试验电压，在施加试验电压的时间处于第一预设时间范围内时，对所述电阻片的功率损耗进行测量，以获取所述电阻片的功率损耗开始值；并在获取到所述功率损耗开始值后按照预设的时间间隔继续对所述电阻片的功率损耗进行测量，获取功率损耗最大值和功率损耗最小值；其中，所述功率损耗最大值为从测量到功率损耗最小值到老化试验结束期间的最大的功率损耗。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设阈值为1.3，所述第二预设阈值为1.1，所述第三阈值为5％，所述预设倍数包括：0.5倍和1倍。
5.一种确定直流避雷器电阻片的老化特性的系统，其特征在于，所述系统包括：
第一测量单元，用于测量电阻片在加速老化试验前的第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第一正向残压和第一反向残压；
功率损耗获取单元，用于对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值；
第二测量单元，用于测量所述电阻片在加速老化试验后的第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压以及预设倍数的标称放电电流下的第二正向残压和第二反向残压；
老化特性确定单元，用于根据所述第一正向直流参考电压、第一反向直流参考电压、第一正向残压、第一反向残压、第二正向直流参考电压、第二反向直流参考电压、第二正向残压、第二反向残压、功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，按照预设的老化特性判据，确定所述电阻片的老化特性；
其中，所述预设的老化特性判据，包括：
若所述电阻片的功率损耗最大值与功率损耗最小值的比值小于等于第一预设阈值，并且所述功率损耗最小值与功率损耗开始值的比值小于等于第二预设阈值，并且所述第一正向直流参考电压与第二正向直流参考电压间的正向直流参考电压变化率、第一反向直流参考电压和第二反向直流参考电压间的反向直流参考电压变化率、第一正向残压与第二正向残压间的正向残压变化率和第二正向残压与第二反向残压间的反向残压变化率均小于等于第三阈值，则确定所述电阻片的老化特性为稳定；反之，则确定所述电阻片的老化特性为不稳定。
6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，在对所述电阻片进行加速老化试验时，将所述电阻片置于温控箱内，所述温控箱内的介质和与所述电阻片对应的避雷器内的介质相同，且所述温控箱内的介质密度大于等于避雷器中的介质密度。
7.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述功率损耗获取单元，对所述电阻片进行加速老化试验，获取所述电阻片的功率损耗开始值、功率损耗最大值和功率损耗最小值，包括：
保持所述电阻片处于预设的试验温度范围内，按照预设的电压持续时间对所述电阻片施加预设的加速老化试验电压，在施加试验电压的时间处于第一预设时间范围内时，对所述电阻片的功率损耗进行测量，以获取所述电阻片的功率损耗开始值；并在获取到所述功率损耗开始值后按照预设的时间间隔继续对所述电阻片的功率损耗进行测量，获取功率损耗最大值和功率损耗最小值；其中，所述功率损耗最大值为从测量到功率损耗最小值到老化试验结束期间的最大的功率损耗。
8.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述第一预设阈值为1.3，所述第二预设阈值为1.1，所述第三阈值为5％，所述预设倍数包括：0.5倍和1倍。
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