CN112002829B - 显示面板和显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 115
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003553 thiiranes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种显示面板和显示装置，解决了现有技术中水氧易从隔离层边缘入侵的问题。显示面板包括阵列基板，包括显示区域和环绕显示区域的边框区域；凸起，位于边框区域，凸起包括靠近显示区域一侧的第一侧壁和远离显示区域一侧的第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁中的至少一个包括内凹区域；以及隔离层，叠置在所述阵列基板和所述凸起的一侧，且所述凸起位于所述隔离层在所述阵列基板上的正投影内。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
现有的显示面板通常包括设置在有机发光结构层和封装结构之间的隔离层，由于隔离层的边缘暴露于空气中，容易导致水氧从边缘入侵，影响封装可靠性。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置，以解决现有技术中水氧易从隔离层边缘入侵的问题。
本发明第一方面提供了一种显示面板，包括：阵列基板，包括显示区域和环绕显示区域的边框区域；凸起，位于边框区域，凸起包括靠近显示区域一侧的第一侧壁和远离显示区域一侧的第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁中的至少一个包括内凹区域；以及隔离层，叠置在阵列基板和凸起的一侧，且凸起位于隔离层在阵列基板上的正投影内。根据本实施例提供的显示面板，通过设置凸起，凸起的侧壁上形成有内凹区域。这种情况下，后续制备隔离层时，由于内凹区域不在沉积方向上，需要通过原子或离子的扩散作用沉积成膜，导致内凹区域内成膜厚度相比于其它位置的成膜厚度更薄，甚至断开。又由于隔离层的厚度减薄可有效抑制水氧入侵，因此，内凹区域的隔离层可以抑制水氧入侵，进而从整体上降低了水氧经隔离层边缘向内入侵的概率，提高了封装可靠性。与此同时，通过设置凸起，相当于延长了隔离层的长度，即延长了水氧入侵路径，从而进一步降低了水氧入侵的概率，提高了封装可靠性。
在一个实施例中，凸起环绕显示区域。凸起包括分别平行于阵列基板的第一截面和第二截面，第二截面位于第一截面和阵列基板之间；第二截面在第一截面上的正投影落入第一截面内。根据本实施例提供的显示面板，在环形凸起的第一侧壁和第二侧壁上均形成内凹区域，进一步提高封装可靠性。
在一个实施例中，凸起包括与阵列基板接触的第一表面和与第一表面相对设置的第二表面；凸起的宽度自第一表面至第二表面逐渐增大；或凸起的宽度自第一表面至第二表面先减小后增大。根据本实施例提供的显示面板，可以将凸起实施为倒梯形或工形，结构简单易实现。
在一个实施例中，凸起的形成材料包括有机材料或金属。根据本实施例提供的显示面板，采用有机材料或金属制备凸起。对有机材料或金属材料的刻蚀工艺属于面板领域成熟工艺，易于工业实现。
在一个实施例中，阵列基板的边框区域包括衬底基板和位于衬底基板上的有机层，有机层包括凸起，凸起位于有机层远离衬底基板的表面。根据本实施例提供的显示面板，凸起与其下方的有机层一体成型，简化制备工艺。
在一个实施例中，阵列基板包括布线层，布线层包括凸起。根据本实施例提供的显示面板，凸起与阵列基板中的电路走线一体成型，简化制备工艺。
在一个实施例中，阵列基板的边框区域包括依次叠置的多个膜层，凸起靠近阵列基板的一端嵌入多个膜层中的至少一个。根据本实施例提供的显示面板，将凸起嵌入下方膜层，可以增加凸起与其下方膜层间的结合力，提高可靠性。
在一个实施例中，凸起凸出于阵列基板的设置凸起的表面的高度大于等于1微米并且小于等于10微米。凸起过高影响产品小型化，凸起过低不易制备内凹区域。根据本实施例提供的显示面板，将凸起高度设置在1-10微米之间，在产品小型化和工艺复杂程度之间取得折中。
在一个实施例中，显示面板还包括：叠置在隔离层远离阵列基板一侧的封装结构，封装结构在阵列基板上的正投影和隔离层在阵列基板上的正投影重合。根据本实施例提供的显示面板，隔离层和封装结构中的无机封装层，共用同一掩膜版，降低成本。
本发明第二方面提供了一种显示装置，包括上述任一实施例提供的显示面板，以及存储模块和处理模块；存储模块用于存储媒体信息；处理模块与显示面板和存储模块连接，用于将媒体信息显示于显示面板。
根据本发明提供的显示面板和显示装置，通过设置凸起，并在凸起的第一侧壁和/或第二侧壁上形成内凹区域。这样，由于内凹区域不在沉积方向上，因此需要通过离子或原子的扩散作用沉积成膜，导致后续制备的隔离层在内凹区域成膜厚度减薄，甚至断开。又由于隔离层的厚度减薄可有效抑制水氧入侵，因此，内凹区域的隔离层可以抑制水氧入侵，进而从整体上降低了水氧经隔离层边缘向内入侵的概率，提高了封装可靠性。与此同时，通过设置凸起，相当于延长了隔离层的长度，即延长了水氧入侵路径，从而进一步降低了水氧入侵的概率，提高了封装可靠性。
附图说明
图1所示为现有技术中的显示面板的结构示意图。
图2所示为本发明一实施例提供的显示面板的结构示意图。
图3为本发明一实施例提供的凸起的结构示意图。
图4为本发明一实施例提供的凸起的制备过程示意图。
图5为本发明另一实施例提供的凸起的制备过程示意图。
图6所示为本发明一实施例提供的显示装置的结构框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1所示为现有技术中的显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板10包括设置在有机发光结构层110和封装结构12之间的隔离层13。隔离层13可以阻挡制备封装结构12的过程中产生的等离子体，以避免等离子体对有机发光结构层110产生不良影响，进而影响显示效果。隔离层13的制备过程采用和封装结构12中的无机封装层121相同的掩膜版，因此，如图1所示，隔离层13覆盖有机发光结构层110所在的显示区域AA的同时，进一步延伸到阵列基板11的边框区域SS，并且封装结构12不会覆盖隔离层13的侧壁，隔离层13的侧壁直接暴露在空气中。这种情况下，由于隔离层13的致密性低于封装结构12中的无机封装层121的致密性，因此空气中的水氧容易从隔离层13的侧壁向内入侵，降低封装可靠性。
有鉴于此，参阅图2，本发明一实施例提供了一种显示面板。如图2所示，显示面板20包括阵列基板21、隔离层23和凸起24。具体而言，阵列基板21包括显示区域AA和环绕显示区域AA的边框区域SS。凸起24位于边框区域SS，包括靠近显示区域AA一侧的第一侧壁和远离显示区域AA一侧的第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁中的至少一个包括内凹区域。隔离层23叠置在阵列基板21和凸起24的一侧，且凸起24位于隔离层23在阵列基板21上的正投影内。
阵列基板11包括衬底基板和形成于衬底基板上的薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)阵列。衬底基板可以由诸如玻璃材料、金属材料或包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺等塑料材料中的任一种形成。TFT阵列可直接设置在衬底基板上。应当理解，TFT阵列除了包括薄膜晶体管之外，还包括平坦化层、钝化层等膜层，在此不作限定。
隔离层23可以是单个膜层，也可以是依次叠置的多个膜层组成的复合膜层。隔离层23可以采用任意具有水氧阻隔作用的无机材料。在一个实施例中，隔离层23的材料为氧化硅。
阵列基板21被划分为显示区域AA和环绕显示区域AA的边框区域SS，显示区域AA设置有用于发光的有机发光结构层210，边框区域SS设置有凸起24，阻隔层23叠置在阵列基板21上，覆盖有机发光结构层210和凸起23。
有机发光结构层210包括依次设于阵列基板21上的像素限定层、第一电极层、发光层和第二电极层。其中，像素限定层上设有开口，以露出第一电极层。发光层设于像素界定层的开口内且位于露出的第一电极层上。第二电极层覆盖发光层。发光层可为发射红光的子像素、发射绿光的子像素或发射蓝光的子像素。在一个实施例中，第一电极层为阳极，第二电极层为阴极。
在本实施例中，凸起24凸出于阵列基板的设置凸起的表面的高度大于等于1微米并且小于等于10微米。隔离层23包括氧化硅层，氧化硅层的厚度大于等于5埃并且小于等于2000埃，从现有成膜设备的精密度考虑，氧化硅层的厚度为600埃时更易制备。
凸起24的第一侧壁和/或第二侧壁上的内凹区域是指在第一侧壁和/或第二侧壁上形成的周围凸出中间凹陷的区域，也即中间相比于周围向靠近凸起24的内部凹陷的区域。
这种情况下，当利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)或原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)等工艺制备隔离层23时，由于凸起24的内凹区域不在沉积方向上，因此需要通过离子或原子的扩散作用沉积成膜，导致后续制备的隔离层23在内凹区域成膜厚度减薄，甚至断开。又由于隔离层23的厚度减薄有利于抑制水氧入侵，因此内凹区域的隔离层23具有更高的水氧抑制能力，从而降低了水氧经隔离层边缘向内入侵的概率，提高了封装可靠性。与此同时，通过设置凸起24，相当于延长了隔离层23的长度，即延长了水氧入侵路径，从而进一步降低了水氧入侵的概率，提高了封装可靠性。
需要说明的是，本发明实施例对凸起24的数量不作限定。在一个实施例中，凸起24的数量大于等于3个并且小于等于6个。由于凸起24数量越多对水氧的阻隔能力越强，但同时边框区域SS的尺寸也会相应增大。将凸起24的数量设置在3-6个，可以在抑制水氧入侵和减小边框尺寸之间取得折中。
图3为本发明一实施例提供的凸起的结构示意图。结合图2和图3所示，凸起24环绕显示区域AA。凸起24包括分别平行于阵列基板21的第一截面S1和第二截面S2，第二截面S2位于第一截面S1和阵列基板21之间。第二截面S2在第一截面S1上的正投影落入第一截面S1内。这种情况下，相当于凸起24的第一侧壁和第二侧壁均包括内凹区域，从而进一步提高封装可靠性。
具体而言，在一个实施例中，如图3所示，凸起24包括与阵列基板21接触的第一表面B1和与第一表面B1相对设置的第二表面B2，凸起24的宽度自第一表面B1至第二表面B2逐渐增大。凸起24的宽度是指平行于阵列基板21的截面与凸起24的第一侧壁的第一相交线和与第二侧壁的第二相交线之间的垂直距离。
例如，结合图2和图3所示，在由显示区域AA指向边框区域SS的方向上，凸起24的截面为倒梯形。这种情况下，在一个实施例中，凸起24由负性光刻胶经光固化形成，其中负性光刻胶主要为含有环氧基、乙烯基或环硫化物等的聚合物。在一个实施例中，凸起24的形成材料包括但不限于环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺等高分子聚合物。
倒梯形的凸起24可以通过如下步骤制备。图4为本发明一实施例提供的凸起的制备过程示意图。参阅图4，具体而言，首先通过喷墨打印或丝印沉积的方式在阵列基板21上沉积有机层240，再经过曝光和显影使有机层240图案化。对于负性胶而言，随着深度增加曝光程度减弱，即越深的位置越易被显影，因此显影后的负性胶形成倒梯形的凸起24。
在本实施例中，倒梯形凸起24的侧壁和阵列基板21之间的夹角θ大于0°并且小于等于60°。
在一个实施例中，阵列基板21的边框区域SS包括衬底基板和位于衬底基板上的有机层，有机层包括凸起24，凸起24位于有机层远离衬底基板的表面，即凸起24和有机层一体成型。
根据本实施例提供的显示面板，在阵列基板21上形成倒梯形凸起24，工艺简单，易于实现。
在一个实施例中，如图5所示为本发明另一实施例提供的凸起的制备过程示意图。参阅图5，凸起34包括与阵列基板21接触的第一表面B1和与第一表面B1相对设置的第二表面B2，凸起24的宽度自第一表面B1至第二表面B2先减小后增大。
例如，结合图2和图5所示，在由显示区域AA指向边框区域SS的方向上，凸起34的截面大致呈工形。这种情况下，在一个实施例中，凸起24由金属材料形成。由于无机材料和无机材料之间的附着力相比于有机材料和无机材料的附着力更强，因此采用金属形成凸起34相比于采用有机材料形成凸起34而言，可以进一步提高凸起34和隔离层23之间的附着力。
工形凸起24可以通过如下步骤制备。图6为本发明另一实施例提供的凸起的制备过程示意图。参阅图6，首先在阵列基板21上沉积金属层340，然后在金属层340上涂覆保护胶341；接着采用各向异性刻蚀工艺，随着刻蚀深度增加控制刻蚀速率先增大后减小，得到工形凸起34；最后去除保护胶341。
在一个实施例中，阵列基板21包括布线层，布线层包括凸起24。这种情况下，凸起24和阵列基板21中的电路走线同步制备，凸起24的形成材料和阵列基板21中的电路走线的形成材料相同，例如为钛铝钛合金。具体而言，在现有的制备布线层的掩膜版对应阵列基板21的边缘区域SS的位置进一步开设开口，用以在边缘区域SS沉积金属层，后续通过各向异性刻蚀工艺形成工形凸起34。
根据本实施例提供的显示面板，在阵列基板21上形成工形凸起24，工艺简单，易于实现。
在一个实施例中，如图2所示，显示面板20还包括位于阵列基板21的边框区域SS的堤坝，堤坝位于凸起24靠近显示区域AA的一侧，隔离层23进一步覆盖堤坝。具体而言，阵列基板21的边框区域SS设置有依次环绕显示区域AA的第一堤坝251和第二堤坝252，凸起24环绕第二堤坝252。其中，第一堤坝251用来定义有机封装层222的边界，第二堤坝252用来定义第一无机封装层221和第二无机封装层223的边界，第一堤坝251和第二堤坝252还可以进一步阻挡水氧从封装结构22的边缘入侵。
应当理解，由于CVD成膜时采用的掩膜版和阵列基板21之间间隔一定距离，因此第一无机封装层221和第二无机封装层223会越过第二堤坝252，而在第二堤坝252远离显示区域AA的一侧形成一块无机封装层阴影区Q，凸起24位于无机封装层阴影区Q内。
在一个实施例中，如图2所示，显示面板20还包括叠置在隔离层23远离阵列基板21一侧的封装结构22，封装结构22在阵列基板21上的正投影和隔离层23在阵列基板21上的正投影重合。封装结构22包括依次叠置在阵列基板21上的第一无机封装层221、有机封装层222和第二无机封装层223。这种情况下，隔离层23和封装结构22中的无机封装层，即第一无机封装层221和第二无机封装层223，共用同一掩膜版，降低成本。
具体地，形成封装结构22的步骤如下：通过CVD方法在显示区域AA上、第二堤坝252内侧沉积第一无机封装层221，厚度可为0.5微米-1.5微米。再通过喷墨打印在第一堤坝251以内沉积有机材料，经流平和紫外固化，形成有机封装层252，有机封装层252的厚度可为4微米-10微米。然后在第二堤坝252以内、有机封装层222上再次沉积第二无机封装层223，厚度可为0.5微米-1.5微米。多次沉积无机封装层的过程共同形成无机阻隔层阴影区Q。
在一个实施例中，如图2所示，阵列基板21的边框区域SS包括依次叠置的多个膜层，凸起24靠近阵列基板21的一端嵌入多个膜层中的至少一个。
例如，在图2所示的显示面板20中，阵列基板21的边框区域SS包括衬底基板和位于衬底基板上的有机层，凸起24嵌入有机层。这种情况下，显示面板20的边缘区域具有柔性，显示面板适于制备曲面屏，凸起24嵌入有机层，可以避免形成曲面屏的过程中，导致凸起24和有机层接触的位置裂纹，提高可靠性。
本发明还提供了一种显示装置。如图6所示为本发明一实施例提供的显示装置的结构框图，该显示装置50可为电视、平板电能、手机等。如图6所示，显示装置50包括显示面板51、存储模块52和处理模块53。
存储模块52用于存储媒体信息。具体而言，编码器根据编码规则进行模数转换，将像素信息，例如像素的颜色、灰度、对比度等，转换为二进制数码，并将二进制数码储存在存储模块52。
处理模块53与显示面板51和存储模块52连接，用于将媒体信息显示于显示面板51。具体而言，处理模块53控制电源模块对其他各模块的电能供给。电源模块供电后，处理模块53接受存储在存储模块52的图像数字信息，将图像数字信息进行数模转换，即将二进制数码转换为原始的图像信息，再传送到显示面板进行显示。
根据本发明各实施例提供的显示装置50和上述任一实施例提供的显示面板基于同样的发明构思，未在显示装置50部分描述的细节可参阅显示面板部分，这里不予赘述。
为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外，此描述不意图将本申请的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例，但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。
Claims (6)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板，包括显示区域和环绕所述显示区域的边框区域；
凸起，位于所述边框区域，所述凸起包括靠近所述显示区域一侧的第一侧壁和远离所述显示区域一侧的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的至少一个包括内凹区域，所述凸起环绕所述显示区域；所述凸起包括分别平行于所述阵列基板的第一截面和第二截面，所述第二截面位于所述第一截面和所述阵列基板之间；所述第二截面在所述第一截面上的正投影落入所述第一截面内；以及
隔离层，叠置在所述阵列基板和所述凸起的一侧，且所述凸起位于所述隔离层在所述阵列基板上的正投影内；
封装结构，叠置在所述隔离层远离所述阵列基板一侧，所述封装结构在所述阵列基板上的正投影和所述隔离层在所述阵列基板上的正投影重合，所述隔离层覆盖所述显示区域的同时，进一步延伸到所述边框区域，并且所述封装结构不会覆盖所述隔离层的侧壁，所述隔离层的侧壁直接暴露在空气中；
其中，所述阵列基板包括布线层，所述布线层包括所述凸起，所述凸起的形成材料包括金属。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凸起包括与所述阵列基板接触的第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面；
所述凸起的宽度自所述第一表面至所述第二表面逐渐增大；或
所述凸起的宽度自所述第一表面至所述第二表面先减小后增大。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板的所述边框区域包括衬底基板和位于所述衬底基板上的有机层，所述有机层包括所述凸起，所述凸起位于所述有机层远离所述衬底基板的表面。
4.根据权利要求1或2中任一所述的显示面板，所述阵列基板的所述边框区域包括依次叠置的多个膜层，所述凸起靠近所述阵列基板的一端嵌入所述多个膜层中的至少一个。
5.根据权利要求1或2中任一所述的显示面板，其特征在于，所述凸起凸出于所述阵列基板的设置所述凸起的表面的高度大于等于1微米并且小于等于10微米。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一所述的显示面板，以及存储模块和处理模块；
所述存储模块用于存储媒体信息；
所述处理模块与所述显示面板和所述存储模块连接，用于将所述媒体信息显示于所述显示面板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010941775.4A CN112002829B (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 显示面板和显示装置 |
| PCT/CN2021/104547 WO2022052607A1 (zh) | 2020-09-09 | 2021-07-05 | 显示面板 |
| US18/147,191 US20230136874A1 (en) | 2020-09-09 | 2022-12-28 | Display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010941775.4A CN112002829B (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 显示面板和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112002829A CN112002829A (zh) | 2020-11-27 |
| CN112002829B true CN112002829B (zh) | 2024-04-26 |
Family
ID=73469847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010941775.4A Active CN112002829B (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230136874A1 (zh) |
| CN (1) | CN112002829B (zh) |
| WO (1) | WO2022052607A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112002829B (zh) * | 2020-09-09 | 2024-04-26 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110429193A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-11-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110783491B (zh) * | 2019-11-26 | 2022-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111509139A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN111554732B (zh) * | 2020-06-15 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板、其制作方法和可穿戴发光设备 |
| CN112002829B (zh) * | 2020-09-09 | 2024-04-26 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
2020
- 2020-09-09 CN CN202010941775.4A patent/CN112002829B/zh active Active
-
2021
- 2021-07-05 WO PCT/CN2021/104547 patent/WO2022052607A1/zh active Application Filing
-
2022
- 2022-12-28 US US18/147,191 patent/US20230136874A1/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110429193A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-11-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20230136874A1 (en) | 2023-05-04 |
| WO2022052607A1 (zh) | 2022-03-17 |
| CN112002829A (zh) | 2020-11-27 |
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Legal Events
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