CN111982283B - 一种高精度rgb传感器集成电路系统 - Google Patents

一种高精度rgb传感器集成电路系统 Download PDF

Info

Publication number
CN111982283B
CN111982283B CN202010813620.2A CN202010813620A CN111982283B CN 111982283 B CN111982283 B CN 111982283B CN 202010813620 A CN202010813620 A CN 202010813620A CN 111982283 B CN111982283 B CN 111982283B
Authority
CN
China
Prior art keywords
unit
pixel
signal
light source
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010813620.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111982283A (zh
Inventor
卿定求
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Heyi Intelligent Technology Co ltd
Original Assignee
Guangzhou Heyi Intelligent Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Heyi Intelligent Technology Co ltd filed Critical Guangzhou Heyi Intelligent Technology Co ltd
Priority to CN202010813620.2A priority Critical patent/CN111982283B/zh
Publication of CN111982283A publication Critical patent/CN111982283A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111982283B publication Critical patent/CN111982283B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/465—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters taking into account the colour perception of the eye; using tristimulus detection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
    • G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/255—Details, e.g. use of specially adapted sources, lighting or optical systems
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1765—Method using an image detector and processing of image signal
    • G01N2021/177—Detector of the video camera type
    • G01N2021/1772—Array detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N2021/1765—Method using an image detector and processing of image signal
    • G01N2021/177—Detector of the video camera type
    • G01N2021/1776—Colour camera
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection

Abstract

本申请公开了一种高精度RGB传感器集成电路系统，包括：信号传感模块，包括互相连接的光源控制单元、信号收发单元；精度调校模块，包括信号处理单元、用于将信号转换为相应的像素数据的像素处理单元、用于基于标准光源的像素比对结果对接收光信号的像素进行校正的像素校正单元，信号处理单元与信号收发单元相连，像素处理单元与信号处理单元相连，像素校正单元与像素处理单元相连；控制模块，包括主控MCU、电源单元、存储单元，主控MCU与光源控制单元相连、像素校正单元相连，电源单元与信号收发单元、主控MCU相连，存储单元与主控MCU、像素校正单元相连。本申请的高精度RGB传感器集成电路系统，能够克服环境因素的影响，确保系统的检测精度。

Description

一种高精度RGB传感器集成电路系统
技术领域
本申请涉及颜色传感器技术领域，具体是一种高精度RGB传感器集成电路系统。
背景技术
现有的RGB传感器在工作过程中，外界环境会影响被测物表面反光的强弱，特别是在较为恶劣的检测环境中进行工作时，被测物的反光会受到较大的影响，从而使得反射光信号在进入传感器进行信号处理时，造成检测结果准确度与实际值存在差异的问题。因此，亟需一种高精度RGB传感器集成电路系统来解决这一问题。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本申请的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明旨在解决上述技术问题，提供一种高精度RGB传感器集成电路系统，通过对接收信号的像素校正，确保高精度RGB传感器集成电路系统的检测精度。
为实现上述目的，本发明提供了一种高精度RGB传感器集成电路系统，包括：
信号传感模块，包括互相连接的光源控制单元、信号收发单元，所述光源控制单元用于对所述信号收发单元进行光源控制，所述信号收发单元用于发射检测光源信号及接收光信号；
精度调校模块，包括用于对光信号进行预处理的信号处理单元、用于将信号转换为相应的像素数据的像素处理单元、用于基于标准光源的像素比对结果对接收光信号的像素进行校正的像素校正单元，所述信号处理单元与所述信号收发单元相连，所述像素处理单元与所述信号处理单元相连，所述像素校正单元与所述像素处理单元相连；
控制模块，包括配置为控制中心的主控MCU、用于为系统供电的电源单元、用于存储配置参数和校正数据的存储单元，所述主控MCU与所述光源控制单元相连、所述像素校正单元相连，所述电源单元与所述信号收发单元、所述主控MCU相连，所述存储单元与所述主控MCU、所述像素校正单元相连。
基于上述结构，本申请的高精度RGB传感器集成电路系统，通过光源控制单元对信号收发单元进行控制，使信号收发单元向被测物发射测试光，并在精度调校模块的校正下，通过标准光源在外界环境影响下造成的像差对信号收发单元接收到的信号像素进行校正，从而使本申请的高精度RGB传感器集成电路系统在较为恶劣的环境中进行工作时，具有较高的检测精度。
作为优选，所述光源控制单元包括R-光源控制电路、G-光源控制电路、B-光源控制电路；
所述R-光源控制电路包括与所述电源单元相连的R-供电输入端、正极与所述R-供电输入端相连的R-发光二极管LD1、发射极与所述R-发光二极管LD1负极相连的R-放大三极管Q1、并联于所述R-放大三极管Q1的基极与发射极之间的R-单向开关Q2以及分别与所述R-单向开关Q2相连的R-驱动连接端PWMR、R-控制连接端LEDRO，所述R-驱动连接端PWMR、所述R-控制连接端LEDR分别与所述主控MCU相连；
所述G-光源控制电路包括与所述电源单元相连的G-供电输入端、正极与所述G-供电输入端相连的G-发光二极管LD2、发射极与所述G-发光二极管LD1负极相连的G-放大三极管Q3、并联于所述G-放大三极管Q3的基极与发射极之间的G-单向开关Q4以及分别与所述G-单向开关Q4相连的G-驱动连接端PWMG、G-控制连接端LEDG，所述G-驱动连接端PWMG、所述G-控制连接端LEDG分别与所述主控MCU相连；
所述B-光源控制电路包括与所述电源单元相连的B-供电输入端、正极与所述B-供电输入端相连的B-发光二极管LD3、发射极与所述B-发光二极管LD1负极相连的B-放大三极管Q5、并联于所述B-放大三极管Q1的基极与发射极之间的B-单向开关Q6以及分别与所述B-单向开关Q6相连的B-驱动连接端PWMB、B-控制连接端LEDB，所述B-驱动连接端PWMB、所述B-控制连接端LEDB分别与所述主控MCU相连。
作为优选，所述光源控制单元还包括灰度光源控制电路，灰度光源控制电路包括与所述电源单元相连的灰度供电输入端、正极与所述灰度供电输入端相连的灰度发光二极管LD4、发射极与所述灰度发光二极管LD1负极相连的灰度放大三极管Q7、并联于所述灰度放大三极管Q1的基极与发射极之间的灰度单向开关Q8以及分别与所述灰度单向开关Q8相连的灰度驱动连接端PWMO、灰度控制连接端LEDO，所述灰度驱动连接端PWMO、所述灰度控制连接端LEDO分别与所述主控MCU相连。
通过上述光源控制单元的设置，通过RGB三基色光源以及灰度光源的设置，使本申请的高精度RGB光电传感器能够对被测物的灰度颜色进行准确的识别，从而提高像素校正过程中准确度，提高本申请的高精度RGB传感器集成电路系统的检测精度。
作为优选，所述信号收发单元包括与所述光源控制单元相连的阵列发光管、与所述信号处理单元相连的光信号接收器，所述信号处理单元包括依次连接的AD转换电路、滤波电路、信号放大电路；所述AD转换电路与所述光信号接收器相连；所述信号放大电路的输出端与所述像素处理单元相连，以将转换后的电信号转换为像素信号。
作为优选，所述信号放大电路包括分别与所述滤波电路、所述像素处理单元相连的二级放大电路，以及分别与所述二级放大电路、所述光源控制单元相连的放大倍数切换电子开关，以根据检测到的光强度调节信号放大的倍数。
作为优选，所述二级放大电路与所述滤波电路之间连接有防干扰件。
通过放大倍数切换电子开关自适应调节二级放大电路的放大倍数，提高信号放大电路信号处理时的精度。
作为优选，所述校正数据为标准光源对应的像素数据。
作为优选，所述像素校正单元包括用于比对标准光源对应像素和检测光像素的像差比对电路、用于对像素处理后的信号进行波长校正的像差校正电路，所述像差比对电路与所述像素处理单元、所述存储单元相连，所述像差校正电路与所述像差比对电路的输出端相连。
通过像差比对电路将接收到的光信号对应的像素数据与标准光源对应的像素数据进行比对，获取光信号受环境影响造成的像素差，并通过像差校正电路对接收信号进行像素校正，从而对接收到的像素进行补偿，确保本申请高精度RGB传感器集成电路系统的检测精度。
作为优选，所述控制模块还包括成像单元，所述成像单元包括用于接收所述像素处理单元内数据的图像信号处理器、用于显示图像及校正信息的显示器，所述图像信号处理器分别与所述主控MCU、所述显示器、所述像素处理单元、所述像素校正单元相连，所述显示器与所述主控MCU、所述电源单元相连。
作为优选，所述图像信号处理器与所述像素校正单元之间设置有像素补偿电路，所述像素补偿电路用于生成所述像素校正单元内校正的像素参数对应的颜色值，并将颜色值反馈至所述图像信号处理器中进行成像处理。
通过成像单元将系统的检测结果进行成像显示，从而获取被测物的图像，并通过像素补偿电路的设置，提高被测物成像时的准确度，提高本申请高精度RGB传感器集成电路系统的检测精度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中高精度RGB传感器集成电路系统的结构框图；
图2为本申请实施例中主控MCU的结构示意图；
图3为本申请实施例中电源单元的电路原理图；
图4为本申请实施例中光源控制单元的电路原理图；
图5为本申请实施例中圆形像素组成的非直线图像像素阵列示意图；
图6为本申请实施例中六边形像素组成的非直线图像像素阵列示意图；
图7为本申请实施例中信号放大电路的电路原理图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
实施例：参考图1所示的一种高精度RGB传感器集成电路系统，包括：控制模块、信号传感模块、精度调校模块。
控制模块，包括配置为控制中心的主控MCU、用于为系统供电的电源单元、用于存储配置参数和校正数据的存储单元。在本实施例中，主控MCU可以是现有技术中RGB传感器常用的任意一种微机芯片，例如如图2所示的型号为STM32F103RET6、封装模式为TQFP64A_P050L10W10的32位高速处理器。电源单元可以是现有技术中的任意一种电源电路，在本实施例中，选用如图3所示的输出电压为12-24VDC的电源电路。存储单元可以是现有技术中的任意一种存储结构，例如flash、SD卡等。
信号传感模块，包括互相连接的光源控制单元、信号收发单元，光源控制单元用于对信号收发单元进行光源控制，信号收发单元用于发射检测光源信号及接收光信号。
精度调校模块，包括用于对光信号进行预处理的信号处理单元、用于将信号转换为相应的像素数据的像素处理单元、用于对像素进行校正的像素校正单元。
主控MCU与光源控制单元相连、像素校正单元相连，电源单元与信号收发单元、主控MCU相连，存储单元与主控MCU、像素校正单元相连。
参考图4所示，在本实施例中，光源控制单元包括R-光源控制电路、G-光源控制电路、B-光源控制电路。
R-光源控制电路包括与电源单元相连的R-供电输入端、正极与R-供电输入端相连的R-发光二极管LD1、发射极与R-发光二极管LD1负极相连的R-放大三极管Q1、并联于R-放大三极管Q1的基极与发射极之间的R-单向开关Q2以及分别与R-单向开关Q2相连的R-驱动连接端PWMR、R-控制连接端LEDRO，R-驱动连接端PWMR、R-控制连接端LEDR分别与STM32F103RET6的脚38、40相连。
G-光源控制电路包括与电源单元相连的G-供电输入端、正极与G-供电输入端相连的G-发光二极管LD2、发射极与G-发光二极管LD1负极相连的G-放大三极管Q3、并联于G-放大三极管Q3的基极与发射极之间的G-单向开关Q4以及分别与G-单向开关Q4相连的G-驱动连接端PWMG、G-控制连接端LEDG，G-驱动连接端PWMG、G-控制连接端LEDG分别与STM32F103RET6的脚37、36相连。
B-光源控制电路包括与电源单元相连的B-供电输入端、正极与B-供电输入端相连的B-发光二极管LD3、发射极与B-发光二极管LD1负极相连的B-放大三极管Q5、并联于B-放大三极管Q5的基极与发射极之间的B-单向开关Q6以及分别与B-单向开关Q6相连的B-驱动连接端PWMB、B-控制连接端LEDB，B-驱动连接端PWMB、B-控制连接端LEDB分别与STM32F103RET6的脚39、41相连。
作为本实施例的一种优选地实施方式，光源控制单元还包括灰度光源控制电路，灰度光源控制电路包括与电源单元相连的灰度供电输入端、正极与灰度供电输入端相连的灰度发光二极管LD4、发射极与灰度发光二极管LD1负极相连的灰度放大三极管Q7、并联于灰度放大三极管Q7的基极与发射极之间的灰度单向开关Q8以及分别与灰度单向开关Q8相连的灰度驱动连接端PWMO、灰度控制连接端LEDO，灰度驱动连接端PWMO、灰度控制连接端LEDO分别与STM32F103RET6的脚29、脚30相连。
在本实施例中，精度调校模块，包括用于对光信号进行预处理的信号处理单元、用于将信号转换为相应的像素数据的像素处理单元、用于对像素进行校正的像素校正单元，信号处理单元与信号收发单元相连，像素处理单元与信号处理单元相连，像素校正单元与像素处理单元相连。
信号收发单元包括与光源控制单元相连的阵列发光管、与信号处理单元相连的光信号接收器，阵列发光管可以是现有技术中的任意一种光电二极管，光信号接收器可以是现有技术中的RGB三基色光接收器以及灰度光接收器。信号处理单元包括依次连接的AD转换电路、滤波电路、信号放大电路。AD转换电路与光信号接收器相连；信号放大电路的输出端与像素处理单元相连，以将转换后的电信号转换为像素信号。
如图5所示的非直线图像像素阵列100，非直线图像像素阵列100有若干部个图像像素组成。图像像素阵列100可由响应于红光、绿光和蓝光而生成电荷的红色、绿色和蓝色图像像素101形成。
如图示中，非直线图像像素阵列100的图像像素为圆形的，图像像素101-1形成在第一行中，并且图像像素101-2和图像像素101-3形成在与第一行相邻的第二行中。由于非直线图像像素阵列100是非直线的，因此图像像素101-2和101-3与图像像素101-1横向地偏移。换言之，图像像素101-2和101-3的中心102-2和102-3不与图像像素101-1的中心102-1对准。该图案可在整个非直线图像像素阵列100中重复，从而得到相邻行中的像素的中心不对准的非直线阵列。然而，每隔一行中的像素的中心可对准，如中心102-1、102-2、102-3、102-4所示。
在本实施例的一些可行的实施方式中，图像像素101可为被布置成非直线阵列200的六边形图像像素。图像像素还可以是可为三角形、菱形、梯形、五边形、八边形或任何其他所需的形状，例如图6所示的六边形结构。
作为本实施例的一种优选地实施方式，参考图7所示，信号放大电路包括分别与滤波电路、像素处理单元相连的二级放大电路，以及分别与二级放大电路、光源控制单元相连的放大倍数切换电子开关，放大倍数切换电子开关与STM32F103RET6的引脚22连接，以根据检测到的光强度调节信号放大的倍数。这样设置的好处是，通过32位高速处理器控制放大倍数切换电子开关对二级放大电路的放大倍数进行调节，实现检测的自动化，避免人为因素的影响，提高检测精度。
二级放大电路与滤波电路之间连接有防干扰件，防干扰件可以是现有技术中的肖特基二极管。利用肖特基二极管的特性，将采样单元对主信号二级放大电路采样过程中出现的尖峰干扰进行避免，提高信号采样的数据准确性。
作为本实施例的另一种优选地实施方式，校正数据为标准光源对应的像素数据。像素校正单元包括用于比对标准光源对应像素和检测光像素的像差比对电路、用于对像素处理后的信号进行波长校正的像差校正电路，像差比对电路与像素处理单元、存储单元相连，像差校正电路与像差比对电路的输出端相连。
在本实施例的一种可行地实施方式中，控制模块还包括成像单元，成像单元包括用于接收像素处理单元内数据的图像信号处理器、用于显示图像及校正信息的显示器，图像信号处理器分别与主控MCU、显示器、像素处理单元、像素校正单元相连，显示器与主控MCU、电源单元相连。图像信号处理器与像素校正单元之间设置有像素补偿电路，像素补偿电路用于生成像素校正单元内校正的像素参数对应的颜色值，并将颜色值反馈至图像信号处理器中进行成像处理。
工作原理：光源控制信号通过对应的光源控制电路控制信号收发单元向被测物投射光，信号收发单元接收并吸收反射的光路中的红色光信号、绿色光信号、蓝色光信号、灰度光信号、标准光信号。接收到的光信号依次经信号处理单元、像素处理单元转换为相应的像素信号。像素校正单元读取存储器内存储的标准光源对应的像素数据，并将该像素数据与获取到的标准光信号的像素值一一对应进行比对，根据比对结果获取像差，并根据像差对的红色光信号、绿色光信号、蓝色光信号、灰度光信号进行像素补偿，成像后在显示器中进行显示。
以上描述是为了进行图示说明而不是为了进行限制。通过阅读上述描述，在所提供的示例之外的许多实施方式和许多应用对本领域技术人员来说都将是显而易见的。因此，本教导的范围不应该参照上述描述来确定，而是应该参照所附权利要求以及这些权利要求所拥有的等价物的全部范围来确定。出于全面之目的，所有文章和参考包括专利申请和公告的公开都通过参考结合在本文中。在前述权利要求中省略这里公开的主题的任何方面并不是为了放弃该主体内容，也不应该认为申请人没有将该主题考虑为所公开的申请主题的一部分。

Claims (8)

1.一种高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，包括：
信号传感模块，包括互相连接的光源控制单元、信号收发单元，所述光源控制单元用于对所述信号收发单元进行光源控制，所述信号收发单元用于发射检测光源信号及接收光信号；
精度调校模块，包括用于对光信号进行预处理的信号处理单元、用于将信号转换为相应的像素数据的像素处理单元、用于基于标准光源的像素比对结果对接收光信号的像素进行校正的像素校正单元，所述信号处理单元与所述信号收发单元相连，所述像素处理单元与所述信号处理单元相连，所述像素校正单元与所述像素处理单元相连；
控制模块，包括配置为控制中心的主控MCU、用于为系统供电的电源单元、用于存储配置参数和校正数据的存储单元，所述主控MCU与所述光源控制单元相连、所述像素校正单元相连，所述电源单元与所述信号收发单元、所述主控MCU相连，所述存储单元与所述主控MCU、所述像素校正单元相连；
所述校正数据为标准光源对应的像素数据；
所述像素校正单元包括用于比对标准光源对应像素和检测光像素的像差比对电路、用于对像素处理后的信号进行波长校正的像差校正电路，所述像差比对电路与所述像素处理单元、所述存储单元相连，所述像差校正电路与所述像差比对电路的输出端相连。
2.根据权利要求1所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述光源控制单元包括R-光源控制电路、G-光源控制电路、B-光源控制电路；
所述R-光源控制电路包括与所述电源单元相连的R-供电输入端、正极与所述R-供电输入端相连的R-发光二极管LD1、发射极与所述R-发光二极管LD1负极相连的R-放大三极管Q1、并联于所述R-放大三极管Q1的基极与发射极之间的R-单向开关Q2以及分别与所述R-单向开关Q2相连的R-驱动连接端PWMR、R-控制连接端LEDR，所述R-驱动连接端PWMR、所述R-控制连接端LEDR分别与所述主控MCU相连；
所述G-光源控制电路包括与所述电源单元相连的G-供电输入端、正极与所述G-供电输入端相连的G-发光二极管LD2、发射极与所述G-发光二极管LD1负极相连的G-放大三极管Q3、并联于所述G-放大三极管Q3的基极与发射极之间的G-单向开关Q4以及分别与所述G-单向开关Q4相连的G-驱动连接端PWMG、G-控制连接端LEDG，所述G-驱动连接端PWMG、所述G-控制连接端LEDG分别与所述主控MCU相连；
所述B-光源控制电路包括与所述电源单元相连的B-供电输入端、正极与所述B-供电输入端相连的B-发光二极管LD3、发射极与所述B-发光二极管LD1负极相连的B-放大三极管Q5、并联于所述B-放大三极管Q5的基极与发射极之间的B-单向开关Q6以及分别与所述B-单向开关Q6相连的B-驱动连接端PWMB、B-控制连接端LEDB，所述B-驱动连接端PWMB、所述B-控制连接端LEDB分别与所述主控MCU相连。
3.根据权利要求2所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述光源控制单元还包括灰度光源控制电路，灰度光源控制电路包括与所述电源单元相连的灰度供电输入端、正极与所述灰度供电输入端相连的灰度发光二极管LD4、发射极与所述灰度发光二极管LD1负极相连的灰度放大三极管Q7、并联于所述灰度放大三极管Q7的基极与发射极之间的灰度单向开关Q8以及分别与所述灰度单向开关Q8相连的灰度驱动连接端PWMO、灰度控制连接端LEDO，所述灰度驱动连接端PWMO、所述灰度控制连接端LEDO分别与所述主控MCU相连。
4.根据权利要求1所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述信号收发单元包括与所述光源控制单元相连的阵列发光管、与所述信号处理单元相连的光信号接收器，所述信号处理单元包括依次连接的AD转换电路、滤波电路、信号放大电路；所述AD转换电路与所述光信号接收器相连；所述信号放大电路的输出端与所述像素处理单元相连，以将转换后的电信号转换为像素信号。
5.根据权利要求4所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述信号放大电路包括分别与所述滤波电路、所述像素处理单元相连的二级放大电路，以及分别与所述二级放大电路、所述光源控制单元相连的放大倍数切换电子开关，以根据检测到的光强度调节信号放大的倍数。
6.根据权利要求5所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述二级放大电路与所述滤波电路之间连接有防干扰件。
7.根据权利要求1所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述控制模块还包括成像单元，所述成像单元包括用于接收所述像素处理单元内数据的图像信号处理器、用于显示图像及校正信息的显示器，所述图像信号处理器分别与所述主控MCU、所述显示器、所述像素处理单元、所述像素校正单元相连，所述显示器与所述主控MCU、所述电源单元相连。
8.根据权利要求7所述的高精度RGB传感器集成电路系统，其特征在于，所述图像信号处理器与所述像素校正单元之间设置有像素补偿电路，所述像素补偿电路用于生成所述像素校正单元内校正的像素参数对应的颜色值，并将颜色值反馈至所述图像信号处理器中进行成像处理。
CN202010813620.2A 2020-08-13 2020-08-13 一种高精度rgb传感器集成电路系统 Active CN111982283B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010813620.2A CN111982283B (zh) 2020-08-13 2020-08-13 一种高精度rgb传感器集成电路系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010813620.2A CN111982283B (zh) 2020-08-13 2020-08-13 一种高精度rgb传感器集成电路系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111982283A CN111982283A (zh) 2020-11-24
CN111982283B true CN111982283B (zh) 2023-07-11

Family

ID=73435439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010813620.2A Active CN111982283B (zh) 2020-08-13 2020-08-13 一种高精度rgb传感器集成电路系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111982283B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114682524B (zh) * 2020-12-31 2023-07-28 合肥美亚光电技术股份有限公司 一种信号校正方法、装置及分选设备
CN115883989B (zh) * 2023-02-22 2023-05-30 广州市合熠智能科技股份有限公司 一种12位cmos数字rgb颜色传感器集成电路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5616442B2 (ja) * 2010-06-09 2014-10-29 富士フイルム株式会社 撮像装置及び画像処理方法
TWI699629B (zh) * 2018-12-27 2020-07-21 財團法人印刷創新科技研究發展中心 光譜影像擷取裝置及其校正方法
CN209979067U (zh) * 2019-04-22 2020-01-21 广州市合熠电子科技有限公司 一种智能型rgb数字颜色传感器电路系统
CN209689752U (zh) * 2019-04-22 2019-11-26 广州市合熠电子科技有限公司 一体式rgb色彩传感器电路系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN111982283A (zh) 2020-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111982283B (zh) 一种高精度rgb传感器集成电路系统
US11270665B2 (en) Display device and method for controlling brightness of same
US10867556B2 (en) Pixel unit circuit, method for driving the same, and pixel circuit
CN107039001B (zh) 灰阶补偿电路以及灰阶补偿方法
WO2019091268A1 (zh) 电信号检测模组、驱动方法、像素电路和显示装置
KR20200075962A (ko) 피드백 루프를 통해 픽셀들의 각각의 변환 이득들을 결정하는 이미지 센서
CN107505608B (zh) 激光雷达阵列接收器前端读出集成电路
CN112071263A (zh) 显示面板的显示方法及显示装置
CN109697954A (zh) 显示装置及其亮度补偿方法
US9974431B2 (en) Image sensor, imaging device, endoscope, and endoscope system
CN101232582B (zh) 相位调整装置和数码相机
CN110531343A (zh) 时间测量装置
CN107329133B (zh) 矫正型成像激光雷达接收器及信号处理方法
CN113923384B (zh) 光传感器及其感测方法
CN109949730B (zh) 一种显示面板及其残影测试装置和方法
CN100571022C (zh) 采用电荷存储器件的色彩感应电路
CN101770030A (zh) 测距装置及其控制方法
CN210896554U (zh) 一种显示装置
CN217656677U (zh) 一种模式可切换图像传感器
CN212539076U (zh) 一种激光光斑直径检测系统
CN211086592U (zh) 像素电路和飞行时间传感器
KR101047477B1 (ko) 위성체 영상 제어 시스템
CN110599950A (zh) 一种显示装置及其辉度调节方法
CN216824746U (zh) 一种立定跳远测试仪
CN216562425U (zh) 显示面板和显示器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 401, No. 2 Lianpu Street, Huangpu District, Guangzhou City, Guangdong Province, 510000

Patentee after: Guangzhou Heyi Intelligent Technology Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 510000 second floor A3, production base, 73 Ruihe Road, Huangpu District, Guangzhou City, Guangdong Province

Patentee before: Guangzhou Heyi Intelligent Technology Co.,Ltd.

Country or region before: China