CN111969127B - 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置。该显示面板包括：依次设置的基板、背板、电致发光器件层、第一无机层、有机层、缓冲层和第二无机层，缓冲层的致密度小于第二无机层的致密度。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在有机层与第二无机层之间设置缓冲层，该缓冲层的致密度小于第二无机层的致密度，能够解决采用等离子体化学气相沉积工艺制造第二无机层时，有机层中产生大量水氧分子影响显示质量的问题。
Description
技术领域
本公开一般涉及显示技术领域(例如，计算机技术领域)，尤其涉及显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置。
背景技术
在OLED产品评价中，信赖性评价是关键评价之一。信赖性评价的方法有多种，其中最为常用的评价方法为：高温高湿环境(85℃/85％RH)进行的存储测试；信赖性测试发生的不良，通过微观现象分类主要分为两种：一种为像素收缩现象，随测试时间延长，该不良现象扩散速度不明显；另一种为像素失效现象，宏观表现为黑点，随测试时间延长，该不良现象扩散明显。
发明内容
本发明人的主要目的在于提供一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置，以消除显示面板的像素收缩现象和像素失效现象，防止显示黑点的出现。
第一方面，提供一种显示面板，包括：依次设置的基板、背板，、电致发光器件层、第一无机层、有机层、缓冲层和第二无机层，缓冲层的致密度小于第二无机层的致密度。
在一些实施例中，第二无机层厚度大于缓冲层厚度。
在一些实施例中，第二无机层厚度是缓冲层厚度的9至13倍。
在一些实施例中，缓冲层和第二无机层采用相同材料。
在一些实施例中，第一无机层包括至少两层无机层。
第二方面，提供一种显示装置，包括本申请各实施例所提供的显示面板。
第三方面，提供一种显示面板的制造方法，该方法包括：
在基板上，依次形成背板和电致发光器件层；
形成第一无机层；
形成有机层；
采用第一沉积速率形成缓冲层；
采用第二沉积速率形成第二无机层；
其中，形成的缓冲层的致密度小于形成的第二无机层的致密度；
第一沉积速率低于第二沉积速率。
在一些实施例中，形成缓冲层的第一沉积速率是形成第二无机层的第二沉积速率的50％至80％。
在一些实施例中，缓冲层是通过等离子体化学气相沉积工艺形成的，通过降低产生等离子体的射频功率获得第一沉积速率；
制造缓冲层的等离子体的射频功率是制造第二无机层的等离子体的射频功率的60％-80％。
在一些实施例中，缓冲层是通过等离子体化学气相沉积工艺形成的，通过降低反应气体的流量获得第一沉积速率；
制造缓冲层的反应气体的流量是制造第二无机层的反应气体流量的50％-70％。
根据本申请实施例提供的技术方案，通过在有机层与第二无机层之间设置缓冲层，该缓冲层的致密度小于第二无机层的致密度，能够解决采用等离子体化学气相沉积工艺制造第二无机层时，有机层中产生大量水氧分子影响显示质量的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了一种显示面板的示例性结构框图；
图2示出了根据本申请实施例的显示面板的示例性结构框图；
图3示出了根据本申请实施例的显示面板的制造方法示例性流程图；
图4至图7示出了根据图3中显示面板制造方法的的具体示例性示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
发明人发现在OLED产品的信赖性评价中存在如下问题：采用高温高湿环境(85℃/85％RH)进行的信赖性测试中发生的不良，通过微观现象分类主要分为两种：一种为像素收缩现象，随测试时间延长，该不良现象扩散速度不明显；另一种为像素失效现象，宏观表现为黑点，随测试时间延长，该不良现象扩散明显。如图1所示，一种显示面板包括三层TFE封装(Thin-Film Encapsulation，薄膜封装)结构，包括第一无机层104、有机层105和第二无机层106。其中，第一无机层104和第二无机层106均采用等离子体化学气相沉积工艺制造。像素收缩现象或者像素失效现象发生的原因是在于有机层105中存在大量水氧分子。该水氧分子在高温高湿环境下，穿过第一无机层104侵蚀到电致发光器件层103，导致电致发光器件层的材料变性。经过实验分析，该水氧分子是有机层中的有机高分子在采用等离子体化学气相沉积工艺制造第二无机层106过程中，被等离子体轰击后产生。
为了解决上述技术问题，本申请给出一种显示面板，能够有效防止有机层中产生水氧分子。
图2示出了根据本申请实施例的显示面板的示例性结构框图。如图2所示，一种显示面板包括：依次设置的基板101、背板102、电致发光器件层103、第一无机层105-1、有机层105-2、缓冲层105-3和第二无机层105-4，缓冲层105-3的致密度小于第二无机层105-4的致密度。
缓冲层105-3的致密度小于第二无机层105-4的致密度，是指相同体积中，缓冲层105-3的所含的颗粒数量小于第二无机层105-4的所含颗粒的数量。
致密度的差异是因缓冲层105-3和第二无机层105-4的制造工艺的不同形成的。缓冲层105-3采用低沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺成膜形成，第二无机层105-4采用高沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺成膜形成。也就是说，缓冲层采用比第二无机层更低沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺成膜形成。详见显示面板制造方法部分内容。
在一些实施例中，缓冲层和第二无机层均采用相同材料。缓冲层和第二无机层均采用等离子体化学气相沉积工艺形成，材料均为氮化硅。
在一些实施例中，第二无机层厚度大于缓冲层的厚度。缓冲层厚度选取依据：①形成较为完整的薄膜，在不影响第二无机层整体封装效果的基础上尽可能薄；②根据缓冲层不同厚度梯度实验数据进行选择。缓冲层过薄起不到保护的作用，过厚将增加整个显示面板的厚度，应采用适当的合理厚度。
在一些实施例中，第二无机层厚度是缓冲层厚度的9至13倍。根据需求，设置合理的总厚度，该总厚度包括第二无机层厚度和缓冲层厚度，并根据倍数关系获得缓冲层的厚度。例如，第二无机层厚度加上缓冲层厚度的总厚度是则缓冲层厚度可采用的厚度。
在一些实施例中，有机层采用有机高分子材料。该有机高分子材料包括2-甲基-2-丙烯酸-1和12-十二双醇酯二苯基-(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化磷，这些有机高分子材料中包含有水氧基团。有机高分子为聚合物状态时，水氧基团与高分子紧密结合，不会扩散到电致发光器件层。而经过等离子体放电(或者轰击)后，有机高分子中分解出单体的水氧分子，这些水氧分子扩散到电致发光器件层，造成电致发光器件的失效。
在一些实施例中，第一无机层包括至少两层无机层。其中一层采用氮氧化硅材料，另一层采用氧化硅材料。电致发光器件层上方为氮氧化硅膜层，氮氧化硅膜层上方为氧化硅膜层。该氮氧化硅膜层和氧化硅膜层可均采用等离子体化学气相沉积工艺形成。其中氧化硅膜层不仅有保护作用，还具有改善光学效应的作用。
另一方面，本申请还提供一种显示装置。该显示装置包括本申请各实施例所提供的显示面板。
另一方面，本申请还提供一种显示装置的制备方法，该方法包括：
在基板上，依次形成背板和电致发光器件层；
形成第一无机层；
形成有机层；
采用第一沉积速率形成缓冲层；
采用第二沉积速率形成第二无机层；
其中，形成的缓冲层的致密度小于形成的第二无机层的致密度；
第一沉积速率低于第二沉积速率。
在一些实施例中，形成缓冲层的第一沉积速率是形成第二无机层的第二沉积速率的50％至80％。
在一些实施例中，缓冲层是通过等离子体化学气相沉积工艺形成的，通过降低产生等离子体的射频功率获得第一沉积速率；
制造缓冲层的等离子体的射频功率是制造第二无机层的等离子体的射频功率的60％-80％。
在一些实施例中，缓冲层是通过等离子体化学气相沉积工艺形成的，通过降低反应气体的流量获得第一沉积速率；
制造缓冲层的反应气体的流量是制造第二无机层的反应气体流量的50％-70％。
图3示出了根据本申请实施例的显示面板的制造方法示例性流程图。如图3所示，显示面板的制造方法包括如下步骤：
步骤S201：在基板上，依次形成背板和电致发光器件层；
步骤S202：形成第一无机层；
步骤S203：形成有机层；
步骤S204：采用第一沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成缓冲层；
步骤S205：采用第二沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成第二无机层。
下面结合图4至图7说明上述制造方法。
在步骤S201，如图4所示，在基板101上形成背板102和电致发光器件层103。其中，基板可采用柔性材料。背板包括驱动电致发光器件的像素驱动电路，电致发光器件层可包括阳极、阴极和发光层等。
在步骤S202，如图5所示，在电致发光器件层103上，可采用等离子体化学气相沉积工艺形成第一无机层105-1。第一无机层105-1可采用氮氧化硅材料。
在步骤S203，如图6所示，在第一无机层105-1上形成有机层105-2。有机层105-2可采用喷墨打印工艺制造。有机层105-2可采用有机高分子材料。
在步骤S204，如图7所示，在有机层105-2上，采用第一沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成缓冲层105-3。通过单独调节等离子体的射频功率、或反应气体的流量，获得第一沉积速率；或者，同时调节射频功率和反应气体的流量，获得第一沉积速率。缓冲层105-3可采用氮化硅材料。
在步骤S205，如图2所示，在缓冲层105-3上，采用第二沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成第二无机层105-4。第二无机层105-4可采用氮化硅材料。
在形成有机层105-2之后形成缓冲层105-3，该缓冲层105-3通过第一沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺成膜形成。因为采用第一沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺，在制造过程中等离子体的轰击强度减弱，大大减少了有机层中的水氧分子的形成数量。并且，后期在采用第二沉积速率的等离子体轰击下的第二无机层105-4制造过程中，因为缓冲层105-3的隔离保护，防止了在有机层105-2再次产生水氧分子。
在一些实施例中，形成缓冲层的第一沉积速率是形成第二无机层的第二沉积速率的50％至80％。例如，第二无机层的沉积速率为时，第一沉积速率在/>至/>之间。缓冲层的沉积速率的具体数值，可通过具体应用场景的实验数据进一步精确确定，这里不做限定。
在一些实施例中，缓冲层是通过等离子体化学气相沉积工艺形成的，通过降低产生等离子体的射频功率获得第一沉积速率，制造缓冲层的等离子体的射频功率是制造第二无机层的等离子体的射频功率的60％-80％。等离子体化学气相沉积是用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面进行化学反应，生成固态膜的技术。射频放电产生等离子体，因此通过降低产生等离子体的射频功率降低了等离子体的强度。等离子体的强度适当降低后，其轰击强度也降低了，使得有机层中产生的水氧分子的数量也减少了。制造缓冲层的等离子体的射频功率的具体数值，可通过具体应用场景的实验数据进一步精确确定，这里不做限定。
在一些实施例中，缓冲层是通过等离子体化学气相沉积工艺形成的，通过降低反应气体的流量获得第一沉积速率，制造缓冲层的反应气体的流量是制造第二无机层的反应气体流量的50％-70％。在实际应用中，反应气体主要包括SiH4(四氢化硅)和NH3(氨气)。反应气体在等离子体放电过程中，发生化学反应，在有机层表面沉积薄膜形成缓冲层。在等离子体放电过程中，有机层中会产生水氧分子，部分水氧分子穿过有机层表面释放出去，因此沉积速率较低时，释放的水氧分子将增加，而留在有机层中的水氧分子将减少。因此，适当降低反应气体的流量，能够获得减少有机层中的水氧分子数量的效果。制造缓冲层的反应气体流量的具体数值，可通过具体应用场景的实验数据进一步精确确定，这里不做限定。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (8)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：依次设置的基板、背板、电致发光器件层、第一无机层、有机层、缓冲层和第二无机层，所述缓冲层的致密度小于所述第二无机层的致密度，所述第二无机层厚度大于所述缓冲层厚度；其中，
采用第一沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成缓冲层，采用第二沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成第二无机层，第一沉积速率低于第二沉积速率，通过降低产生等离子体的射频功率或通过降低反应气体的流量获得第一沉积速率。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机层厚度是所述缓冲层厚度的9至13倍。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述缓冲层和第二无机层采用相同材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机层包括至少两层无机层。
5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的显示面板。
6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，
在基板上，依次形成背板和电致发光器件层；
形成第一无机层；
形成有机层；
采用第一沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成缓冲层；
采用第二沉积速率的等离子体化学气相沉积工艺形成第二无机层；
其中，所述形成的缓冲层的致密度小于所述形成的第二无机层的致密度；
所述第一沉积速率低于所述第二沉积速率，通过降低产生等离子体的射频功率或通过反应气体的流量获得第一沉积速率，所述形成缓冲层的第一沉积速率是所述形成第二无机层的第二沉积速率的50％至80％。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，通过降低产生等离子体的射频功率获得第一沉积速率时，制造所述缓冲层的等离子体的射频功率是制造所述第二无机层的等离子体的射频功率的60％-80％。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，通过降低反应气体的流量获得第一沉积速率时，制造所述缓冲层的反应气体的流量是制造所述第二无机层的反应气体流量的50％-70％。
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