CN111964809B - 温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统，配设有待测温度传感器，待测温度传感器包括用于在信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路。本发明的温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统，还能够：将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器；将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号。本发明用于确保所获取到的温度传感器的检测值的准确性，用于定性检测温度传感器的检测值是否过高。

Description

温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统

技术领域

本发明涉及服务器领域，具体涉及一种温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统。

背景技术

近年来，我国工业现代化的进程和电子信息产业连续的高速增长，带动了传感器市场的快速上升。温度传感器作为传感器中的重要一类，占整个传感器总需求量的40%以上。温度传感器用途十分广阔，可用作温度测量与控制、温度补偿、流速、流量和风速测定、液位指示、温度测量、紫外光和红外光测量、微波功率测量等。

近年来，服务器等电子行业的快速增长带动了温度传感器需求的快速增长，温度传感器应用于服务器上是为了检测主板上关键器件的温度。

但是目前，服务器主板上关键器件的温度的检测，虽然可以通过温度传感器进行检测，但温度传感器的检测值有时会出现不准确的情况，而该情况在现有技术中尚无法及时获知，这在一定程度上不利于服务器的温度调控。另外，温度传感器故障时，很多时候其检测值是无法输出的，这进一步不利于服务器的温度调控。

为此，本发明提供一种温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统，用于解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的上述不足，本发明提供一种温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统，用于确保所获取到的温度传感器的检测值的准确性，还用于在温度传感器故障无法输出温度检测值时，定性检测温度传感器的检测值是否过高并在检测过高时输出高温报警信号。

第一方面，本发明提供一种温度传感器异常检测方法，该温度传感器异常检测方法应用于待测温度传感器的异常检测，所述待测温度传感器配设有校验温度传感器，校验温度传感器用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

该温度传感器异常检测方法包括步骤：

将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器；

将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

所述待测温度传感器还包括用于在信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路。

进一步地，所述待测温度传感器还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

进一步地，各所述的信号放大电路，均采用信号放大器。

第二方面，本发明提供一种温度传感器异常检测系统，温度传感器异常检测系统应用于待测温度传感器的异常检测，包括：

校验温度传感器，与待测温度传感器配合使用，用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

差分放大器，包括两个输入端，该两个输入端连接待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端及校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端；

第二比较器，将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

测量温度定性检测电路，为待测温度传感器所配设，包括用于在待测温度传感器的信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路。

进一步地，所述待测温度传感器还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

进一步地，各所述信号放大电路均采用信号放大器。

第三方面，本发明提供一种温度传感器，该温度传感器包括待测温度传感器；所述待测温度传感器，包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

所述待测温度传感器还包括用于在其信号放大电路输出的信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路。

进一步地，所述待测温度传感器包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口；所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

进一步地，该温度传感器还包括校验温度传感器、差分放大器和第二比较器，其中：

校验温度传感器用于测量待测温度传感器所处环境的温度；

所述校验温度传感器包括温度敏感元件和用于放大其温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

所述主温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路，依次记为第一温度敏感元件和第一信号放大电路；所述校验温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路，依次记为第二温度敏感元件和第二信号放大电路；

所述的差分放大器，带有两个输入端，该两个输入端接入第一信号放大电路的信号输出端及第二信号放大电路的信号输出端；

所述的第二比较器，用于将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并用于在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出所述待测温度传感器的异常报警信号。

第四方面，本发明提供一种服务器，配设有BMC和温度传感器，其特征在于，所述温度传感器采用如上各方面所述的温度传感器；所述温度传感器的测量温度定性检测电路的输出端，与所述BMC相连；

在所述温度传感器包括第二比较器时，所述第二比较器的输出端与所述BMC相连。

本发明的有益效果在于，

（1）本发明提供的温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统，设有测量温度定性检测电路，能够在温度传感器的信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路，有助于在温度传感器故障无法输出检测值时，基于温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路进行高温报警，一定程度上有助于服务器进行温度调控。

（2）本发明提供的温度传感器、服务器、温度传感器异常检测方法及系统，配设有校验温度传感器和差分放大器，能够将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器，并能将差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号，一定程度上有助于增加对温度检测点检测到的温度的准确性与可靠性。

此外，本发明设计原理可靠，结构简单，具有非常广泛的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一个实施例的方法的示意性流程图。

图2是本发明所述测量温度定性检测电路的一个实施例的示意性电路图。

图3是本发明一个实施例的系统的示意性框图。

图4是本发明一个实施例的温度传感器的示意性框图。

图5是本发明另一个实施例的温度传感器的示意性框图。

图6为本发明实施例提供的一种服务器的示意框图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

图1是本发明一个实施例的方法的示意性流程图。

在本实施例中，该温度传感器异常检测方法应用于待测温度传感器的异常检测，所述待测温度传感器配设有校验温度传感器，校验温度传感器用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；所述待测温度传感器还包括用于在信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路。

如图1所示，该方法100包括：

步骤110，将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器；

步骤120，将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号。

可选地，作为本发明一个实施例，所述待测温度传感器还包括用于向外界发送高温报警信号的信号输出接口；所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，如图2所示，其中：

所述或门（对应图2中的“OR”）的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

可选地，作为本发明一个实施例，各所述的信号放大电路，均采用信号放大器。

为了便于对本发明的理解，下面以本发明温度传感器异常检测方法的原理，结合实施例中对温度传感器进行异常检测的过程，对本发明提供的异常检测方法做进一步的描述。

具体的，所述温度传感器异常检测方法包括：

步骤S1：将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器。

待测温度传感器作为主温度传感器使用，校验温度传感器作为副温度传感。使用时，主温度传感器安装在服务器主板上需要进行温度检测的温度检测点上，用于检测温度检测点的温度；副温度传感器安装在主温度传感器旁，用于检测主温度传感器所处环境的温度。

本实施例中的差分放大器带有同相输入端和反相输入端，具体地，差分放大器的同相输入端连接待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端，差分放大器的反相输入端连接校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端。通过差分放大器可以接收与由待测温度传感器感测到的温度相对应的感测电压以及与由校验温度传感器感测到的温度相对应的检验电压。

差分放大器可对接收到的感测电压及检验电压的差值放大后输出。

步骤S2：将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号。

本实施例中引入第二比较器。实现时，将差分放大器的输出端接入第二比较器的反相输入端，在第二比较器的正相输入端接入参考电压（是一个基准电压），该参考电压的电压值即为所述第一电压参考值VDD。

使用时，第二比较器将差分放大器的输出值与第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于第一电压参考值VDD时，输出异常报警信号（是一个高电平信号）。

外界在接收到第二比较器输出的异常报警信号后即可进行各相关处理，比如可显示主温度传感器异常信息。

在本实施例中，为增加温度检测的可靠性，为待测温度传感器配设测量温度定性检测电路。该测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：所述或门的输出端，与待测温度传感器上配设的信号输出接口相连；第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

在本实施例中，NMOS晶体管Q1的栅极端通入的电压为V2、待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端输出的电压为Vt（感测电压）、第一比较器的正相输入端输入的电压为V1、基准电压Vref，第一定性检测电路、第二定性检测电路依次用C1、C2表示，如图2所示。该测量温度定性检测电路使用时：

（1）当待测温度传感器的温度敏感元件感测的温度升高，则对应温度敏感元件的感测电压Vt升高，V1随感测电压Vt的上升而上升,基准电压Vref随感测电压Vt的上升而上升；

（2）在第二定性检测电路C2中：V1施加到第一比较器的同相输入端子(+),基准电压Vref施加到第一比较器的反相输入端(-)；当V1低于基准电压Vref时,第一比较器以逻辑电平“L”输出检测信号V5到或门；当V1高于基准电压Vref时,第一比较器以逻辑电平“H”输出检测信号V5到或门；

（3）在第一定性检测电路C1中：第二定性检测电路V2随感测电压Vt的升高而升高,当V2超过NMOS晶体管Q1的导通电压（可使NMOS晶体管Q1的栅极与源极导通）时,NMOS晶体管Q1导通，NMOS晶体管Q1的漏极输出信号V3，信号V3经过反相器反相后变为信号V4，信号V4输入到或门；

（4）所述或门，能够接收C1和C2电路输出的警告（比如信号V4和检测信号V5）信号，并能够在所接收到的警告信号中有一个为真（对应高电平信号）时，输出高电平信号作为温报警信号。

可见C1和C2电路会分别输出一个警告信号到或门，这有助于提高温度异常检测的准确性，即使电压V1颤动或基准电压Vref波动导致C2电路工作异常，C1电路也能定性进行高温告警。

需要说明的是，具体实现时，本领域技术人员可在确保待测温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路能够安全使用的前提下，基于待测温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路所对应的工作电压，依据实际需要确定基准电压及NMOS晶体管Q1的导通电压的具体取值。

为增加实现的便利性，本说明书中所涉及的各信号输出接口，均可直接采用对应温度传感器上原有的用于输出检测温度值的温度值传输接口，本实施例中的温度值传输接口采用Serial Interface串行接口，该Serial Interface串行接口既用于向外传输温度传感器的检测值，还用于向外传输测量温度定性检测电路的输出信号。

图3是本发明所述温度传感器异常检测系统的一个实施例。该温度传感器异常检测系统应用于待测温度传感器的异常检测。

参见图3，该温度传感器异常检测系统包括：

校验温度传感器201，与待测温度传感器202配合使用，用于测量待测温度传感器202所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

差分放大器203，包括两个输入端，该两个输入端连接待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端及校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端；

第二比较器204，将所述差分放大器203的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器203的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

测量温度定性检测电路205，为待测温度传感器所配设，包括用于在待测温度传感器的信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路205。

可选地，作为本发明的一个实施例，所述待测温度传感还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口；

所述测量温度定性检测电路205包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

可选地，作为本发明的一个实施例，各所述信号放大电路均采用信号放大器。所述信号输出接口与待测温度传感器202的Serial Interface串行接口采用同一个接口进行实现。

其中，图3中的附图标记2041所指示的结构为第二比较器204的信号输出端。参见图3，待测温度传感器202中的温度敏感元件、信号放大电路、模数转换电路及SerialInterface串行接口，是待测温度传感器202原有用于检测与输出检测到的温度值的部分组成部分，使用时，温度敏感元件将感应信号传至信号放大电路进行信号放大，放大后的感应信号经模数转换电路转换成数字信号，转换成的数字信号通过Serial Interface串行接口输出至外界。校验温度传感器201中的温度敏感元件、信号放大电路、模数转换电路及Serial Interface串行接口，可参照待测温度传感器202。

图4为本发明所述温度传感器的一个实施例。

参见图4，该温度传感器包括待测温度传感器202；所述待测温度传感器202，包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

所述待测温度传感器202还包括用于在其信号放大电路输出的信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路205。

可选地，所述校验温度传感器201包括温度敏感元件和用于放大其温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路。

在本实施例中，所述待测温度传感器202还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路205包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器202的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

需要说明的是，本说明书中的待测温度传感器，均是主温度传感器，用于检测温度检测点的温度。

图5为本发明所述温度传感器的另一个实施例。参见图5，在本实施例中，所述温度传感器还包括校验温度传感器201、差分放大器203和第二比较器204，其中：

校验温度传感器201用于测量待测温度传感器202所处环境的温度；

所述待测温度传感器202的温度敏感元件和信号放大电路，依次记为第一温度敏感元件和第一信号放大电路；所述校验温度传感器201的温度敏感元件和信号放大电路，依次记为第二温度敏感元件和第二信号放大电路；

所述的差分放大器203，带有两个输入端，该两个输入端接入第一信号放大电路的信号输出端及第二信号放大电路的信号输出端；

所述的第二比较器204，用于将所述差分放大器203的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并用于在差分放大器203的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出所述待测温度传感器202的异常报警信号。

图6是本发明所述服务器的一个实施例，包括BMC和预先配设的用于检测温度检测点的温度的温度传感器，所述温度传感器采用以上各方面所述的温度传感器；所述温度传感器的测量温度定性检测电路205的输出端，与所述BMC相连；在所述温度传感器包括第二比较器204时，所述第二比较器204的输出端与所述BMC相连。

使用时，所述BMC可接收并显示测量温度定性检测电路205输出的高温报警信号，所述BMC还可接收并显示第二比较器204的输出端输出的异常报警信号。

本说明书中各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

尽管通过参考附图并结合优选实施例的方式对本发明进行了详细描述，但本发明并不限于此。在不脱离本发明的精神和实质的前提下，本领域普通技术人员可以对本发明的实施例进行各种等效的修改或替换，而这些修改或替换都应在本发明的涵盖范围内/任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种温度传感器异常检测方法，其特征在于，该温度传感器异常检测方法应用于待测温度传感器的异常检测，所述待测温度传感器配设有校验温度传感器，校验温度传感器用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

该温度传感器异常检测方法包括步骤：

将待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端以及将校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端接入差分放大器；

将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

所述待测温度传感器还包括用于在信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路；

所述待测温度传感器还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

2.根据权利要求1所述的温度传感器异常检测方法，其特征在于，各所述的信号放大电路，均采用信号放大器。

3.一种温度传感器异常检测系统，其特征在于，该温度传感器异常检测系统应用于待测温度传感器的异常检测，包括：

校验温度传感器，与待测温度传感器配合使用，用于测量待测温度传感器所处环境的温度；校验温度传感器与待测温度传感器，均包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

差分放大器，包括两个输入端，该两个输入端连接待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端及校验温度传感器的信号放大电路的信号输出端；

第二比较器，将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出待测温度传感器的异常报警信号；

测量温度定性检测电路，为待测温度传感器所配设，包括用于在待测温度传感器的信号放大电路的输出信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路；

所述待测温度传感器还包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口，所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

4.根据权利要求3所述的温度传感器异常检测系统，其特征在于，各所述信号放大电路均采用信号放大器。

5.一种温度传感器，其特征在于，该温度传感器包括待测温度传感器；所述待测温度传感器，包括温度敏感元件和用于放大温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

所述待测温度传感器还包括用于在其信号放大电路输出的信号过高时向外发出高温报警信号的测量温度定性检测电路；

所述待测温度传感器包括用于向外界发送所述高温报警信号的信号输出接口；所述测量温度定性检测电路包括第一定性检测电路、第二定性检测电路和或门，其中：

所述或门的输出端，与所述信号输出接口相连；

第一定性检测电路包括第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、NMOS晶体管Q1和反相器，其中：第三电阻R3的第一端和第五电阻R5的第一端，均与待测温度传感器的信号放大电路的信号输出端相连；第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4接地；NMOS晶体管Q1的栅极连接在第三电阻R3和第四电阻R4之间的连线上；NMOS晶体管Q1的源极接地；NMOS晶体管Q1的漏极，与第五电阻R5的第二端相连，并通过所述反相器接入所述或门的一个输入端；

第二定性检测电路包括第二电阻R2、第一比较器和基准电压，其中：第二电阻R2的第一端，与所述第一比较器的同相输入端相连，并通过第一电阻R1与所述信号放大电路的信号输出端相连；第二电阻R2的第二端接地；所述基准电压，与所述第一比较器的反相输入端相连；所述第一比较器的输出端，接入所述或门的另一个输入端；所述基准电压，与所述NMOS晶体管Q1的导通电压相等。

6.根据权利要求5所述的温度传感器，其特征在于，该温度传感器还包括校验温度传感器、差分放大器和第二比较器，其中：

校验温度传感器用于测量待测温度传感器所处环境的温度；

所述校验温度传感器包括温度敏感元件和用于放大其温度敏感元件输出的感应信号的信号放大电路；

所述待测温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路，依次记为第一温度敏感元件和第一信号放大电路；所述校验温度传感器的温度敏感元件和信号放大电路，依次记为第二温度敏感元件和第二信号放大电路；

所述的差分放大器，带有两个输入端，该两个输入端接入第一信号放大电路的信号输出端及第二信号放大电路的信号输出端；

所述的第二比较器，用于将所述差分放大器的输出值与预先设定的第一电压参考值VDD进行比较，并用于在差分放大器的输出值大于所述第一电压参考值VDD时，输出所述待测温度传感器的异常报警信号。

7.一种服务器，配设有BMC和温度传感器，其特征在于，所述温度传感器采用权利要求5-6中任一项所述的温度传感器；所述温度传感器的测量温度定性检测电路的输出端，与所述BMC相连；

在所述温度传感器包括第二比较器时，所述第二比较器的输出端与所述BMC相连。

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