CN111933520B - 一种晶圆表面处理方法和表面处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶圆表面处理方法和表面处理装置。所述晶圆表面处理方法包括：使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。基于本发明可保证光刻胶的稳定性和支撑性，避免了在该黄光制程中光刻胶出现线宽倒塌的问题。

Description

一种晶圆表面处理方法和表面处理装置

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，特别是涉及一种晶圆表面处理方法和表面处理装置。

背景技术

黄光制程是通过对涂覆在晶圆（Wafer），例如硅晶片表面的光敏性物质，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后通过刻蚀液进行刻蚀脱模并最终获得永久性图形的过程。目前，随着制程节点线宽越作越小的情况，例如在55nm或以下的先进制程中，晶圆表面的性质对于黄光制程条件越趋重要，晶圆在经过常规的清洗，晶圆表面往往呈较强的亲水性，其易使得后续的黄光制程中出现光阻线宽倒塌（Peeling）的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆表面处理方法和清洗装置，本发明的表面处理方法改善了晶圆表面的表面特性，使其在适用于黄光制程时，与光刻胶之间形成较强的键合力，从而保证了光刻胶的稳定性和支撑性，避免了在该黄光制程中光刻胶出现线宽倒塌的问题。

为实现上述目的，本发明是通过以下的技术方案实现的：本发明提供了一种晶圆表面处理方法，其包括：使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。

在本发明公开的一具体实施例中，所述第一次清洗和/或所述第二次清洗过程采用超声波清洗，所述超声频率为500～2000kHz。

在本发明公开的一具体实施例中，所述第一次清洗的温度为150～190℃，时间为500～1200秒。

在本发明公开的一具体实施例中，所述第二次清洗的温度为80～150℃，时间为500～1200秒。

在本发明公开的一具体实施例中，所述晶圆表面处理方法还包括对所述清洗后的晶圆进行干燥的步骤，所述干燥的步骤包括以惰性气体为载气，采用醇溶剂进行干燥；其中，所述惰性气体的流速为10～16m/s，温度为60～80℃。在本发明公开的一具体实施例中，所述醇溶剂为异丙醇或无水乙醇。

在本发明公开的一具体实施例中，所述晶圆表面处理方法还包括至少一次去离子水的清洗步骤。

本发明还提供了一种晶圆表面处理装置，所述晶圆表面处理装置用于降低黄光制程中光阻线宽倒塌，所述晶圆表面处理装置包括：多个清洗组件，所述多个清洗组件分别盛放第一溶液和第二溶液，以对晶圆进行第一次清洗和第二次清洗，而得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；干燥组件，位于所述多个清洗组件之后，所述干燥组件对所述清洗后的晶圆进行干燥；转运组件，位于所述多个清洗组件及所述干燥组件的上方，以将所述晶圆在所述多个清洗组件及所述干燥组件之间进行转运；其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。

本发明解决了现有的黄光制程中光阻线宽倒塌的问题，本发明藉由在黄光涂布之前通过第一溶液、第二溶液等多次对晶圆表面进行清洗的表面处理，从而使其具有理想的表面特性，降低光阻线宽倒塌的情况，所述第二清洗溶液包括硫酸（H2SO4）和过氧化氢（H2O2）的混合溶液，所述H2SO4和H2O2的比例为(2.2～6.3)：1，从而基于H2SO4和H2O2形成自由移动的离子，与第一溶液，即包括氨水（NH4OH）和过氧化氢（H2O2）的混合溶液清洗之后在晶圆表面留下的离子形成共价结合等。经过本发明清洗后的晶圆表面的接触角在70～90度之间，经过本发明表面处理之后的晶圆表面向疏水性方向调整，并维持在该理想的范围内，避免出现过强的亲水特性或疏水特性，保证后续的黄光制程中，与光刻胶之间形成较强的键合力，从而保证了光刻胶的涂布的均匀性、稳定性和支撑性，不会出现该黄光制程中光刻线宽倒塌的情况，避免了对其它部分的图形的影响，因此，可以保证得到较好的图形。此外，根据本发明提供的制造方法简单，免除在光阻线宽倒塌后进行返工而导致工作量重复、机台浪费的情况，以及避免了返工造成晶圆表面二氧化硅的消耗，和其他的人为异常的情况带来的操作隐患，而且成本低。其他的特征、优势还可以参考本发明公开在内的权利要求书、说明书中的内容。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的晶圆表面处理方法的流程示意图。

图2为本发明提供的晶圆表面处理装置的结构示意图。

图3为图2中第一清洗组件的结构示意图。

图4为图2中机械臂的结构示意图。

图5为图2中干燥组件的结构示意图。

图6为本发明中涂覆有光刻胶的俯视示意图。

图7为本发明中涂覆有光刻胶的侧视示意图。

图8为黄光制程中光阻线状态的俯视示意图，其中：A为出现光阻线宽倒塌，B为未出现光阻线宽倒塌。

图9为黄光制程中光阻线状态的侧视示意图，其中：A为黄光制程中出现光阻线宽倒塌，B为未出现光阻线宽倒塌。

符号：

10晶圆；100晶圆表面处理装置； 110第一清洗组件； 111槽体；112喷孔；120第二清洗组件；130第三清洗组件；140第四清洗组件； 210转运组件；211横梁；212机械臂；310干燥组件；311干燥室； 312第一吹送单元、313第二吹送单元；200光刻胶、300图案化光阻层；S1～S3 步骤。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施例，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施例加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

在本发明中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”仅用于描述和区分目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图1和图2所示，本发明提供了一种晶圆10的表面处理方法，所述晶圆10可以为硅晶圆、蓝宝石晶圆、碳化硅晶圆等半导体材料制成的晶圆片，例如为硅晶圆片，其尺寸没有特别的限定，例如为2寸、4寸、6寸、8寸或12寸等各种合适半导体衬底应用尺寸，所述硅晶圆片可以为单晶硅、多晶硅，进一步地，还可以为经例如离子注入后获得的硅晶圆片。本发明通过对晶圆10表面进行清洗和表面处理，晶圆10表面上没有污染物，且进一步地改善了晶圆10表面的特性，保证了后续的黄光制程中的顺利进行。所述晶圆10在黄光制程后可以于其表面形成预期的图案，从而适用于不同的集成电路器件，例如CMOS元器件，例如NMOS晶体管和PMOS晶体管等。

如图1所示，所述晶圆表面处理方法包括步骤：

—S1，使用第一溶液对所述晶圆10进行第一次清洗；

—S2，使用第二溶液对所述晶圆10进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆10，所述清洗后的晶圆10表面接触角为70～90度；

—S3，干燥所述清洗后的晶圆10。

如图1所示，在步骤S1中，所述第一溶液包括氨水和双氧水的混合溶液，所述氨水和双氧水的体积比为（1～50）：1，例如5：1、13：1、20：1、32：1、45：1，以保证清洗后颗粒和微粗糙度满足要求，以及保持晶圆10表面的洁净度。具体地，例如将晶圆10浸泡至第一溶液中，通过超声进行该第一次清洗，该第一次清洗过程中的清洗温度例如为150～190℃，例如为150℃、180℃、180℃，清洗的时间例如为500～1200s，例如500 s、800 s、1000 s、1200 s，超声的频率例如为500～2000kHz，例如500 kHz、800 kHz、1400 kHz、1800 kHz，经过该第一清洗后的晶圆10，去除了晶圆10表面大量地污染物，例如微观颗粒物、污渍，以及前制程中的抛光划痕等的情况。

进一步地，第一溶液清洗后，例如还可以使用去离子水冲洗所述晶圆10，以保证后续的第二溶液清洗过程中的交叉污染的情况出现。所述第一溶液清洗所述晶圆10的过程还可以通过喷淋的方式进行，并不限定于此。

如图1所示，在步骤S2中，对第一次清洗后的晶圆10进行二次清洗，以进一步地去除所述晶圆10的表面污染物，以及改变该第一溶液清洗后晶圆10的界面性质，从而与后续黄光制程中的光刻胶之间形成较强的键合力，所述第二溶液包括硫酸和过氧化氢的混合溶液，所述硫酸和过氧化氢的体积比为(2.2～6.3)：1，例如2.4：1、3.1：1、4.8：1、5.3：1、6：1。具体地，例如将晶圆10浸泡至第二溶液中，通过超声进行该第二次清洗，该第二次清洗过程中的清洗温度例如为80～150℃，例如为90℃、120℃、130℃，清洗的时间例如为500～1200s，例如500 s、800 s、1000 s、1200 s，超声的频率例如为500～2000kHz，例如500 kHz、800 kHz、1400 kHz、1800 kHz。所述第二溶液清洗所述晶圆10的过程还可以通过喷淋的方式进行，并不限定于此。

如图1所示，在步骤S3中，所述晶圆表面处理方法包括对第二溶液清洗后的晶圆10进行干燥的步骤，以加快所述工作进度以及保持晶圆10表面的洁净，所述干燥的过程例如采用醇溶剂，例如异丙醇、无水乙醇干燥的方法，并以热惰性气体作为载气，所述干燥过程利用异丙醇的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的具有较高表面张力的水分，然后用惰性气体吹干，达到彻底干燥晶圆10的目的。在一些实施例中，所述惰性气体，例如为氮气，该氮气流速为10～16m/s，例如11m/s、12m/s、13m/s、15m/s，所述氮气的温度为60～80℃，60℃、70℃、78℃，所述氮气的吹送时间为例如为500～1200s，例如500 s、800 s、1000s、1200 s。此处仅是列举了对第二溶液清洗后的晶圆10进行干燥的一具体实施例，当然并不限定于此，还可以在超临界CO2的环境下对所述晶圆10进行干燥，进一步地可以多次循环地向所述晶圆10进行吹风干燥。

如图2所示，本发明还提供了一种晶圆表面处理装置100，所述晶圆表面处理装置100执行上述的表面处理方法以对晶圆10进行表面处理，所述晶圆表面处理装置100包括：转运组件210、多个清洗组件，以及干燥组件310，其中，所述多个清洗组件包括第一清洗组件110、第二清洗组件120，第三清洗组件130、第四清洗组件140，他们分别盛放第二溶液、去离子水、第一溶液、去离子水。所述晶圆表面处理装置100在对晶圆10进行表面处理的同时，完成了自动化的清洗作业，并避免可能混液带来的问题。所述晶圆表面处理装置100可以在一批次中处理多个晶圆10，例如50片。

如图2所示，所述转运组件210位于所述多个清洗组件，以及干燥组件310的上方，可以将晶圆10在他们之间进行转运，所述转运组件210例如包括驱动装置（图中未示出）、横梁211和移动安装在横梁211上的机械臂212，所述横梁211随着驱动装置，例如电机驱动组件的驱动而上下移动，从而驱动所述机械臂212抓取晶圆10，并在清洗的过程中继续持握所述晶圆10，将其固定。进一步地，所述驱动装置驱动所述机械臂212在横梁211左右移动，以将晶圆10在多个清洗组件，以及干燥组件310之间转运。所述机械臂212可以包括一个或多个，以满足可以同时处理其他的晶圆的需要，进一步地，在多个机械臂时还可以及时分开，避免机械臂212带来混液的问题。

如图2和图4所示，所述机械臂212的末端可以开合的夹头，从而可以夹持和放松所述晶圆10，进一步地，所述夹头表面可以具有橡胶套等弹性材料，以避免刮伤所述晶圆10的表面。

如图2所示，所述多个清洗组件包括第一清洗组件110，所述第一清洗组件的槽体内盛放有第二溶液；第二清洗组件120，位于所述第一清洗组件110之后，所述第二清洗组件120的槽体内盛放有去离子水；第三清洗组件130，位于所述第二清洗组件120之后，所述第三清洗组件130的槽体内盛放有第一溶液；第四清洗组件140，位于所述第三清洗组件130之后，所述第四清洗组件140的槽体内盛放有去离子水，以分别对晶圆10进行清洗和表面处理。

如图2和图3所示，所述多个清洗组件110、120、130、140例如具有相同的构造，仅盛放的溶液不同，例如在第一清洗组件110中，可以包括槽体111、喷孔112、超声波发生器（图中未示出），所述槽体111内可以根据需要盛放所述第二溶液，所述喷孔112位于所述槽体111内，例如位于槽体111的内侧壁上，经循环驱动向所述槽体111喷洒槽体111内的液体，所述超声波发生器位于所述槽体111内，发送超声，所述喷孔112和所述超声波发生器促进液体的流动，并保证了超声清洗的效果。

如图2所示，在进行表面处理的清洗作业时，晶圆10例如通过转运组件210的机械臂212先固定在第一清洗组件110内，即通过第二溶液进行清洗，所述第二溶液包括硫酸和过氧化氢的混合溶液，所述硫酸和过氧化氢的体积比为(2.2～6.3)：1，例如2.4：1、3.1：1、4.8：1、5.3：1、6：1。此时，所述第二溶液对晶圆10的表面进行预清洗，利用第二溶液中的酸特性去除晶圆10表面的污染物，并可以初步改善晶圆10的表面特性。该清洗过程并没有特别要求，可以根据实际的需要进行调整。

如图2所示，之后，转运组件210驱动机械臂212将该清洗后的晶圆10转运至第二清洗组件120中，即通过去离子水进行清洗，以避免混液，去除残留的第二溶液。此时，所述第二清洗组件盛放的为热去离子水，例如50～60℃，例如50℃，保证清洗效果。

如图2所示，之后，转运组件210驱动机械臂212将该水清洗后的晶圆10转运至第三清洗组件130中，即通过第一溶液进行清洗，所述第一溶液包括包括氨水和双氧水的混合溶液，所述氨水和双氧水的体积比为（1～50）：1，例如5：1、13：1、20：1、32：1、45：1。此时，所述第一溶液对晶圆10的表面进行清洗，达到表面处理的效果，所述第一溶液的清洗过程中的清洗温度例如为150～190℃，例如为150℃、180℃、180℃，清洗的时间例如为500～1200s，例如500 s、800 s、1000 s、1200 s，超声的频率例如为500～2000kHz，例如500 kHz、800kHz、1400 kHz、1800 kHz，经过该第一溶液清洗后的晶圆10，去除了晶圆10表面大量地污染物，例如微观颗粒物、污渍，以及前制程中的抛光划痕等的情况。

如图2所示，之后，转运组件210驱动机械臂212将该第一溶液清洗后的晶圆10回拉转运至第二清洗组件120中，即再次通过热去离子水进行清洗，以避免混液，去除残留的第二溶液。

如图2所示，之后，转运组件210驱动机械臂212将该水清洗后的晶圆10回拉转运至第一清洗组件110中，即通过第二溶液进行清洗，此时，所述第二溶液对第一溶液清洗后的晶圆10的表面进行清洗，实现最终的表面处理效果，此时，所述第二溶液的清洗过程中的清洗温度例如为80～150℃，例如为90℃、120℃、130℃，清洗的时间例如为500～1200s，例如500 s、800 s、1000 s、1200 s，超声的频率例如为500～2000kHz，例如500 kHz、800 kHz、1400 kHz、1800 kHz。

如图2所示，之后，转运组件210驱动机械臂212将该水清洗后的晶圆10转运至第四清洗组件140中，即通过去离子水进行清洗，此时，去离子水为常温的水离子水，去除表面残留的溶液，所述多个清洗组件完成了对所述晶圆10的清洗和表面处理作业，准备进行干燥作业。

如图2和图5所示，之后，转运组件210驱动机械臂212将该水清洗后的晶圆10转运至干燥组件310中，所述干燥组件310位于多个清洗组件的后端，对来自清洗后的晶圆10进行干燥的步骤，以加快所述工作进度以及保持晶圆10表面的洁净。所述干燥组件310干燥室311、第一吹送单元312、第二吹送单元313。

如图5所示，所述第一吹送单元312和第二吹送单元313例如包括多个，并分别相对地布置于所述所述干燥室311的内壁上，以向所述干燥室311内持续的进行送风，干燥所述晶圆10。所述第一吹送单元312例如用于吹送醇溶剂，例如异丙醇，所述第二吹送单元313例如用于吹送热惰性气体，例如氮气，从而基于所述醇溶剂的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的具有较高表面张力的水分，然后用惰性气体吹干，达到彻底干燥晶圆10的目的。

如图2和图5所示，在进行晶圆10的干燥作业时，晶圆10例如通过转运组件210的机械臂212持握而固定于所述干燥室311内，所述第一吹送单元312和第二吹送单元313依次向所述干燥室311进行吹送，从而干燥该晶圆10，所述干燥过程中，第一吹送单元312吹送异丙醇的流速没有特别的限定，可以根据实际的需要进行调整，所述第二吹送单元313吹送氮气，该氮气流速为10～16m/s，例如11m/s、12m/s、13m/s、15m/s，所述氮气的温度为60～80℃，60℃、70℃、78℃，所述氮气的吹送时间为例如为500～1200s，例如500 s、800 s、1000s、1200 s。此处仅是列举了对清洗后的晶圆10进行干燥的一具体实施例，当然并不限定于此，还可以在超临界CO2的环境下对所述晶圆10进行干燥，进一步地可以多次循环地向所述晶圆10进行吹风干燥。

在本发明的另一些实施例中，所述多个清洗组件还可以包括更多的清洗组件，以对所述晶圆10进行更多次的清洗和表面处理，例如所述多个清洗组件还可以包括一机械臂的清洗组件（图中未示出），清洗机械臂。

如上所述，本发明利用在黄光涂布之前通过第一溶液、第二溶液等多次对晶圆10表面进行清洗的表面处理，从而改善其表面的亲水性，增加疏水性，所述晶圆10的表面接触角为70～90度，例如为72度、73度、78度、80度、86度，具体地，所述晶圆10的表面接触角例如可以通过以下的过程获得，将清洗干燥后的晶圆10置于接触角测量仪，例如型号OCA40Micro接触角测量仪的平台上，通过该接触角测量仪中的针筒将例如3 微升去离子水滴到该晶圆10表面，利用接触角成像软件，计算水滴在晶圆10表面的角度，即，该晶圆10的表面接触角。进一步地还可以重复多次，例如3次、5次、10次，以计算平均值，提高结果的精度。

如图6至图9所示，本发明清洗后的晶圆10，进一步干燥后的晶圆10表面可以涂覆光刻胶，以进行黄光制程作业，具体的，例如为在晶圆10上涂布一层光刻胶200，在所述光刻胶200上经掩膜版（图中未示出）、黄光照射，以显影后，形成预期图案的图案化光阻层300，之后，进行刻蚀工艺，将该图案转移至所述晶圆10上，之后，清洗去除该图案化光阻层300。

在一些实施例中，所述光刻胶200包括聚合物材料，例如基于丙烯酸聚合物的负性光刻胶，当然还可以例如是聚甲基丙烯酸甲酯的正性光刻胶，并没有特别的限定。

在一些实施例中，所述刻蚀工艺例如为干法刻蚀，例如采用由HBr、HeHBr、Cl2、O2、N2、NF3、Ar或HeO2和CF4组成的组中的一种或多种作为刻蚀气体，所述干法刻蚀中等离子体的方向垂直于所述晶圆10。所述刻蚀工艺当然还可以为湿法刻蚀，例如采用液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）作为刻蚀剂，化学去除晶圆10表面的材料。

请参阅图8和图9所示，在根据本发明的表面处理后的晶圆10在光刻胶200，以及后续形成的图案化光阻层300之间具有之间形成较强的键合力，从而保证了光刻胶的稳定性和支撑性，避免了在该黄光制程中光刻胶出现线宽倒塌的问题，保证了在晶圆10获得预期的图形。

本发明的藉由在黄光涂布之前通过第一溶液、第二溶液等多次对晶圆10表面进行表面处理，从而使其表面呈理想的表面特性，降低光阻线宽倒塌的情况，所述第二清洗溶液包括硫酸（H2SO4）和过氧化氢（H2O2）的混合溶液，所述H2SO4和H2O2的比例为(2.2～6.3)：1，从而基于H2SO4和H2O2形成自由移动的离子，与第一溶液，即包括氨水（NH4OH）和过氧化氢（H2O2）的混合溶液清洗之后在晶圆10表面留下的离子形成共价结合等。经过本发明清洗后的晶圆10表面的接触角在70～90度之间，经过本发明表面处理之后的晶圆表面向疏水性方向调整，并维持在该理想的范围内，避免出现过强的亲水特性或疏水特性，保证后续的黄光制程中，与光刻胶之间形成较强的键合力，从而保证了光刻胶的涂布的均匀性、稳定性和支撑性，不会出现该黄光制程中光刻线宽倒塌的情况，避免了对其他的其它部分的图形的影响，因此，可以保证得到较好的图形。此外，根据本发明提供的制造方法简单，免除在光阻线宽倒塌后进行返工而导致工作量重复、机台浪费的情况，以及避免了返工造成晶圆10表面二氧化硅的消耗，和其他的人为异常的情况带来的操作隐患，而且成本低。

以上公开的本发明选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (8)

1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，其包括：

使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；

使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；

其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；

所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液；

所述第一次清洗和/或所述第二次清洗步骤采用超声波清洗。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述超声波清洗的超声频率为500～2000kHz。

3.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第一次清洗的温度为150～190℃，时间为500～1200秒。

4.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第二次清洗的温度为80～150℃，时间为500～1200秒。

5.如权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括对所述清洗后的晶圆进行干燥的步骤，所述干燥的步骤包括以惰性气体为载气，采用醇溶剂进行干燥；

其中，所述惰性气体的流速为10～16m/s，温度为60～80℃。

6.根据权利要求5所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述醇溶剂为异丙醇或无水乙醇。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括至少一次去离子水的清洗步骤。

8.一种用于权利要求1的晶圆表面处理方法的晶圆表面处理装置，其特征在于，其包括：

多个清洗组件，所述多个清洗组件分别盛放第一溶液和第二溶液，以对晶圆进行第一次清洗和第二次清洗，而得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；

干燥组件，位于所述多个清洗组件之后，所述干燥组件对所述清洗后的晶圆进行干燥；

转运组件，位于所述多个清洗组件及所述干燥组件的上方，以将所述晶圆在所述多个清洗组件及所述干燥组件之间进行转运；

其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；

所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液；

所述第一次清洗和/或所述第二次清洗步骤采用超声波清洗。

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