CN111926374A - 一种铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种腐蚀箔用扩孔腐蚀液添加剂以及使用包含该添加剂的扩孔腐蚀液制备铝电解电容器用腐蚀箔的方法。所述添加剂为聚乙烯吡咯烷酮。本发明通过在扩孔腐蚀液中引入聚乙烯吡咯烷酮，一方面，聚乙烯吡咯烷酮有很好的水溶性和低毒性，可以稳定存在于扩孔电解液中，起到缓蚀作用，保证腐蚀箔性能稳定；另一方面，聚乙烯吡咯烷酮对银离子具有特异性吸附的作用，当实际生产过程中扩孔腐蚀液中引入银离子时，可以抑制银离子沉积在铝箔表面，快速消除扩孔腐蚀液中银离子的影响。

Description

一种铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法

技术领域

本发明属于电容器用电极材料技术领域，具体涉及一种扩孔腐蚀液用腐蚀箔的腐蚀方法。

背景技术

铝电解电容器是一种重要的电子元器件，广泛用于滤波、旁路、耦合等技术领域。腐蚀箔是构成铝电解电容器的核心原材料，其生产过程主要包括前处理-发孔-扩孔-后处理-烘干工序。前处理主要是去除铝箔表面的油膜和氧化膜，改善铝箔表面发孔状态。在发孔过程中，通常需要在含氯的酸性腐蚀液中施加直流电腐蚀，产生大量初始隧道孔洞。为了保证铝箔孔洞尺寸足够大，以避免在后续化成工序中被阳极氧化膜堵塞，需要进行扩孔处理。扩孔工程通常采用加有缓蚀剂的硝酸腐蚀液中进行电化学腐蚀，如文献“Effects ofpolymer corrosion inhibitor on widening etch tunnels of aluminum foil forcapacitor”(Corrosion Science.2014,78,7-12)详细考察了PSSA对高压箔扩孔过程的影响，发现PSSA对孔洞形貌有很大影响。后处理主要是清除扩孔箔内部存留的氯离子。烘干工序为对铝箔表面进行热处理，便于腐蚀箔保存。

在腐蚀箔生产过程中，直流电的施加通常采用银辊来馈电，在铝箔与银辊长期摩擦接触中，大量的银会带到硝酸扩孔腐蚀液中。硝酸具有很强的氧化性，会把银单质氧化成银离子而分散到扩孔液中。相比于铝，银离子具有很正的电极电势，又在铝箔表面发生沉积，生成银单质，造成隧道孔内部扩张难以进行，而孔口处过腐蚀，导致腐蚀箔性能严重下降。目前，对于掺杂了银离子的扩孔腐蚀液的处理方式，通常是进行腐蚀液更换，这种方法虽然简单，但也导致运行成本增加，程序化控制难度增大。

因此，开发一种高效的处理扩孔腐蚀液中银离子的方法，对于降低腐蚀箔生产成本和程序化控制至关重要。

发明内容

针对上述技术问题，本发明通过在扩孔腐蚀液中引入对银离子有特异性吸附作用的聚乙烯吡咯烷酮，来屏蔽银离子对腐蚀箔性能的影响。

具体地，第一方面，本发明提供一种腐蚀箔用扩孔腐蚀液添加剂，所述添加剂为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)。

作为本发明一种优选的实施方式，所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为3000-80000。PVP分子量过小时，对银离子作用位点不足；PVP分子量过大时，PVP在溶液中的分散性不好。

作为本发明一种优选的实施方式，所述聚乙烯吡咯烷酮在扩孔腐蚀液中的质量含量为0.05-1.5g/L。PVP含量过小时，对银离子吸附作用和缓蚀作用不足；PVP含量过大时，PVP会严重吸附在铝箔表面，缓蚀作用较强，导致孔洞深入降低腐蚀箔折弯。

根据本发明提供的实施方式，所述聚乙烯吡咯烷酮对银离子具有特异性吸附的作用，聚乙烯吡咯烷酮链中相邻的吡咯烷酮环上的酮基，能与Ag离子形成螯合作用力，因此能络合住Ag离子。在扩孔腐蚀液中引入聚乙烯吡咯烷酮，可以抑制银离子沉积在铝箔表面，起到缓蚀作用，进而减小对腐蚀箔影响。

另一方面，本发明提供一种铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，包括前处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理，其中，所述扩孔腐蚀用腐蚀液中含有聚乙烯吡咯烷酮。

作为本发明一种优选的实施方式，所述聚乙烯吡咯烷酮在扩孔腐蚀液中的质量浓度为0.05-1.5g/L，例如：0.05g/L、0.06g/L、0.07g/L、0.08g/L、0.09g/L、1.0g/L、1.1g/L、1.2g/L、1.3g/L、1.4g/L、1.5g/L，等等。更优选地，可以为0.1-1.5g/L。

作为本发明一种优选的实施方式，所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为3000-80000，例如：3000、3200、3500、3800、4000、4200、4500、4800、5000、5200、5500、5800、6000、6200、6500、6800、7000、7200、7500、7800、8000、8200、8500、8800、9000、9200、9500、9800、10000、12000、15000、18000、20000、22000、25000、28000、30000、32000、35000、38000、40000、42000、45000、48000、50000、52000、55000、58000、60000、62000、65000、68000、70000、72000、75000、78000、80000，等等。

作为本发明一种优选的实施方式，所述扩孔腐蚀用腐蚀液为含有硝酸、铝离子、磷酸和聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液。

更优选地，所述扩孔腐蚀用腐蚀液中，硝酸的质量分数为1.8-6.5％，铝离子的质量分数为0.27-0.8％，磷酸的质量分数为0.2-2.0％。

更优选地，扩孔腐蚀的温度为70-75℃，电流密度为0.1-0.3A/cm²，加电时间为6-10min。

根据本发明提供的实施方式，所述发孔腐蚀用腐蚀液为含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液。

更优选地，所述发孔腐蚀用腐蚀液中，盐酸的质量分数为1.5-4.5％，硫酸的质量分数为28-38％，铝离子的质量分数为0.5-1.5％。

作为本发明一种优选的实施方式，发孔腐蚀的温度为65-85℃。

发孔腐蚀的加电方式可以采用恒流或衰减电流进行腐蚀。

作为本发明一种优选的实施方式，采用恒流腐蚀时，电流密度为0.5-0.65A/cm²，加电时间为50-70s。

作为本发明一种更优选的实施方式，采用衰减电流进行腐蚀，特别优选地，所述衰减电流具体为：初始电流密度为1.0-1.8A/cm²，4-8s后电流密度降至0.4-0.8A/cm²，15-35s后电流密度降至0.1-0.2A/cm²，加电总时间为18-35s。

具体地，可采用上述衰减电流进行多次腐蚀，例如可以进行3-7次，优选4-6次。

前处理可以有效去除铝箔表面的自然氧化膜和油膜，促进孔蚀均匀引发。本发明中，所述前处理可采用任何本领域公知的方法进行。

根据本发明提供的实施方式，所述前处理在磷酸水溶液中进行。

在一些实施方式中，所述前处理包括：将铝箔置于45-75℃、质量分数为0.5-5％的磷酸水溶液中处理1-4min。

根据本发明提供的实施方式，所述后处理在硝酸水溶液中进行。

在一些实施方式中，所述后处理包括：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于60-80℃、质量分数为3-10％硝酸水溶液中处理2-5min。

另一方面，本发明还提供由上述腐蚀方法得到的腐蚀箔以及由该腐蚀箔化成后得到的电极箔，化成方法无特别限定，可采用本领域公知的方法进行。

另一方面，本发明还提供包含上述电极箔的铝电解电容器。

与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

本发明通过在扩孔腐蚀液中引入聚乙烯吡咯烷酮，一方面，聚乙烯吡咯烷酮有很好的水溶性和低毒性，可以稳定存在于扩孔腐蚀液中，起到缓蚀作用，保证腐蚀箔性能稳定；另一方面，聚乙烯吡咯烷酮对银离子具有特异性吸附的作用，当实际生产过程中扩孔腐蚀液中引入银离子时，可以抑制银离子沉积在铝箔表面，快速消除扩孔腐蚀液中银离子的影响，减轻排出的废酸对环境造成的污染，同时，通过简单的添加剂操作，可以避免更换腐蚀液，从而减少了人工操作，有效节约财力与人力。

附图说明

图1为聚乙烯吡咯烷酮链与Ag离子作用示意图；

其中：1为聚乙烯吡咯烷酮链，2为Ag离子，3为酮基氧原子；

图2为实施例4、对比例1和对比例2中铝箔在扩孔腐蚀液中的极化曲线。

具体实施方式

除非另外说明，本发明所使用的所有科技术语具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。本发明涉及的所有专利和公开出版物通过引用方式整体并入本发明。术语“包含”、“含有”或“包括”为开放式表达，即包括本发明所指明的内容，但并不排除其他方面的内容。

本发明提供的腐蚀箔用扩孔腐蚀液添加剂聚乙烯吡咯烷酮对银离子具有特异性吸附的作用，原理如图1所示。聚乙烯吡咯烷酮链中相邻的吡咯烷酮环上的酮基，能与Ag离子形成螯合作用力，氧原子与Ag原子之间距离为

左右，通过密度泛函理论计算，其结合能可以达到142kJ/mol，因此能络合住Ag离子，抑制Ag离子在铝箔表面沉积。

根据本发明提供的一些实施方式，所述铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括：

1)前处理：将铝箔置于45-75℃、质量分数为0.5-5％的磷酸水溶液中处理1-4min；

2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有质量分数为1.5-4.5％的盐酸、质量分数为28-38％的硫酸和质量分数为0.5-1.5％铝离子的混合水溶液中进行发孔腐蚀，腐蚀温度为65-85℃，采用恒流加电，电流密度为0.5～0.65A/cm²，腐蚀时间为50～70s；

3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有质量分数为1.8-6.5％的硝酸、质量分数为0.2-2.0％的磷酸、质量分数为0.27-0.8％的铝离子和质量浓度为0.05-1.5g/L的聚乙烯吡络烷酮的混合水溶液中进行扩孔腐蚀，扩孔腐蚀的温度为70-75℃，电流密度为0.1-0.3A/cm²，加电时间为6-10min；

4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于60-80℃、质量分数为3-10％的硝酸水溶液中处理2-5min。

根据本发明提供的另一些实施方式，所述铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括：

1)前处理：将铝箔置于45-75℃、质量分数为0.5-5％的磷酸水溶液中处理1-4min；

2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有质量分数为1.5-4.5％的盐酸、质量分数为28-38％的硫酸和质量分数为0.5-1.5％铝离子的混合水溶液中进行发孔腐蚀，腐蚀温度为65-85℃，采用衰减电流进行腐蚀，所述衰减电流具体为：初始电流密度为1.0-1.8A/cm²，4-8s后电流密度降至0.4-0.8A/cm²，15-35s后电流密度降至0.1-0.2A/cm²，加电总时间为18-35s，腐蚀次数为3-7次。

3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有质量分数为1.8-6.5％的硝酸、质量分数为0.2-2.0％的磷酸、质量分数为0.27-0.8％的铝离子和质量浓度为0.05-1.5g/L的聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液中进行扩孔腐蚀，扩孔腐蚀的温度为70-75℃，电流密度为0.1-0.3A/cm²，加电时间为6-10min；

4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于60-80℃、质量分数为3-10％的硝酸水溶液中处理2-5min。

下面将结合具体实施例对本发明的实施方式进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照说明书记载的条件、常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

实施例1

于本实施例中，提供的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括前处理、发孔腐蚀、扩孔和后处理，具体如下：

(1)前处理：将厚度为125μm的铝箔在65℃、质量分数为2.0％的磷酸水溶液中处理3min；

(2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液中发孔，盐酸质量分数为2.9％，硫酸质量分数为35％，铝离子质量分数为1.0％；腐蚀液温度为72℃，采用衰减电流，初始电流密度为1.5A/cm²，4s后电流密度降至0.7A/cm²，15s后电流密度为0.15A/cm²，加电总时间为25s，按照该衰减电流重复发孔4次；

(3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有硝酸、磷酸、铝离子和聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液中扩孔，硝酸质量分数为2.0％，磷酸质量分数为0.7％，铝离子质量分数为0.5％，聚乙烯吡咯烷酮分子量为20000，添加量为0.1g/L；腐蚀液温度为71℃，电流密度为0.15A/cm²，加电时间为8min；

(4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5％的硝酸水溶液中65℃下处理2min。

实施例2～实施例9

于本实施例中，提供的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括前处理、发孔腐蚀、扩孔和后处理，具体如下：

(1)前处理：将厚度为125μm的铝箔在65℃、质量分数为2.0％的磷酸水溶液中处理3min；

(2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液中发孔，盐酸质量分数为2.9％，硫酸质量分数为35％，铝离子质量分数为1.0％；腐蚀液温度为72℃，采用衰减电流，初始电流密度为1.5A/cm²，4s后电流密度降至0.7A/cm²，15s后电流密度为0.15A/cm²，加电总时间为25s，按照该衰减电流重复发孔4次；

(3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有硝酸、磷酸、铝离子和聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液中扩孔，硝酸质量分数为2.0％，磷酸质量分数为0.7％，铝离子质量分数为0.5％，聚乙烯吡咯烷酮的分子量和添加量如表1所示，并在扩孔混合水溶液中添加银离子，添加量如表1所示；腐蚀温度为71℃，电流密度为0.15A/cm²，加电时间为8min；

(4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5％的硝酸水溶液中65℃下处理2min。

表1

实施例10

于本实施例提供的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括前处理、发孔腐蚀、扩孔和后处理，发孔腐蚀采用恒流加电，具体如下：

(1)前处理：将厚度为125μm的铝箔在65℃、质量分数为2.0％磷酸水溶液中处理3min；

(2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液中发孔，盐酸质量分数为2.9％，硫酸质量分数为35％，铝离子质量分数为1.0％；腐蚀液温度为72℃，采用恒流加电，电流密度为0.6A/cm²，加电时间为60s；

(3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有硝酸、磷酸、铝离子和聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液中扩孔，硝酸质量分数为2.0％，磷酸质量分数为0.7％，铝离子质量分数为0.5％，聚乙烯吡咯烷酮分子量为20000，添加量为0.8g/L，所述混合水溶液中还添加8ppm的银离子；腐蚀温度为71℃，电流密度为0.15A/cm²，加电时间为8min；

(4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5％的硝酸水溶液中65℃下处理2min。

对比例1

于本对比例中，提供的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括前处理、发孔腐蚀、扩孔和后处理，扩孔腐蚀液中不添加聚乙烯吡咯烷酮，不含有银离子，具体如下：

(1)前处理：将厚度为125μm的铝箔在65℃、质量分数为2.0％的磷酸水溶液中处理3min；

(2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液中发孔，盐酸质量分数为2.9％，硫酸质量分数为35％，铝离子质量分数为1.0％；腐蚀液温度为72℃，采用衰减电流，初始电流密度为1.5A/cm²，4s后电流密度降至0.7A/cm²，15s后电流密度为0.15A/cm²，加电总时间为25s，按照该衰减电流重复发孔4次；

(3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有硝酸、磷酸和铝离子的混合水溶液中扩孔，硝酸质量分数为2.0％，磷酸质量分数为0.7％，铝离子质量分数为0.5％；腐蚀液温度为71℃，电流密度为0.15A/cm²，加电时间为8min；

(4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5％的硝酸水溶液中65℃下处理2min。

对比例2

于本对比例中，提供的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法包括前处理、发孔腐蚀、扩孔和后处理，扩孔腐蚀液中添加5ppm的银离子，不添加聚乙烯吡咯烷酮，具体如下：

(1)前处理：将厚度为125μm的铝箔在65℃、质量分数为2.0％的磷酸水溶液中处理3min；

(2)发孔腐蚀：将经过前处理的铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液中发孔，盐酸质量分数为2.9％，硫酸质量分数为35％，铝离子质量分数为1.0％；腐蚀液温度为72℃，采用衰减电流，初始电流密度为1.5A/cm²，4s后电流密度降至0.7A/cm²，15s后电流密度为0.15A/cm²，加电总时间为25s，按照该衰减电流重复发孔4次；

(3)扩孔腐蚀：将经过发孔腐蚀的铝箔置于含有硝酸、磷酸、铝离子的混合水溶液中扩孔，硝酸质量分数为2.0％，磷酸质量分数为0.7％，铝离子质量分数为0.5％，扩孔混合水溶液中还添加5ppm的银离子；腐蚀液温度为71℃，电流密度为0.15A/cm²，加电时间为8min；

(4)后处理：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于质量分数为5％的硝酸水溶液中65℃下处理2min。

性能测试

将实施例和对比例制备的腐蚀箔，测试其厚度及折弯强度，并在600V化成电压下化成，并测试化成后的比容，结果如表2所示。

测试实施例4、对比例1和2中铝箔在扩孔腐蚀液中的极化曲线，如图2所示，分别显示了：铝箔在未添加Ag离子和聚乙烯吡咯烷酮的扩孔腐蚀液中的极化曲线(对比例1)，铝箔在添加Ag离子的扩孔腐蚀液中的极化曲线(对比例2)，以及为铝箔在添加Ag离子和聚乙烯吡咯烷酮的扩孔液中极化曲线(实施例4)。从图2可以看出，扩孔腐蚀液中含有Ag离子时，铝箔的自腐蚀电位正移，而同时加入聚乙烯吡咯烷酮后，铝箔的自腐蚀电位明显负移，进一步说明聚乙烯吡咯烷酮与Ag离子发生络合作用。

表2

从表2的结果可以看出，当不添加聚乙烯吡咯烷酮，扩孔腐蚀液有银离子时，腐蚀箔600V比容明显降低，由于沉积在铝箔表面的银单质与铝箔形成局部原电池，铝箔出现过腐蚀，腐蚀箔明显减薄(对比例2)；添加聚乙烯吡咯烷酮后，腐蚀箔600V比容没有明显变化，说明聚乙烯吡咯烷酮可以消除银离子对腐蚀箔性能影响(实施例1-9和对比例2)。

当扩孔腐蚀液中添加聚乙烯吡咯烷酮、没有银离子时，由于聚合物具有一定的吸附缓释效果，腐蚀箔600V比容有所增加(实施例1与对比例1)。当扩孔腐蚀液中同时含有聚乙烯吡咯烷酮和银离子，由于存在络合作用，腐蚀箔600V比容没有明显变化，说明聚乙烯吡咯烷酮可以消除银离子对腐蚀箔性能影响。从实施例10也可以看出，对于恒流发孔腐蚀工艺，扩孔中的聚乙烯吡咯烷酮也有相似的效果。

尽管对本发明已做出了详细的说明，并列出了一些具体实例，但对本领域技术人员而言，只要不脱离本发明的精神，对本方法所做的各种调整均被视为包含在本发明的范围内。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

Claims (12)

1.一种腐蚀箔用扩孔腐蚀液添加剂，其特征在于，所述添加剂为聚乙烯吡咯烷酮。

2.根据权利要求1所述的腐蚀箔用扩孔腐蚀液添加剂，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为3000-80000。

3.根据权利要求1所述的腐蚀箔用扩孔腐蚀液添加剂，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮在扩孔腐蚀液中的质量浓度为0.05-1.5g/L。

4.一种铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，包括前处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理，其特征在于，所述扩孔腐蚀用腐蚀液中含有聚乙烯吡咯烷酮，优选地，所述聚乙烯吡咯烷酮在扩孔腐蚀液中的质量浓度为0.05-1.5g/L。

5.根据权利要求4所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为3000-80000。

6.根据权利要求4或5所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述扩孔腐蚀用腐蚀液为含有硝酸、铝离子、磷酸和聚乙烯吡咯烷酮的混合水溶液；优选地，硝酸的质量分数为1.8-6.5％，铝离子的质量分数为0.27-0.8％，磷酸的质量分数为0.2-2.0％；更优选地，扩孔腐蚀的温度为70-75℃，电流密度为0.1-0.3A/cm²，加电时间为6-10min。

7.根据权利要求4所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述发孔腐蚀用腐蚀液为含有盐酸、硫酸和铝离子的混合水溶液；优选地，盐酸的质量分数为1.5-4.5％，硫酸的质量分数为28-38％，铝离子的质量分数为0.5-1.5％；更优选地，发孔腐蚀的温度为65-85℃，采用恒流或衰减电流进行腐蚀；更优选地，所述恒流腐蚀具体为：电流密度为0.5～0.65A/cm²，腐蚀时间为50～70s；所述衰减电流具体为：初始电流密度为1.0-1.8A/cm²，4-8s后电流密度降至0.4-0.8A/cm²，15-35s后电流密度降至0.1-0.2A/cm²，加电总时间为18-35s。

8.根据权利要求4所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述前处理包括：将铝箔置于45-75℃、质量分数为0.5-5％的磷酸水溶液中处理1-4min。

9.根据权利要求4所述的铝电解电容器用腐蚀箔的腐蚀方法，其特征在于，所述后处理包括：将经过扩孔腐蚀的铝箔置于60-80℃、质量分数为3-10％硝酸水溶液中处理2-5min。

10.由权利要求4-9任一项所述的腐蚀方法得到的腐蚀箔。

11.电极箔，由权利要求10所述的腐蚀箔化成后得到。

12.包含权利要求11所述的电极箔的铝电解电容器。

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