CN111901977A - 液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，在用于制作液晶聚合物薄膜的基材层上涂布LCP溶液，然后依次进行固化处理和退火处理，得到液晶聚合物薄膜；将所述液晶聚合物薄膜进行等离子活化处理；在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜，得到具有纳米级导电铜层的液晶聚合物薄膜；在所述纳米级导电铜层上进行连续镀铜，得到所述液晶聚合物扰性覆铜板。本发明制备得到的产品可靠性好，整体厚度小，可实现精细线路(线距30μm)的加工制作。

Description

液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法。
背景技术
5G代指5th-Generation，第5代移动通信网络，其突出特点为理论峰值传输速度可达每秒数十Gb，比4G网络的传输速度快数百倍。5G信号传输的载体是天线，天线就如同公路一样，提供的是信息交互的通道。想要达到高效的传输速度，对于载体天线的信号收发能力势必要提出高的要求。目前主流的4G LTE技术属于特高频和超高频的范畴，即频率在0.3～30GHz范围。5G的频率最高，分为6GHz以下和24GHz以上两种。现在正在进行的5G技术试验主要在28GHz进行。
由于电磁波具有频率越高，波长越短，越容易在传播介质中衰减的特点，频率越高，要求天线材料的损耗越小。随着天线技术的升级，天线材料变得越来越多样。最早的天线由铜和合金等金属制成，后来随着FPC工艺的出现，4G时代的天线制造材料开始采用PI膜(聚酰亚胺)FCCL。但PI在10GHz以上损耗明显，无法满足5G终端的需求，凭借介质损耗与导体损耗更小，具备灵活性、密封性等特性，LCP(Liquid Crystal Polymer，液晶聚合物)高性能柔性覆铜板逐渐得到应用。
LCP薄膜是一种新型热塑性有机材料，可在保证较高可靠性的前提下实现高频高速传输。LCP薄膜具有优异的性能特征：1、在高达110GHz的全部射频范围几乎均能保持恒定的介电常数，稳定性好；2、损耗正切Df值非常小，10GHz时仅为0.002，即使在110GHz时也仅增加到0.0045，非常适合毫米波应用；3、低吸湿性(吸湿率约为0.01％～0.02％，只有一般PI基材的1/10)使其具有良好的基板高可靠性，可作为理想的高频FCCL材料。
随着IT技术的发展，在装置的小型化及薄膜化加速的同时，LCP薄膜化市场需求正在增加，然而目前市面上常见的LCP薄膜厚度在25μm以上。且目前FPC产品朝着精细线路发展，需要细线距(50μm以下)，现市面上的具有12μm厚铜层的LCP-FCCL无法满足精细线路的制作需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，可实现精细线路(线距30μm)的加工制作。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，在用于制作液晶聚合物薄膜的基材层上涂布LCP溶液，然后依次进行固化处理和退火处理，得到液晶聚合物薄膜；将所述液晶聚合物薄膜进行等离子活化处理；在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜，得到具有纳米级导电铜层的液晶聚合物薄膜；在所述纳米级导电铜层上进行连续镀铜，得到所述液晶聚合物扰性覆铜板。
本发明的有益效果在于：先在基材层上涂布LCP溶液，得到液晶聚合物薄膜，液晶聚合物薄膜的厚度可以控制在6μm左右；进行等离子活化处理，可以提高铜层的剥离强度，提高产品的可靠性；纳米级导电铜层的粗糙度低，可满足高频、高速传输需求；最终的液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度可控制在3μm左右(总厚度为9μm左右)，可满足装置的小型化及薄膜化的发展需要，经半加成工艺，可实现精细线路(线距30μm)的加工制作。
附图说明
图1为现有的电解铜覆铜板通过蚀刻工艺制备得到的线路SEM图；
图2为本发明实施例二制备得到的液晶聚合物扰性覆铜板通过蚀刻工艺制备得到的线路SEM图；
图3为本发明实施例三制备得到的液晶聚合物扰性覆铜板通过蚀刻工艺制备得到的线路切片图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：先成型液晶聚合物薄膜，然后进行镀铜，可将液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度可控制在3μm左右，可实现精细线路(线距30μm)的加工制作。
一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，在用于制作液晶聚合物薄膜的基材层上涂布LCP溶液，然后依次进行固化处理和退火处理，得到液晶聚合物薄膜；将所述液晶聚合物薄膜进行等离子活化处理；在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜，得到具有纳米级导电铜层的液晶聚合物薄膜；在所述纳米级导电铜层上进行连续镀铜，得到所述液晶聚合物扰性覆铜板。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：先在基材层上涂布LCP溶液，得到液晶聚合物薄膜，液晶聚合物薄膜的厚度可以控制在6μm左右；进行等离子活化处理，可以提高铜层的剥离强度，提高产品的可靠性；纳米级导电铜层的粗糙度低，可满足高频、高速传输需求；最终的液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度可控制在3μm左右(总厚度为9μm左右)，可满足装置的小型化及薄膜化的发展需要，经半加成工艺，可实现精细线路(线距30μm)的加工制作。
进一步的，所述退火处理的温度为150～250℃，时间为1～5h。
由上述描述可知，退火处理的温度和时间可根据需要进行调整。
进一步的，所述等离子活化处理的气体流量为3～7SLM，活化温度为80～120℃，活化功率为7～13kW。
由上述描述可知，等离子活化处理的条件可以根据需要进行调整。
进一步的，所述连续镀铜的电流密度为1～5ASD，时间为4～15min。
进一步的，所述基材层的材质为PTFE，所述基材层的厚度为30～70μm。
进一步的，所述液晶聚合物薄膜的厚度大于或等于6μm。
由上述描述可知，液晶聚合物薄膜的厚度可以根据需要进行控制，最小厚度6μm左右。
进一步的，所述纳米级导电铜层的厚度为20～100nm。
进一步的，所述液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度大于或等于3μm。
进一步的，采用半导体工艺在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜。
实施例一
本发明的实施例一为液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，包括如下步骤：
1、在用于制作液晶聚合物薄膜的基材层上涂布LCP溶液，然后依次进行固化处理和退火处理，得到液晶聚合物薄膜。
本实施例中，所述基材层的材质为PTFE，所述基材层的厚度为30～70μm，基材层可以是连续卷状材料。固化处理即除去LCP溶液中的溶剂，可以进行加热固化。所述退火处理的温度为150～250℃，时间为1～5h。最终得到液晶聚合物薄膜的厚度大于或等于6μm，当需要得到6μm左右的液晶聚合物薄膜时，LCP溶液的涂布厚度在8μm左右。
2、将所述液晶聚合物薄膜进行等离子活化处理。
本实施例中，所述等离子活化处理的气体流量为3～7SLM，活化温度为80～120℃，活化功率为7～13kW，等离子活化处理可以提高液晶聚合物薄膜的表面活性，提高纳米级导电铜层与液晶聚合物薄膜之间的剥离强度。
3、在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜，得到具有纳米级导电铜层的液晶聚合物薄膜。
本实施例中，采用半导体工艺在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜，所述纳米级导电铜层的厚度为20～100nm。
4、在所述纳米级导电铜层上进行连续镀铜，得到所述液晶聚合物扰性覆铜板。
本实施例中，所述连续镀铜的电流密度为1～5ASD，时间为4～15min。所述液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度大于或等于3μm。
实施例二
本发明的实施例二为液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，与实施例一的不同之处在于：
步骤1中，基材层的厚度为50μm；退火处理的温度为200℃，时间为3h。最终得到的液晶聚合物薄膜的厚度为6μm。
步骤2中，所述等离子活化处理的气体流量为5SLM，活化温度为100℃，活化功率为10kW。
步骤3中，纳米级导电铜层的厚度为60nm。
步骤4中，连续镀铜的电流密度为3ASD，时间为4.5min，最终得到的液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度为3μm。
实施例三
本发明的实施例三为液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，与实施例一的不同之处在于：
步骤1中，基材层的厚度为40μm；退火处理的温度为150℃，时间为5h。最终得到的液晶聚合物薄膜的厚度为6μm。
步骤2中，所述等离子活化处理的气体流量为3SLM，活化温度为120℃，活化功率为7kW。
步骤3中，纳米级导电铜层的厚度为20nm。
步骤4中，连续镀铜的电流密度为2ASD，时间为7min，最终得到的液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度约为3μm。
实施例四
本发明的实施例四为液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，与实施例一的不同之处在于：
步骤1中，基材层的厚度为70μm；退火处理的温度为250℃，时间为1h。最终得到的液晶聚合物薄膜的厚度为6μm。
步骤2中，所述等离子活化处理的气体流量为7SLM，活化温度为80℃，活化功率为13kW。
步骤3中，纳米级导电铜层的厚度为100nm。
步骤4中，连续镀铜的电流密度为5ASD，时间为3min，最终得到的液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度约为3μm。
性能测试
对实施例二至实施例四制备得到的液晶聚合物薄膜分别进行剥离强度、尺寸稳定性、阻焊测试、弹性模量、膨胀系数、介电常数、损耗因子、吸水率、阻燃性能和粗糙度测试。测试结果如表1所示：
表1性能测试结果对比表
Figure BDA0002550646970000061
通过将液晶聚合物薄膜与铜箔进行压合后制备得到的扰性覆铜板的剥离强度在0.51N/mm左右，而本发明制备得到的液晶聚合物扰性覆铜板的剥离强度在0.6N/mm以上，可大大提高产品的可靠性。且从表1可知，本发明制备得到的液晶聚合物扰性覆铜板具有较好的尺寸稳定性、优良的阻焊性能、较高的弹性模量、低膨胀系数、优异的介电性能和阻燃性能。
对于粗糙度测试，市面上的压延铜(RA)(如Mitsui公司，型号为3EC-M2S-HTE、厚度为12um的压延铜箔)的Ra在0.087μm左右，Rz在0.75μm左右，电解铜(ED)的Ra在0.282μm左右，Rz在1.872μm左右。而本发明制备得到的铜层表面的粗糙度远低于市面上的压延铜和电解铜，可满足高频、高速传输需求。
图1为电解铜覆铜板通过蚀刻工艺制备得到的线路SEM图，图2为本发明实施例二制备得到的液晶聚合物扰性覆铜板通过蚀刻工艺制备得到的线路SEM图，从图中可以看出，电解铜的蚀刻线路表面粗糙，而本发明的蚀刻线路表面光滑，铜层与液晶聚合物薄膜之间的结合更好。实施例三和实施例四的测试结果类似，在此就不一一进行赘述。
图3为本发明实施例三制备得到的液晶聚合物扰性覆铜板通过蚀刻工艺制备得到的线路切片图，从图中可以看出线宽60.99μm(近似于61μm)，线距25.93μm(近似于26μm)，由此可见，本液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法可能过实现线距30μm左右的精细线路加工制作。
综上所述，本发明提供的一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，制备得到的产品可靠性好，整体厚度小，可实现精细线路(线距30μm)的加工制作。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，在用于制作液晶聚合物薄膜的基材层上涂布LCP溶液，然后依次进行固化处理和退火处理，得到液晶聚合物薄膜；将所述液晶聚合物薄膜进行等离子活化处理；在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜，得到具有纳米级导电铜层的液晶聚合物薄膜；在所述纳米级导电铜层上进行连续镀铜，得到所述液晶聚合物扰性覆铜板。
2.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为150～250℃，时间为1～5h。
3.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述等离子活化处理的气体流量为3～7SLM，活化温度为80～120℃，活化功率为7～13kW。
4.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述连续镀铜的电流密度为1～5ASD，时间为4～15min。
5.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述基材层的材质为PTFE，所述基材层的厚度为30～70μm。
6.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述液晶聚合物薄膜的厚度大于或等于6μm。
7.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述纳米级导电铜层的厚度为20～100nm。
8.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，所述液晶聚合物扰性覆铜板的铜层厚度大于或等于3μm。
9.根据权利要求1所述的液晶聚合物扰性覆铜板的制备方法，其特征在于，采用半导体工艺在等离子活化处理后的液晶聚合物薄膜的表面进行沉铜。
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