CN111900863A - 无需副边单独供电的隔离型高占空比sspc驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路。该电路包括占空比分离电路、控制信号隔离电路、占空比合成电路和整形控制电路，其中占空比分离电路用于对大于50％占空比的控制信号进行分频，控制信号隔离电路用于对控制信号的隔离传输，占空比合成电路用对分离占空比进行合成，将两个低于50％的控制信号合成为高于50％的控制信号，整形控制电路用于控制信号的波形进行整定。本发明能够实现无需副边单独供电以及在控制信号占空比大于50％的情况下对SSPC进行驱动，并且具有驱动波形稳定、输出电流大、电路拓扑简单、有源器件少、成本低、驱动密度大的优点。
Description
技术领域
本发明涉及电力电子技术中的隔离型驱动电路技术领域，特别是一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路。
背景技术
电力电子技术是一门新兴的应用于电力领域的电子技术，是使用电力电子器件(如晶闸管，GTO，IGBT等)对电能进行变换和控制的技术。电力电子技术所变换的“电力”功率可大到数百MW甚至GW，也可以小到数W甚至1W以下，和以信息处理为主的信息电子技术不同，电力电子技术主要用于电力变换。
固态功率控制器(Solid-State Power Controller,简称SSPC)是集继电器的转换功能和断路器的电路保护功能于一体的智能开关设备，它具有无触点、无电弧、无噪声、响应快、电磁干扰小、寿命长、可靠性高以及便于计算机远程控制等优点。
随着社会的不断进步，电力电子技术得到了快速的发展。随着人们对于电力电子设备功能与性能要求的不断提高，隔离型驱动电路的相关研究越来越得到专业人员的重视，同时一些特定的场合也对隔离型驱动电路提出了更高的要求，在一些无法为隔离驱动电路副边提供单独电源以及控制信号的占空比大于50％的场合，如何解决驱动电路无法驱动的问题极为关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够在无法为驱动电路副边提供单独电源以及控制信号的占空比大于50％的情况下成功实现驱动，并且控制信号的幅值较稳定、结构简单、容易实现的SSPC驱动电路。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，包括占空比分离电路、控制信号隔离电路、占空比合成电路和整形控制电路；
所述占空比分离电路，用于对大于50％占空比的控制信号进行分频；
所述控制信号隔离电路，用于对控制信号进行隔离传输；
所述占空比合成电路，用于对分离占空比进行合成，将两个低于50％的控制信号合成为高于50％的控制信号；
所述整形控制电路，用于对控制信号的波形进行整定。
作为一种具体示例，所述占空比分离电路包括第一触发器、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第一NPN型三极管、第一PNP型三极管、第二触发器、第三二极管、第四二极管、第二电阻、第二NPN型三极管和第二PNP型三极管；
所述控制信号隔离电路包括第一电容、第一隔离变压器、第三电阻、第二电容、第二隔离变压器和第四电阻；
所述占空比合成电路包括第五二极管、第六二极管、第五电阻、第三NPN型三极管、第三PNP型三极管、第七二极管、第三电容和第六电阻；
所述整形控制电路包括开关管、反激变压器、第八二极管和第四电容。
作为一种具体示例，所述占空比分离电路中，第一触发器、第二触发器的时钟端和第一二极管的阴极均连接PWM控制信号，第一触发器的输出Q端连接第二二极管的阴极，第一二极管和第二二极管的阳极短接并与第一电阻的一端相连，第一电阻的另一端与原边供电电源VCC1相连；第一二极管和第二二极管的阳极与第一NPN三极管和第一PNP三极管的Base极相连，第一NPN型三极管的集电极与原边供电电源VCC1相连，第一PNP型三极管的集电极与原边电源地EP1相连，第一NPN型三极管的发射极和第一PNP型三极管的发射极短接并与控制信号隔离电路中第一电容的一端相连；
第二触发器的输入D端与第二触发器的输出非Q端相连，第二触发器的输出Q端与第一触发器的输入D端相连并同时连接到第三二极管的阴极；第四二极管的阴极连接PWM控制信号，第三二极管和第四二极管的阳极短接并与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端与原边供电电源VCC1相连；第三二极管和第四二极管的阳极与第二NPN型三极管及第二PNP型三极管的Base极相连，第二NPN型三极管的集电极与原边供电电源VCC1相连，第二PNP型三极管的集电极与原边电源地EP1相连，第二NPN型三极管的发射极和第二PNP型三极管的发射极短接并与控制信号隔离电路中第二电容的一端相连。
作为一种具体示例，所述控制信号隔离电路中，第一电容的另一端与第一隔离变压器的原边上侧相连，第一隔离变压器的原边下侧与原边电源地EP1相连，第一隔离变压器的副边上侧与下侧通过第三电阻相连，第一隔离变压器的副边下侧与副边地EP2相连，第一隔离变压器的副边上侧与占空比合成电路中第五二极管的阳极相连；
第二电容的另一端与第二隔离变压器的原边上侧相连，第二隔离变压器的原边下侧与原边电源地EP1相连，第二隔离变压器的副边上侧与下侧通过第四电阻(R4)相连，第二隔离变压器的副边下侧与副边地EP2、占空比合成电路中第三PNP型三极管的集电极相连；第二隔离变压器的副边上侧与占空比合成电路中第六二极管的阳极相连；第二隔离变压器的副边下侧与占空比合成电路中第七二极管的阳极、第三电容的一端相连。
作为一种具体示例，所述占空比合成电路中，第五二极管与第六二极管的阴极短接并与第五电阻的一端相连，第五电阻的另一端接到副边地EP2；第五二极管和第六二极管的阴极与第三NPN型三极管和第三PNP型三极管的Base极相连，第三NPN型三极管的集电极与整形控制电路第八二极管的阴极相连，第三NPN型三极管和第三PNP型三极管的发射极短接并连接到gate端；
第七二极管的阴极与第三电容的另一端短接并与第六电阻的一端相连，第六电阻的另一端连接到Source端。
作为一种具体示例，所述整形控制电路中，开关管的发射极连接原边电源地EP1，开关管的Base极连接反馈信号，开关管的集电极连接反激变压器原边的下侧，反激变压器原边的上侧连接原边供电电源VCC1；反激变压器副边的上侧连接第八二极管的阳极，第八二极管的阴极连接第四电容的一端，反激变压器副边的下侧连接第四电容的另一端并与副边地EP2相连。
作为一种具体示例，一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，包括以下工作模态：
工作模态1：第一触发器的输出Q端输出高电平，第二触发器的输出Q端输出低电平时，第一触发器的输出Q端输出经第一二极管、第二二极管和PWM控制信号相与后，将高电平输出至第一NPN型三极管、第一PNP型三极管的Base极，第一NPN型三极管、第一PNP型三极管的发射极再将原边供电电源VCC1的高电平传递至第一电容，第一电容将高电平传递至第一隔离变压器，第一隔离变压器的高电平经第五二极管、第六二极管与另一输入端相或后，将高电平输出给第三NPN型三极管、第三PNP型三极管的Base极，第三NPN型三极管、第三PNP型三极管的发射极再将第四电容正极的高电平传递至Gate端；
工作模态2：第二触发器的输出Q端输出高电平，第一触发器的Q输出端输出低电平时，第二触发器的输出Q端输出经第三二极管、第四二极管和PWM控制信号相与后，将高电平输出至第二NPN型三极管、第二PNP型三极管的Base极，第二NPN型三极管、第二PNP型三极管的发射极再将原边供电电源VCC1的高电平传递至第二电容，第二电容将高电平传递至第二隔离变压器，第二隔离变压器的高电平经第五二极管、第六二极管与另一输入端相或后，将高电平输出给第三NPN型三极管、第三PNP型三极管的Base极，第三NPN型三极管、第三PNP型三极管的发射极再将第四电容正极的高电平传递至Gate端；。
工作模态3：第一触发器、第二触发器的输出Q端均输出低电平时，第一隔离变压器、第二隔离变压器将低电平经第五二极管、第六二极管传递至第三NPN型三极管、第三PNP型三极管的Base极，第三NPN型三极管、第三PNP型三极管的发射极再将副边地EP2的低电平传递至Gate端。
本发明与现有技术相比，其显著优点在于：(1)无需为驱动电路副边提供单独电源；(2)利用分队级变压器隔离驱动，可以实现对占空比大于50％控制信号的驱动；(3)不需要外加器件对隔离变压器进行磁恢复；(4)控制波形更加精确，电路拓扑简单，有源器件少、驱动密度大、便于实现，具有成本低、稳定高、输出电流大的特点。
附图说明
图1是本发明无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路的结构示意图。
图2是本发明不同工作模态的工作流程示意图，其中(a)是工作模态1的工作流程示意图，(b)是工作模态2的工作流程示意图，(c)是工作模态3的工作流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的详细说明。
结合图1，本发明一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，包括占空比分离电路1、控制信号隔离电路2、占空比合成电路3和整形控制电路4；
所述占空比分离电路1，包括第一触发器DT1、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第一NPN型三极管T1、第一PNP型三极管T2、第二触发器DT2、第三二极管D3、第四二极管D4、第二电阻R2、第二NPN型三极管T3和第二PNP型三极管T4，用于对大于50％占空比的控制信号进行分频；
所述控制信号隔离电路2，包括第一电容C1、第一隔离变压器TS1、第三电阻R3、第二电容C2、第二隔离变压器TS2和第四电阻R4，用于对控制信号的隔离传输；
所述占空比合成电路3，包括第五二极管D5、第六二极管D6、第五电阻R5、第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6、第七二极管D7、第三电容C3和第六电阻R6，用对分离占空比进行合成，将两个低于50％的控制信号合成为高于50％的控制信号；
所述整形控制电路4，包括开关管T7、反激变压器TS3、第八二极管D8和第四电容C4，用于控制信号的波形进行整定。
进一步地，所述占空比分离电路1中，第一触发器DT1、第二触发器DT2的时钟端和第一二极管D1的阴极均连接PWM控制信号，第一触发器DT1的输出Q端连接第二二极管D2的阴极，第一二极管D1和第二二极管D2的阳极短接并与第一电阻R1的一端相连，第一电阻R1的另一端与原边供电电源VCC1相连；第一二极管D1和第二二极管D2的阳极与第一NPN三极管T1和第一PNP三极管T2的Base极相连，第一NPN型三极管T1的集电极与原边供电电源VCC1相连，第一PNP型三极管T2的集电极与原边电源地EP1相连，第一NPN型三极管T1的发射极和第一PNP型三极管T2的发射极短接并与控制信号隔离电路2中第一电容C1的一端相连；
第二触发器DT2的输入D端与第二触发器DT2的输出非Q端相连，第二触发器DT2的输出Q端与第一触发器DT1的输入D端相连并同时连接到第三二极管D3的阴极；第四二极管D4的阴极连接PWM控制信号，第三二极管D3和第四二极管D4的阳极短接并与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与原边供电电源VCC1相连；第三二极管D3和第四二极管D4的阳极与第二NPN型三极管T3及第二PNP型三极管T4的Base极相连，第二NPN型三极管T3的集电极与原边供电电源VCC1相连，第二PNP型三极管T4的集电极与原边电源地EP1相连，第二NPN型三极管T3的发射极和第二PNP型三极管T4的发射极短接并与控制信号隔离电路2中第二电容C2的一端相连。
进一步地，所述控制信号隔离电路2中，第一电容C1的另一端与第一隔离变压器TS1的原边上侧相连，第一隔离变压器TS1的原边下侧与原边电源地EP1相连，第一隔离变压器TS1的副边上侧与下侧通过第三电阻R3相连，第一隔离变压器TS1的副边下侧与副边地EP2相连，第一隔离变压器TS1的副边上侧与占空比合成电路3中第五二极管D5的阳极相连；
第二电容C2的另一端与第二隔离变压器TS2的原边上侧相连，第二隔离变压器TS2的原边下侧与原边电源地EP1相连，第二隔离变压器TS2的副边上侧与下侧通过第四电阻R4相连，第二隔离变压器TS2的副边下侧与副边地EP2、占空比合成电路3中第三PNP型三极管T6的集电极相连；第二隔离变压器TS2的副边上侧与占空比合成电路3中第六二极管D6的阳极相连；第二隔离变压器TS2的副边下侧与占空比合成电路3中第七二极管D7的阳极、第三电容C3的一端相连。
进一步地，所述占空比合成电路3中，第五二极管D5与第六二极管D6的阴极短接并与第五电阻R5的一端相连，第五电阻R5的另一端接到副边地EP2；第五二极管D5和第六二极管D6的阴极与第三NPN型三极管T5和第三PNP型三极管T6的Base极相连，第三NPN型三极管T5的集电极与整形控制电路4中第八二极管D8的阴极相连，第三NPN型三极管T5和第三PNP型三极管T6的发射极短接并连接到gate端；
第七二极管D7的阴极与第三电容C3的另一端短接并与第六电阻R6的一端相连，第六电阻R6的另一端连接到Source端。
进一步地，所述整形控制电路4中，所述开关管T7的发射极连接原边电源地EP1，开关管T7的Base极连接反馈信号，开关管T7的集电极连接反激变压器TS3原边的下侧，反激变压器TS3原边的上侧连接原边供电电源VCC1；反激变压器TS3副边的上侧连接第八二极管D8的阳极，第八二极管D8的阴极连接第四电容C4的一端，反激变压器TS3副边的下侧连接第四电容C4的另一端并与副边地EP2相连。
结合图2，本发明一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，包括以下工作模态：
工作模态1：结合图2(a)，第一触发器DT1的输出Q端输出高电平，第二触发器DT2的输出Q端输出低电平时，第一触发器DT1的输出Q端输出经第一二极管D1、第二二极管D2和PWM控制信号相与后，将高电平输出至第一NPN型三极管T1、第一PNP型三极管T2的Base极，第一NPN型三极管T1、第一PNP型三极管T2的发射极再将原边供电电源VCC1的高电平传递至第一电容C1，第一电容C1将高电平传递至第一隔离变压器TS1，第一隔离变压器TS1的高电平经第五二极管D5、第六二极管D6与另一输入端相或后，将高电平输出给第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6的Base极，第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6的发射极再将第四电容C4正极的高电平传递至Gate端；
工作模态2：结合图2(b)，第二触发器DT2的输出Q端输出高电平，第一触发器DT1的Q输出端输出低电平时，第二触发器DT2的输出Q端输出经第三二极管D3、第四二极管D4和PWM控制信号相与后，将高电平输出至第二NPN型三极管T3、第二PNP型三极管T4的Base极，第二NPN型三极管T3、第二PNP型三极管T4的发射极再将原边供电电源VCC1的高电平传递至第二电容C2，第二电容C2将高电平传递至第二隔离变压器TS2，第二隔离变压器TS2的高电平经第五二极管D5、第六二极管D6与另一输入端相或后，将高电平输出给第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6的Base极，第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6的发射极再将第四电容C4正极的高电平传递至Gate端；。
工作模态3：结合图2(c)，第一触发器DT1、第二触发器DT2的输出Q端均输出低电平时，第一隔离变压器TS1、第二隔离变压器TS2将低电平经第五二极管D5、第六二极管D6传递至第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6的Base极，第三NPN型三极管T5、第三PNP型三极管T6的发射极再将副边地EP2的低电平传递至Gate端。
综上所述，本发明无需为驱动电路副边提供单独电源，利用分队级变压器隔离驱动，可以实现对占空比大于50％控制信号的驱动；不需要外加器件对隔离变压器进行磁恢复；控制波形更加精确，电路拓扑简单，有源器件少、驱动密度大、便于实现，具有成本低、稳定高、输出电流大的特点。
Claims (7)
1.一种无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，包括占空比分离电路(1)、控制信号隔离电路(2)、占空比合成电路(3)和整形控制电路(4)；
所述占空比分离电路(1)，用于对大于50％占空比的控制信号进行分频；
所述控制信号隔离电路(2)，用于对控制信号进行隔离传输；
所述占空比合成电路(3)，用于对分离占空比进行合成，将两个低于50％的控制信号合成为高于50％的控制信号；
所述整形控制电路(4)，用于对控制信号的波形进行整定。
2.根据权利要求1所述的无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，所述占空比分离电路(1)包括第一触发器(DT1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第一电阻(R1)、第一NPN型三极管(T1)、第一PNP型三极管(T2)、第二触发器(DT2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第二电阻(R2)、第二NPN型三极管(T3)和第二PNP型三极管(T4)；
所述控制信号隔离电路(2)包括第一电容(C1)、第一隔离变压器(TS1)、第三电阻(R3)、第二电容(C2)、第二隔离变压器(TS2)和第四电阻(R4)；
所述占空比合成电路(3)包括第五二极管(D5)、第六二极管(D6)、第五电阻(R5)、第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)、第七二极管(D7)、第三电容(C3)和第六电阻(R6)；
所述整形控制电路(4)包括开关管(T7)、反激变压器(TS3)、第八二极管(D8)和第四电容(C4)。
3.根据权利要求2所述的无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，所述占空比分离电路(1)中，第一触发器(DT1)、第二触发器(DT2)的时钟端和第一二极管(D1)的阴极均连接PWM控制信号，第一触发器(DT1)的输出Q端连接第二二极管(D2)的阴极，第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的阳极短接并与第一电阻(R1)的一端相连，第一电阻(R1)的另一端与原边供电电源VCC1相连；第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的阳极与第一NPN三极管(T1)和第一PNP三极管(T2)的Base极相连，第一NPN型三极管(T1)的集电极与原边供电电源VCC1相连，第一PNP型三极管(T2)的集电极与原边电源地EP1相连，第一NPN型三极管(T1)的发射极和第一PNP型三极管(T2)的发射极短接并与控制信号隔离电路(2)中第一电容(C1)的一端相连；
第二触发器(DT2)的输入D端与第二触发器(DT2)的输出非Q端相连，第二触发器(DT2)的输出Q端与第一触发器(DT1)的输入D端相连并同时连接到第三二极管(D3)的阴极；第四二极管(D4)的阴极连接PWM控制信号，第三二极管(D3)和第四二极管(D4)的阳极短接并与第二电阻(R2)的一端相连，第二电阻(R2)的另一端与原边供电电源VCC1相连；第三二极管(D3)和第四二极管(D4)的阳极与第二NPN型三极管(T3)及第二PNP型三极管(T4)的Base极相连，第二NPN型三极管(T3)的集电极与原边供电电源VCC1相连，第二PNP型三极管(T4)的集电极与原边电源地EP1相连，第二NPN型三极管(T3)的发射极和第二PNP型三极管(T4)的发射极短接并与控制信号隔离电路(2)中第二电容(C2)的一端相连。
4.根据权利要求2所述的无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，所述控制信号隔离电路(2)中，第一电容(C1)的另一端与第一隔离变压器(TS1)的原边上侧相连，第一隔离变压器(TS1)的原边下侧与原边电源地EP1相连，第一隔离变压器(TS1)的副边上侧与下侧通过第三电阻(R3)相连，第一隔离变压器(TS1)的副边下侧与副边地EP2相连，第一隔离变压器(TS1)的副边上侧与占空比合成电路(3)中第五二极管(D5)的阳极相连；
第二电容(C2)的另一端与第二隔离变压器(TS2)的原边上侧相连，第二隔离变压器(TS2)的原边下侧与原边电源地EP1相连，第二隔离变压器(TS2)的副边上侧与下侧通过第四电阻(R4)相连，第二隔离变压器(TS2)的副边下侧与副边地EP2、占空比合成电路(3)中第三PNP型三极管(T6)的集电极相连；第二隔离变压器(TS2)的副边上侧与占空比合成电路(3)中第六二极管(D6)的阳极相连；第二隔离变压器(TS2)的副边下侧与占空比合成电路(3)中第七二极管(D7)的阳极、第三电容(C3)的一端相连。
5.根据权利要求2所述的无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，所述占空比合成电路(3)中，第五二极管(D5)与第六二极管(D6)的阴极短接并与第五电阻(R5)的一端相连，第五电阻(R5)的另一端接到副边地EP2；第五二极管(D5)和第六二极管(D6)的阴极与第三NPN型三极管(T5)和第三PNP型三极管(T6)的Base极相连，第三NPN型三极管(T5)的集电极与整形控制电路(4)中第八二极管(D8)的阴极相连，第三NPN型三极管(T5)和第三PNP型三极管(T6)的发射极短接并连接到gate端；
第七二极管(D7)的阴极与第三电容(C3)的另一端短接并与第六电阻(R6)的一端相连，第六电阻(R6)的另一端连接到Source端。
6.根据权利要求2所述的无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，所述整形控制电路(4)中，所述开关管(T7)的发射极连接原边电源地EP1，开关管(T7)的Base极连接反馈信号，开关管(T7)的集电极连接反激变压器(TS3)原边的下侧，反激变压器(TS3)原边的上侧连接原边供电电源VCC1；反激变压器(TS3)副边的上侧连接第八二极管(D8)的阳极，第八二极管(D8)的阴极连接第四电容(C4)的一端，反激变压器(TS3)副边的下侧连接第四电容(C4)的另一端并与副边地EP2相连。
7.根据权利要求2所述的无需副边单独供电的隔离型高占空比SSPC驱动电路，其特征在于，包括以下工作模态：
工作模态1：第一触发器(DT1)的输出Q端输出高电平，第二触发器(DT2)的输出Q端输出低电平时，第一触发器(DT1)的输出Q端输出经第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和PWM控制信号相与后，将高电平输出至第一NPN型三极管(T1)、第一PNP型三极管(T2)的Base极，第一NPN型三极管(T1)、第一PNP型三极管(T2)的发射极再将原边供电电源VCC1的高电平传递至第一电容(C1)，第一电容(C1)将高电平传递至第一隔离变压器(TS1)，第一隔离变压器(TS1)的高电平经第五二极管(D5)、第六二极管(D6)与另一输入端相或后，将高电平输出给第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)的Base极，第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)的发射极再将第四电容(C4)正极的高电平传递至Gate端；
工作模态2：第二触发器(DT2)的输出Q端输出高电平，第一触发器(DT1)的Q输出端输出低电平时，第二触发器(DT2)的输出Q端输出经第三二极管(D3)、第四二极管(D4)和PWM控制信号相与后，将高电平输出至第二NPN型三极管(T3)、第二PNP型三极管(T4)的Base极，第二NPN型三极管(T3)、第二PNP型三极管(T4)的发射极再将原边供电电源VCC1的高电平传递至第二电容(C2)，第二电容(C2)将高电平传递至第二隔离变压器(TS2)，第二隔离变压器(TS2)的高电平经第五二极管(D5)、第六二极管(D6)与另一输入端相或后，将高电平输出给第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)的Base极，第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)的发射极再将第四电容(C4)正极的高电平传递至Gate端；
工作模态3：第一触发器(DT1)、第二触发器(DT2)的输出Q端均输出低电平时，第一隔离变压器(TS1)、第二隔离变压器(TS2)将低电平经第五二极管(D5)、第六二极管(D6)传递至第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)的Base极，第三NPN型三极管(T5)、第三PNP型三极管(T6)的发射极再将副边地EP2的低电平传递至Gate端。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113098239A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-09 | 深圳市雷能混合集成电路有限公司 | 数字电源的控制方法及装置 |
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- 2020-06-24 CN CN202010589387.4A patent/CN111900863A/zh active Pending
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