CN111885754A - 一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，属于磁性器件技术领域，包括加热套（1）、PTC陶瓷加热片（2）和连接线（3），所述PTC陶瓷加热片（2）固定于加热套（2）上，数个PTC陶瓷加热片（2）和加热套（1）通过所述连接线（3）并联，构成加热回路，所述加热回路对称设置；采用本发明的对消加热结构，在加热工作开启瞬间（2～5秒内），磁调谐器件的响应曲线实现了0MHz的频率跳变，该结构技术发展和在磁调谐器件领域提高器件的温度稳定性应用前景广阔。
Description
技术领域
本发明涉及磁性器件技术领域，尤其涉及一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构。
背景技术
磁调谐器件在军用电子战和民用仪器设备领域均具有广阔的应用前景，可完成宽带侦察、全景接收、频谱分析等功能。借助磁调谐器件，在密集复杂的众多电磁信号当中可自动搜索、跟踪、选通所需频率信号，抑制无关信号。由于调谐范围宽，调谐线性度好，带外抑制度高，相比其它技术途径而言，使用磁调谐可完成原本该由众多开关滤波器阵列组合才能完成的选频滤波或抑制干扰信号功能，因而能大大简化整机系统设计。
现代电子系统对磁调谐器件温度稳定性的要求愈来愈高，同时磁调谐器件的工作温度范围要求愈来愈宽。
磁调谐器件的核心是谐振子—YIG小球，当外界环境温度变化时YIG小球的各向异性场和饱和磁化强度随温度变化较大，从而影响磁调谐器件的温度稳定性。
为保持各向异性场和饱和磁化强度的稳定，利用PTC陶瓷加热片具有的限流和限定温度的工作原理，通过使用PTC加热片将YIG小球谐振子保持在一个恒定的温度下，一方面可以保证小球的饱和磁化强度和各向异性场不随温度变化，同时通过控制加热片的温度使加热片工作在最高环境温度以上，可以抵抗外界环境温度变化造成的频率改变。
目前，传统的磁调谐器件的加热结构如图1所示，由加热套1、PTC陶瓷加热片2、连接线3和介质腔4所组成，加热套1一般由铍青铜材料经机械加工而成，PTC陶瓷加热片2一般由以钛酸钡为主要成分的半导体功能陶瓷材料加工而成，连接线3一般采用Φ0.2mm的紫铜线。
传统磁调谐器件加热结构的缺点是：在减小PTC陶瓷加热片的浪涌电流瞬间产生的感生电动势对调谐磁场的影响方面没有进行针对性的设计，无法避免加热结构在工作开启瞬间引起响应曲线5～20MHz的频率跳变，如图2所示，进而会影响器件的小球温度稳定轴调试准确度和温度稳定性。
发明内容
本发明的目的就在于提供一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，以解决上述问题。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，包括加热套、PTC陶瓷加热片和连接线，所述PTC陶瓷加热片固定于加热套上，所述PTC陶瓷加热片和加热套通过连接线连接，构成加热回路，所述加热回路对称设置。
PTC陶瓷加热片与加热套的固定方式可以是焊接固定等方式。
作为优选的技术方案：每个所述陶瓷加热片的阻值相同。相同的阻值的陶瓷加热片，进一步强化了对称结构。
作为优选的技术方案：每个所述陶瓷加热片的阻值均为50～100Ω，体积为6×4×1.5mm3。
本发明对消加热结构的设计原理图，如图3所示，利用电路对称设计方法，使PTC陶瓷加热片产生的浪涌电流产生的磁场（图3中的H1和H2）方向相反，从而让浪涌电流产生的磁场相互抵消，对调谐磁场不形成任何磁场叠加效应，从而实现了加热工作开启瞬间（2～5秒内）磁调谐器件的响应曲线0MHz跳变，能较好的改善器件的小球温度稳定轴调试准确度和磁调谐器件的温度稳定性
与现有技术相比，本发明的优点在于：采用本发明的对消加热结构，在加热工作开启瞬间（2～5秒内），磁调谐器件的响应曲线实现了0MHz的频率跳变，该结构技术发展和在磁调谐器件领域提高器件的温度稳定性应用前景广阔。
附图说明
图1为磁调谐器件采用的传统加热结构示意图；
图2为图1的加热结构引起的频率跳变示意图；
图3为本发明的对消加热结构设计原理图；
图4为本发明实施例的防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构图。
图5为本发明的加热结构引起的频率跳变示意图；
图中：1、加热套；2、PTC陶瓷加热片；3、连接线；4、介质腔。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例：
参见图4，一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，包括四组加热套1、PTC陶瓷加热片2和连接线3结构，每个所述PTC陶瓷加热片2通过焊接固定于加热套1上，四个PTC陶瓷加热片2和分别与四个加热套1通过连接线3并联，构成加热回路，所述加热回路对称设置；每个PTC陶瓷加热片2的阻值均相同，均为50～100Ω，体积均为6×4×1.5mm3；加热套1采用传统的一般采用铍青铜材料，连接线3采用传统的紫铜线，
本实施例的对消加热结构的在未加热和加热时的响应曲线如图5所示，从图5中可以看出，本结构实现了加热时0MHz跳变，保证了磁调谐器件的温度稳定性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，包括加热套（1）、PTC陶瓷加热片（2）和连接线（3），其特征在于：所述PTC陶瓷加热片（2）固定于加热套（2）上，所述PTC陶瓷加热片（2）和加热套（1）通过连接线（3）连接，构成加热回路，所述加热回路对称设置。
2.根据权利要求1所述的防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，其特征在于：每个所述陶瓷加热片（2）的阻值相同。
3.根据权利要求2所述的防浪涌电流影响调谐磁场的对消加热结构，其特征在于：每个所述陶瓷加热片（2）的阻值均为50～100Ω，体积为6×4×1.5mm3。
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