CN111884589A - 频率源的温度补偿参数确定方法和装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置。该方法包括：获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片；基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。通过本申请，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。

Description

频率源的温度补偿参数确定方法和装置

技术领域

本申请涉及频率源温度补偿领域，具体而言，涉及一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置。

背景技术

由于便捷、尺寸小等优点，芯片的片上频率源正逐渐取代片外晶体、晶振，广泛应用于芯片领域。

一种典型的片上频率源是由LC振荡器实现，由于LC振荡器的温度随频率的升高而降低，具有负温度系数。因而，在电路设计中，往往需要设计复杂的温度补偿电路来补偿温度变化导致的频率偏差，在设计温度补偿电路时，需要知道温度补偿参数。在相关技术中，通常是在芯片量产的过程中，通过机台对芯片进行加热，结合不同温度下芯片的频率计算频率源的温度补偿参数，并写入芯片的存储器中。但是，采用机台对芯片加热，需要将芯片批量放入托盘，再将托盘放置到机台内进行芯片的加热，加热时间长，且容易产生加热不均。

针对相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请提供一种频率源的温度补偿参数确定方法和装置，以解决相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。

根据本申请的一个方面，提供了一种频率源的温度补偿参数确定方法。该方法包括：获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内；基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

可选地，获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值包括：在预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率；将每个芯片从第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式，得到第二公式，其中，一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；根据第一公式和第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；对预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到温度补偿斜率的均值。

可选地，将每个芯片从第一温度加热到第二温度包括：将每个芯片放置在加热设备内，通过加热设备对每个芯片进行加热，以使每个芯片加热到第二温度。

可选地，将每个芯片从第一温度加热到第二温度包括：采用每个芯片在工作的过程中产生的功耗，将芯片从第一温度加热到第二温度。

可选地，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。

可选地，基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数包括：将温度补偿斜率、第一温度、第一温度下的工作频率代入一阶拟合公式进行计算，得到待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。

根据本申请的另一方面，提供了一种频率源的温度补偿参数确定装置。该装置包括：第一获取单元，用于获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；第二获取单元，用于获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内；第一确定单元，用于基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；第二确定单元，用于将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

可选地，第一获取单元包括：第一获取模块，用于在预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率；第二获取模块，用于将每个芯片从第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内，第二温度大于第一温度；第三获取模块，用于基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式，得到第二公式，其中，一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；第四获取模块，用于根据第一公式和第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；求均值模块，用于对预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到温度补偿斜率的均值。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种非易失性存储介质，非易失性存储介质包括存储的程序，其中，程序运行时控制非易失性存储介质所在的设备执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。

根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种电子装置，包含处理器和存储器；存储器中存储有计算机可读指令，处理器用于运行计算机可读指令，其中，计算机可读指令运行时执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。

通过本申请，采用以下步骤：获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内；基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。通过预设数量的目标型号芯片获取温度补偿斜率，并结合温度补偿斜率、待测芯片的工作温度、工作频率得到度补偿偏置参数，进而达到了低成本、高效的对芯片的片上频率源的频率进行校准的效果。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是根据本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法的流程图；

图2是根据本申请实施例提供的另一种频率源的温度补偿参数确定方法的流程图；以及

图3是根据本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置的示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

根据本申请的实施例，提供了一种频率源的温度补偿参数确定方法。

图1是根据本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定方法的流程图。

需要说明的是，由于一阶拟合具有成本低，电路易于实现等优点，本申请实施例采用一阶拟合的方式对芯片的片内频率源的进行温度补偿。具体地，测量不同芯片温度下片内频率源的频率，从而计算得到温度补偿斜率k和温度补偿偏置参数b。

如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤S101，获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率。

需要说明的是，同一型号的芯片的片内频率源的温度补偿斜率可以收敛于同一个k值，例如，在片内频率源为LC振荡器的情况下，LC振荡器的温度补偿斜率收敛于同一个k值，且误差小于±10％。

基于该特性，本申请实施例对待测的多个目标型号芯片进行抽样，得到样本芯片，计算每个样本芯片的温度补偿斜率，得到多个温度补偿斜率，并计算多个温度补偿斜率的均值。由于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率收敛于同一个k值，温度补偿斜率的均值可以应用于每一颗待测的目标型号芯片，从而进行温度偏置参数的计算。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值包括：在预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率；将每个芯片从第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内，第二温度大于第一温度；基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式，得到第二公式，其中，一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；根据第一公式和第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；对预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到温度补偿斜率的均值。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。

需要说明的是，在一阶拟合方式中，测量不同芯片温度下片内频率源的频率(如第一温度下的第一工作频率和第二温度下的第二工作频率)，从而算得温度补偿斜率k和温度补偿偏置参数b。

具体地，第一温度和第二温度为可以覆盖芯片工作温度的两个温度点，例如，第一温度可以为常温T1，第二温度可以为高温T2，获取预设数量的芯片中每个芯片的片内频率源在常温T1下的第一工作频率F1；将每个芯片从常温T1加热到高温T2，并获取每个芯片的片内频率源在高温T2下的第二工作频率F2，根据F1＝kT 1+b,F2＝kT2+b，计算得到每个芯片的温度补偿斜率k，进一步的，再计算多个温度补偿斜率的均值。

步骤S102，获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内。

需要说明的是，由于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率收敛于同一个k值，温度补偿斜率的均值可以应用于每一颗待测的目标型号芯片，从而进行温度偏置参数的计算，具体地，可以根据任一工作温度下的工作频率计算温度偏置参数。

步骤S103，基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数包括：将温度补偿斜率、第一温度、第一温度下的工作频率代入一阶拟合公式进行计算，得到待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。

具体地，第一温度可以为常温T1，常温T1下的工作频率为F1，可以在量产时在常温T1下获取工作频率F1,将常温T1、工作频率F1带入已知k值的一阶拟合公式，计算出b值，完成温度补偿参数的校准。

通过本申请实施例，在量产的阶段无需对每个芯片进行加热，即可得到较为准确的温度补偿偏置参数，大幅缩短单颗芯片的测试时间，降低测试成本。

步骤S104，将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

具体地，可以将温度补偿斜率k和温度补偿偏置参数b并写入待测芯片的存储器中，从而完成片内频率源的温度补偿参数的校准。

本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法，通过获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内；基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。通过预设数量的目标型号芯片获取温度补偿斜率，并结合温度补偿斜率、待测芯片的工作温度、工作频率得到度补偿偏置参数，进而达到了低成本、高效的对芯片的片上频率源的频率进行校准的效果。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，将每个芯片从第一温度加热到第二温度包括：将每个芯片放置在加热设备内，通过加热设备对每个芯片进行加热，以使每个芯片加热到第二温度。

具体的，对抽样得到的芯片进行加热时，由于需要加热的芯片的数量有限，可以采用机台加热的方式进行加热。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定方法中，将每个芯片从第一温度加热到第二温度包括：采用每个芯片在工作的过程中产生的功耗，将芯片从第一温度加热到第二温度。

具体地，采用工作的过程中产生的功耗进行芯片的加热即为芯片的自加热，例如，目标型号芯片可以工作在不同的工作模式，且具有模式配置功能，在DP HBR3 4lane模式开启时，典型功耗可达800mW，目标型号芯片可以通过I2C接口配置成该工作模式进行自加热，从加热开始到结温稳定的时间约为30秒。

图2是根据本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定方法的流程图。如图2所示，该方法包括：

测试阶段和量产阶段，在测试阶段确定待测芯片的温度补偿斜率k，在量产阶段确定待测芯片的温度补偿偏置参数b。

具体地，在芯片验证测试阶段，抽样100颗芯片，在常温获取工作温度T1和工作频率F1,自加热30秒到高温，获取工作温度T2和工作频率F2，根据F1＝kT 1+b,F2＝kT2+b，计算得到每个芯片的温度补偿斜率k，并平均100颗芯片的温度补偿斜率k得到平均k值。

进一步的，由于同一型号的芯片的片内频率源的温度补偿斜率可以收敛于同一个k值，在量产阶段，平均k值被认为是每个芯片的常数，通过在常温获取工作温度T1和工作频率F1，根据F1＝kT 1+b算出每个芯片的b值，完成每个芯片的单点校准。

需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

本申请实施例还提供了一种频率源的温度补偿参数确定装置，需要说明的是，本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于频率源的温度补偿参数确定方法。以下对本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置进行介绍。

图3是根据本申请实施例的频率源的温度补偿参数确定装置的示意图。如图3所示，该装置包括：第一获取单元10、第二获取单元20、第一确定单元30和第二确定单元40。

具体地，第一获取单元10，用于获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率。

第二获取单元20，用于获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内。

第一确定单元30，用于基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。

第二确定单元40，用于将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置，通过第一获取单元10获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将温度补偿斜率的均值确定为目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；第二获取单元20获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，待测芯片为目标型号的芯片，第一温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内；第一确定单元30基于目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、第一温度以及第一温度下的工作频率，确定待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；第二确定单元40将温度补偿斜率和温度补偿偏置参数确定为待测芯片的片内频率源的温度补偿参数，解决了相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题，通过预设数量的目标型号芯片获取温度补偿斜率，并结合温度补偿斜率、待测芯片的工作温度、工作频率得到度补偿偏置参数，进而达到了低成本、高效的对芯片的片上频率源的频率进行校准的效果。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，第一获取单元10包括：第一获取模块，用于在预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在第一温度下的第一工作频率；第二获取模块，用于将每个芯片从第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在第二温度下的第二工作频率，其中，第二温度位于目标型号的芯片的工作温度范围内，第二温度大于第一温度；第三获取模块，用于基于第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于第二温度、第二工作频率和一阶拟合公式，得到第二公式，其中，一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；第四获取模块，用于根据第一公式和第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；求均值模块，用于对预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到温度补偿斜率的均值。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，第二获取模块包括第一加热模块，用于将每个芯片放置在加热设备内，通过加热设备对每个芯片进行加热，以使每个芯片加热到第二温度。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，第二获取模块包括第二加热模块，用于采用每个芯片在工作的过程中产生的功耗，将芯片从第一温度加热到第二温度。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，一阶拟合公式为：F＝kT+b，其中，T为芯片的工作温度，F为芯片的内部频率源的工作频率，k为芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。

可选地，在本申请实施例提供的频率源的温度补偿参数确定装置中，第一确定单元30包括：计算模块，用于将温度补偿斜率、第一温度、第一温度下的工作频率代入一阶拟合公式进行计算，得到待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。

所述频率源的温度补偿参数确定装置包括处理器和存储器，上述第一获取单元10、第二获取单元20、第一确定单元30和第二确定单元40等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决相关技术中采用机台批量加热芯片以校准芯片的片上频率源的温度补偿参数，耗时长、成本高的问题。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

本申请实施例还提供了一种非易失性存储介质，非易失性存储介质包括存储的程序，其中，程序运行时控制非易失性存储介质所在的设备执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。

本申请实施例还提供了一种电子装置，包含处理器和存储器；存储器中存储有计算机可读指令，处理器用于运行计算机可读指令，其中，计算机可读指令运行时执行一种频率源的温度补偿参数确定方法。本文中的电子装置可以是服务器、PC、PAD、手机等。

本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。存储器是计算机可读介质的示例。

计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

本领域技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种频率源的温度补偿参数确定方法，其特征在于，包括：

获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将所述温度补偿斜率的均值确定为所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；

获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，所述待测芯片为目标型号的芯片，所述第一温度位于所述目标型号的芯片的工作温度范围内；

基于所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、所述第一温度以及所述第一温度下的工作频率，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；

将所述温度补偿斜率和所述温度补偿偏置参数确定为所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值包括：

在所述预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在所述第一温度下的第一工作频率；

将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在所述第二温度下的第二工作频率，其中，所述第二温度位于所述目标型号的芯片的工作温度范围内，所述第二温度大于所述第一温度；

基于所述第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于所述第二温度、第二工作频率和所述一阶拟合公式，得到第二公式，其中，所述一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；

根据所述第一公式和所述第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到所述预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；

对所述预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到所述温度补偿斜率的均值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度包括：

将每个所述芯片放置在加热设备内，通过所述加热设备对每个所述芯片进行加热，以使每个芯片加热到所述第二温度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度包括：

采用每个所述芯片在工作的过程中产生的功耗，将所述芯片从所述第一温度加热到所述第二温度。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述一阶拟合公式为：

F＝kT+b，

其中，T为芯片的工作温度，F为所述芯片的内部频率源的工作频率，k为所述芯片的内部频率源的温度补偿斜率，b为所述芯片的内部频率源的温度补偿偏置参数。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，基于所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、所述第一温度以及所述第一温度下的工作频率，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数包括：

将所述温度补偿斜率、所述第一温度、所述第一温度下的工作频率代入所述一阶拟合公式进行计算，得到所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数。

7.一种频率源的温度补偿参数确定装置，其特征在于，包括：

第一获取单元，用于获取预设数量的目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率的均值，并将所述温度补偿斜率的均值确定为所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率；

第二获取单元，用于获取待测芯片的片内频率源在第一温度下的工作频率，其中，所述待测芯片为目标型号的芯片，所述第一温度位于所述目标型号的芯片的工作温度范围内；

第一确定单元，用于基于所述目标型号芯片的片内频率源的温度补偿斜率、所述第一温度以及所述第一温度下的工作频率，确定所述待测芯片的片内频率源的温度补偿偏置参数；

第二确定单元，用于将所述温度补偿斜率和所述温度补偿偏置参数确定为所述待测芯片的片内频率源的温度补偿参数。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一获取单元包括：

第一获取模块，用于在所述预设数量的芯片中，获取每个芯片的片内频率源在所述第一温度下的第一工作频率；

第二获取模块，用于将每个芯片从所述第一温度加热到第二温度，并获取每个芯片的片内频率源在所述第二温度下的第二工作频率，其中，所述第二温度位于所述目标型号的芯片的工作温度范围内，所述第二温度大于所述第一温度；

第三获取模块，用于基于所述第一温度、第一工作频率和一阶拟合公式，得到第一公式，并基于所述第二温度、第二工作频率和所述一阶拟合公式，得到第二公式，其中，所述一阶拟合公式的待求解变量为温度补偿斜率和温度补偿偏置参数；

第四获取模块，用于根据所述第一公式和所述第二公式确定每个芯片的温度补偿斜率，得到所述预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率；

求均值模块，用于对所述预设数量的芯片的片内频率源的温度补偿斜率求平均，得到所述温度补偿斜率的均值。

9.一种非易失性存储介质，其特征在于，所非易失性存储介质包括存储的程序，其中，所述程序运行时控制所述非易失性存储介质所在的设备执行权利要求1至6中任意一项所述的频率源的温度补偿参数确定方法。

10.一种电子装置，其特征在于，包含处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机可读指令，所述处理器用于运行所述计算机可读指令，其中，所述计算机可读指令运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的频率源的温度补偿参数确定方法。

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