CN111880982B - 射频压电器件的性能调试方法、装置及相关产品 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供提供一种射频压电器件的性能调试方法、装置及相关产品，方法包括：获取射频压电器件的当前性能参数的值；判断当前性能参数的值是否达到射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；若当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的射频压电器件的图像；根据图像，识别出在射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；对射频压电器件的性能进行分析，生成将当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；根据最优策略，通过调整调试部位的物理属性，调整射频压电器件的物理结构以使得射频压电器件具有目标性能参数的值，从而实现了对射频压电器件进行性能调试。
Description
技术领域
本申请涉及计算机科学领域，尤其涉及一种射频压电器件的性能调试方法、装置及相关产品。
背景技术
目前的射频压电器件(以下简称RF器件)主要有基于纯电磁效应的和压电效应的，电磁效应的RF器件有陶瓷滤波器、腔体滤波器等等，基于压电效应的有声表面波器件(SAW，Surface AcousticWave)、体波BAW和薄膜体波FBAR。
对于纯电磁效应的RF器件而言，其主要缺点在于体积较大且无法实现单片集成，无法满足便携性的要求；对于压电效应的RF器件而言，其具有工作频率高，体积小，品质因数高，便于集成等优势，使其在射频前端通信领域中发挥着重要的作用。
由于基于压电效应的RF器件的高灵敏度特性使其具有广阔的应用前景。但这种高灵敏度会降低其在电学应用中的可靠性。在一个器件中，由于加工偏差，加工后的工作频率通常不同于目标值，导致产品一致性差，成品率低。无法满足设计指标的要求。常规的作法是尽量的保证XYZ三方向的加工精度，尽量控制材料的一致性，使得一批产品的一致性更好，但是材料的一致性和加工精度不可避免的存在误差，以至于到了微观层面很难去控制。
在腔体或者微带等微波射频压电器件在设计、生产和装配过程中，受原材料及加工工艺的不一致性以及生产和装配过程中的误差等因素的影响，在产品调试前的状态各不相同产品，必须通过反复调试，才能满足性能要求或实现性能的一致性和稳定性。
因此，亟待提供一种针对RF器件的性能调试解决方案，以对RF器件进行性能调试，尽可能提供满足性能要求或实现性能一致性和稳定性的RF器件。
发明内容
有鉴于此，本申请解决的技术问题之一在于提供一种射频压电器件的性能调试方法、装置及相关产品，对RF压电器件进行性能调试，尽可能提供满足性能要求或实现性能一致性和稳定性的RF器件。
一种射频压电器件的性能调试方法，所述方法包括：
获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述方法还包括：通过矢量网络分析仪对所述射频压电器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行刻蚀、切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行刻蚀、切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
可选地，在本申请的一实施例中，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
一种射频压电器件的性能调试装置，所述装置包括：
第一获取单元，用于获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断单元，用于判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
第二获取单元，用于若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
识别单元，用于根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
分析单元，用于对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
调整单元，用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述装置还包括：测试单元，用于通过矢量网络分析仪对所述射频压电器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
可选地，在本申请的一实施例中，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
一种电子设备，用于对射频压电器件进行性能调试，所述射频压电器件具有相关于其电磁场的性能，所述电子设备包括存储器以及处理器，所述存储器上存储有可执行程序，所述处理器运行所述可执行程序时执行如下步骤：
获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述处理器执行根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
可选地，在本申请的一实施例中，其特征在于，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
可选地，在本申请的一实施例中，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请的一实施例中，所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
一种存储介质，所述存储介质上存储有可执行程序，所述可执行程序被运行时执行如下步骤：
获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
本申请实施例提供的技术方案中，通过获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，从而实现了对RF器件进行性能调试，尽可能提供满足性能要求或实现性能一致性和稳定性的RF器件。
附图说明
图1为本申请实施例一中射频压电器件的性能调试方法流程示意图；
图2为本申请实施例二中射频压电器件的性能调试方法流程示意图；
图3A为本申请实施例三中有声表面波射频压电器件的结构示意图；
图3B为针对图3A中射频压电器件提供的性能调试方法的流程示意图。
图4A为本申请实施例中射频压电器件为薄膜体波的射频压电器件的结构示意图；
图4B为针对图4A体波的射频压电器件的性能调试方法流程示意图；
图5为本申请实施例五中射频压电器件的性能调试装置的结构示意图；
图6为本申请实施例六中电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域的人员更好地理解本申请实施例中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅是本申请实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请实施例保护的范围。
下面结合本申请施例附图进一步说明本申请实施例具体实现。
图1为本申请实施例一中射频压电器件的性能调试方法流程示意图；如图1所示，所述方法包括：
S101、获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
本实施例中，所述射频压电器件比如为射频放大电路，射频开关，射频衰减器，功分器，耦合器，环形器，隔离器，混频器，滤波器中至少一种或多种的组合。
S102、判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
S103、若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
S104、根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
S105、对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
S106、根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
本申请实施例提供的技术方案中，通过获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，从而实现了对RF器件进行性能调试，尽可能提供满足性能要求或实现性能一致性和稳定性的RF器件。
图2为本申请实施例二中射频压电器件的性能调试方法流程示意图；如图2所示，所述方法包括：
S201、通过矢量网络分析仪对所述射频压电器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
S202、获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
S203、判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
S204、若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
S205、根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
S206、对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
S207、根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
具体地，本实施例中，在执行步骤S207中根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值时，具体可以根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
进一步地，如果通过机电设备对调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理的话，则根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
具体地，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种，此处需要说明的是，机电设备的选择可以根据射频压电器件的具体结构以及应用场景灵活选择。
示例性地，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
为此，则若所述射频压电器件具有微带结构，则所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
示例性地，若所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；则根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
示例性地，若所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；则根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
图3A为本申请实施例三中有声表面波射频压电器件的结构示意图；图3B为针对图3A中射频压电器件提供的性能调试方法的流程示意图。
如图3A所示，有声表面波射频压电器件(即SAW器件)包括输入电极和输出电极，表面声波从输入电极朝向输出电极传播，在输入电极的左侧、输出电极的右侧设置有吸声材料。
S301、通过矢量网络分析仪对所述SAW器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
本实施例中，所述当前性能参数的值比如为S参数的值，除此之外，所述当前性能参数的值还可以为中心频率、通带宽度(带宽)、通带波纹、阻带抑制、矩形系数、群时延波动、插入损耗等。
本实施例中，可以将矢量网络分析仪连接到SAW器件的输入接口(input)、输出接口(output)，以对所述SAW器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
进一步地，所述当前性能参数的值并未为单一的性能参数的值，实际上也可以为上述不同具体性能参数的值的组合。
S302、获取所述SAW器件的当前性能参数的值；
S303、判断所述当前性能参数的值是否达到所述SAW器件合格时具备的目标性能参数的值；
S304、若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述SAW器件的图像；
本实施例中，上述步骤S302-304可以由机器智能来执行。所述目标性能参数的值为所述SAW器件为合格产品时候所具备的性能参数的值值。
S305、根据所述图像，识别出在所述SAW器件中设计的用于性能调试的调试部位；
本实施例中，由于是通过调整输入电极和输出电极之间的距离来使得所述SAW器件具有所述目标性能参数的值，因此，可以在SAW器件的生产过程中在输入电极或者输出电极上设置所述调试部位，或者，在输入电极或者输出电极上设置所述调试部位，该调试部位比如位于输入电极和/或输出电极的钝化层。
进一步地，比如，在生产过程中对所述SAW器件中的谐振频率进行扰动从而确定所述调试部位的设置位置。再比如，还可以通过SAW器件中一个谐振器对另外一个谐振器的信号大小进行扰动，从而确定所述调试部位的设置位置。
本实施例中，由于SAW器件的输入电极和输出电极具有一定的外观，且该外观可直接在所述图像上成像，因此，通过所述步骤S305即可直观地识别出在所述SAW器件中设计的用于性能调试的调试部位。
S306、对所述SAW器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
S307、根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中输入电极和输出电极之间的距离以使得所述SAW器件具有所述目标性能参数的值。
本实施例中，上述步骤S305-307可以由机器智能来执行。
本实施例中，由于调试部位设置在输入电极和/或输出电极的钝化层，因此，可以通过机电设备对该调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少一处理，从而非常方便地且低成本地调整了所述调试部位的物理属性。另外，这种在钝化层设置调试部位，在工艺上实现的难度也非常小，降低了SAW器件的制造成本。
本实施例中，所述最有策略中包括了控制机电设备对调试部位进行调整的力度、方向以及程度，从而在调整调试部位的物理属性时具有较高的精确度，从而尽可能通过一次调整即可使得SAW器件的输入电极和输出电极之间的距离达到调整的目标值，最终使得所述SAW器件具有所述目标参数的值，而避免了反复调整调试部位导致测试过程复杂。
本实施例中，直接通过切削、打磨、烧灼中至少其一处理，抠掉输入电极和/或输出电极上调试部位的一块，使得输入电极和输出电极之间的距离变大。
图4A为本申请实施例中射频压电器件为薄膜体波的射频压电器件的结构示意图；图4B为针对图4A体波的射频压电器件的性能调试方法流程示意图。
如图4A所述，薄膜体波的射频压电器件比如为体波滤波器，其具有上下位置关系的电极(简称为上电极、下电极)，两个电极之间设置薄膜压电层(thin film piezo layer)并位于衬底上。
参见图4B提供的性能调试方法包括：
S401、通过矢量网络分析仪对所述FBAR器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
与上述SAW器件不同的是，本实施例中，FBAR器件传输的是体波，具体声音在薄膜压电层震荡传播。
S402、获取所述FBAR器件的当前性能参数的值；
本实施例中，所述当前性能参数的值比如为S参数的值。
S403、判断所述当前性能参数的值是否达到所述FBAR器件合格时具备的目标性能参数的值；
S404、若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述FBAR器件的图像；
S405、根据所述图像，识别出在所述FBAR器件中设计的用于性能调试的调试部位；
S406、对所述FBAR器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
本实施例中，上述步骤S402-406可以由机器智能来执行。所述目标性能参数的值为所述SAW器件为合格产品时候所具备的性能参数的值值。
S407、根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述FBAR器件的物理结构以使得所述FBAR器件具有所述目标性能参数的值。
本实施例中，步骤S407中根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值时，可以包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
具体地，示例性地，参见上述图4A，FEBAR器件的结构，其包括上电极和下电极，因此，可以在FEBAR器件的生成过程中，参照上述在SAW器件上设置调试部位的方法设置调试部位，该调试部位可以位于上电极和/或下电极，从而在调整调试部位的物理属性时，对上电极和/或下电极进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，从而改变上电极和下电极之间的距离，从而改变了FEBAR器件的谐振频率，达到调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场的目的。
可替代地，也可以FEBAR器件的外部设置调试部位，在该调试部位外挂外挂LC元件，通过调整LC元件的大小，影响FEBAR器件的谐振频率，从而达到调整所述体波的射频压电器件中的电磁场的目的，相对于改变上电极和下电极之间的距离的的方式，这种方式在工艺上容易实现，且调整电磁场的方式更为便捷。
参照上述针对FEBAR器件的性能测试方案，也可以针对体波的射频压电器件(BAR器件)进行性能测试。
图5为本申请实施例五中射频压电器件的性能调试装置的结构示意图；如图5所示，所述装置包括：
第一获取单元，用于获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断单元，用于判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
第二获取单元，用于若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
识别单元，用于根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
分析单元，用于对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
调整单元，用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述装置还包括：测试单元，用于通过矢量网络分析仪对所述射频压电器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
可选地，在本申请一装置实施例中，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一装置实施例中，所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
图6为本申请实施例六中电子设备的结构示意图；该电子设备用于对射频压电器件进行性能调试，所述射频压电器件具有相关于其电磁场的性能，所述电子设备包括存储器以及处理器，所述存储器上存储有可执行程序，所述处理器运行所述可执行程序时执行如下步骤：
获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，所述处理器执行根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
可选地，在本申请一电子设备实施例中，所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
本申请实施例还提供一种存储介质，所述存储介质上存储有可执行程序，所述可执行程序被运行时执行如下步骤：
获取对所述射频压电器件进行性能测试得到的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到所述目标性能参数的值，则对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，调整所述射频压电器件的物理结构以改变所述电磁场，使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
本申请实施例的电子设备以多种形式存在，包括但不限于：
(1)移动通信设备：这类设备的特点是具备移动通信功能，并且以提供话音、数据通信为主要目标。这类终端包括：智能手机(例如iPhone)、多媒体手机、功能性手机，以及低端手机等。
(2)超移动个人计算机设备：这类设备属于个人计算机的范畴，有计算和处理功能，一般也具备移动上网特性。这类终端包括：PDA、MID和UMPC设备等，例如iPad。
(3)便携式娱乐设备：这类设备可以显示和播放多媒体内容。该类设备包括：音频、视频播放器(例如iPod)，掌上游戏机，电子书，以及智能玩具和便携式车载导航设备。
(4)其他具有数据交互功能的电子设备。
至此，已经对本主题的特定实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作可以按照不同的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序，以实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理可以是有利的。
上述实施例阐明的系统、装置、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。一种典型的实现设备为计算机。具体的，计算机例如可以为个人计算机、膝上型计算机、蜂窝电话、相机电话、智能电话、个人数字助理、媒体播放器、导航设备、电子邮件设备、游戏控制台、平板计算机、可穿戴设备或者这些设备中的任何设备的组合。
为了描述的方便，描述以上装置时以功能分为各种单元分别描述。当然，在实施本申请时可以把各单元的功能在同一个或多个软件和/或硬件中实现。
本领域内的技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。
内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
本领域技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定事务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行事务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (21)
1.一种射频压电器件的性能调试方法，其特征在于，所述方法包括：
获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；
其中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；或者，
所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过矢量网络分析仪对所述射频压电器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行刻蚀、切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行刻蚀、切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
8.一种射频压电器件的性能调试装置，其特征在于，所述装置包括：
第一获取单元，用于获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断单元，用于判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
第二获取单元，用于若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
识别单元，用于根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
分析单元，用于对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
调整单元，用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；
其中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；或者，
所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：测试单元，用于通过矢量网络分析仪对所述射频压电器件进行性能测试得到所述当前性能参数的值。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
13.根据权利要求8-12任一项所述的装置，其特征在于，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述调整单元进一步用于根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
15.一种电子设备，用于对射频压电器件进行性能调试，所述射频压电器件具有相关于其电磁场的性能，其特征在于，所述电子设备包括存储器以及处理器，所述存储器上存储有可执行程序，所述处理器运行所述可执行程序时执行如下步骤：
获取所述射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；
其中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；或者
所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
17.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于，所述处理器执行根据所述最优策略，对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，生成控制机电设备的控制指令，通过所述控制指令控制所述机电设备对所述射频压电器件的所述调试部位进行切削、打磨、烧灼中至少其一处理，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
18.根据权利要求17所述的电子设备，其特征在于，所述机电设备包括：离子枪、磨头、铣刀和激光器中至少一种。
19.根据权利要求15-18任一项所述的电子设备，其特征在于，所述射频压电器件具有腔体或者微带结构。
20.根据权利要求19所述的电子设备，其特征在于，若所述射频压电器件具有微带结构，则所述处理器执行根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值的步骤，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的腔体或者微带结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
21.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质上存储有可执行程序，所述可执行程序被运行时执行如下步骤：
获取射频压电器件的当前性能参数的值；
判断所述当前性能参数的值是否达到所述射频压电器件合格时具备的目标性能参数的值；
若所述当前性能参数的值达不到目标性能参数的值，则获取光学设备提取的所述射频压电器件的图像；
根据所述图像，识别出在所述射频压电器件中设计的用于性能调试的调试部位；
对所述射频压电器件的性能进行分析，生成将所述当前性能参数的值调整到目标性能参数的值的最优策略；
根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；
其中，所述射频压电器件为基于有声表面波的射频压电器件；所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述有声表面波的射频压电器件中电极之间的距离以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值；或者，
所述射频压电器件为基于体波或薄膜体波的射频压电器件；所述根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述射频压电器件的物理结构以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值，包括：根据所述最优策略，通过调整所述调试部位的物理属性，调整所述体波或薄膜体波的射频压电器件中的电磁场以使得所述射频压电器件具有所述目标性能参数的值。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6725449B1 (en) * | 1999-08-16 | 2004-04-20 | Advantest Corporation | Semiconductor test program debugging apparatus |
| US6754397B1 (en) * | 2000-03-09 | 2004-06-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method, software and devices for designing a scalable image (FIR) filter with integer coefficients |
| CN101176366A (zh) * | 2005-03-14 | 2008-05-07 | 高通股份有限公司 | 用于对无线装置进行产品验收测试的设备和方法 |
| WO2016184138A1 (zh) * | 2015-10-23 | 2016-11-24 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种调整音频参数的方法、移动终端及计算机存储介质 |
| WO2017125980A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
| CN107576857A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 成都天大仪器设备有限公司 | 多端口腔体滤波器自动调试系统 |
| CN108964696A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 射频电路调试方法及相关产品 |
| CN110514906A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-29 | 中国地质大学（武汉） | 基于手眼协调的高精度微波腔体滤波器调试方法及系统 |
| CN111260134A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 南京星火技术有限公司 | 调试辅助设备、装置、产品调试设备和计算机可读介质 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8731503B2 (en) * | 2010-04-29 | 2014-05-20 | Nokia Corporation | RF performance improvement |
-
2020
- 2020-07-30 CN CN202010754398.3A patent/CN111880982B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6725449B1 (en) * | 1999-08-16 | 2004-04-20 | Advantest Corporation | Semiconductor test program debugging apparatus |
| US6754397B1 (en) * | 2000-03-09 | 2004-06-22 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method, software and devices for designing a scalable image (FIR) filter with integer coefficients |
| CN101176366A (zh) * | 2005-03-14 | 2008-05-07 | 高通股份有限公司 | 用于对无线装置进行产品验收测试的设备和方法 |
| WO2016184138A1 (zh) * | 2015-10-23 | 2016-11-24 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种调整音频参数的方法、移动终端及计算机存储介质 |
| WO2017125980A1 (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | ソニー株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、およびプログラム |
| CN107576857A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-01-12 | 成都天大仪器设备有限公司 | 多端口腔体滤波器自动调试系统 |
| CN108964696A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-12-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 射频电路调试方法及相关产品 |
| CN110514906A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-29 | 中国地质大学（武汉） | 基于手眼协调的高精度微波腔体滤波器调试方法及系统 |
| CN111260134A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 南京星火技术有限公司 | 调试辅助设备、装置、产品调试设备和计算机可读介质 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 一种腔体滤波器的计算机辅助调试方法;张秀华;李鹏;雷建华;;电子工程师(第03期);第32-34页 * |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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