CN111880087A - 一种激光器芯片老化和liv测试检测方法、系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种激光器芯片老化和LIV测试的检测方法、系统，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;处理器通过控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，处理器再对每一颗芯片进行加电，回读加载在芯片上的电流值和电压值及光功率值；在进行LIV测试流程时，对加电控制和电流电压监控模块采用的加电方式是步进式扫描，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的值通过通讯接口发送给上位机；上位机显示所获取的信息；本发明能提高激光器芯片检测效率、减少占地资源并能实现设备的复用率。

Description

一种激光器芯片老化和LIV测试检测方法、系统

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种激光器芯片老化和测试系统、方法。

背景技术

在对激光器芯片进行测试时，通常需要对激光器芯片进行长时间加温加电老化测试，并在激光器芯片老化测试之前和之后需要对激光器芯片进行LIV（光强-电流-电压）扫描测试。现有对激光器光芯片进行老化测试和LIV测试的方法为：将激光器芯片夹具装载进LIV测试设备，进行LIV扫描测试。LIV测试完成后，取出激光器芯片，将其装载进老化测试设备，进行长时间的加电加热老化测试。待老化测试完成，取出激光器芯片，再次将其装载进LIV测试设备。在现有的激光器芯片测试软件流程中，需要对激光器芯片进行多次转场，每次转场都需要在装载好芯片后对设备重新启动，大大增加了测试时间，降低了测试效率。常用的老化测试设备可以同时老化数千个激光器芯片，而LIV测试设备只能同时测试一个激光器芯片。要完成一批激光器芯片的测试，需要耗费大量测试时间。同时分立的设备带来了更高的设备投资，场地占用和测试人员，不利于大规模生产。并且现有的老化设备和测试设备只适用于特定的激光器或者特定的芯片封装类型，应用场景比较局限。另外现有设备通常无法在芯片老化过程中实时监控激光器芯片光功率，无法量化评估激光器芯片在长时间老化过程中出现的光功率衰减情况。因此，如何提高芯片检测效率以及在评估激光器芯片在老化过程中出现的衰退具有重要的研究意义。

发明内容

本发明提供一种激光器芯片检测方法、系统，解决现有技术中的问题，能提高激光器检测效率，减少检测设备占地面积及实时监控芯片的光功率以评估激光器芯片在老化过程中出现的衰退情况。

本发明保护一种激光器芯片进行老化和LIV测试的检测方法，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;在进行老化测试时，所述处理器通过温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行加电，加电电源为恒流或恒压可切换电源，当电源工作于恒流模式时，其输出电流范围为±0~1000mA，电流及被测器件端电压采样全量程优于0.1%，当电源工作于恒压模式时，其输出电压范围为±10V，电压输出精度全范围优于0.1%，处理器间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述值通过通讯接口发送给所述上位机；在进行LIV测试流程时，所述处理器通过所述温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，直到温度稳定在预先设定的温度值，所述温度值稳定后，所述处理器再通过所述加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行步进扫描加电，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述值通过通讯接口发送给上位机；所述上位机将获取的所述值进行存储，并根据获取的所述值绘制LIV曲线和电流、电压及光功率随时间变化的图形。

进一步地，存储器预先设置老化或LIV测试所需要的条件值，所述条件值为老化或LIV测试所需的温度条件值、老化或LIV测试加载到激光器芯片上的电流或电压值。

进一步地，在执行所述激光器芯片老化或LIV测试流程之前，预先设置老化或LIV测试所需要的条件值，所述条件值为老化或LIV测试所需的温度条件值、老化或LIV测试加载到激光器芯片上的电流或电压值，所述条件值还可以为激光器芯片老化测试时长，过流、欠流门限值，过压欠、压门限值。

本发明还提供一种用于实现激光器芯片老化和LIV测试的系统，所述系统包括上位机、控制模块、连接模块、待测试模块，所述控制模块包括处理器、通讯接口、条件控制和监控模块，所述上位机通过通讯接口控制所述处理器进行老化和LIV测试；所述处理器通过所述条件控制和监控模块对待测试模块进行调节；所述连接模块用于连接所述控制模块和待测试模块；所述待测试模块包括热沉及加热模块、待测试芯片组件，所述芯片组件包括芯片载具，所述芯片载具用于装载多个芯片，所述热沉及加热模块根据处理器的控制对芯片进行加热，所述芯片载具安装在所述热沉及加热模块上。

进一步地，所述条件控制和监控模块包括温度控制和监控模块测量、加电控制和电流电压监控模块，所述处理器通过所述温度控制和监控模块对所述待测试模块中的热沉加热；所述处理器通过加电控制和电流电压监控模块对所述芯片加电。

进一步地，所述连接模块为背板和连接器，所述待测试模块包括光功

率测量模块，所述光功率测量模块实时测量芯片的光功率。

进一步地，所述条件控制模块还包括光功率监控模块，所述光功率监

控模块将所述光功率测量模块测量的芯片光功率发送到处理器。本发明解决了现有激光器芯片检测需要时间长、需要多次转场、以及只适用于特定激光器芯片封装类型、无法评估芯片老化工程中的光功率衰退的问题，能达到提高生产效率、减少检测设备占地面积及提高检测设备复用率并能对激光器芯片的光功率衰退进行实时检测的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的具体实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是现有技术中分立的激光器芯片老化测试设备功能示意图；

图2是现有技术中分立的LIV测试设备功能示意图；

图3是本发明激光器芯片老化和LIV测试集成测试系统结构原理图；

图4是本发明实施例中激光器芯片老化和LIV测试集成测试系统示意图；

图5是本发明提供的测试模块示意图；

图6是本发明提供的DUT抽屉示意图；

图7是芯片老化和LIV测试电路原理图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明实施例的方案，下面结合附图和实施方式对本发明实施例作进一步的详细说明。

针对当前激光器芯片检测时间长、需要多次转场、检测设备占地面积大、检测设备仅针对特定封装的芯片以及在检测过程中不能实时监控芯片光功率等的问题。本发明提供一种激光器芯片的老化和LIV检测方法、系统，将芯片老化和LIV测试集成在一起，解决现有芯片老化和LIV测试分立检测时造成的时间浪费、多次转场、占地面积大等一系列问题，本发明技术方案能够解决上述问题，并能达到提高生产效率、减少检测设备占地面积及提高检测设备复用率并能对激光器芯片的光功率衰退进行实时检测的效果。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种激光器芯片进行老化和LIV测试的检测方法，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;在进行老化测试时，所述处理器通过温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行加电，加电电源为恒流或恒压可切换电源，当电源工作于恒流模式时，其输出电流范围为±0~1000mA，电流及被测器件端电压采样全量程优于0.1%，当电源工作于恒压模式时，其输出电压范围为±10V，电压输出精度全范围优于0.1%，处理器间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及为了将激光器芯片在长时间老化过程中出现的光功率衰减情况进行量化，对激光器芯片光功率进行读取，处理器将获取的所述值通过通讯接口发送给所述上位机；在进行LIV测试流程时，所述处理器通过所述温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过所述加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行步进扫描加电，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述值通过通讯接口发送给上位机；所述上位机将获取的所述值进行存储，并根据获取的所述值绘制LIV曲线和电流、电压及光功率随时间变化的图形。其中，所述激光器芯片为多颗芯片组合。在执行所述激光器芯片老化或LIV测试流程之前，预先设置老化或LIV测试所需要的条件值，所述条件值为老化或LIV测试所需的温度条件值、老化或LIV测试加载到激光器芯片上的电流或电压值。

在实际应用中，将芯片载具取下，在无尘洁净环境下按照操作指导将芯片全部装载到夹具中。然后将芯片载具安装到热沉及加热模块上。然后将光功率测量模块紧扣在芯片载具上，拧紧螺丝，至此芯片装载完成。

电脑上预存芯片老化和测试控制程序流程，操作人员在上位机先后选择运行激光器芯片老化程序流程和LIV测试程序流程，当选择执行激光器芯片老化流程时，操作人员需先根据激光器芯片特性配置好老化测试时激光器芯片的老化温度值及老化测试时加载到激光器芯片引脚上的电流或电压值，根据芯片不同，需要给激光器芯片不同引脚加电流或者加电压，电流可以是正向电流，负向电流，电压也可以是正向电压，负向电压，操作人员还可以设置老化测试时长，过流、欠流门限值，过压、欠压门限值等。根据配置好的老化测试温度条件，老化和测试控制流程通过通讯接口向单片机发送温度控制命令。单片机再通过温度控制和监控模块控制待测试模块中的热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值。

根据配置好的老化测试加电要求，激光器芯片老化和测试控制流程通过通讯接口向单片机发送加电控制命令。单片机再通过加电控制和电流电压监控模块给每一颗芯片都设置相应的电流，电压值及光功率，并回读芯片引脚上的实际电流，电压值及光功率值，直到芯片上的电流和电压都稳定在预先设定的电流和电压值。

加温加电完成后，控制电路板上的单片机会通过加电控制和电流电压监控模块测量加载在每一颗芯片上的电流，电压值，通过温度控制和监控模块测量芯片载具的温度，通过光功率监控模块测量每一颗芯片的光功率。单片机将测量到的温度、电流、电压和光功率值通过通讯接口发送给电脑，保存成文档或者通过网络存储在服务器中。

整个老化测试时长内，其中时长通常为几十到几千小时，控制电路板不仅需要回读加载在芯片上的温度、电流、电压和光功率，当出现温度、电流、电压和光功率大于预先配置的测试条件的上限值或者低于下限值时，控制电路板需要通过通讯接口告知电脑，从而采取相应的保护措施，一般为对出现故障的芯片采取降温，降电，保存故障原因并发出报警通知相关人员。

一种用于实现激光器芯片进行老化和LIV测试的检测方法的测试系统，如图3所示，激光器芯片老化和LIV测试的系统包括上位机1511、控制模块1510、连接模块1514、待测试模块1512，所述控制模块1510包括处理器1516、通讯接口2015、条件控制和监控模块1518，所述上位机1511通过通讯接口2015与所述处理器1516相连，所述处理器1516通过所述条件控制和监控模块1518对待测试模块1512进行调节；所述连接模块1514用于连接所述控制模块1510和待测试模块1512；所述待测试模块1512包括热沉及加热模块2031、待测试芯片组件1513，所述芯片组件1513包括芯片载具，所述芯片载具用于装载多个芯片，所述热沉及加热模块2031根据处理器1516的控制对芯片进行加热。

更优地，所述连接模块1514包括背板和连接器。

更具体地，所述条件控制模块包括温度控制和监控模块测量、加电控制和电流电压监控模块，所述处理器通过所述温度控制和监控模块对所述待测试模块中的热沉加热；所述处理器通过加电控制和电流电压监控模块对所述芯片加电。

所述芯片载具安装在所述热沉及加热模块上。

另一方面，为了对其他封装形式的芯片如COC（chip on carrier），COB（chip onboard）进行检测，仅需对芯片载具进行更换。因此使用芯片载具在最大程度上提高设备的复用程度。

另一方面，为了将激光器芯片在长时间老化过程中出现的光功率衰减情况进行量化，所述待测试模块包括光功率测量模块2033，所述光功率测量模块2033实时测量芯片的光功率。所述光功率监控模块将所述光功率测量模块测量的芯片光功率发送到处理器。

更具体地，为了安装方便，将待测试芯片安装在抽屉内，形成DUT抽屉也即待测试抽屉，其中DUT为Device Under Test的缩写。在芯片老化和检测时，将抽屉插入抽屉安装槽位中。

图5为待测试模块，该模块至少包括多个DUT抽屉1、连接模块1514、控制电路板201。

其中，DUT抽屉组成如图6所示，DUT抽屉1包含抽屉载体，为机械承载件，热沉及加热模块2031安装在抽屉上，芯片载具2032安装在热沉及加热模块2031上，芯片4安装在芯片载具2032上。更优地，还包括光功率测量模块2033安装在机械件上，通过螺栓固定在抽屉上。光功率测量模块2033内部安装有激光敏感元件，通常为PD,光电二极管。

图7为本发明的电路工作原理图，其中电脑通过通讯接口给单片机发送加电命令，当DUT需要恒流输出供电时，单片机通过控制DAC（数模转化器）然后控制恒流或恒压驱动电路输出目标设置电流值。当DUT需要恒压输出供电时，单片机通过控制DAC（数模转化器）然后控制恒流或恒压驱动电路输出目标设置电压值。并且，单片机通过控制保护电路，设置输出过流/欠流/过压/欠压阈值，当实际电路输出超出阈值范围，可以自动关断输出，保护DUT免受损害。电流流经采样电阻后，经过电流采样电路处理后，由ADC（模数转换器）进行电流采样。DUT上的电压通过电压采样电路处理后，由ADC（模数转换器）进行电压采样。通过给DUT加电，DUT发出激光，通过光功率测量，将光强转换成电流，然后通过光功率采样电路，将电流信号转换成电压信号，由ADC进行光功率采样。单片机通过读取ADC电流采样值，电压采样值，光功率采样值，通过计算得出实际的电流，电压和光功率，并通过通讯接口发送给电脑。

在进行老化测试时，控制电路板恒定输出电流或电压，并连续间隔一定时间读取加载在DUT上的电流和电压，以及激光器的光功率直至老化测试结束。电脑将存储整个测试过程中的电流，电压，光功率信息并绘制DUT电流，电压，光功率随时间变化的图形。

在进行LIV扫描测试时，控制电路板工作在恒流输出模式，电脑将LIV测试的起始电流值，扫描的点数，电流递增的步长信息发送给单片机。单片机首先设置输出电流为起始电流值，并测量电流，电压和光功率。然后在起始电流值的基础上增加一个步长，待输出稳定，测量电流，电压和光功率。不断重复步进增加电流并测量，直至扫描的点数达到电脑设置的点数，测试结束。单片机将所有测试点的电流，电压，光功率数据发送给电脑，电脑将存储整个测试过程中的电流，电压，光功率信息并绘制LIV曲线。电脑将分析LIV曲线，并计算DUT的阈值电流Ith。该系统设计可以保证对同一颗激光器进行连续多次LIV扫描测试时，计算出来的阈值电流变化小于1%。

实际应用中，处理器优选为单片机，上位机优选为电脑，控制模块由控制电路板呈现。如图4所示，激光器芯片老化和LIV测试系统主要由电脑和若干个，一般配置为数十个，激光器芯片老化和LIV测试装置20组成。其中电脑和测试模块通过通讯接口2015连接，电脑运行测试控制流程，通过通讯接口2015给每一个激光器芯片老化和LIV测试装置发送测试控制命令，所述测试装置20通过通讯接口2015向电脑返回被测芯片的电流电压和光功率信息。

芯片测试装置20由控制电路板201，背板和连接器202， DUT抽屉1组成。控制电路板由单片机2011，通讯接口2015，温度控制和监控模块2012，加电控制和电流电压监控模块2013，光功率监控模块2014组成。背板和连接器202起到连接控制电路板201和DUT抽屉1的作用。DUT抽屉1由光功率测量模块2033，热沉及加热模块2031，芯片载具2032，及数十个装载在芯片载具2032中的芯片组成。一个抽屉内放置多个芯片，同一个抽屉的中所有芯片可以同时进行LIV扫描，同一台设备中的所有DUT 也可以同时进行LIV扫描，相较于其他设备一颗一颗的芯片测试，可以大幅提高测试效率。

控制电路板201通过温度控制和回读信号线向DUT抽屉1中的热沉及加热模块2031发送温度控制信号，并获取当前实时温度值。控制电路板201中的加电控制和电流电压监控模块2013通过接插件和DUT抽屉1中的加电回读电路相连。控制电路板201中的单片机2011与通讯接口2015相连，接收电脑的控制命令并向电脑发送被测芯片的电流电压温度。控制电路板201中的单片机2011与温度控制和监控模块2012相连，单片机2011通过温度控制和监控模块2012给DUT抽屉1中的热沉及加热模块2031加热，并且回读热沉温度值。单片机2011与加电控制和电流电压监控模块2013相连，单片机2011通过加电控制和电流电压监控模块2013向DUT 抽屉1中的芯片加电，并且监控加载在芯片上的电压和电流。

激光器芯片老化和LIV测试集成测试系统完成老化测试时，电脑预先设置好老化测试流程，通过通讯接口2015向单片机2011发送老化测试命令，单片机2011通过温度控制和监控模块2012控制DUT抽屉1中的热沉和加热模块2031将热沉加热到预先设置的温度，芯片载具2032和热沉及加热模块2031机械上紧密连接，热沉将芯片夹具加热到预先设置的温度。待温度稳定后，单片机通过加电控制和电流电压监控模块2013给芯片载具2032中放置的芯片加电，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流和电压。单片机在老化测试整个过程中会间隔固定周期读取每颗激光器的电流电压，并通过通讯接口发送给电脑，电脑会保存所有测试数据。

激光器芯片老化和LIV测试集成测试系统完成LIV测试时，电脑预先设置好LIV测试流程，通过通讯接口向单片机发送LIV扫描测试命令，单片机通过温度控制和监控模块控制DUT抽屉1中的热沉和加热模块2031将热沉加热到预先设置的温度，芯片载具2032和热沉及加热模块2031机械上紧密连接，热沉将芯片夹具加热到预先设置的温度。待温度稳定后，单片机通过加电控制和电流电压监控模块2013给芯片载具2032中放置的芯片加电，与老化测试不同的是，加电过程为步进扫描加电，从最小电流值到最大电流值，按照加电步数逐步均匀增加电流，例如从最小电流值0mA到最大电流值200mA，按照500个加电步数，每步0.4mA，按照0mA，0.4mA，0.8mA ……逐步提高电流值直至200mA，并在每个电流值加电完成后，回读加载在芯片上的电流和电压。单片机2011将扫描测试整个过程中读取到的每个激光器芯片的电流电压，并通过通讯接口2015发送给电脑，电脑会保存所有测试数据。另一方面，为了评估激光器芯片在长时间老化过程中出现的光功率衰减情况，在进行以上激光器芯片老化过程时，在对激光器芯片进行加电后，激光器芯片会发射激光，DUT抽屉1中的光功率测量模块2033会实时测量激光器芯片的光功率，单片机2011通过光功率监控模块2014实时获取光功率测量模块2033中各芯片的光功率。单片机2011在老化测试整个过程中会间隔固定周期读取每颗激光器的电流电压和光功率，并通过通讯接口2015发送给电脑，电脑会保存所有测试数据。在进行以上激光器芯片LIV测试过程时，在加电完成后，单片机2011通过光功率监控模块2014获取光功率测量模块2033中各芯片的光功率。单片机2011将扫描测试整个过程中读取到的每个激光器芯片的电流电压和光功率，并通过通讯接口2015发送给电脑，电脑会保存所有测试数据。

本发明通过将激光器芯片老化和LIV测试集成在一起进行，解决现有芯片老化和LIV测试分立检测时造成的时间浪费、多次转场、占地面积大等一系列问题，能达到提高生产效率、减少检测设备占地面积及提高检测设备复用率并能对激光器芯片的光功率衰退进行实时检测的效果。

本发明中激光器芯片装载在芯片载具上，更换芯片载具就能对不同封装形式的芯片进行检测，提高了检测设备的复用率。

更优地，芯片安装到载具后，并用盖子盖住，将盖子紧固在芯片外，会形成一个密闭的环境，可以防止芯片被环境污染。

本发明通过光功率监控模块获取光功率测量模块2033中各芯片的光功率，实现了对激光器芯片的光功率实时检测，从而判断芯片光功率衰减程度，进而判读芯片经过老化后的性能。

更优地，本发明的光功率测量模块2033直接安装在覆盖芯片的盖上，此设计使测试装置集成度高，紧凑，成本低，使用方便。因此，同样的设备体积，可以集成更多的DUT抽屉测试单元，可以一次完成更多个芯片测试。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，系统和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个装置，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台上位机，其中上位机可以是个人计算机，电脑，功能调用设备，或者网络设备等，执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (7)

1.一种激光器芯片进行老化和LIV测试的检测方法，其特征在于，处理器根据上位机指示进行老化和LIV测试;在进行老化测试时，所述处理器通过温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行加电，加电电源为恒流或恒压可切换电源，当电源工作于恒流模式时，其输出电流范围为±0~1000mA，电流输出精度全范围优于0.1%，当电源工作于恒压模式时，其输出电压范围为±10V，电压输出精度全范围优于0.1%，处理器间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述电流值、电压值和光功率值通过通讯接口发送给所述上位机；在进行LIV测试流程时，所述处理器通过所述温度控制和监控模块控制热沉及加热模块给芯片载具加热，直到温度稳定在预先设定的温度值，加热温度范围为40℃至130℃，芯片载具整体温度均匀性为±1℃，温度精度为0.1℃，所述温度值稳定后，所述处理器再通过所述加电控制和电流电压监控模块对每一颗芯片进行步进扫描加电，并间隔固定的时间回读加载在芯片上的电流值和电压值及激光器芯片的光功率值，处理器将获取的所述电流值、电压值和光功率值通过通讯接口发送给上位机；所述上位机将获取的所述电流值、电压值和光功率值进行存储，并根据获取的所述电流值、电压值和光功率值绘制LIV曲线和电流、电压及光功率随时间变化的图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，存储器预先设置老化或LIV测试所需要的条件值，所述条件值为老化或LIV测试所需的温度条件值、老化或LIV测试加载到激光器芯片上的电流或电压值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述条件值是激光器芯片老化测试时长，过流、欠流门限值，过压、欠压门限值。

4.一种激光器芯片老化和LIV测试系统，用于执行权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述系统包括上位机、控制模块、连接模块、待测试模块，所述控制模块包括处理器、通讯接口、条件控制和监控模块，所述上位机通过通讯接口控制所述处理器进行老化和LIV测试；所述处理器通过所述条件控制和监控模块对待测试模块进行调节；所述连接模块用于连接所述控制模块和待测试模块；所述待测试模块包括热沉及加热模块、待测试芯片组件，所述芯片组件包括芯片载具，所述芯片载具用于装载多个芯片，所述热沉及加热模块根据处理器的控制对芯片进行加热，所述芯片载具安装在所述热沉及加热模块上。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述条件控制和监控模块包括温度控制和监控模块测量、加电控制和电流电压监控模块，所述处理器通过所述温度控制和监控模块对所述待测试模块中的热沉加热；所述处理器通过加电控制和电流电压监控模块对所述芯片加电。

6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述连接模块包括背板和连接器，所述待测试模块包括光功率测量模块，所述光功率测量模块实时测量芯片的光功率。

7.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述条件控制模块还包括光功率监控模块，所述光功率监控模块将光功率测量模块测量的芯片光功率发送到处理器。

Images