CN111856407A - 星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 - Google Patents
星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种星载有源相控阵雷达X波段双极化高隔离度微波TR组件,微波地隔离层上等间隔设置有网格化的通孔,该通孔均位于H极化通道微波信号线和/或V极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外;由于将V/H极化通道微波信号线所正对的微波地隔离层上的多个网格状通孔采用非全网格状的局部覆铜铺地方式,消除了V/H极化通道微波信号线所正对区域的网格之间存在的缝隙,较大改善了V/H极化通道间微波信号的能量泄露,从而使得V/H极化通道间微波信号线的正方区域形成类似“区域全金属化”覆铜铺地,由此显著改善了双极化微波TR组件极化端口的信号隔离度性能,更好地提高微波TR组件的整体性能指标。
Description
技术领域
本发明涉及星载有源相控阵雷达微波TR组件领域,尤其涉及的是一种星载有源相控阵雷达X波段双极化高隔离度微波TR组件。
背景技术
星载雷达以卫星为探测平台,不受气候和作战环境的影响,能不间断地对陆、海、空目标进行全方位的实时侦察的一种雷达,在气候监测、国家战略防御等方面具有重要地位;其中,有源相控阵雷达可满足星载雷达对波束宽度和波束指向的要求,已成为目前星载雷达发展的主要趋势。
与传统的单极化相控阵星载雷达相比,双极化相控阵星载雷达具有同频段的双通道通信、提高了频带利用率,节省了宝贵的频带资源,提高了通信质量增加目标识别分类和抗干扰能力。
而收发通道(即微波TR(Transmitter and Receiver)组件)则是实现双极化星载有源相控阵雷达系统的最重要部件之一,其一端连接天线,另一端连接中频处理单元,构成无线发送与接收系统,其功能是对信号进行放大、移相、衰减,其性能的好坏将直接影响整个有源相控阵雷达系统的探测效果。
由于有源相控阵星载雷达所处空间环境的特殊性及恶劣的环境条件,在空间辐射下,会诱发的单粒子效应、总剂量效应等可能引起雷达电子元器件的损伤、性能退化甚至失效;目前有源相控阵雷达的快速发展对微波TR组件的电性能要求、体积、重量等提出了更高的要求,例如,X波段双极化微波TR组件的极化端口间信号隔离度就较差,明显降低了微波TR组件的整体性能。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种星载有源相控阵雷达X波段双极化高隔离度微波TR组件,可明显改善其极化端口间的信号隔离度。
本发明的技术方案如下:一种星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,包括LTCC多层电路基板,LTCC多层电路基板包括H极化通道微带功分网络层、微波地隔离层和V极化通道微带功分网络层;
微波地隔离层位于H极化通道微带功分网络层和V极化通道微带功分网络层之间;
H极化通道微带功分网络层上设置有H极化通道微波信号线,微波地隔离层上等间隔设置有网格化的通孔,V极化通道微带功分网络层上设置有V极化通道微波信号线,
通孔均位于H极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外;和/或,
通孔均位于V极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:若通孔均位于H极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外,则位于H极化通道微波信号线在微波地隔离层投影区域之内的通孔采用填孔的方式进行覆铜。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:若通孔均位于V极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外,则位于V极化通道微波信号线在微波地隔离层投影区域之内的通孔采用填孔的方式进行覆铜。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:投影区域之内的通孔包括孔径线与投影区域边界线相交的通孔。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:填孔的方式均采用掩膜印刷型填孔法。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:填孔的方式均采用注射型填孔法。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:微波地隔离层上网格化的通孔包括导电孔、散热孔和屏蔽孔。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:微波地隔离层上网格化的通孔利用在生料带上打孔的方法制作;打孔的方法包括钻孔法、冲孔法和激光打孔法。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:通孔的直径范围在0.15~0.25mm之间,且通孔的直径大于生料带的厚度。
所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其中:通孔的总面积大于等于生料带面积的40%。
本发明所提供的一种星载有源相控阵雷达X波段双极化高隔离度微波TR组件,由于将V/H极化通道微波信号线所正对的微波地隔离层上的多个网格状通孔采用非全网格状的局部覆铜铺地方式,消除了V/H极化通道微波信号线所正对区域的网格之间存在的缝隙,较大改善了V/H极化通道间微波信号的能量泄露,从而使得V/H极化通道间微波信号线的正方区域形成类似“区域全金属化”覆铜铺地,由此显著改善了双极化微波TR组件极化端口的信号隔离度性能,更好地提高微波TR组件的整体性能指标。
附图说明
图1是现有技术星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件所用LTCC多层电路基板的层叠结构爆炸示意图;
图2是对应图1的V/H极化端口间信号隔离度的仿真测试数据图;
图3是本发明星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件实施例所用LTCC多层电路基板的层叠结构爆炸示意图;
图4是对应图3的V/H极化端口间信号隔离度的仿真测试数据图。
具体实施方式
以下将结合附图,对本发明的具体实施方式和实施例加以详细说明,所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并非用于限定本发明的具体实施方式。
本发明的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件及其工作原理可参考类似例如公开号CN109239672A或者CN110161467A的微波T/R组件,在此不再赘述。
本发明的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,是多个TR通道合在一起的共腔体结构,以八个TR通道为例,每个TR通道的组成均相同,之间相互独立;该共腔体结构包括盖板、壳体、TR通道连接器和射频总口连接器,所述TR通道连接器和射频总口连接器分别焊接固定在壳体上,所述共腔体结构还包括与八个独立的TR通道分别连接的功分网络,所述功分网络的组成件均为单片微波集成电路MMIC(Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit),集成制作在同一块多层电路基板上,并采用多芯片组件MCM(Multi-chip Module)技术实现MMIC多芯片互联。
本发明星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件的多层电路基板采用的是低温共烧陶瓷LTCC(Low-Temperature Co-fired Ceramics)多层电路基板,LTCC多层电路基板具有介电常数低、损耗角正切值小、频率响应平坦、厚度一致性好等特点,可以把电阻、电容和电感以埋置的方式集成在多层基板中,使封装密度得以大幅度提高。
在采用LTCC多层电路基板的微波TR组件中,不管是微波射频信号接地,还是电源接地,都会影响到微波TR组件的性能,接地不好通常会使得增益变高,并引发大功率器件自激,因此,LTCC多层电路基板的接地设计也是微波TR组件能否正常工作的关键技术之一;本发明涉及的是由微波射频信号接地不好使得增益变高并引发大功率器件自激的情况。
以30层的LTCC多层电路基板为例,如图1所示,图1是现有技术星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件所用LTCC多层电路基板的层叠结构爆炸示意图;第1~8层为低频部分,包括逻辑控制层、电源层和数字地隔离层;第9~30层为微波部分,包括微波信号层和微波地隔离层,其中,第14层为H极化通道微带功分网络层114,H极化通道微带功分网络层114上设置有H极化通道微波信号线114a,第20层为微波地隔离层120,微波地隔离层120上排列有网格化的通孔121,第25层为V极化通道微带功分网络层125,V极化通道微带功分网络层125上设置有V极化通道微波信号线125a。
在图1所示的现有技术中,其第20层的微波地隔离层120采用了全网格状的覆铜(也称敷铜)方式,由等间隔排列的多个圆形通孔121在微波地隔离层120上均匀分布形成全网格状,也称“全网格化”覆铜方式,以避免大面积铺地引起陶瓷基板中间层开裂。
结合图2所示,图2是对应图1的V/H极化端口间信号隔离度的仿真测试数据图,横坐标为信号频率,单位GHz,纵坐标为信号隔离度,单位dB;通过HFSS软件(即三维高频电磁场仿真工具),对采用图1样式LTCC多层电路基板的微波TR组件的V/H极化端口间的信号隔离度进行仿真测试,其中,m1处的信号频率是10GHz,对应的V/H极化端口间的信号隔离度是-28.0154dB;但是,由于网格之间存在缝隙,容易使得V/H极化端口间的信号通过网格之间的缝隙进行泄漏,从而导致V/H极化端口间的信号隔离度变差,进而影响了X波段双极化微波TR组件的整体性能。
但是,如果微波地隔离层120采用大面积金属化(即网格缝隙为零)的方式,即填满图1所示的全网格状分布的通孔形成大面积金属化全铺地,则LTCC多层电路基板容易产生分层、起泡和开裂的现象,因为热压力越大,收缩率就越小,过大的热压力在排胶时会起泡分层,过小的热压力也会出现分层现象,并影响LTCC多层电路基板的坯体压合质量,且收缩率一致性较差。
而且,如果陶瓷基板中间层开裂,会直接影响到整个基板的成品率和可靠性,同时也会对极化通道端口间的信号隔离度产生较大的影响,进而影响到微波TR组件的整体性能;因此,基于多层陶瓷基板工艺的特殊性和局限性,陶瓷基板无法采用大面积全铺地方式。
为此,如图3所示,图3是本发明星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件实施例所用LTCC多层电路基板的层叠结构爆炸示意图;与图1所不同的是,在图3所示的实施例中,其第20层的微波地隔离层220采用了非全网格状的局部覆铜铺地方式,即等间隔排列的多个圆形通孔221并没有在微波地隔离层220上均匀分布形成全网格状,而是呈现出局部分布的“区域全金属化”状态,即V极化通道微带功分网络层214上的V极化通道微波信号线214a正下方区域的微波地隔离层220上的多个网格状通孔221采用局部网格填充的方式,和/或,H极化通道微带功分网络层225上的H极化通道微波信号线225a正上方区域的微波地隔离层220上的多个网格状通孔221采用局部网格填充的方式,从而使得V极化通道微波信号线214a和/或H极化通道间微波信号线225a投影在微波地隔离层220上的正方区域形成类似“区域全铺铜”的方式。
结合图4所示,图4是对应图3的V/H极化端口间信号隔离度的仿真测试数据图,横坐标为信号频率,单位GHz,纵坐标为信号隔离度,单位dB;通过HFSS软件(即三维高频电磁场仿真工具),对采用图3样式LTCC多层电路基板的微波TR组件的V/H极化端口间的信号隔离度进行仿真测试,其中,m1处的信号频率是10GHz,对应的V/H极化端口间的信号隔离度是-62.3072dB,比采用图1样式LTCC多层电路基板的微波TR组件的V/H极化端口间的信号隔离度却意想不到地提升了34.2918dB,仿真测试的结果表明“区域全金属化”局部覆铜方式的微波地隔离层220具有意料之外的隔离效果,明显改善了V/H极化端口间的微波信号隔离度。
根据电磁场理论,V/H通道的微波信号线区域电磁场辐射能量最强,通过将V/H极化通道微波信号线(214a/225a)所正对的微波地隔离层220上的多个网格状通孔221采用非全网格状的局部覆铜方式,消除了V/H极化通道微波信号线(214a/225a)所正对区域的网格之间存在的缝隙,从而使得V/H极化通道间微波信号线(214a/225a)的正方区域形成类似“区域全金属化”覆铜铺地;当该区域内的通孔221缝隙等于零时,也即通孔221缝隙连成一片,模仿了理想电壁的状态,理论上电磁场辐射能量泄露为零;既解决了LTCC多层电路基板生产工艺的特殊性与局限性,同时也改善了微波信号正方区域内由于缝隙过大而造成V/H极化通道间的信号干扰,较大改善了V/H极化通道间微波信号的能量泄露,由此显著改善了双极化微波TR组件极化端口的信号隔离度性能,更好地提高微波TR组件的整体性能指标。
在本发明星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件的优选实施方式中,V极化通道微波信号线214a和/或H极化通道间微波信号线225a投影在微波地隔离层220区域内的通孔221可采用填孔的方式进行覆铜铺地;填孔是制造微波LTCC多层电路基板的关键工艺之一,填孔的具体方法可有两种:一种是掩膜印刷型填孔法,另外一种是注射型填孔法。
例如,公开在《电子与封装》(总第130期,2014年2月)上的一篇技术文献,即第14卷,第2期第35~38页的《LTCC互连基板金属化孔工艺研究》,由中国电子科技集团公司第38研究所的王志勤和张孔提供撰稿;其中,在该期刊第36页就公开了:“填孔起到层与层之间的电路连接的作用,其有两种方式:丝印及通孔注射填孔。丝网印刷法对于小于0.1mm直径的通孔来说填充非常困难,效果较差,烧结后的基板成品率低。原因是模板孔径较小,印刷时漏过的浆料较少,经常有孔内填不满,烧结后会出现浆料收缩,影响层与层之间的连接。通常注射填孔效果最好,但需要专门设备,填孔时浆料是通过空气压力将浆料压进孔中,能自然排除孔内的空气,掩板的孔比要填充的孔小,孔的对位更准确。通孔注射填孔最小孔径可达0.05mm”。
具体的,按照功能划分,第20层微波地隔离层120上排列的网格化的通孔121可包括导电孔、散热孔和屏蔽孔;导电孔一般为圆形,孔径为0.2mm,最小能做到0.15mm,导电孔外部托盘一般是圆形结构;而为了保证散热设计的良好,散热孔外部托盘采用正方形的托盘,并且每一层的托盘可以覆盖整个散热通孔的阵列,散热孔到基片边缘的距离至少大于0.5mm;屏蔽孔主要用于模仿理想电壁,因此,金属化通孔之间的缝隙越小越好。
具体的,微波地隔离层120上网格化的通孔121可利用在生料带上打孔的方法制作;生料带是由氧化物、玻璃、有机结合剂、溶剂增塑剂进行球磨混合形成糊状物,然后将此糊状物流延成大的薄片经干燥之后而成。
具体的,打孔的方法包括钻孔法、冲孔法和激光打孔法;钻孔法制作孔径较大,其钻头直径小容易折断,价格也很高,因此制作成本偏高;冲孔法制作的通孔直径最小、精度也最高;激光打孔法的打孔直径介于上面两者之间;特别注意的是,加工的孔径必须大于生料带的厚度;在生料带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料等工艺制出所需要的电路图形即可。
优选地,对于工作在微波频段的LTCC多层电路基板来说,微波地隔离层120上网格化的通孔121的直径范围在0.15~0.25mm之间,这样不仅可使布线密度提高,而且还使金属化的过孔更加可靠,以提高印制板的成品率和可靠性。
在实际的LTCC多层电路基板加工工艺中,对金属化通孔的最小孔径、间距、以及金属化通孔所占整个生料带的比例都有严格的控制,较好的是,在满足工艺规范的要求下,可使得金属化通孔的直径和间距最小,同时,通孔的总面积大于等于生料带面积的40%。
应当理解的是,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不足以限制本发明的技术方案,对本领域普通技术人员来说,在本发明的精神和原则之内,可以根据上述说明加以增减、替换、变换或改进,而所有这些增减、替换、变换或改进后的技术方案,都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,包括LTCC多层电路基板,LTCC多层电路基板包括H极化通道微带功分网络层、微波地隔离层和V极化通道微带功分网络层;
微波地隔离层位于H极化通道微带功分网络层和V极化通道微带功分网络层之间;
H极化通道微带功分网络层上设置有H极化通道微波信号线,微波地隔离层上等间隔设置有网格化的通孔,V极化通道微带功分网络层上设置有V极化通道微波信号线,
其特征在于:
通孔均位于H极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外;和/或,
通孔均位于V极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外。
2.根据权利要求1所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:若通孔均位于H极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外,则位于H极化通道微波信号线在微波地隔离层投影区域之内的通孔采用填孔的方式进行覆铜。
3.根据权利要求1所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:若通孔均位于V极化通道微波信号线在微波地隔离层的投影区域之外,则位于V极化通道微波信号线在微波地隔离层投影区域之内的通孔采用填孔的方式进行覆铜。
4.根据权利要求2或3所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:投影区域之内的通孔包括孔径线与投影区域边界线相交的通孔。
5.根据权利要求2或3所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:填孔的方式均采用掩膜印刷型填孔法。
6.根据权利要求2或3所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:填孔的方式均采用注射型填孔法。
7.根据权利要求1所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:微波地隔离层上网格化的通孔包括导电孔、散热孔和屏蔽孔。
8.根据权利要求1所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:微波地隔离层上网格化的通孔利用在生料带上打孔的方法制作;打孔的方法包括钻孔法、冲孔法和激光打孔法。
9.根据权利要求7所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:通孔的直径范围在0.15~0.25mm之间,且通孔的直径大于生料带的厚度。
10.根据权利要求7所述的星载有源相控阵雷达X波段双极化微波TR组件,其特征在于:通孔的总面积大于等于生料带面积的40%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010526238.3A CN111856407B (zh) | 2020-06-11 | 2020-06-11 | 星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010526238.3A CN111856407B (zh) | 2020-06-11 | 2020-06-11 | 星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN111856407A true CN111856407A (zh) | 2020-10-30 |
CN111856407B CN111856407B (zh) | 2023-09-29 |
Family
ID=72987566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010526238.3A Active CN111856407B (zh) | 2020-06-11 | 2020-06-11 | 星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111856407B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant |