CN210294515U - 一种Ku波段四通道微波T/R组件 - Google Patents
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- CN210294515U CN210294515U CN201920804877.4U CN201920804877U CN210294515U CN 210294515 U CN210294515 U CN 210294515U CN 201920804877 U CN201920804877 U CN 201920804877U CN 210294515 U CN210294515 U CN 210294515U
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 4
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2,6,6-trimethylcyclohexene-1-carbaldehyde Chemical compound CC1=C(C=O)C(C)(C)CC(O)C1 SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 208000019300 CLIPPERS Diseases 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 208000021930 chronic lymphocytic inflammation with pontine perivascular enhancement responsive to steroids Diseases 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
一种Ku波段四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，其特征在于：多功能MMIC芯片是型号为BWM499芯片；每个T/R通道设有功率放大器芯片、依次连接的限幅器芯片、通道LNA芯片，以及发射电源调制芯片、接收电源调制芯片和波控芯片，还设有相互连接的环形器隔离器芯片、通道射频连接器。本实用新型结构紧凑，体积小，布线密度高，材料成本低，机械强度高，化学性能稳定，耐腐蚀，耐高温，具有多通道、高性能、高可靠性、高集成度、轻型化、低功耗、散热性好的特点，发射脉冲输出功率≥20W，接收噪声系数≤3.5dB，移相精度≤3.5°（均方根值RMS），衰减精度≤1dB（均方根值RMS）。
Description
技术领域
本发明涉及雷达相控阵天线，特别是涉及一种Ku波段四通道微波T/R 组件。
背景技术
微波发送器与接收器(Transmitter and Receiver，缩略词为T/R)组件是有源相控阵雷达系统的最重要部件之一，其一端连接天线，另一端连接中频处理单元，构成无线发送与接收系统，功能是对信号进行放大、移相、衰减。它的性能直接影响整个有源相控阵雷达系统的探测效果，现代有源相控阵雷达的快速发展对微波T/R组件的电性能、体积、重量提出了更高的要求,尤其是机载、舰载、星载雷达中的微波T/R组件，其体积、重量受到更严格的限制。目前国内外微波T/R组件的功能和性能，基本上均采用分离的单功能芯片完成。随着国内外工艺及设计水平的提高，越来越多的产品及研究项目采用多功能芯片。多功能芯片组件应用在片式组件以及常规长条式组件均具有较大优势，应用在片式组件可大大降低设计难度，提高可靠性，减小体积重量；应用在常规组件可大大减小体积、重量与成本。
本申请人的在先专利CN109239672A公开了一种四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，包括与四个独立的T/R通道分别连接的功分网络，全部组成件都是单片微波集成电路 MMIC，集成制作在同一块多层电路基板上，采用多芯片组件MCM技术实现MMIC多芯片互连，四个独立的T/R通道分别提供独立的幅度和相位控制，分别包括发送与接收共用的微波器件，其特征在于：所述微波器件是集成有发送与接收共用的六位放大器补偿移相器、六位衰减器、工作状态开关、限幅低噪声放大器以及用于控制移相、衰减和开关的驱动器的多功能MMIC裸芯片；所述多层电路基板是高温共烧陶瓷(High-Temperature Co-fired Ceramics，缩略词为HTCC)多层电路基板。其适用X波段，主要用于中程目标的识别，但对于近程目标的分辨力比较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是对本申请人的在先专利CN109239672A 作出进一步的改进，提供一种Ku波段四通道微波T/R组件。
本发明的技术问题通过以下技术方案予以解决。
这种Ku波段四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，所述共腔体结构包括盖板、壳体以及通过焊接分别与所述壳体固定的T/R通道连接器、射频总口连接器，还包括与四个独立的T/R通道分别连接的功分网络，以及每个T/R通道的由多芯片组件 (Multi-ChipModule，缩略词为MCM)互连的多功能单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit，缩略词为MMIC)芯片，所述多功能MMIC芯片在同一块高温共烧陶瓷(High-Temperature Co-fired Ceramics，缩略词为HTCC)多层电路基板上集成有发送与接收共用的六位移相器、六位衰减器、开关和驱动放大器，以及信号控制器，四个独立的T/R通道分别提供独立的幅度和相位控制，分别包括发送与接收共用的微波器件。采用多功能MMIC芯片可以大大降低设计难度，提高可靠性，减小体积、重量与成本；而采用HTCC多层电路基板可以提高机械强度、布线密度高，且化学性能稳定，散热系数高，材料成本低，耐腐蚀耐高温性能良好。
这种Ku波段四通道微波T/R组件的特点是：
所述多功能MMIC芯片是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为BWM499的多功能MMIC芯片；
每个T/R通道设有功率放大器芯片，所述功率放大器芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述功率放大器芯片的输入端与所述多功能MMIC芯片连接，所述功率放大器芯片的功能是将发射的微波信号进行高效率的功率饱和放大；
每个T/R通道还设有依次连接的限幅器芯片、通道低噪声放大器(Low NoiseAmplifier，缩略词为LNA)芯片，所述限幅器芯片、通道LNA芯片分别与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述限幅器芯片的功能是防止接收的大功率微波信号输入时烧毁多功能MMIC 芯片，所述通道LNA芯片的输出端与所述多功能MMIC芯片连接，所述通道LNA芯片的功能是将接收的微波信号进行低噪声放大；
每个T/R通道还设有发射电源调制芯片和接收电源调制芯片，所述发射电源调制芯片和接收电源调制芯片分别与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述发射电源调制芯片的输入端和接收电源调制芯片的输入端分别与所述射频总口连接器连接，所述发射电源调制芯片的输出端与所述功率放大器芯片连接，所述接收电源调制芯片的输出端分别与所述多功能MMIC芯片、通道LNA芯片连接，所述发射电源调制芯片的功能包括提供所述功率放大器芯片的负基准电压和栅压、提高发射电源调制信号驱动能力、控制所述功率放大器芯片的工作电压、提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压；所述接收电源调制芯片的功能是提供所述多功能MMIC芯片的工作电压以及所述通道低噪声放大器芯片的漏压；
每个T/R通道还设有波控芯片，所述波控芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片依次相连接，通道一的波控芯片的输入端与所述射频总口连接器连接，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片的输出端与所述多功能MMIC芯片、发射电源调制芯片和接收电源调制芯片连接，通道四的波控芯片的输出端还与所述射频总口连接器连接，控制信号包括射频控制信号和电源控制信号，电源输入连接器是气密型微矩形低频连接器，以保证组件的微型化，所述波控芯片的功能是将串行输入的数据转换为并行数据，配置所述多功能MMIC芯片发射、接收、衰减、移相的工作状态，由所述多功能MMIC芯片实现射频信号的发射、接收、衰减、移相、放大的控制，还通过配置所述发射电源调制芯片、接收电源调制芯片进而控制所述多功能MMIC芯片的放大工作状态、所述功率放大器芯片的工作状态，以及所述通道LNA芯片的工作状态；
每个T/R通道还设有相互连接的环形器隔离器芯片、通道射频连接器，所述环形器隔离器芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述环形器隔离器芯片的输入端与所述功率放大器芯片连接，所述环形器隔离器芯片的输出端与所述限幅器芯片连接，所述通道射频连接器与天线连接，所述环形器隔离器芯片的功能是完成发射通道和接收通道的微波隔离，同时在发射工作时隔离来自天线的反射信号，所述通道射频连接器的功能是用于天线和T/R通道之间的射频信号传输。
本发明的技术问题通过以下进一步的技术方案予以解决。
所述T/R通道连接器是SMP射频连接器，所述SMP射频连接器的输入端与射频信号源连接，所述SMP射频连接器的输出端与所述功分网络连接，所述T/R通道连接器的功能是用于射频信号源与T/R通道之间的射频信号传输。
所述射频总口连接器是15芯气密式微矩形电连接器，所述15芯气密式微矩形电连接器的输入端与提供控制信号的波束控制器、电源，以及通道四的波控芯片的输出端连接，所述电源为T/R通道内部各个芯片提供工作电压电流，所述15芯气密式微矩形电连接器的输出端分别与所述波控芯片、发射电源调制芯片以及接收电源调制芯片连接，所述射频总口连接器的功能是为T/R通道提供控制信号和电源。
所述射频控制信号依次进入通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片，最后经通道四的波控芯片输出到所述射频总口连接器；所述电源控制信号分别进入通道一的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道二的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道三的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道四的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片。
所述HTCC多层电路基板是至少为8层的HTCC多层电路基板。
优选的是，所述HTCC多层电路基板是18层的HTCC多层电路基板。
所述HTCC多层电路基板是由92％～96％氧化铝陶瓷外加4％～8％烧结助剂在温度1500℃～1700℃下烧结而成的HTCC多层电路基板，其介电常数为7.2～9.8，每一层生胚材料的厚度为0.025mm～0.100mm，损耗角的正切值为0.007～0.008。
所述18层的HTCC多层电路基板的表层至第9层的表面集成控制信号和电源，第10层至第18层的表面集成射频信号、控制信号和电源，其中第9层的表面和第18层的背面是大面积接地层。微波传输线通过大面积接地层、金属柱屏蔽，可以保证射频信号、控制信号和电源之间隔离良好，相互不受干扰；微波传输线多层布置，可以显著提高微波T/R组件的集成度，明显减轻微波T/R组件的重量。
所述功率放大器芯片是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为BW255的功率放大器芯片。
所述限幅器芯片是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为 BW1599的限幅器芯片。
所述通道低噪声放大器芯片是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为BW296的低噪声放大器芯片。
所述波控芯片是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为 JCNS1366的波控芯片。
所述发射电源调制芯片，包括提供所述功率放大器芯片的负基准电压和栅压的发射电源调制芯片、提高发射电源调制信号驱动能力的发射电源调制芯片、控制所述功率放大器芯片的工作电压的发射电源调制芯片、提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压的发射电源调制芯片。
所述提供功率放大器芯片的负基准电压和栅压的发射电源调制芯片，是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS2318的硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor，缩略词为 MOS)电源调制芯片。
所述提高发射电源调制信号驱动能力的发射电源调制芯片，是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS1111的硅基MOS电源调制芯片。
所述控制所述功率放大器芯片的工作电压的发射电源调制芯片，是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS806的硅基MOS开关管芯片。
所述提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压的发射电源调制芯片，是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS3490的硅基MOS电源调制芯片。
所述接收电源调制芯片，是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS1804的硅基MOS电源调制芯片。
本发明的技术问题通过以下再进一步的技术方案予以解决。
所述盖板和壳体采用铝硅材料封装，使微波T/R组件的重量减轻20％。
所述微波T/R组件是Ku波段T/R组件，所述Ku波段是符合IEEE 521-2002标准的频率为14GHz～18GHz的无线电波波段。
本发明与现有技术相比的有益效果是：
本发明结构紧凑，体积小，布线密度高，材料成本低，机械强度高，化学性能稳定，耐腐蚀，耐高温，具有多通道、高性能、高可靠性、高集成度、轻型化、低功耗、散热性好的特点，发射脉冲输出功率≥20W，接收噪声系数≤3.5dB，移相精度≤3.5°(均方根值RMS)，衰减精度≤1dB (均方根值RMS)。在相同功能和指标的条件下相比现有微波T/R组件，体积和重量减少30％以上。可以广泛应用于机载、舰载、星载相控阵雷达和通信领域中。
附图说明
图1是本发明具体实施方式的射频链路图；
图2是图1中的多功能MMIC芯片组成方框图；
图3是图1中的组成件在HTCC多层电路基板布局图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式并对照附图对本发明进行说明。
一种如图1～3所示的频率为14GHz～18GHz的Ku波段四通道微波T/R 组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，共腔体结构包括盖板、壳体以及通过焊接分别与壳体固定的T/R通道连接器、射频总口连接器，还包括与四个独立的T/R通道分别连接的功分网络，以及每个 T/R通道的由多芯片组件MCM互连的型号为BWM499的多功能MMIC 芯片101，BWM499芯片在同一块HTCC多层电路基板上集成有发送与接收共用的六位移相器、六位衰减器、开关和驱动放大器，以及信号控制器，四个独立的T/R通道分别提供独立的幅度和相位控制，分别包括发送与接收共用的微波器件。
每个T/R通道设有型号为BW255的功率放大器芯片106，BW255芯片与BWM499芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，BW255芯片的输入端与BWM499芯片连接，BW255芯片的功能是将发射的微波信号进行高效率的功率饱和放大。
每个T/R通道还设有依次连接的型号为BW1599的限幅器芯片108、型号为BW296的通道LNA芯片107，BW1599芯片、BW296芯片分别与 BWM499芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，BW1599芯片的功能是防止接收的大功率微波信号输入时烧毁BWM499芯片，BW296芯片的输出端与BWM499芯片连接，BW296芯片的功能是将接收的微波信号进行低噪声放大。
每个T/R通道设有型号为JCNS1366的波控芯片102，JCNS1366芯片与BWM499芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片依次相连接，通道一的波控芯片的输入端与射频总口连接器连接，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片的输出端与多功能MMIC芯片、发射电源调制芯片和接收电源调制芯片连接，通道四的波控芯片的输出端还与射频总口连接器连接，JCNS1366芯片的输入端与射频总口连接器连接，JCNS1366芯片的输出端与BWM499芯片连接，控制信号包括射频控制信号和电源控制信号，电源输入连接器是气密型微矩形低频连接器，以保证组件的微型化。JCNS1366芯片的功能是将串行输入的数据转换为并行数据，配置多功能MMIC芯片发射、接收、衰减、移相的工作状态，由多功能MMIC芯片实现射频信号的发射、接收、衰减、移相、放大的控制，还通过配置发射电源调制芯片、接收电源调制芯片进而控制多功能MMIC芯片的放大工作状态、功率放大器芯片的工作状态，以及通道LNA芯片的工作状态。
每个T/R通道还设有发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110和接收电源调制芯片111，发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110和接收电源调制芯片111分别与BWM499芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110的输入端和接收电源调制芯片111的输入端分别与射频总口连接器连接，发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110的输出端与BW255芯片连接，接收电源调制芯片111的输出端分别与BWM499芯片、BW296芯片连接，发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110的功能包括提供BW255芯片的负基准电压和栅压、提高发射电源调制信号驱动能力、控制BW255芯片的工作电压、提供BW255芯片的工作电压以及控制 BW255芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压；接收电源调制芯片111 的功能是提供BWM499芯片的的工作电压以及BW296芯片的漏压。
提供BW255芯片的负基准电压和栅压的发射电源调制芯片是型号为 JS2318的硅基MOS发射电源调制芯片103；提高发射电源调制信号驱动能力的发射电源调制芯片是型号为JS1111的硅基MOS发射电源调制芯片104；控制BW255芯片的工作电压的发射电源调制芯片是型号为JS806的硅基MOS发射电源调制器芯片105；提供BW255芯片的工作电压以及JS806芯片的栅压的发射电源调制芯片是型号为JS3490的硅基MOS发射电源调制芯片110；接收电源调制芯片是型号为JS1804的硅基MOS接收电源调制芯片111。
每个T/R通道还设有相互连接的型号为WGH9068E的环形器隔离器芯片109、通道射频连接器，WGH9068E芯片与BWM499芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，WGH9068E芯片的输入端与BW255芯片连接， WGH9068E芯片的输出端与BW1599芯片连接，通道射频连接器与天线连接，WGH9068E芯片的功能是完成发射通道和接收通道的微波隔离，同时在发射工作时隔离来自天线的反射信号，通道射频连接器的功能是用于天线和T/R通道之间的射频信号传输。
T/R通道连接器是SMP射频连接器，SMP射频连接器的输入端与射频信号源连接，SMP射频连接器的输出端与功分网络连接，T/R通道连接器的功能是用于射频信号源与T/R通道之间的射频信号传输。
射频总口连接器是15芯气密式微矩形电连接器，15芯气密式微矩形电连接器的输入端与提供控制信号的波束控制器、电源，以及通道四的波控芯片的输出端连接，电源为T/R通道内部各个芯片提供工作电压电流， 15芯气密式微矩形电连接器的输出端分别与JCNS1366芯片、JS2318芯片、 JS1111芯片、JS806芯片、JS3490芯片以及JS1804芯片连接，射频总口连接器的功能是为T/R通道提供控制信号和电源。
射频控制信号依次进入通道一的波控芯片102、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片，最后经通道四的波控芯片输出到15芯气密SSMA连接器；电源控制信号分别进入通道一的发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110和接收电源调制芯片111、通道二的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道三的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道四的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片。
HTCC多层电路基板是18层的HTCC多层电路基板，由92％～96％氧化铝陶瓷外加4％～8％烧结助剂在温度1500℃～1700℃下烧结而成，其介电常数为7.2～9.8，每一层生胚材料的厚度为0.025mm～0.100mm，损耗角的正切值为0.007～0.008。
18层的HTCC多层电路基板的表层至第9层的表面集成控制信号和电源，第10层至第18层的表面集成射频信号、控制信号和电源，其中第9 层的表面和第18层的背面是大面积接地层。微波传输线通过大面积接地层、金属柱屏蔽，可以保证射频信号、控制信号和电源之间隔离良好，相互不受干扰；微波传输线多层布置，可以显著提高微波T/R组件的集成度，明显减轻微波T/R组件的重量。
图3中的18层的HTCC多层电路基板布局的组成件如下：
区域一集成每个T/R通道的多功能MMIC芯片101、波控芯片102；
区域二集成每个T/R通道的发射电源调制芯片103、发射电源调制芯片104、发射电源调制芯片105、发射电源调制芯片110，以及接收电源调制芯片111；
区域三集成每个T/R通道的功率放大器芯片106、通道LNA芯片107、限幅器芯片108、环形器隔离器109。
盖板和壳体采用铝硅材料封装，使微波T/R组件的重量减轻20％。
本具体实施方式射频信号的工作过程如下：
处于发射状态时，来自射频信号源的射频信号通过SMP射频连接器进入功分网络，被分配成四部分分别进入通道一的多功能MMIC芯片101、通道二的多功能MMIC芯片、通道三的多功能MMIC芯片、通道四的多功能MMIC芯片，多功能MMIC芯片101将射频信号进行衰减、移相、放大处理后输出进入功率放大器芯片106，功率放大器芯片106将射频信号进行功率放大后输出进入环形器隔离器芯片109，然后经过通道射频连接器进入天线，由天线向外发射。
处于接收状态时，射频信号通过天线进入通道射频连接器，然后经过环形器隔离器芯片109进入限幅器芯片108，接着进入通道LNA芯片107 将接收的射频信号经过低噪声放大后进入多功能MMIC芯片101，多功能 MMIC芯片101将射频信号进行衰减、移相、放大处理后输出进入功分网络，由功分网络将通道一的射频信号、通道二的射频信号、通道三的射频信号、通道四的射频信号合并后通过SMP射频连接器输出。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。
Claims (10)
1.一种Ku波段四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，所述共腔体结构包括盖板、壳体以及通过焊接分别与所述壳体固定的T /R通道连接器、射频总口连接器，还包括与四个独立的T/R通道分别连接的功分网络，以及每个T/R通道的由多芯片组件MCM互连的多功能单片微波集成电路MMIC芯片，所述多功能MMIC芯片在同一块高温共烧陶瓷HTCC多层电路基板上集成有发送与接收共用的六位移相器、六位衰减器、开关和驱动放大器，以及信号控制器，四个独立的T/R通道分别提供独立的幅度和相位控制，分别包括发送与接收共用的微波器件，其特征在于：
所述多功能MMIC芯片是型号为BWM499的多功能MMIC芯片；
每个T/R通道设有功率放大器芯片，所述功率放大器芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述功率放大器芯片的输入端与所述多功能MMIC芯片连接；
每个T/R通道还设有依次连接的限幅器芯片、通道低噪声放大器LNA芯片，所述限幅器芯片、通道LNA芯片分别与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述通道LNA芯片的输出端与所述多功能MMIC芯片连接；
每个T/R通道还设有发射电源调制芯片和接收电源调制芯片，所述发射电源调制芯片和接收电源调制芯片分别与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述发射电源调制芯片的输入端和接收电源调制芯片的输入端分别与所述射频总口连接器连接，所述发射电源调制芯片的输出端与所述功率放大器芯片连接，所述接收电源调制芯片的输出端分别与所述多功能MMIC芯片、通道LNA芯片连接，所述发射电源调制芯片的功能包括提供所述功率放大器芯片的负基准电压和栅压、提高发射电源调制信号驱动能力、控制所述功率放大器芯片的工作电压、提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压；所述接收电源调制芯片的功能是提供所述多功能MMIC芯片的工作电压以及所述通道低噪声放大器芯片的漏压；
每个T/R通道还设有波控芯片，所述波控芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片依次相连接，通道一的波控芯片的输入端与所述射频总口连接器连接，通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片的输出端与所述多功能MMIC芯片、发射电源调制芯片和接收电源调制芯片连接，通道四的波控芯片的输出端还与所述射频总口连接器连接，控制信号包括射频控制信号和电源控制信号，电源输入连接器是气密型微矩形低频连接器；
每个T/R通道还设有相互连接的环形器隔离器芯片、通道射频连接器，所述环形器隔离器芯片与所述多功能MMIC芯片集成在同一块HTCC多层电路基板上，所述环形器隔离器芯片的输入端与所述功率放大器芯片连接，所述环形器隔离器芯片的输出端与所述限幅器芯片连接，所述通道射频连接器与天线连接。
2.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：
所述T/R通道连接器是SMP射频连接器，所述SMP射频连接器的输入端与射频信号源连接，所述SMP射频连接器的输出端与所述功分网络连接；
所述射频总口连接器是15芯气密式微矩形电连接器，所述15芯气密式微矩形电连接器的输入端与提供控制信号的波束控制器、电源，以及通道四的波控芯片的输出端连接，所述15芯气密式微矩形电连接器的输出端分别与所述波控芯片、发射电源调制芯片以及接收电源调制芯片连接。
3.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述射频控制信号依次进入通道一的波控芯片、通道二的波控芯片、通道三的波控芯片、通道四的波控芯片，最后经通道四的波控芯片输出到所述射频总口连接器；所述电源控制信号分别进入通道一的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道二的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道三的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片、通道四的发射电源调制芯片和接收电源调制芯片。
4.如权利要求3所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述HTCC多层电路基板是至少为8层的HTCC多层电路基板。
5.如权利要求3所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述HTCC多层电路基板是18层的HTCC多层电路基板；所述18层的HTCC多层电路基板的表层至第9层的表面集成控制信号和电源，第10层至第18层的表面集成射频信号、控制信号和电源，其中第9层的表面和第18层的背面是大面积接地层。
6.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述功率放大器芯片是型号为BW255的功率放大器芯片；所述限幅器芯片是型号为BW1599的限幅器芯片；所述通道低噪声放大器芯片是型号为BW296的低噪声放大器芯片；所述波控芯片是型号为JCNS1366的波控芯片。
7.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述发射电源调制芯片，包括提供所述功率放大器芯片的负基准电压和栅压的发射电源调制芯片、提高发射电源调制信号驱动能力的发射电源调制芯片、控制所述功率放大器芯片的工作电压的发射电源调制芯片、提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压的发射电源调制芯片。
8.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述提供功率放大器芯片的负基准电压和栅压的发射电源调制芯片，是型号为JS2318的硅基MOS电源调制芯片；
所述提高发射电源调制信号驱动能力的发射电源调制芯片，是型号为JS1111的硅基MOS电源调制芯片；
所述控制所述功率放大器芯片的工作电压的发射电源调制芯片，是型号为JS806的硅基MOS电源调制芯片；
所述提供所述功率放大器芯片的工作电压以及控制所述功率放大器芯片工作电压的发射电源调制芯片的栅压的发射电源调制芯片，是型号为JS3490的硅基MOS电源调制芯片；
所述接收电源调制芯片是型号为JS1804的硅基MOS电源调制芯片。
9.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述盖板和壳体采用铝硅材料封装。
10.如权利要求1所述的Ku波段四通道微波T/R组件，其特征在于：所述Ku波段是符合IEEE 521-2002标准的频率为14 GHz～18 GHz的无线电波波段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920804877.4U CN210294515U (zh) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | 一种Ku波段四通道微波T/R组件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920804877.4U CN210294515U (zh) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | 一种Ku波段四通道微波T/R组件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210294515U true CN210294515U (zh) | 2020-04-10 |
Family
ID=70070732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920804877.4U Withdrawn - After Issue CN210294515U (zh) | 2019-05-31 | 2019-05-31 | 一种Ku波段四通道微波T/R组件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210294515U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110161467A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-08-23 | 南京吉凯微波技术有限公司 | 一种Ku波段四通道微波T/R组件 |
| CN111258259A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-06-09 | 浙江航芯源集成电路科技有限公司 | 一种多通道高集成表面贴装式tr组件控制芯片 |
| CN111856407A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-10-30 | 南京吉凯微波技术有限公司 | 星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 |
-
2019
- 2019-05-31 CN CN201920804877.4U patent/CN210294515U/zh not_active Withdrawn - After Issue
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| CN110161467B (zh) * | 2019-05-31 | 2024-03-26 | 南京吉凯微波技术有限公司 | 一种Ku波段四通道微波T/R组件 |
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| CN111856407A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-10-30 | 南京吉凯微波技术有限公司 | 星载有源相控阵雷达x波段双极化高隔离度微波tr组件 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned | ||
| AV01 | Patent right actively abandoned |
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