CN111852718A - 线圈电流控制电路、点火系统及用于使线圈放电的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及线圈电流控制电路、点火系统及用于使线圈放电的方法。本发明公开了一种用于点火系统的电流控制电路(即,点火器电流限制器)。电流控制电路可使用由负反馈回路控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)来减小软关断(SSD)时段内的线圈电流,负反馈回路根据SSD曲线来控制IGBT的电流限值。为了防止软关断时段期间不希望的电流上升,电流控制电路将IGBT的栅极电压与参考信号进行比较,并且基于比较,可使SSD曲线能够包括快斜坡。快斜坡迅速降低IGBT的电流限值,使得线圈电流等于电流限值并且可由负反馈回路控制。
Description
相关申请的交叉引用
本申请是提交于2019年7月17日的美国专利申请16/513,984的继续申请,该美国专利申请的全部内容以引用方式并入本文。
技术领域
本公开涉及线圈电流控制电路、点火系统及用于使线圈放电的方法,并且更具体地涉及用于在防止火花期间使线圈缓慢放电的电路和方法。
背景技术
点火系统中的线圈可由施加电压充电至电流限值。与线圈串联的晶体管可被控制为突然地切断线圈电流,并且作为响应,线圈尝试保持原本正在减小的磁通量,因此产生大的线圈电压。可来将此大电压转化为跨火花隙串联的次级线圈的更高的电压。当次级线圈电压超过火花隙的击穿电阻时,产生火花。
在某些情况下,有必要在不产生火花的情况下使线圈放电。例如,耦接到点火系统的发动机控制单元(ECU)可检测已充电至线圈电流的线圈的潜在有害情况。作为响应,可触发线圈电流控制(CCC)电路执行线圈的软关断(即,在没有火花的情况下将线圈断电)。
为了执行软关断,CCC电路被配置为感测线圈电流,将线圈电流与参考电平进行比较以获得差值,以及控制与线圈串联的晶体管以减小该差值。当参考电平减小时,可重复该过程,以便根据软关断曲线来减小线圈电流。然而,在线圈电流充电至晶体管的电流限值之前执行软关断可导致软关断期间存在线圈电流不受控制的时段。
发明内容
因此,在一个整体方面,本公开整体描述了一种线圈电流控制电路。该线圈电流控制电路包括与线圈串联的晶体管(例如,绝缘栅双极晶体管)。该晶体管可被控制为传导等于或低于线圈电流限值的电流。该线圈电流控制电路还包括电流感测电路,该电流感测电路被配置为感测流经该晶体管的线圈电流。该线圈电流控制电路还包括电流限值控制电路,该电流限值控制电路被配置为将来自电流感测电路的电压与来自斜坡发生器电路的SSD信号进行比较。然后,基于该比较,该电流限值控制电路被配置为根据SSD信号的曲线来控制晶体管的线圈电流限值以减小SSD时段内的线圈电流,该SSD信号的曲线基于晶体管的栅极电压。
在另一方面,本公开整体描述了一种点火系统。该点火系统包括发动机控制单元(ECU)和点火线圈,该ECU被配置为监控点火系统。该点火系统还包括绝缘栅双极晶体管(IGBT),该IGBT耦接到点火线圈并且被配置为传导点火线圈的等于或低于电流限值的线圈电流。该点火系统还包括软关断(SSD)电路,该SSD电路耦接到ECU并且在反馈回路中与IGBT耦接。在接收到来自ECU的信号时,该SSD电路被配置为控制IGBT,以在线圈电流低于电流限值的情况下,根据快斜坡曲线来减小电流限值,并且当线圈电流等于电流限值时,根据慢斜坡曲线来减小电流限值。
在另一方面,本公开整体描述了用于使线圈放电的方法。该方法包括将线圈充电至线圈电流,以及接收软关断激活信号,该软关断激活信号指示需要对该线圈进行软关断。该方法还包括确定线圈电流低于耦接到该线圈的晶体管的电流限值,以及根据快斜坡曲线减小该晶体管的电流限值。该方法还包括确定线圈电流等于该晶体管的电流限值,以及根据慢斜坡曲线减小该晶体管的电流限值,直到使该线圈放电。
在以下具体实施方式及其附图内进一步解释了前述说明性发明内容,以及本公开的其他示例性目标和/或优点、以及实现方式。
附图说明
图1是根据本公开的具体实施的线圈电流控制电路的框图。
图2是示出在线圈电流已达到电流限值之后线圈电流的软关断的信号图。
图3是示出在线圈电流已达到电流限值之前线圈电流的软关断的信号图。
图4为根据本公开的具体实施的用于线圈的软关断的电流限值的曲线的图。
图5是根据本公开的具体实施的用于使线圈放电的方法。
图6是根据本公开的具体实施的利用斜坡控制的线圈电流控制电路的示意图。
图7是根据本公开的具体实施的点火系统的框图。
图8是根据本公开的具体实施的利用斜坡控制的线圈电流控制电路的详细示意图。
图9是与图8的电路相关联的可能信号的信号图。
附图中的部件未必相对于彼此按比例绘制。相似附图标记在若干附图中表示相应的零件。
具体实施方式
一般来讲,用于点火系统的线圈电流控制(CCC)电路包括与线圈串联的晶体管以控制经过该线圈的电流(即,线圈电流)。例如,CCC电路可被配置为使线圈充电或使线圈放电。CCC可被配置为使线圈迅速放电以产生火花(即,硬关断(HSD)),或者CCC电路可被配置为稳步地减小线圈电流,以在不产生火花的情况下使线圈放电(即,软关断(SSD))。
在某些情况下,可需要SSD来终止点火过程。例如,高温可损坏点火系统中的电路(例如,晶体管)。因此,当检测到超过热关断阈值的温度时,可触发CCC电路执行SSD。CCC电路可通过逐渐减小晶体管的电流限值来执行SSD;然而,流经晶体管的低于晶体管的电流限值的线圈电流将不受电流限值变化的影响。换句话讲,线圈电流可不受控制,直到在晶体管的电流限值减小到其等于线圈电流的点。在SSD的这一不受控时段期间,线圈电流实际上可上升而不是降低。在由热关断(TSD)状况触发的SSD期间,不希望的(例如,不期望的)电流上升是尤其不期望的,因为由不受控电流上升引起的附加热量可能造成损坏。本公开描述了用于减小SSD期间不希望的电流上升的电路和方法。
图1中示出线圈电流控制电路的一个具体实施。在CCC电路100中,线圈110耦接到晶体管120,该晶体管可被配置为限制电流经过线圈至接地部130的流动。更具体地讲,晶体管120可被控制为传导等于或低于由晶体管的操作点确定的电流限值的电流。电流感测电路(即,电流传感器)140被包括在CCC电路中以测量流经线圈110和晶体管120的电流。CCC电路100还包括电流限值控制电路(即,电流限值控制器)150,该电流限值控制电路连同栅极驱动器电路(即,栅极驱动器)160一起可控制晶体管120的操作点。例如,可控制晶体管120的操作点,使得晶体管导通(即,传导)或关断(即,不传导)。当晶体管导通时,可进一步控制晶体管的操作点以调整电流限值。电流限值控制器150被配置为将来自电流传感器140的电压(VSNS)与来自斜坡发生器170的参考电压(VREF)进行比较。基于VSNS和VREF之间的差值,产生控制电压(VC)以调整晶体管的操作点。栅极驱动器160将控制电压放大至足以(迅速)调整晶体管的功率。当线圈电流等于晶体管120的电流限值时,形成负反馈回路180,使得线圈电流(IC)根据(即,跟随)参考电压(VREF)而变化。因此,参考电压(VREF)可具有随时间推移从较高电压斜降至较低电压(例如,零伏特)的曲线,以便在软关断时段内逐渐减小线圈的电流(IC)。
图2示出与图1的CCC电路100相关联的三个可能信号。绘制了每个信号随时间的变化,并且所有信号被缩放为彼此对准。图2的第一信号图210示出软关断(SSD)激活信号。SSD激活信号可为触发(即,激活)CCC电路100执行SSD的数字信号。例如,在正常操作期间,SSD激活信号可为逻辑低(电压)电平,而在软关断期间,SSD激活信号为逻辑高(电压)电平。从逻辑低到逻辑高的转变可指明软关断时段204的开始。
图2的第二信号图220示出晶体管120的可能电流限值。当不以另外的方式受CCC电路100控制(即,在SSD时段之外)时,晶体管可被配置(例如,完全接通)为传导等于或低于最大电流限值(ICL)的任何电流。在SSD时段204期间,可控制晶体管的操作点(例如,逐渐断开)以逐渐减小电流限值。例如,电流限值可根据慢斜坡曲线222而减小。
图2的第三信号图230示出可能线圈电流(IC)。如图所示,线圈电流(IC)定义了三个时段。第一时段为充电时段206,在此期间线圈电感充电。晶体管120可在充电时段开始202时接通,以允许线圈电流根据线圈的电感而上升。在充电时段206期间,线圈中的电流增大,直到该电流达到由晶体管120确定的电流限值。充电曲线通常为从零电流到最大电流限值(ICL)的线性上升(即,斜坡上升)。充电曲线通常为基于线圈110的电感对施加电压的响应的,其中突然的电流变化与由变化的磁场引起的电动势相反。如果例如施加电压在充电时段206期间变化,则充电曲线可存在变型。
充电线圈传导等于最大电流限值(ICL)的电流持续保压时段208。在线圈已充电之后,晶体管可被控制为迅速关断,从而不允许电流流过。换句话讲,可执行HSD。HSD可导致在感应地耦合到线圈110的火花隙处产生火花。在一些情况下,充电线圈传导等于最大电流限值(ICL)的电流持续比预先确定的超保压时段(ODP)长的保压时段208。当这种情况发生时,可(例如,由SSD激活信号)触发SSD以防止损坏(例如,过度加热)点火系统中的线圈、晶体管或其他电路。在其他情况下,等于最大电流限制(ICL)的电流可将晶体管120加热至高于热关断(TSD)温度的温度。至于ODP状况,当TSD温度发生时,可(例如,由SSD激活信号)触发SSD以防止损坏晶体管。响应于TSD状况的SSD对于晶体管为绝缘栅双极晶体管(IGBT)的具体实施可为期望的,因为IGBT保护对于系统可靠性而言可为高度期望的。
在由SSD激活信号触发的SSD时段204期间,线圈电流逐渐降低(即,使线圈逐渐放电)。在SSD时段204期间,CCC电路使用其负反馈回路逐渐降低晶体管的电流限值以逐渐降低线圈电流。SSD曲线可为从最大电流限值(ICL)到零的线性下降(即,斜坡下降)。线圈电流的SSD曲线对应于由斜坡发生器输出的参考电压(VREF)的曲线。斜坡发生器可产生随时间推移缓慢降低的曲线(例如,斜坡),以防止在火花隙处产生火花。在SSD时段204期间,线圈电流曲线与电流限值的慢斜坡曲线222匹配,因为线圈110中的电流受晶体管120的电流限值的限制。然而,如果线圈110中的电流不受晶体管的电流限值的限制,则可存在差值。
图3示出在线圈充电至晶体管的电流限值之前触发SSD的情况下与图1的CCC电路100相关联的三个可能信号。在所示的SSD情况下,第一信号图310示出的SSD激活信号被切换为在时间301处触发软关断,并且第二信号图320示出的电流限值根据慢斜坡曲线关断。第三信号图330示出的线圈电流与第二信号图320示出的电流限值的曲线不匹配。相反,线圈电流在充电时段306内上升至低于晶体管的最大电流限值(ICL)的电流电平307。尽管激活了SSD,但直到线圈电流受到晶体管的电流限值的限制,才会开始控制该线圈电流。因此,线圈电流继续上升直到拦截时间315,此时增大的线圈电流拦截减小的电流限值。换句话讲,如果在线圈电流已达到由晶体管设定的电流限值之前激活软关断,则SSD时段304可包括不受控部分(即,不受控时段)311和受控部分(即,受控时段)312。线圈电流在受控时段312期间可跟随电流限值的SSD曲线,但在不受控时段311期间可继续上升。
在软关断时段的不受控时段(即,部分)311期间,线圈电流的不受控上升可具有不希望的效应。例如,如果响应于热关断(TSD)事件而产生SSD激活信号,则在TSD事件之后的线圈电流上升可导致损坏。使不受控时段311最小化(例如,在时间上、按SSD时段的百分比或两者)可使线圈电流的上升最小化。
使不受控时段311最小化可通过调整电流限值的斜坡曲线来实现。例如,增大电流限值斜降的速率(即,斜率)可缩短不受控时段。然而,简单地讲,在(整个)SSD时段304增大电流限值斜降的速率可存在产生不希望的火花的风险,并且在线圈电流受晶体管的电流限值控制(即,等于晶体管的电流限值)之后是不必要的。相反,本发明所公开的线圈电流控制可根据电流限值曲线来控制晶体管的电流限值,该电流限值曲线在线圈电流不等于晶体管的电流限值的时段期间可包括快斜坡曲线。
图4示出在SSD时段410期间电流限值的信号图400,该SSD时段在时间401处开始。软关断(SSD)时段410包括不受控时段420和受控时段430。在不受控时段420期间使用快斜坡曲线(即,快斜坡)421来将电流限值从最大电流限值(ICL)斜降至零电流,然后在受控时段430期间使用慢斜坡曲线(即,慢斜坡)431来使电流限值斜降。当线圈电流等于晶体管的电流限值时,快斜坡在转变时间402处转变为慢斜坡。
本发明所公开的线圈电流控制被配置为确定线圈电流何时不等于(例如,小于)晶体管的电流限值(即,不受晶体管限制)以及确定线圈电流何时等于晶体管的电流限值(即,受晶体管限制)。基于该确定,本发明所公开的CCC电路被配置为在软关断时段期间根据快斜坡曲线(即,快斜坡)和慢斜坡曲线(即,慢斜坡)来减小晶体管的电流限值。这样,本发明所公开的线圈电流控制可使软关断时段的不受控部分最小化,在该不受控部分期间,线圈电流可上升。另外,当线圈电流在软关断时段开始处等于晶体管的电流限值时,该确定允许本发明所公开的线圈电流控制仅使用慢斜坡曲线来操作。
返回图1,线圈电流控制电路(即,CCC电路100)包括斜坡发生器170,该斜坡发生器被配置为根据快斜坡曲线(即,快斜坡171)或慢斜坡曲线(即,慢斜坡172)来生成和输出参考电压(VREF),该快斜坡曲线和慢斜坡曲线取决于与晶体管120的电流限值相关的线圈电流(IC)。具体地讲,CCC电路100包括用于确定线圈电流(IC)是等于晶体管的电流限值还是不等于(例如,低于)晶体管的电流限值的电路。该确定可为基于出现在晶体管120的控制端子(例如,栅极端子)处的电压的。
图5示出根据本公开的具体实施的用于使线圈放电的方法。在该方法中,线圈充电510。例如,图1的CCC电路中的晶体管可被控制为传导电流(即,完全接通),并且可将电压施加到线圈。在该配置中,线圈中的电流在使线圈充电时上升。接着,接收到SSD激活信号,该SSD激活信号指示需要线圈的SSD。例如,SSD激活信号可由图1的CCC电路中的斜坡发生器170接收,以触发斜坡发生器170来减小参考电压(VREF)。另外,斜坡发生器170可接收来自晶体管120的控制端子(例如,栅极)的信号(例如,电压),以确定530线圈电流是否等于晶体管120的电流限值。如果线圈电流不等于晶体管的电流限值(例如,线圈电流小于晶体管的电流限值),则晶体管的电流限值根据快斜坡曲线减小540以使线圈放电。电流限值的根据快斜坡曲线的这种减小继续进行,直到电流限值控制线圈电流(即,直到线圈电流等于电流限值)。当线圈电流等于晶体管的电流限值时,电流限值根据慢斜坡曲线减小550以使线圈进一步放电。应当注意,在接收到SSD激活信号之后,如果线圈电流等于电流限值,则电流限值根据慢斜坡曲线减小,而完全不使用快斜坡曲线来使线圈放电。
图6是根据本公开的具体实施的利用斜坡控制的CCC电路的示意图。CCC电路600包括具有初级线圈611和次级线圈612的点火线圈。次级线圈612感应地耦合到初级线圈611并且与火花隙613串联。初级线圈(即,线圈)611与晶体管620串联耦合,该晶体管可被控制为导通状态以允许电压VBAT 610(例如,12伏特)使得线圈电流(IC)625从线圈611经过感测电阻器(RSNS)626流到接地部627。
在一些具体实施中,晶体管620可为绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该IGBT的集电极耦接到线圈611,该IGBT的发射极耦接到感测电阻器626,并且栅极(即,控制端子)耦接到栅极驱动器,该栅极驱动器充当功率放大器以向IGBT的栅极提供足够的功率信号以用于操作。可启用栅极驱动器630以启用整个电路的操作。例如,充电信号631(例如,来自ECU)可启用栅极驱动器630。在这种情况下,充电信号631的逻辑转变可表示线圈电流上升的开始。
在硬关断中,晶体管可被迅速地控制为关断状态(即,断开),使得跨线圈611的感应电压生成足以在火花隙处产生火花的电压。在软关断中,晶体管620可被逐渐控制为关断状态(即,断开)以缓慢地降低线圈电流,使得在火花隙处产生的电压不足以击穿火花隙613。
跨感测电阻器(RSNS)626产生的电压(VSNS)对应于线圈电流。电压VSNS可耦接到差分放大器640的第一输入端(例如,正极输入端)。另外,可将来自可变电压源635的参考电压VREF施加到差分放大器640的第二输入端(例如,负极输入端)。差分放大器640产生表示VSNS和VREF之间的差值的控制电压(即,误差信号)。该控制电压由反相放大器650反相和放大,以调整施加到晶体管620的控制端子(例如,栅极)的电压,以便使VSNS等于VREF。换句话讲,当线圈电流(IC)等于晶体管的电流限值时,该线圈电流由CCC电路600的负反馈回路稳定。
线圈电流是否已达到电流限值可由晶体管621的控制端子处的电压确定。例如,IGBT的栅极处的电压可用于确定线圈电流是否已达到IGBT的电流限值。当线圈电流未达到电流限值时,栅极电压被钳制在栅极驱动器电源(即,VS)的轨电压处。当线圈电流达到电流限值时,栅极电压不等于轨电压(例如,栅极电压小于轨电压)。例如,当线圈电流不等于IGBT的电流限值时,栅极电压可为5伏特,并且当线圈电流已达到IGBT的电流限值时,栅极电压可小于3.5伏特。
在一个可能具体实施中,阈值电路660可接收IGBT的栅极电压(VG)并且处理该栅极电压以确定快斜坡是否是必要的。例如,阈值电路660可将栅极电压(VG)与阈值进行比较,并且基于该比较,可将斜坡发生器670配置为输出根据快斜坡曲线或慢斜坡曲线而随时间变化的电压。在一个可能具体实施中,斜坡发生器670被配置为响应于快斜坡启用信号而输出快斜坡并且在其他情况下输出慢斜坡。例如,当IGBT的栅极电压高于阈值(例如,4伏特)时,快斜坡启用信号可为第一逻辑电平(例如,逻辑高电压),并且当快斜坡启用信号处于该第一逻辑电平时,斜坡发生器可输出快斜坡。另选地,当IGBT的栅极电压低于阈值时,快斜坡启用信号可为第二逻辑电平(例如,逻辑低电压),并且当快斜坡启用信号处于该第二逻辑电平时,斜坡发生器可输出慢斜坡。这样,线圈电流在SSD期间的曲线(即,斜率)可取决于IGBT的栅极电压。
只有当有必要时才可使用快斜坡曲线。例如,只有当线圈电流在SSD时段的开始处不受负反馈回路控制时(诸如,当在线圈正在充电的情况下激活SSD时),才可启用快斜坡。当在线圈已充电之后激活SSD时(例如,由于超过时间限制的超保压时段),在SSD时段期间可能永远不会启用快斜坡。本发明所公开的方法的优点在于,所述电路和方法可适应包括快斜坡、慢斜坡、或快斜坡和慢斜坡的某种组合的SSD。当SSD时段包括快斜坡部分和慢斜坡部分时,快斜坡部分可出现在慢斜坡部分之前(例如,在SSD时段的开始处),并且可比慢斜坡部分短。
本发明所公开的方法可用于点火系统中,诸如车辆中。图7是根据本公开的具体实施的点火系统的框图。点火系统700包括发动机控制单元(ECU)710,该ECU被配置为监控点火系统700。点火系统700可为车辆701(例如,汽车、卡车、摩托车等)的一部分。因此,ECU710还可监控车辆的发动机的状况。响应于所监控的状况,ECU 710可发出信号来控制点火系统700的活动。例如,ECU 710可生成充电信号来触发点火系统700使点火线圈720充电。ECU 710还可生成信号来触发点火系统700使点火线圈720放电。例如,ECU 710可生成软关断激活信号来触发软关断电路(SSD电路)740控制IGBT 730以使点火线圈720放电。
应当认识到,虽然ECU控制充电定时和持续时间,但其他模块或控件(例如,点火器模块、点火控制器)可用于发出软关断信号和/或控制响应于超保压和/或超温状况的关断。因此,本公开不限于图7的具体实施,因为认识到不同的和/或附加的模块和/或电路可用于控制/监控点火系统来实现关断。
由ECU监控的状况可包括点火线圈充电并且保持充电(即,线圈电流已达到电流限值)而不产生火花的时段(即,保压时段)。当保压时段超过阈值(即,超保压时段(ODP))时,ECU可触发SSD电路。由ECU监控的状况还可包括IGBT的温度。温度传感器731可物理地耦合到IGBT 730(例如,与该IGBT集成)并且由ECU 710监控。因此,当IGBT 730的温度超过阈值(即,热关断(TSD))时,ECU 710可触发SSD电路740。ODP状况和TSD可对应于不同的点火线圈状况(即,状态)。例如,在ODP状况下,当SSD电路被触发时,点火线圈720完全充电。在TSD状况下,当SSD电路被触发时,点火线圈可完全充电或者可未完全充电。本发明所公开的方法可有利地适应所有点火线圈状态,包括当(例如,通过TSD状况)触发SSD电路740时点火线圈未完全充电的状态。
IGBT 730和SSD电路740一起形成CCC电路,诸如图7所示。点火系统700的IGBT 730耦接到点火线圈720并且被配置为(例如,通过IGBT的操作点)具有电流限值。点火线圈720的线圈电流可等于或低于IGBT 730的电流限值。当线圈电流等于电流限值时,则调整电流限值对应于调整线圈电流。当线圈电流低于电流限值时,则调整电流限值可对应于或者可不对应于调整线圈电流。
点火系统700的SSD电路740在反馈回路中与IGBT 730耦接并且可控制IGBT,以当线圈电流低于电流限值时,根据快斜坡曲线来减小电流限值,并且当线圈电流等于电流限值时,根据慢斜坡曲线来减小电流限值。SSD电路740可基于IGBT 730的栅极电压(即,栅极端子处的电压)来确定线圈电流是等于电流限值还是低于电流限值。例如,SSD电路740可将栅极电压与阈值进行比较,并且得出如下结论:(i)当栅极电压高于阈值(例如,4.5伏特)时,线圈电流低于电流限值,以及(ii)当栅极电压低于阈值时,线圈电流等于电流限值。
图8示出SSD电路、IGBT 840和点火线圈850的一个具体实施。IGBT 840在其栅极端子(栅极)处耦接到栅极驱动器860。栅极驱动器860包括由(例如,来自ECU的)信号(SIG)控制的开关,该开关根据该信号的逻辑电平将栅极耦接到电流源或接地部。IGBT的栅极端子还耦接到反相放大器870。如前所述(例如,参见图1和图6),反相放大器870是包括电流传感器(RSNS)和差分放大器830的反馈回路的一部分。用于差分放大器830的参考电压(VREF)由经过参考电阻器(RREF)的电流(IO-ISSD)产生。软关断(SSD)曲线是由斜坡发生器820生成的软关断电流ISSD产生的。斜坡的速率(即,快或慢)可由电容器电压(VCAP)确定,该电容器电压根据施加到时钟信号(SSD_CLK)、SSD激活信号(TSD_H)和来自阈值电路810的比较信号(COMP)的逻辑来进行充电,该比较信号对应于栅极电压VG和阈值电压(VTH)之间的比较。当栅极电压高于阈值电压(VG>VTH)时,充电信号(CHG_L)连续地启用电容器电压(VCAP)的连续充电(即,以100%的占空比),而当栅极电压低于阈值电压(VG<VTH)时,充电信号(CHG_L)启用电容器电压的脉冲充电(即,以<100%的占空比)。连续充电时电容器电压(VCAP)充电的速度比脉冲充电时电容器电压(VCAP)充电的速度快。因此,栅极电压VG可启用斜坡发生器以输出快斜坡或慢斜坡。斜坡发生器可包括电压至电流转换器以将电容器电压(VCAP)转换为斜坡发生器的输出端处的软关断电流(ISSD)。
图9示出与图8的电路相关联的可能信号。绘制了每个信号随时间的变化,并且所有信号被缩放为彼此对准。如线圈电流(IC)图所示,电流限值(ICL)高于SSD时段开始处的线圈电流。因此,在SSD时段的开始处启用快斜坡以根据快斜坡迅速降低电流限值,直到电流限值等于线圈电流的时间为止。该时间由栅极电压(VG)的减小指示,这指示该栅极电压由反馈回路控制。对于SSD时段的其余时间,电流限值根据慢斜坡而较慢地降低。因此,与SSD时段期间不具有快斜坡部分的线圈电流的上升相比,SSD时段期间具有快斜坡部分的线圈电流的上升910减小了。
在说明书和/或附图中,已经公开了典型的实施方案。本公开不限于此类示例性实施方案。术语“和/或”的使用包括一个或多个相关联列出条目的任意组合和所有组合。附图是示意性表示并且因此未必按比例绘制。除非另有说明,否则特定术语已用于通用和描述性意义,而非用于限制的目的。
例如,本发明公开了点火系统的一个实施方案。该点火系统包括ECU、点火线圈以及耦接到点火线圈的IGBT。ECU被配置为监控该点火系统,并且IGBT被配置为传导点火线圈的等于或低于电流限值的线圈电流。该点火系统还包括SSD电路,该SSD电路耦接到ECU并且在反馈回路中与IGBT耦接。该SSD电路被配置为(在接收到来自ECU的信号时)控制IGBT以便减小电流限值。当线圈电流低于电流限值时,电流限值根据快斜坡曲线来减小,并且当线圈电流等于电流限值时,电流限值根据慢斜坡曲线来减小。
在点火系统的一个可能具体实施中,电流限值根据快斜坡曲线减小的速率高于电流限值根据慢斜坡曲线减小的速率。
在点火系统的另一个可能具体实施中,SSD电路被配置为基于IGBT的栅极电压来确定线圈电流低于电流限值。
在点火系统的另一个可能具体实施中,当栅极电压高于阈值时,线圈电流低于电流限值,并且当栅极电压低于阈值时,线圈电流等于电流限值。
在另一个示例中,本发明公开了一种用于使线圈放电的方法。该方法包括将线圈充电至线圈电流,以及接收软关断激活信号,该软关断激活信号指示需要对该线圈进行软关断。该方法还包括确定线圈电流低于耦接到该线圈的晶体管的电流限值,以及根据快斜坡曲线减小该晶体管的电流限值。该方法还包括确定线圈电流等于该晶体管的电流限值,以及根据慢斜坡曲线减小该晶体管的电流限值,直到使该线圈放电。
在该方法的一个可能具体实施中,确定线圈电流低于或等于晶体管的电流限值包括将晶体管的栅极端子的电压与阈值进行比较。
在该方法的另一个可能具体实施中,晶体管为IGBT。
在该方法的另一个可能具体实施中,除非线圈的电流低于晶体管的电流限值,否则快斜坡曲线不用于使线圈放电。
范围在本文中可以表达为从“约”一个特定值,和/或到“约”另一个特定值。当表达这样的范围时,一个方面包括从一个特定值和/或到另一个特定值。类似地,当值通过使用先行词“约”表达为近似值时,应当理解,该特定值形成另一个方面。还应当理解,每个范围的端点相对于另一个端点是重要的,并且独立于另一个端点。
一些实施方式可使用各种半导体处理和/或封装技术来实现。一些实施方式可使用与半导体基板相关联的各种类型的半导体处理技术来实现,该半导体基板包含但不限于,例如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等。
虽然所描述的具体实施的某些特征已经如本文所述进行了说明,但是本领域技术人员现在将想到许多修改形式、替代形式、变化形式和等同形式。因此,应当理解,所附权利要求书旨在涵盖落入具体实施的范围内的所有此类修改形式和变化形式。应当理解,这些修改形式和变化形式仅仅以举例而非限制的方式呈现,并且可以进行形式和细节上的各种变化。除了相互排斥的组合以外,本文所述的装置和/或方法的任何部分可以任意组合进行组合。本文所述的具体实施可包括所描述的不同具体实施的功能、部件和/或特征的各种组合和/或子组合。
Claims (10)
1.一种线圈电流控制电路,包括:
与线圈串联的晶体管,所述晶体管可控制为传导等于或低于线圈电流限值的电流;
电流感测电路,所述电流感测电路被配置为感测流经所述晶体管的线圈电流;以及
电流限值控制电路,所述电流限值控制电路被配置为将来自所述电流感测电路的电压与来自斜坡发生器电路的软关断SSD信号进行比较,并且基于所述比较,根据所述SSD信号的曲线来控制所述晶体管的所述线圈电流限值以减小SSD时段内的所述线圈电流,所述SSD信号的所述曲线基于所述晶体管的栅极电压。
2.根据权利要求1所述的线圈电流控制电路,其中,所述斜坡发生器电路耦接到所述晶体管的栅极端子并且被配置为将所述栅极电压与阈值进行比较,并且基于所述比较,使所述SSD信号的所述曲线成为快斜坡曲线或慢斜坡曲线;其中,当所述线圈电流低于所述晶体管的所述线圈电流限值时,所述栅极电压高于所述阈值,并且当所述线圈电流等于所述线圈电流限值时,所述栅极电压低于所述阈值;并且其中,当所述线圈电流低于所述线圈电流限值时,所述电流限值控制电路被配置为根据所述快斜坡曲线来减小所述线圈电流,以便使在软关断时段期间所述线圈电流的不希望的电流上升最小化。
3.根据权利要求1所述的线圈电流控制电路,其中,所述线圈为点火线圈的一部分。
4.根据权利要求1所述的线圈电流控制电路,其中,所述晶体管为绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
5.根据权利要求1所述的线圈电流控制电路,还包括耦接到所述电流限值控制电路并耦接到所述晶体管的栅极端子的栅极驱动器。
6.根据权利要求1所述的线圈电流控制电路,其中,所述线圈电流控制电路由热关断(TSD)信号触发。
7.一种点火系统,包括:
发动机控制单元ECU,所述ECU被配置为监控所述点火系统;
点火线圈;
耦接到所述点火线圈的绝缘栅双极晶体管IGBT,所述IGBT被配置为传导所述点火线圈的等于或低于电流限值的线圈电流;以及
耦接到所述ECU并且在反馈回路中与所述IGBT耦接的软关断SSD电路,所述SSD电路被配置为在接收到来自所述ECU的信号时控制所述IGBT,以当所述线圈电流低于所述电流限值时,根据快斜坡曲线来减小所述电流限值,并且当所述线圈电流等于所述电流限值时,根据慢斜坡曲线来减小所述电流限值。
8.根据权利要求7所述的点火系统,其中,所述点火线圈为车辆的一部分;并且所述点火系统还包括温度传感器,所述温度传感器物理地耦合到所述IGBT并且由所述ECU监控,来自所述ECU的所述信号基于所述IGBT的温度。
9.根据权利要求7所述的点火系统,其中,所述SSD电路被配置为减小所述电流限值以在包括快斜坡部分和慢斜坡部分的SSD时段内使所述点火线圈放电,其中,所述快斜坡部分发生在所述慢斜坡部分之前并且比所述慢斜坡部分短。
10.一种用于使线圈放电的方法,所述方法包括:
将所述线圈充电至线圈电流;
接收软关断激活信号,所述软关断激活信号指示需要对所述线圈进行软关断;
确定所述线圈电流低于耦接到所述线圈的晶体管的电流限值;
根据快斜坡曲线来减小所述晶体管的所述电流限值;
确定所述线圈电流等于所述晶体管的所述电流限值;以及
根据慢斜坡曲线来减小所述晶体管的所述电流限值,直到使所述线圈放电。
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