CN111837227A - 通过倾斜照射的前层扰乱减少 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的方法及系统。一种方法包含：通过以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片而检测所述晶片上的缺陷；及基于与所述缺陷对应的输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置。对于在针对在所述光以所述第一角及所述第二角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者，所述方法包含将基于在所述光以所述第一角及所述第二角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较。所述方法进一步包含基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。

Description

通过倾斜照射的前层扰乱减少
技术领域
本发明一般来说涉及用于通过倾斜照射的前层扰乱减少的方法及系统。某些实施例涉及用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的方法及系统。
背景技术
以下说明及实例并不由于其包含于此章节中而被认为是现有技术。
可使用例如电子设计自动化(EDA)、计算机辅助设计(CAD)及其它集成电路(IC)设计软件的方法或系统来开发IC设计。此些方法及系统可用于从IC设计产生电路图案数据库。电路图案数据库包含表示IC的各种层的多个布局的数据。电路图案数据库中的数据可用于确定多个光罩的布局。光罩的布局通常包含界定所述光罩上的图案中的特征的多个多边形。每一光罩用于制作IC的各种层中的一者。IC的层可包含(举例来说)半导体衬底中的结图案、栅极电介质图案、栅极电极图案、层间电介质中的接触图案及金属化层上的互连图案。
制作例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含使用大量半导体制作过程来处理例如半导体晶片的衬底以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制作过程。半导体制作过程的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可将多个半导体装置制作于单个半导体晶片上的布置中且然后将其分离成个别半导体装置。
在半导体制造过程期间在各种步骤处使用检验过程来检测晶片上的缺陷以促进在制造过程中的较高合格率及因此较高利润。检验始终是制作例如IC的半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对可接受半导体装置的成功制造变得甚至更加重要，这是因为较小缺陷可导致装置出故障。
然而，随着设计规则缩小，半导体制造过程可更接近于对所述过程的性能能力的限制而操作。另外，随着设计规则缩小，较小缺陷可对装置的电参数具有影响，这驱动更敏感检验。因此，随着设计规则缩小，通过检验所检测到的潜在合格率相关缺陷的族群显著地增长，且通过检验所检测到的扰乱缺陷的族群也显著地增加。因此，可在晶片上检测到愈来愈多的缺陷，且校正所述过程以消除所有缺陷可为困难且昂贵的。
因此，将扰乱缺陷与用户在意的缺陷分开对于提供有用检验结果是重要的。针对光学检验的一个尤其有问题扰乱缺陷源是起源于除正在检验的一个层以外的层上而检测到的缺陷。举例来说，正在检验的层(即，当前层)可形成于一或多个其它层的顶部上。那些一或多个下伏层可具有形成于其上面或形成于那些层内的缺陷。取决于层的材料及检验工具的配置，检验工具可检测到在当前层下面的那些缺陷。然而，那些先前层缺陷可不受用户关注。替代地，用户可仅在意当前层缺陷。
因此，准确地识别当前层缺陷及先前层缺陷且将当前层缺陷与先前层缺陷分开是重要的。执行先前层缺陷减少的一种方式是使用数个基于缺陷源分析的技术中的一者。举例来说，可将在检验层之前的层上所检测到的所有缺陷基于其图像及/或坐标而减去。用于将当前层缺陷与先前层缺陷分开的另一选项是基于属性的分格及/或调谐。可在扰乱及所关注缺陷(DOI)的片块图像看起来彼此不同时执行此分格及/或调谐。
然而，当前可用方法及系统存在若干个缺点。举例来说，对于基于缺陷源分析的技术，必须在前层处执行扫描，这需要在一个额外检验步骤处检验晶片(这也许是不可能的或也许是太耗时的)。在另一实例中，在基于属性的分格及/或调谐中，此方法在DOI及扰乱的片块图像看起来相同时将不起作用。
因此，开发用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统及方法(其不具有上文所描述的缺点中的一或多者)将是有利的。
发明内容
各种实施例的以下说明不应以任何方式被视为限制所附权利要求书的标的物。
一个实施例涉及一种经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统。所述系统包含检验系统，所述检验系统至少包含照射子系统及检测子系统。所述照射子系统经配置而以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片。所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出。所述系统还包含经配置以用于进行以下操作的一或多个计算机子系统：通过将缺陷检测方法应用于通过以所述第一入射角及所述第二入射角将所述光引导到所述晶片而产生的所述输出来检测所述晶片上的缺陷；及基于与所述缺陷对应的所述输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置。对于在针对在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者，所述一或多个计算机子系统还经配置以用于将基于在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较。所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。可如本文中所描述而进一步配置所述系统。
另一实施例涉及一种用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的计算机实施的方法。所述方法包含利用如上文所描述而配置的检验子系统通过将缺陷检测方法应用于通过以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片而产生的输出来检测所述晶片上的缺陷。所述方法还包含基于与所述缺陷对应的所述输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置。对于在针对在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者，所述方法包含将基于在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较。另外，所述方法包含基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。由耦合到所述检验子系统的一或多个计算机子系统执行所述检测、确定所述位置、比较及确定所述层的步骤。
可如本文中进一步描述而进一步执行上文所描述的所述方法的步骤中的每一者。另外，上文所描述的所述方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，上文所描述的所述方法可由本文中所描述的系统中的任一者来执行。
额外实施例涉及一种存储可在计算机系统上执行以用于执行计算机实施的方法以确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。所述计算机实施的方法包含上文所描述的方法的步骤。可如本文中所描述而进一步配置所述计算机可读媒体。可如本文中进一步描述而执行所述计算机实施的方法的步骤。另外，可为其执行所述程序指令的所述计算机实施的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。
另一实施例涉及一种经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统。所述系统包含检验子系统，所述检验子系统至少包含照射子系统及检测子系统。所述照射子系统经配置而以倾斜入射角将光引导到晶片。所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出。所述系统还包含经配置以用于进行以下操作的一或多个计算机子系统：通过将缺陷检测方法应用于所述输出来检测所述晶片上的缺陷；及确定所述缺陷在用于所述晶片的设计的坐标中的位置。对于所述缺陷中的一者，所述一或多个计算机子系统经配置以用于将所述缺陷中的所述一者的所述位置与所述设计的当前层中的经图案化特征的位置进行比较。所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。可如本文中所描述而进一步配置所述系统。
另一实施例涉及一种用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的计算机实施的方法。所述方法包含利用如上文所描述而配置的检验子系统通过将缺陷检测方法应用于通过将光引导到晶片倾斜入射而产生的输出来检测所述晶片上的缺陷。所述方法还包含确定所述缺陷在用于所述晶片的设计的坐标中的位置。对于所述缺陷中的一者，所述方法包含将所述缺陷中的所述一者的所述位置与所述设计的当前层中的经图案化特征的位置进行比较。另外，所述方法包含基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。由耦合到所述检验子系统的一或多个计算机子系统执行所述检测、确定所述位置、比较及确定所述层的步骤。
可如本文中进一步描述而进一步执行上文所描述的所述方法的步骤中的每一者。另外，上文所描述的所述方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，上文所描述的所述方法可由本文中所描述的系统中的任一者来执行。
额外实施例涉及一种存储可在计算机系统上执行以用于执行计算机实施的方法以确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。所述计算机实施的方法包含上文所描述的方法的步骤。可如本文中所描述而进一步配置所述计算机可读媒体。可如本文中进一步描述而执行所述计算机实施的方法的步骤。另外，可为其执行所述程序指令的所述计算机实施的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。
附图说明
在阅读以下详细说明时且在参考附图时，本发明的其它目标及优点将变得显而易见，在图式中：
图1是图解说明如本文中所描述而配置的系统的实施例的侧视图的示意图；
图2是图解说明晶片上的先前层缺陷及当前层缺陷的一个实例的平面图、在光经引导到先前层缺陷且从先前层缺陷反射的情况下不同缺陷的侧视图及在光经引导到当前层缺陷且从当前层缺陷反射的情况下不同缺陷的侧视图的示意图；
图3是图解说明在不同入射角的情况下根据本文中针对图2的先前层缺陷及当前层缺陷所描述的实施例确定的缺陷位置的平面图的示意图；
图4及5是图解说明用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的方法的实施例的流程图；且
图6是图解说明非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图，所述非暂时性计算机可读媒体存储可在计算机系统上执行以用于执行本文中所描述的计算机实施的方法中的一或多者的程序指令。
虽然易于对本发明做出各种修改及替代形式，但其特定实施例是在图式中以实例的方式展示且将在本文中详细描述。然而，应理解，图式及对其的详细说明并非打算将本发明限制于所揭示的特定形式，而是相反，本发明打算涵盖归属于如由所附权利要求书所界定的本发明的精神及范围内的所有修改、等效形式及替代形式。
具体实施方式
如本文中所使用的术语“设计”、“设计数据”及“设计信息”通常是指IC的物理设计(布局)以及通过复杂模拟或简单几何及布林运算从物理设计导出的数据。另外，光罩检验系统所获取的光罩的图像及/或其导出物可用作设计的一“代理”或若干“代理”。在使用设计的本文中所描述的任何实施例中，此光罩图像或其导出物可用作设计布局的替代物。设计可包含在共同拥有的扎法尔(Zafar)等人于2009年8月4日发布的第7,570,796号美国专利及库尔卡尼(Kulkarni)等人于2010年3月9日发布的第7,676,077号美国专利中所描述的任何其它设计数据或设计数据代理，所述美国专利两者均好像完全陈述于本文中似得以引用方式并入。另外，设计数据可为标准单元库数据、集成布局数据、一或多个层的设计数据、设计数据的导出物及全部或部分芯片设计数据。
然而，一般来说，设计信息或数据无法通过利用晶片检验系统使晶片成像而产生。举例来说，形成于晶片上的设计图案可能不会准确地表示晶片的设计且晶片检验系统可能不能够以充分分辨率产生形成于晶片上的设计图案的图像使得所述图像可用于确定关于晶片的设计的信息。因此，一般来说，设计信息或设计数据无法使用物理晶片来产生。另外，本文中所描述的“设计”及“设计数据”是指由半导体装置设计者在设计过程中产生且因而在将设计印刷于任何物理晶片上之前可很好地用于本文中描述的实施例中的信息及数据。
现在转向图式，应注意，各图并未按比例绘制。特定地，所述图的元件中的一些元件的比例被大为放大以强调所述元件的特性。还应注意，所述图并未按相同比例绘制。已使用相同参考编号指示可类似地配置的在一个以上图中所展示的元件。除非本文中另外提及，否则所描述及所展示的元件中的任何元件可包含任何适合可商购元件。
一般来说，本文中所描述的实施例经配置以用于通过倾斜照射的前层扰乱减少。一个实施例涉及经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统。在图1中展示此系统的一个实施例。所述系统包含检验子系统，所述检验子系统至少包含照射子系统及检测子系统。所述照射子系统经配置而以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片，且所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出。所述晶片可包含所属领域中已知的任何晶片。
在图1中所展示的系统的实施例中，检验子系统10包含经配置以将光引导到晶片14的照射子系统。在图1中所展示的实施例中，所述照射子系统包含两个照射通道，一个照射通道经配置而以第一入射角(AOI)将光引导到晶片且另一照射通道经配置而以第二AOI将光引导到晶片。另外，如图1中所展示，所述第一AOI是法向AOI，且所述第二AOI是倾斜AOI。
所述照射通道中的每一者包含至少一个光源。举例来说，如图1中所展示，第一照射通道包含光源16。来自光源16的光经引导穿过光学元件18且然后穿过透镜20到达分束器21，分束器21将所述光引导到透镜22。透镜22以法向入射角将所述光引导到晶片14。第二照射通道包含光源24。来自光源24的光经引导穿过光学元件26且然后穿过透镜28，透镜28以倾斜AOI将所述光引导到晶片14。以此方式，在一个实施例中，第一AOI包含法向AOI，且第二AOI包含倾斜AOI。所述倾斜AOI可包含任何适合倾斜AOI且可取决于(举例来说)晶片的特性而变化。
第一AOI及第二AOI还可包含不同AOI范围。举例来说，第一AOI可包含AOI范围或包含于第一AOI范围中，且第二AOI可包含不同AOI范围或包含于第二AOI范围中。第一AOI范围及第二AOI范围可为离散的且彼此相互排斥。然而，不同AOI范围未必需要彼此相互排斥。
将光引导到晶片的AOI可为可(举例来说)通过改变照射通道中的一或多者的一或多个元件的位置及/或改变照射子系统的一或多个元件的一或多个参数而变更的。举例来说，在另一实施例中，第一AOI及第二AOI包含不同倾斜AOI。在一个此类实施例中，包含光源16的照射通道的参数可经变更使得其以倾斜AOI而非如图1中所展示的法向AOI将光引导到晶片。在另一此类实施例中，包含光源24的照射通道可经配置使得其在一个时间以一个倾斜AOI且在另一时间以另一倾斜AOI将光引导到晶片。
照射子系统可经配置以在不同时间以不同AOI将光引导到晶片。举例来说，在一个实施例中，照射子系统经配置以在晶片的第一扫描中以第一AOI将光引导到晶片且在晶片的第二扫描中以第二AOI将光引导到晶片。可如本文中进一步描述而执行第一扫描及第二扫描。在一个此类实施例中，图1中所展示的照射通道中的一者用于第一扫描，且图1中所展示的照射通道中的另一者用于第二扫描。然而，同一照射通道可用于第一扫描及第二扫描，其中照射通道的一或多个参数在所述扫描之间变更，借此改变照射通道的AOI。
在一些例子中，检验子系统可经配置以同时以第一AOI及第二AOI将光引导到晶片。举例来说，如果同时以不同AOI将光引导到晶片，那么以不同AOI经引导到晶片的光的一或多个特性(例如，波长、偏光等)可为不同的，使得因以不同AOI照射晶片而产生的光可在检测器处彼此区别开。在一个此类实例中，图1中所展示的照射通道中的一者可经配置以用于具有第一波长范围的照射，且照射通道中的另一者可经配置以用于具有不同于所述第一波长范围的第二波长范围的照射。不同照射通道还可或替代地经配置以用于具有不同偏光的照射。
在一个实施例中，第一AOI及第二AOI包含不同的极角及相同的一或多个方位角。举例来说，光可在同一入射平面中且以不同极角经引导到晶片及/或在同一入射平面中且以不同极角居中。在图1中所展示的实施例中，两个照射通道可经配置以在同一入射平面(其是纸的平面)中将光引导到晶片。以第一AOI及第二AOI经引导到晶片的光还可以相同的一个方位角及/或以相同方位角范围经引导到晶片。在任一情形中，不同AOI可仅在极角方面是不同的以借此简化如本文中针对在晶片上所检测到的缺陷所描述而执行的步骤(尽管不同AOI未必需要具有相同方位角)。
在另一实施例中，以第一AOI及第二AOI经引导到晶片的光的入射平面是相对于晶片上的经图案化特征以介于0度与180度之间的角度而定向。举例来说，传入光的平面不必须垂直于晶片上的经图案化特征(例如，沟槽样结构)而是可在任一方向上(从0度到180度)定向。
在另一例子中，照射子系统可包含仅一个光源(例如，图1中展示的源16)，且来自所述光源的光可通过照射子系统的一或多个光学元件(未展示)而分离到不同光学路径中(例如，基于波长、偏光等)。然后可以不同AOI将不同光学路径中的每一者中的光引导到晶片。替代地，照射子系统可包含仅一个照射通道，且所述照射通道可经配置以在不同时间以不同AOI将光引导到晶片(例如，通过在晶片的扫描之间改变照射通道的一或多个参数)。照射子系统可具有所属领域中已知的用于以不同入射角依序或同时将具有不同或相同特性的光引导到晶片的任何其它适合配置。
在一个实施例中，光源16及/或光源24可包含宽带等离子体(BBP)光源。以此方式，由光源产生且经引导到晶片的光可包含宽带光。然而，所述光源可包含例如激光器的任何其它适合光源，所述激光器可包含所属领域中已知的任何适合激光器且可经配置以产生处于所属领域中已知的任何或若干适合波长的光。另外，所述激光器可经配置以产生是单色或几乎单色的光。以此方式，所述激光器可为窄带激光器。所述光源还可包含产生处于多个离散波长或波段的光的多色光源。光源16及24还可包含不同类型的光源及/或具有相同或不同配置的光源。
光学元件18及26可包含例如偏光组件、光谱滤光器、空间滤波器、反射光学元件、切趾器、光圈等等的任何适合光学元件，其可包含所属领域中已知的任何此类适合光学元件。光学元件18及26可为不同类型的光学元件及/或可具有相同或不同配置。尽管透镜20、22及26在图1中经展示为单个折射光学元件，但应理解，在实务上，透镜20、22及26中的每一者可包含以组合方式将光从光学元件聚焦到晶片的若干个折射及/或反射光学元件。分束器21可包含所属领域中已知的任何适合分束器。图1中所展示且本文中所描述的照射子系统可包含任何其它适合光学元件(未展示)。另外，所述系统可经配置以基于将用于检验的照射类型而变更照射子系统的元件中的一或多者。
检验子系统还可包含经配置以致使光在晶片上方进行扫描的扫描子系统。举例来说，检验子系统可包含载台30，在检验期间将晶片14安置于载台30上。扫描子系统可包含可经配置以使晶片移动使得光可在晶片上方进行扫描的任何适合机械及/或机器人组合件(其包含载台30)。另外或替代地，检验子系统可经配置使得检验子系统的一或多个光学元件执行光在晶片上方的某一扫描。光可以任何适合方式在晶片上方进行扫描。
检测子系统包含一或多个检测通道。所述一或多个检测通道中的每一者包含检测器，所述检测器经配置以检测由于晶片的照射而来自晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出。举例来说，图1中所展示的检测子系统包含两个检测通道，一个检测通道由集光器32、元件34及检测器36形成且另一检测通道由集光器38、元件40及检测器42形成。如图1中所展示，所述两个检测通道经配置而以不同收集角度收集且检测光。
在一个实施例中，由于以第一AOI及第二AOI经引导到晶片的光而由检测子系统所检测到的光包含经镜面反射光。举例来说，在一些例子中，两个检测通道经配置以检测经镜面反射光。举例来说，包含检测器36的检测通道可经配置以检测由以法向AOI进行照射引起的经镜面反射光，且包含检测器42的检测通道可经配置以检测由以倾斜AOI进行照射引起的经镜面反射光。以类似方式，检测通道中的一者可经配置以检测由以一个倾斜AOI进行照射引起的光，且另一检测通道可经配置以检测由以不同倾斜AOI进行照射引起的光。以此方式，不同检测通道可经配置以检测由以不同AOI(不管那些AOI是什么)进行照射引起的光。在另一实施例中，两个检测通道可经配置以分别检测由于以不同AOI照射晶片而从晶片散射的光。
尽管图1展示包含两个检测通道的检验子系统的实施例，但检验子系统可包含不同数目个检测通道(例如，仅一个检测通道或者两个或更多个检测通道)。举例来说，一个检测通道可经配置以检测由在第一扫描中以一个AOI进行照射引起的光且然后检测由在第二扫描中以另一AOI进行照射引起的光。尽管集光器中的每一者在图1中展示为单个折射光学元件，但应理解，集光器中的每一者可包含一或多个折射光学元件及/或一或多个反射光学元件。元件24及40可包含例如偏光组件、光谱滤光器、空间滤波器、反射光学元件、光圈等等的任何适合光学元件，其可包含所属领域中已知的任何此类适合光学元件。元件24及40可包含不同类型的元件及/或可具有相同或不同配置。
检测器36及42可包含不同类型的检测器及/或可具有相同或不同配置。所述检测器可包含光电倍增管(PMT)、电荷耦合装置(CCD)、时间延迟积分(TDI)相机或所属领域中已知的任何其它适合检测器。所述检测器还可包含非成像检测器或成像检测器。如果所述检测器是非成像检测器，那么所述检测器中的每一者可经配置以检测经散射光的某些特性(例如强度)但不可经配置以依据在成像平面内的位置而检测此些特性。如此，由包含于检验子系统的检测通道中的每一者中的检测器中的每一者产生的输出可为信号或数据，但并非图像信号或图像数据。在此类例子中，系统的计算机子系统(例如计算机子系统44)可经配置以依据检测器的非成像输出而产生晶片的图像。然而，在其它例子中，所述检测器可经配置为成像检测器，所述成像检测器经配置以产生成像信号或图像数据。因而，系统可经配置而以若干种方式产生本文中所描述的输出。
应注意，图1在本文中经提供以大体图解说明可包含于本文中所描述的系统实施例中的检验子系统的配置。显然地，可更改本文中所描述的检验子系统配置以优化系统的性能，如在设计商业检验系统时通常所执行。另外，可使用例如可从KLA-Tencor购得的28xx及29xx系列工具的现有检验系统来实施本文中所描述的系统(例如，通过将本文中所描述的功能性添加到现有检验系统)。针对一些此类系统，可将本文中所描述的方法作为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性之外)而提供。替代地，可“从零开始”设计本文中所描述的系统以提供全新系统。
系统的计算机子系统44可以任何适合方式(例如，经由一或多个传输媒体，其可包含“有线”及/或“无线”传输媒体)耦合到检验子系统的检测器，使得计算机子系统可接收在晶片的扫描期间由检测器产生的输出。计算机子系统44可经配置以执行如本文所描述的使用检测器的输出的若干个功能以及本文中进一步描述的任何其它功能。可如本文中所描述而进一步配置此计算机子系统。
此计算机子系统(以及本文中所描述的其它计算机子系统)还可在本文中称为计算机系统。本文中所描述的计算机子系统或系统中的每一者可采用各种形式，包含个人计算机系统、图像计算机、主机计算机系统、工作站、网络器具、因特网器具或其它装置。一般来说，术语“计算机系统”可广泛定义为囊括具有一或多个处理器的执行来自存储器媒体的指令的任何装置。计算机子系统或系统还可包含所属领域中已知的任何适合处理器，例如平行处理器。另外，计算机子系统或系统可包含具有高速处理及软件的计算机平台作为独立工具或经联网工具。
如果所述系统包含一个以上计算机子系统，那么不同计算机子系统可彼此耦合使得图像、数据、信息、指令等可在计算机子系统之间发送，如本文中进一步描述。举例来说，计算机子系统44可通过可包含所属领域中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体的任何适合传输媒体耦合到计算机子系统46(如图1中的虚线所展示)。此些计算机子系统中的两者或多于两者还可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)而有效地耦合。
如上所述，检验子系统经配置以用于将光引导到晶片的物理版本及/或使光在晶片的物理版本上方扫描借此针对晶片的物理版本而产生实际(即，非模拟)输出及/或图像。以此方式，检验子系统可配置为“实际”工具，而非“虚拟”工具。然而，图1中所展示的计算机子系统46可包含经配置以用于使用针对晶片而产生的实际光学图像及/或实际电子束图像中的至少一些来执行一或多个功能的一或多个“虚拟”系统(未展示)，所述一或多个功能可包含本文中进一步描述的一或多个功能中的任一者。
所述一或多个虚拟系统不能够使晶片安置于其中。特定地，所述虚拟系统并非检验子系统10的一部分且不具有用于处置晶片的物理版本的任何能力。换句话说，在配置为虚拟系统的系统中，其一或多个“检测器”的输出可为先前由实际检验子系统的一或多个检测器产生且存储于虚拟系统中的输出，且在“成像及/或扫描”期间，虚拟系统可重播所存储输出，好似正在使晶片成像及/或扫描晶片一样。以此方式，利用虚拟系统使晶片成像及/或扫描晶片可似乎与利用实际系统使物理晶片成像及/或扫描所述物理晶片一样，虽然实际上，“成像及/或扫描”涉及仅仅以与可使晶片成像及/或扫描晶片相同的方式重播针对晶片的输出。
在共同让与的巴斯卡尔(Bhaskar)等人于2012年2月28日发布的第8,126,255号美国专利及达菲(Duffy)等人于2015年12月29日发布的第9,222,895号美国专利中描述配置为“虚拟”检验系统的系统及方法，所述美国专利两者均好像完全陈述于本文中似得以引用方式并入。可如这些专利中所描述而进一步配置本文中所描述的实施例。举例来说，可如这些专利中所描述而进一步配置本文中所描述的一或多个计算机子系统。
所述计算机子系统经配置以用于通过将缺陷检测方法应用于通过以第一AOI及第二AOI将光引导到晶片而产生的输出来检测晶片上的缺陷。可利用任何适合缺陷检测方法及/或算法以所属领域中已知的任何适合方式(例如，将缺陷检测阈值应用于所述输出且确定具有高于阈值的值的任何输出对应于缺陷或潜在缺陷)来执行检测晶片上的缺陷。
方法还包含基于与缺陷对应的输出而确定缺陷的位置。如本文中进一步描述，可以若干个不同方式确定所检测缺陷的位置。在一个实施例中，以子像素准确度确定所检测缺陷的位置。如本文中所使用的术语“子像素”通常定义为比由检验子系统产生的输出的像素小。以此方式，如本文中所使用的术语“子像素准确度”通常可定义为以比由检验子系统获取的图像中的单个像素的大小(从一侧到另一侧的距离)小的误差确定某事物(例如缺陷位置)。本文中进一步描述的缺陷位置确定使得能够以子像素准确度来确定缺陷位置。举例来说，可如本文中进一步描述而执行缺陷的点散布函数的内插以借此以子像素准确度来确定缺陷位置。
在一个实施例中，确定所述位置包含在输出内对缺陷的位置进行内插。可执行内插以将与缺陷对应的输出(例如，差图像的一部分，其可如本文中所描述而产生)增加取样到比输出中的像素栅格精细的像素栅格上且使用所述较精细像素栅格中具有最强信号的像素的中心的位置作为缺陷的位置。可以所属领域中已知的任何适合方式执行这些步骤。还可以所属领域中已知的任何其它适合方式执行所述内插。
在一些实施例中，确定所述位置包含在输出内对缺陷的位置进行内插且将输出与晶片的设计信息对准。举例来说，可使用可从KLA-Tencor购得的最新与设计对准的方法及系统以及缺陷位置内插技术来执行尽可能好地对每一缺陷的位置进行内插。另外，晶片的设计信息中的层信息可用于将设计与由检验子系统产生的光学片块图像基本上准确地对准。一旦将设计与光学图像对准，从光学片块图像提取的缺陷坐标便与设计叠加。以此方式，可确定缺陷在设计空间中的高度准确坐标(即，“设计坐标”)且然后可如本文中进一步描述使其与层结构相关。
可以若干个不同方式来执行将输出(例如，图像)与设计信息对准。举例来说，在一些实施例中，所述对准包含最大化输出与设计信息之间的交叉相关。在一个此类实例中，在检验时，可通过最大化图像与设计信息之间的交叉相关而将所测量图像与设计信息对准。在对准中所使用的交叉相关可包含所属领域中已知的任何适合交叉相关，例如经正规化交叉相关。还可执行将针对所检测缺陷的输出与晶片的设计信息对准，如库尔卡尼的在上文并入的专利中所描述。本文中所描述的实施例可经配置以执行此专利中所描述的对准中的任一者。
在另一实施例中，检测缺陷包含通过从输出的不同部分减去不同部分的参考输出而针对输出的所述不同部分产生差图像且将缺陷检测方法应用于所述差图像，并且通过将差图像的与所检测缺陷对应的一部分拟合到函数而执行确定所检测缺陷的位置。可以任何适合方式来获取参考输出。在一个实例中，参考输出可为针对晶片上的对应位置而产生的输出。在特定实例中，输出的不同部分可包含针对晶片上的裸片中的不同区而产生的输出，且参考输出可包含针对晶片上的不同裸片中的对应区而产生的输出。产生差图像可包含对准参考输出与输出的对应部分且然后从输出的对应部分减去参考输出，这可以任何适合方式来执行。可如本文中进一步描述而将缺陷检测方应用于差图像。
差图像的部分所拟合到的函数可为数个可能函数中的一者。一般来说，缺陷的点散布函数的抛物线拟合可用于对缺陷位置进行内插。还可使用较高级多项式，但其在计算上较昂贵。举例来说，所述函数可为高斯函数。在此实例中，可将与所检测缺陷对应的差图像中的所测量信号拟合到所检测缺陷的预期信号分布曲线(例如，高斯分布曲线)。换句话说，计算机子系统可针对缺陷位置使用高斯模型进行拟合。对于检验子系统的一些模式且对于具有不规则信号分布曲线的缺陷，缺陷位置可通过拟合到对这些信号分布曲线的模拟来确定。在另一实例中，通过将差图像的与缺陷对应的一部分拟合到艾瑞盘(Airy disc)函数而执行确定所检测缺陷的位置。举例来说，可用于描述缺陷分布曲线的函数可包含可以分析方式描述的函数(例如，艾瑞盘或多项式)或从测量导出的函数(例如，测量一组缺陷且共同对其分布曲线求平均)。用于检验子系统的预期信号分布曲线的模型或函数可包含具有所属领域中已知的任何适合格式的所属领域中已知的任何适合此类模型或函数。另外，可以任何适合方式执行差图像的部分到信号分布曲线的模型的拟合。
对于在针对在光以第一AOI及第二AOI经引导到晶片的情况下照射于晶片上的一个光点而产生的输出中所检测到的缺陷中的一者，一或多个计算机子系统经配置以用于将基于在光以第一AOI及第二AOI经引导到晶片上的一个光点的情况下产生的输出而确定的缺陷中的一者的位置进行比较且基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。在一个实施例中，确定所述层包含：如果所述比较的结果指示缺陷中的一者的位置是相同的，那么确定所述层是当前层；及如果所述比较的结果指示缺陷中的一者的位置是不同的，那么确定所述层是先前层。举例来说，为将位于特定层的顶部处的缺陷与位于底部处的缺陷区分开，在传入光的法向照射与倾斜照射之间将经投影缺陷位置进行比较。如果这两个照射角的缺陷位置出现在同一位置处，那么缺陷最可能源于当前层，且如果其出现在不同一位置处，那么缺陷应来自前层。
图2及3图解说明不同缺陷及其缺陷位置，所述缺陷位置是通过使用不同AOI确定缺陷位于哪一层上而确定。举例来说，如平面图200中所展示，缺陷202及204位于在形成于晶片上的两个沟槽206中的一者内的不同一位置处。如横截面层208中所展示，缺陷202位于沟槽的顶部处且因此是当前层缺陷，而缺陷204位于沟槽的底部处且因此是先前层缺陷。以此方式，缺陷202可为DOI，而缺陷204可为扰乱缺陷。
在利用检验子系统扫描晶片期间，可在光以多个AOI经引导到晶片的情况下照射两个缺陷，且可通过检验子系统检测由于以两个AOI进行照射而来自缺陷的光。举例来说，如横截面图208中所展示，可在光210处于可产生经镜面反射光212的倾斜AOI的情况下照射缺陷204。另外，如横截面图208中所展示，可在光214处于可产生经镜面反射光216的法向AOI的情况下照射缺陷204。以类似方式，如横截面图218中所展示，可在光210处于可产生经镜面反射光220的倾斜AOI的情况下照射缺陷202。另外，如横截面图208中所展示，可在光214处于可产生经镜面反射光222的法向AOI的情况下照射缺陷202。可以本文中所描述的任何两个照射角且以本文中所描述的任一方式使缺陷成像。
图3中所展示的平面图224及226图解说明在基于使用不同AOI所检测到的光而确定时缺陷202及204的缺陷位置的差异。举例来说，基于法向AOI光214而确定平面图224中的缺陷位置，而基于倾斜AOI光216而确定平面图226中的缺陷位置。如利用平面图224与226的比较所展示，使用两个AOI所确定的缺陷202的位置是相同的。相比之下，使用两个AOI所确定的缺陷204的位置是不同的。由于缺陷202的位置被确定为相同的，因此此缺陷将被确定为当前层缺陷。由于缺陷204的位置被确定为不同的，因此此缺陷将被确定为先前层缺陷。
在倾斜照射角下与法向照射组合来使用检验/图像收集以用于将先前层缺陷与当前层缺陷分开被认为是本文中所描述的实施例的新特征。另外，在将导致DOI及扰乱缺陷位置的移位的任何两个照射下的检验/图像收集被认为是本文中所描述的实施例的新特征。举例来说，可在本文中所描述的实施例中使用两个倾斜照射角。
在一个实施例中，计算机子系统经配置以用于基于针对缺陷中的一者确定的层而确定缺陷中的一者是否为扰乱缺陷。如本文中所使用的术语“扰乱缺陷”通常定义为如此在晶片上所检测到但并非用户在意的缺陷的缺陷。在一些实施例中，扰乱缺陷包含对于基于电子束的工具不可见的扰乱缺陷。举例来说，本文中所描述的实施例可用于在扰乱缺陷在当前层中对于扫描电子显微镜(SEM)再检测工具不可见时识别扰乱缺陷源。特定地，一般来说，SEM不能够检测到在晶片的最上部表面下面的缺陷，这归因于SEM自身的性质(电子未穿透所述最上部表面或未以使其可检测到的方式从所述最上部表面下方返回)。如此，SEM不能够检测到且分析在晶片上的最上部表面下面的扰乱缺陷。相比之下，一些光学检验系统能够检测到在晶片的最上部表面下面的缺陷。此缺陷检测取决于检验目标而可为有利的或不利的。在一些情形中，对在晶片的最上部表面下面的缺陷的检测甚至在其不被期望时可为不可避免的。然而，此些缺陷本质上可为扰乱缺陷，这是因为用户不在意所述缺陷及/或所述缺陷对于其中检测所述缺陷的检验来说并非DOI。
在一个此类实施例中，计算机子系统经配置以用于进行如下操作：如果层被确定为先前层，那么确定缺陷中的一者是扰乱缺陷。
如上文进一步描述，照射子系统可经配置以在晶片的不同扫描中以不同AOI将光引导到晶片。在一个此类实施例中，晶片的第二扫描包含仅在使用在第一扫描中产生的输出所检测到的缺陷的位置处响应于所检测到的光而产生输出。在图4中展示此实施例的一个实例。特定地，如图4中所展示，在步骤400中，计算机子系统可以最佳DOI检测模式来运行检验且收集所有缺陷位置处的片块图像。在步骤402中，计算机子系统可收集在以倾斜角照射晶片时同一位置处的图像数据。如步骤404中所展示，计算机子系统可确定缺陷针对法向照射及倾斜照射是否在片块图像中的同一位置处。如果缺陷被确定为针对法向照射及倾斜照射在片块图像中的同一位置处，那么计算机子系统可在步骤406中确定缺陷最可能是当前层缺陷。如果缺陷未被确定为针对法向照射及倾斜照射在片块图像中的同一位置处，那么计算机子系统可在步骤408中确定缺陷最可能是前层扰乱。
本文中所描述的实施例具有优于用于将先前层缺陷与当前层缺陷分开的其它方法及系统的若干个优点。举例来说，在本文中所描述的实施例中，可将前层扰乱与当前层DOI区分开借此改进检验处方的敏感度。另外，本文中所描述的实施例有利地减少检验时间，这是因为不需要扫描前层。
系统的实施例中的每一者可根据本文中所描述的任何其它实施例而进一步配置。
另一实施例涉及用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的计算机实施的方法。所述方法包含针对上文所描述的计算机子系统的功能中的每一者的步骤。如本文中所描述而配置检验子系统。
可如本文中进一步描述而执行所述方法的步骤中的每一者。所述方法还可包含可由本文中所描述的检验子系统、计算机子系统及/或系统执行的任何其它步骤。由可根据本文中所描述的实施例中的任一者而配置的一或多个计算机子系统执行所述方法的步骤。另外，可通过本文中所描述的系统实施例中的任一者来执行上文所描述的方法。
另一实施例涉及经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的另一系统。此系统包含检验子系统，所述检验子系统至少包含照射子系统及检测子系统。所述照射子系统经配置而以倾斜入射角将光引导到晶片。所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出。可如图1中所展示而配置此检验子系统。然而，在此实施例中，所述检验子系统可仅包含经配置而以倾斜AOI将光引导到晶片的一个照射通道。此照射通道可为包含光源24的照射通道。另外，包含于此检验子系统中的检测子系统可仅包含一个检测通道，举例来说，包含检测器42的检测通道。可如本文中所描述及图1中所展示而进一步配置此检验子系统。举例来说，在一个实施例中，所检测到的光包含经镜面反射光。所述检验子系统可经配置以检测经镜面反射光，如本文中进一步描述。
此系统还包含一或多个计算机子系统，所述一或多个计算机子系统可配置为图1中所展示的计算机子系统44及/或计算机子系统36。所述一或多个计算机子系统经配置以用于通过将缺陷检测方法应用于输出来检测晶片上的缺陷，这可如本文中进一步描述而执行。计算机子系统还经配置以用于确定缺陷在用于晶片的设计的坐标中的位置，这可如本文中进一步描述而执行。在一个实施例中，确定所述位置包含在输出内对缺陷的位置进行内插，这可如本文中进一步描述而执行。在另一实施例中，确定所述位置包含在输出内对缺陷的位置进行内插，且所述比较包含将输出与晶片的设计信息对准，这可如本文中所描述而执行。将在倾斜照射角下收集的缺陷位置投影到设计空间中被认为是本文中所描述的实施例的新特征。
对于缺陷中的一者，计算机子系统经配置以用于将缺陷中的一者的位置与设计的当前层中的经图案化特征的位置进行比较。举例来说，如果确定缺陷的位置包含基于设计的对准(这可如本文中所描述而执行)，那么可在设计空间中准确地确定缺陷位置，这帮助找出缺陷来自哪一层。
计算机子系统进一步经配置以用于基于所述比较的结果而确定缺陷中的一者位于上面的晶片的层。
在一个实施例中，计算机子系统经配置以用于基于针对缺陷中的一者确定的层而确定缺陷中的一者是否为扰乱缺陷，这可如本文中进一步描述而执行。在另一实施例中，确定所述层包含：如果所述比较的结果指示缺陷中的一者的位置在当前层中的经图案化特征的位置内，那么确定所述层是当前层。在一个此类实施例中，计算机子系统经配置以用于进行如下操作：如果缺陷中的一者未被确定为位于当前层上，那么确定所述缺陷中的所述一者是扰乱缺陷，这可如本文中进一步描述而执行。
在图5中展示此实施例的一个实例。举例来说，如图5的步骤500中所展示，计算机子系统可执行晶片与设计对准。在步骤502中，计算机子系统可使用倾斜照射角来运行检验。在步骤504中，计算机子系统可在设计空间中对缺陷位置进行内插。在步骤506中，计算机子系统可确定缺陷是否在当前层设计内。如果缺陷被确定为在当前层设计内，那么计算机子系统可在步骤508中确定缺陷最可能是当前层缺陷。如果缺陷被确定为不在当前层设计内，那么计算机子系统可确定缺陷最可能是前层扰乱，如步骤510中所展示。
这些实施例还具有优于上文所描述的用于将先前层缺陷与当前层缺陷分开的其它方法及系统的相同优点。系统的实施例中的每一者可根据本文中所描述的任何其它实施例而进一步配置。
另一实施例涉及用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的计算机实施的方法。所述方法包含针对上文所描述的计算机子系统的功能中的每一者的步骤。如本文中所描述而配置检验子系统。
可如本文中进一步描述而执行所述方法的步骤中的每一者。所述方法还可包含可由本文中所描述的检验子系统、计算机子系统及/或系统执行的任何其它步骤。由可根据本文中所描述的实施例中的任一者而配置的一或多个计算机子系统执行所述方法的步骤。另外，可通过本文中所描述的系统实施例中的任一者来执行上文所描述的方法。
额外实施例涉及存储可在计算机系统上执行以用于执行计算机实施的方法以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的程序指令的非暂时性计算机可读媒体。在图6中展示一个此类实施例。特定地，如图6中所展示，非暂时性计算机可读媒体600包含可在计算机系统604上执行的程序指令602。计算机实施的方法可包含上文所描述的任何方法的任何步骤。
实施例如本文中所描述的那些方法的方法的程序指令602可存储于计算机可读媒体600上。计算机可读媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或所属领域中已知的任何其它适合非暂时性计算机可读媒体。
可以包含基于程序步骤的技术、基于组件的技术及/或面向对象的技术以及其它技术的各种方式中的任一者来实施程序指令。举例来说，可视需要使用ActiveX控件、C++对象、JavaBeans、微软基础类别(“MFC”)、SSE(流式传输SIMD扩展)或其它技术或方法来实施所述程序指令。
计算机系统604可根据本文中所描述的实施例中的任一者而配置。
本文中所描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储于计算机可读存储媒体中。所述结果可包含本文中所描述的结果中的任一者且可以所属领域中已知的任何方式来存储。存储媒体可包含本文中所描述的任何存储媒体或所属领域中已知的任何其它适合存储媒体。在已存储所述结果之后，所述结果可在存储媒体中存取及由本文中所描述的方法或系统实施例中的任一者使用、经格式化以显示给用户、由另一软件模块、方法或系统使用等等。
鉴于此说明，所属领域的技术人员将明了本发明的各个方面的其它修改及替代实施例。举例来说，提供用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的方法及系统。因此，此说明应视为仅为说明性的，且是出于教示所属领域的技术人员执行本发明的一般方式的目的。应理解，本文中所展示及所描述的本发明的形式应视为目前优选实施例。如所属领域的技术人员在受益于本发明的此说明之后将全部明了，元件及材料可替代本文中所图解说明及描述的那些元件及材料，部件及过程可颠倒，且本发明的特定特征可独立地利用。可在不背离如所附权利要求书中所描述的本发明的精神及范围的情况下对本文中所描述的元件做出改变。

Claims (22)

1.一种经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统，其包括：
检验子系统，其至少包括照射子系统及检测子系统，其中所述照射子系统经配置而以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片，且其中所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出；及
一或多个计算机子系统，其经配置以用于：
通过将缺陷检测方法应用于通过以所述第一入射角及所述第二入射角将所述光引导到所述晶片而产生的所述输出来检测所述晶片上的缺陷；
基于与所述缺陷对应的所述输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置；
对于在针对在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者，将基于在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较；且
基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于基于针对所述缺陷中的所述一者确定的所述层而确定所述缺陷中的所述一者是否为扰乱缺陷。
3.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述层包括：如果所述比较的所述结果指示所述缺陷中的所述一者的所述位置是相同的，那么确定所述层是当前层；及如果所述比较的所述结果指示所述缺陷中的所述一者的所述位置是不同的，那么确定所述层是先前层。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于进行如下操作：如果所述层被确定为所述先前层，那么确定所述缺陷中的所述一者是扰乱缺陷。
5.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述位置包括在所述输出内对所述缺陷的所述位置进行内插。
6.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述位置包括在所述输出内对所述缺陷的所述位置进行内插且将所述输出与所述晶片的设计信息对准。
7.根据权利要求1所述的系统，其中由于所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片而由所述检测子系统所检测到的所述光包括经镜面反射光。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一入射角包括法向入射角，且其中所述第二入射角包括倾斜入射角。
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一入射角及所述第二入射角包括不同的倾斜入射角。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一入射角及所述第二入射角包括不同的极角及相同的一或多个方位角。
11.根据权利要求1所述的系统，其中以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的所述光的入射平面是相对于所述晶片上的经图案化特征以介于0度与180度之间的角度而定向。
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述照射子系统进一步经配置以在所述晶片的第一扫描中以所述第一入射角将所述光引导到所述晶片且在所述晶片的第二扫描中以所述第二入射角将所述光引导到所述晶片。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述晶片的所述第二扫描包括仅在使用在所述第一扫描中产生的所述输出所检测到的所述缺陷的所述位置处响应于所述所检测到的光而产生所述输出。
14.一种非暂时性计算机可读媒体，其存储能在计算机系统上执行以用于执行计算机实施的方法以确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的程序指令，其中所述计算机实施的方法包括：
利用至少包括照射子系统及检测子系统的检验子系统通过将缺陷检测方法应用于通过以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片而产生的输出来检测所述晶片上的缺陷，其中所述照射子系统经配置而以所述第一入射角及所述第二入射角将所述光引导到所述晶片，且其中所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生所述输出；
基于与所述缺陷对应的所述输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置；
对于在针对在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者，将基于在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较；及
基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。
15.一种用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的计算机实施的方法，其包括：
利用至少包括照射子系统及检测子系统的检验子系统通过将缺陷检测方法应用于通过以第一入射角及第二入射角将光引导到晶片而产生的输出来检测所述晶片上的缺陷，其中所述照射子系统经配置而以所述第一入射角及所述第二入射角将所述光引导到所述晶片，且其中所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生所述输出；
基于与所述缺陷对应的所述输出而确定所述缺陷在所述晶片上的位置；
对于在针对在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片的情况下照射于所述晶片上的一个光点而产生的所述输出中所检测到的所述缺陷中的一者，将基于在所述光以所述第一入射角及所述第二入射角经引导到所述晶片上的所述一个光点的情况下产生的所述输出而确定的所述缺陷中的所述一者的所述位置进行比较；及
基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。
16.一种经配置以用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统，其包括：
检验子系统，其至少包括照射子系统及检测子系统，其中所述照射子系统经配置而以倾斜入射角将光引导到晶片，且其中所述检测子系统经配置以检测来自所述晶片的光且响应于所述所检测到的光而产生输出；及
一或多个计算机子系统，其经配置以用于：
通过将缺陷检测方法应用于所述输出来检测所述晶片上的缺陷；
确定所述缺陷在用于所述晶片的设计的坐标中的位置；
对于所述缺陷中的一者，将所述缺陷中的所述一者的所述位置与所述设计的当前层中的经图案化特征的位置进行比较；且
基于所述比较的结果而确定所述缺陷中的所述一者位于上面的所述晶片的层。
17.根据权利要求16所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于基于针对所述缺陷中的所述一者确定的所述层而确定所述缺陷中的所述一者是否为扰乱缺陷。
18.根据权利要求16所述的系统，其中确定所述层包括：如果所述比较的所述结果指示所述缺陷中的所述一者的所述位置在所述当前层中的所述经图案化特征的所述位置内，那么确定所述层是所述当前层。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以用于进行如下操作：如果所述缺陷中的所述一者未被确定为位于所述当前层上，那么确定所述缺陷中的所述一者是扰乱缺陷。
20.根据权利要求16所述的系统，其中确定所述位置包括在所述输出内对所述缺陷的所述位置进行内插。
21.根据权利要求16所述的系统，其中确定所述位置包括在所述输出内对所述缺陷的所述位置进行内插，且其中所述比较包括将所述输出与所述晶片的设计信息对准。
22.根据权利要求16所述的系统，其中所述所检测到的光包括经镜面反射光。
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