CN111823377B - 一种半导体陶瓷熔射后去保护装置及其使用方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体陶瓷熔射后去保护装置及其使用方法，涉及半导体陶瓷熔射技术领域。本发明包括置物板，置物板的下端螺钉连接有电机，电机的输出端贯穿置物板卡接连接有传动轴，传动轴的上端卡接连接有工作盒，工作盒的内部开设有两个滑动腔，工作盒的一侧且位于两滑动腔的一侧均开设有第一滑槽，滑动腔的内部滑动连接有滑动板，滑动板的一端和第一滑槽间隙配合，滑动板的内部转动连接有限位圈。本发明通过各个配件的配合能够有效的对半导体熔射后陶瓷的平整度进行检测，且在检测完成后能够较为简单的对半导体的保护层进行去除，从而大大的提升半导体陶瓷熔射的合格率，并大大的提升了装置的效率，且大大的减轻了操作人员的工作强度。

Description

一种半导体陶瓷熔射后去保护装置及其使用方法

技术领域

本发明属于半导体陶瓷熔射技术领域，特别是涉及一种半导体陶瓷熔 射后去保护装置及其使用方法。

背景技术

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在 收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制 作的器件，半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间 的材料，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常 巨大的，今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当 中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连，在半导体生产过程中对半 导体进行陶瓷熔射是一件很重要的工序，但现有技术中对陶瓷熔射后的半 导体保护层进行清理时工序较多，工作效率较差，操作人员的工作强度较 大，且半导体进行陶瓷熔射后成品合格率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷熔射后去保护装置及其使用方 法，以解决了现有的问题：现有技术中对陶瓷熔射后的半导体保护层进行 清理时工序较多，工作效率较差，操作人员的工作强度较大。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明为一种半导体陶瓷熔射后去保护装置及其使用方法，包括置物 板，所述置物板的下端螺钉连接有电机，所述电机的输出端贯穿置物板卡 接连接有传动轴，所述传动轴的上端卡接连接有工作盒，所述工作盒的内 部开设有两个滑动腔，所述工作盒的一侧且位于两所述滑动腔的一侧均开 设有第一滑槽，所述滑动腔的内部滑动连接有滑动板，所述滑动板的一端 和第一滑槽间隙配合，所述滑动板的内部转动连接有限位圈，所述工作盒一端的中间位置转动连接有主动轮，所述主动轮远离工作盒的一端转动连 接有第一旋转把手，两所述滑动板贯穿第一滑槽的一端且分别位于主动轮 的上端和下端均焊接连接有第一啮齿条，且所述第一啮齿条和主动轮通过 啮齿连接；

所述工作盒上端远离第一滑槽的一端和工作盒下端端远离第一滑槽的 一端且位于两所述滑动腔的一侧均焊接连接有两个限位支架，位于上端的 两所述限位支架之间转动连接有第一传动蜗杆，位于下端的两所述限位支 架之间转动连接有第二传动蜗杆；

所述限位圈外侧的下端焊接连接有第一传动涡轮圈，且所述第一传动 涡轮圈和第二传动蜗杆通过啮合连接，所述限位圈外侧的上端开设有环形 槽，所述环形槽的外侧转动连接有转动圈，所述转动圈外侧的中间位置焊 接连接有第二传动涡轮圈，且所述第二传动涡轮圈和和第一传动蜗杆啮合 连接，所述转动圈外侧的上端焊接连接有主动啮齿圈，所述限位圈的上端 焊接连接有环形安装板，所述环形安装板的内部且位于转动圈的周侧转动 连接有三个转动杆，所述转动杆的下端卡接连接有第一从动啮齿轮，且所 述第一从动啮齿轮和主动啮齿圈通过啮齿连接，所述转动杆的上端卡接连 接有第二从动啮齿轮，所述环形安装板的上端且位于转动杆的一侧开设有 第三滑槽，所述第三滑槽的内部滑动连接有T形滑动条，所述T形滑动条 的上端焊接连接有第二啮齿条，所述第二啮齿条的一端固定有切割刀具， 所述置物板的上端且位于传动轴的一侧固定有承重支架，所述承重支架的上端螺钉连接有红外线测量仪，所述置物板的上端且位于承重支架的一侧 固定有控制台。

进一步地，所述工作盒的上端且位于两所述滑动腔的一侧均开设有第 二滑槽，所述第二滑槽的内部滑动连接有加固板，且所述加固板和第一啮 齿条通过焊接连接。

进一步地，所述置物板的下端开设有内螺纹孔洞，所述置物板的下端 螺钉连接有四个承重杆。

进一步地，四所述承重杆的下端均套接连接有垫脚，所述垫脚的下端 设置有防滑纹。

进一步地，所述第一传动蜗杆和第二传动蜗杆的一端均焊接连接有第 二旋转把手。

进一步地，所述滑动板的内部卡接连接有轴承，且所述轴承和限位圈 通过卡接连接。

进一步地，所述限位圈的外侧且位于滑动板的上端和下端均设置有环 形限位挡板。

进一步地，所述切割刀具的外形呈半圆形。

一种半导体陶瓷熔射后去保护装置的使用方法，用于上述任意一项一 种半导体陶瓷熔射后去保护装置，步骤如下：

S1：通过旋转第一旋转把手带动主动轮一起旋转，因为主动轮和第一 啮齿条通过啮齿连接，主动轮旋转时会通过第一啮齿条带动滑动板在滑动 腔的内部进行移动，从而调节两个限位圈之间的间距；

S2：然后将半导体插入两个限位圈的内部；

S3：再旋转位于第一传动蜗杆一端的第二旋转把手带动第一传动蜗杆 进行转动，调整切割刀具的位置，使三个切割刀具均与半导体紧密接触， 从而对半导体进行固定；

S4：然后通过装置导线电性连接的外部电源将装置启动，红外线测量 仪启动后会放射出红外线对红外线测量仪和半导体之间的间距进行检测；

S5：启动电机，电机启动后会通过传动轴带动工作盒进行转动，当工 作盒带动半导体进行转动时，红外线会对半导体熔射后的陶瓷进行检测， 检测陶瓷的平整度；

S6：检测完成后将旋转位于第二传动蜗杆一端的第二旋转把手，因为 第二传动蜗杆和第一传动涡轮圈通过啮合连接，第二传动蜗杆旋转时会通 过第一传动涡轮圈带动限位圈进行转动，从而带动切割刀具进行转动，对 半导体的保护层进行切割；

S7：切割完成后将半导体从限位圈的内部拔出，使半导体和保护层分 离，对检测合格半导体进行清洗，对检测不合格的半导体进行反熔射。

本发明具有以下有益效果：

本发明通过各个配件的配合能够有效的对半导体熔射后陶瓷的平整度 进行检测，且在检测完成后能够较为简单的对半导体的保护层进行去除， 从而大大的提升半导体陶瓷熔射的合格率，并大大的提升了装置的效率， 且大大的减轻了操作人员的工作强度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所 需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动 的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置一端的结构示意图；

图2为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置另一端的结构示意图；

图3为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置的整体剖切结构示意 图；

图4为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置限位圈的剖切大样图；

图5为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置限位圈剖切图的正视 图；

图6为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置图1中A处的局部大 样图；

图7为本发明一种半导体陶瓷熔射后去保护装置图4中B处的局部大样 图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、置物板；2、承重杆；3、垫脚；4、传动轴；5、控制台；6、承重 支架；7、红外线测量仪；8、工作盒；9、滑动腔；10、第一滑槽；11、第 二滑槽；12、加固板；13、第一啮齿条；14、第一旋转把手；15、电机； 16、主动轮；17、滑动板；18、限位圈；19、第一传动蜗杆；20、限位支 架；21、第二旋转把手；22、第一传动涡轮圈；23、转动圈；24、第二传 动涡轮圈；25、环形槽；26、主动啮齿圈；27、第三滑槽；28、第一从动 啮齿轮；29、转动杆；30、第二从动啮齿轮；31、环形安装板；32、切割 刀具；33、第二啮齿条；34、T形滑动条；35、第二传动蜗杆。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进 行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没 有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的 范围。

实施例一：

请参阅图1-3所示，本发明为一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，包 括置物板1，置物板1的下端开设有内螺纹孔洞，置物板1的下端螺钉连接 有四个承重杆2，使得通过设置承重杆2能够使置物板1的固定更加的牢固， 四承重杆2的下端均套接连接有垫脚3，垫脚3的下端设置有防滑纹，使得 通过设置垫脚3能够有效的对承重杆2进行保护；

请参阅图1-3所示，置物板1的下端螺钉连接有电机15，电机15的输 出端贯穿置物板1卡接连接有传动轴4，传动轴4的上端卡接连接有工作盒 8，工作盒8的内部开设有两个滑动腔9，工作盒8的一侧且位于两滑动腔 9的一侧均开设有第一滑槽10，滑动腔9的内部滑动连接有滑动板17，滑 动板17的一端和第一滑槽10间隙配合，滑动板17的内部转动连接有限位 圈18，滑动板17的内部卡接连接有轴承，且轴承和限位圈18通过卡接连 接，使得通过设置轴承能够有效的减小滑动板17和限位圈18之间的摩擦 力，从而使限位圈18的转动更加的方便，限位圈18的外侧且位于滑动板 17的上端和下端均设置有环形限位挡板，使得通过设置环形限位挡板能够 有效的对限位圈18进行加固；

请参阅图1-3所示，工作盒8一端的中间位置转动连接有主动轮16， 主动轮16远离工作盒8的一端转动连接有第一旋转把手14，两滑动板17 贯穿第一滑槽10的一端且分别位于主动轮16的上端和下端均焊接连接有 第一啮齿条13，且第一啮齿条13和主动轮16通过啮齿连，工作盒8的上 端且位于两滑动腔9的一侧均开设有第二滑槽11，第二滑槽11的内部滑动 连接有加固板12，且加固板12和第一啮齿条13通过焊接连接，使得通过 设置加固板12能够有效的对第一啮齿条13进行加固；

请参阅图1-3和图6所示，工作盒8上端远离第一滑槽10的一端和工 作盒8下端端远离第一滑槽10的一端且位于两滑动腔9的一侧均焊接连接 有两个限位支架20，位于上端的两限位支架20之间转动连接有第一传动蜗 杆19，位于下端的两限位支架20之间转动连接有第二传动蜗杆35，第一 传动蜗杆19和第二传动蜗杆35的一端均焊接连接有第二旋转把手21，使 得通过设置第二旋转把手21能够更加方便的旋转第一传动蜗杆19和第二 传动蜗杆35；

请参阅图4-7所示，限位圈18外侧的下端焊接连接有第一传动涡轮圈 22，且第一传动涡轮圈22和第二传动蜗杆35通过啮合连接，限位圈18外 侧的上端开设有环形槽25，环形槽25的外侧转动连接有转动圈23，转动 圈23外侧的中间位置焊接连接有第二传动涡轮圈24，且第二传动涡轮圈 24和和第一传动蜗杆19啮合连接，转动圈23外侧的上端焊接连接有主动 啮齿圈26，限位圈18的上端焊接连接有环形安装板31，环形安装板31的 内部且位于转动圈23的周侧转动连接有三个转动杆29，转动杆29的下端 卡接连接有第一从动啮齿轮28，且第一从动啮齿轮28和主动啮齿圈26通 过啮齿连接，转动杆29的上端卡接连接有第二从动啮齿轮30，环形安装板 31的上端且位于转动杆29的一侧开设有第三滑槽27，第三滑槽27的内部 滑动连接有T形滑动条34，T形滑动条34的上端焊接连接有第二啮齿条33， 第二啮齿条33的一端固定有切割刀具32，切割刀具32的外形呈半圆形， 置物板1的上端且位于传动轴4的一侧固定有承重支架6，承重支架6的上 端螺钉连接有红外线测量仪7，置物板1的上端且位于承重支架6的一侧固 定有控制台5。

实施例二：

在实施例一的基础上，公开了一种半导体陶瓷熔射后去保护装置的使 用方法，其步骤为：

第一步：通过旋转第一旋转把手14带动主动轮16一起旋转，因为主 动轮16和第一啮齿条13通过啮齿连接，主动轮16旋转时会通过第一啮齿 条13带动滑动板17在滑动腔9的内部进行移动，从而调节两个限位圈18 之间的间距；

第二步：然后将半导体插入两个限位圈18的内部；

第三步：再旋转位于第一传动蜗杆19一端的第二旋转把手21带动第 一传动蜗杆19进行转动，因为第一传动蜗杆19和第二传动涡轮圈24通过 啮合连接，第一传动蜗杆19旋转时会通过第二传动涡轮圈24带动转动圈 23进行转动，转动圈23转动时会带动主动啮齿圈26一起进行转动，因为 主动啮齿圈26和第一从动啮齿轮28通过啮齿连接，主动啮齿圈26转动时 会通过第一从动啮齿轮28带动转动杆29进行转动，从而而带动第二从动 啮齿轮30进行转动，因为第二从动啮齿轮30和第二啮齿条33通过啮齿连 接，第二从动啮齿轮30旋转时会通过第二啮齿条33带动T形滑动条34在 第三滑槽27的内部滑动，调整切割刀具32的位置，使三个切割刀具32均 与半导体紧密接触，从而对半导体进行固定；

第四步：然后通过装置导线电性连接的外部电源将装置启动，红外线 测量仪7启动后会放射出红外线对红外线测量仪7和半导体之间的间距进 行检测；

第五步：启动电机15，电机15启动后会通过传动轴4带动工作盒8进 行转动，当工作盒8带动半导体进行转动时，红外线会对半导体熔射后的 陶瓷进行检测，检测陶瓷的平整度；

第六步：检测完成后将旋转位于第二传动蜗杆35一端的第二旋转把手 21，因为第二传动蜗杆35和第一传动涡轮圈22通过啮合连接，第二传动 蜗杆35旋转时会通过第一传动涡轮圈22带动限位圈18进行转动，从而带 动切割刀具32进行转动，对半导体的保护层进行切割；

第七步：切割完成后将半导体从限位圈18的内部拔出，使半导体和保 护层分离，对检测合格半导体进行清洗，对检测不合格的半导体进行反熔 射。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体 示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或 者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述 术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体 特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合 适的方式结合。

以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例 并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。 显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具 体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使 所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求 书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (9)

1.一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，包括置物板(1)，其特征在于：所述置物板(1)的下端螺钉连接有电机(15)，所述电机(15)的输出端贯穿置物板(1)卡接连接有传动轴(4)，所述传动轴(4)的上端卡接连接有工作盒(8)，所述工作盒(8)的内部开设有两个滑动腔(9)，所述工作盒(8)的一侧且位于两所述滑动腔(9)的一侧均开设有第一滑槽(10)，所述滑动腔(9)的内部滑动连接有滑动板(17)，所述滑动板(17)的一端和第一滑槽(10)间隙配合，所述滑动板(17)的内部转动连接有限位圈(18)，所述工作盒(8)一端的中间位置转动连接有主动轮(16)，所述主动轮(16)远离工作盒(8)的一端转动连接有第一旋转把手(14)，两所述滑动板(17)贯穿第一滑槽(10)的一端且分别位于主动轮(16)的上端和下端均焊接连接有第一啮齿条(13)，且所述第一啮齿条(13)和主动轮(16)通过啮齿连接；

所述工作盒(8)上端远离第一滑槽(10)的一端和工作盒(8)下端远离第一滑槽(10)的一端且位于两所述滑动腔(9)的一侧均焊接连接有两个限位支架(20)，位于上端的两所述限位支架(20)之间转动连接有第一传动蜗杆(19)，位于下端的两所述限位支架(20)之间转动连接有第二传动蜗杆(35)；

所述限位圈(18)外侧的下端焊接连接有第一传动涡轮圈(22)，且所述第一传动涡轮圈(22)和第二传动蜗杆(35)通过啮合连接，所述限位圈(18)外侧的上端开设有环形槽(25)，所述环形槽(25)的外侧转动连接有转动圈(23)，所述转动圈(23)外侧的中间位置焊接连接有第二传动涡轮圈(24)，且所述第二传动涡轮圈(24)和第一传动蜗杆(19) 啮合连接，所述转动圈(23)外侧的上端焊接连接有主动啮齿圈(26)，所述限位圈(18)的上端焊接连接有环形安装板(31)，所述环形安装板(31)的内部且位于转动圈(23)的周侧转动连接有三个转动杆(29)，所述转动杆(29)的下端卡接连接有第一从动啮齿轮(28)，且所述第一从动啮齿轮(28)和主动啮齿圈(26)通过啮齿连接，所述转动杆(29)的上端卡接连接有第二从动啮齿轮(30)，所述环形安装板(31)的上端且位于转动杆(29)的一侧开设有第三滑槽(27)，所述第三滑槽(27)的内部滑动连接有T形滑动条(34)，所述T形滑动条(34)的上端焊接连接有第二啮齿条(33)，所述第二啮齿条(33)的一端固定有切割刀具(32)，所述置物板(1)的上端且位于传动轴(4)的一侧固定有承重支架(6)，所述承重支架(6)的上端螺钉连接有红外线测量仪(7)，所述置物板(1)的上端且位于承重支架(6)的一侧固定有控制台(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述工作盒(8)的上端且位于两所述滑动腔(9)的一侧均开设有第二滑槽(11)，所述第二滑槽(11)的内部滑动连接有加固板(12)，且所述加固板(12)和第一啮齿条(13)通过焊接连接。

3.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述置物板(1)的下端开设有内螺纹孔洞，所述置物板(1)的下端螺钉连接有四个承重杆(2)。

4.根据权利要求3所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，四所述承重杆(2)的下端均套接连接有垫脚(3)，所述垫脚(3)的下端设置有防滑纹。

5.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述第一传动蜗杆(19)和第二传动蜗杆(35)的一端均焊接连接有第二旋转把手(21)。

6.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述滑动板(17)的内部卡接连接有轴承，且所述轴承和限位圈(18)通过卡接连接。

7.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述限位圈(18)的外侧且位于滑动板(17)的上端和下端均设置有环形限位挡板。

8.根据权利要求1所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，所述切割刀具(32)的外形呈半圆形。

9.一种半导体陶瓷熔射后去保护装置的使用方法，用于如权利要求1-8任意一项所述的一种半导体陶瓷熔射后去保护装置，其特征在于，步骤如下：

S1：通过旋转第一旋转把手(14)带动主动轮(16)一起旋转，因为主动轮(16)和第一啮齿条(13)通过啮齿连接，主动轮(16)旋转时会通过第一啮齿条(13)带动滑动板(17)在滑动腔(9)的内部进行移动，从而调节两个限位圈(18)之间的间距；

S2：然后将半导体插入两个限位圈(18)的内部；

S3：再旋转位于第一传动蜗杆(19)一端的第二旋转把手(21)带动第一传动蜗杆(19)进行转动，调整切割刀具(32)的位置，使三个切割刀具(32)均与半导体紧密接触，从而对半导体进行固定；

S4：然后通过装置导线电性连接的外部电源将装置启动，红外线测量仪(7)启动后会放射出红外线对红外线测量仪(7)和半导体之间的间距进行检测；

S5：启动电机(15)，电机(15)启动后会通过传动轴(4)带动工作盒(8)进行转动，当工作盒(8)带动半导体进行转动时，红外线会对半导体熔射后的陶瓷进行检测，检测陶瓷的平整度；

S6：检测完成后将旋转位于第二传动蜗杆(35)一端的第二旋转把手(21)，因为第二传动蜗杆(35)和第一传动涡轮圈(22)通过啮合连接，第二传动蜗杆(35)旋转时会通过第一传动涡轮圈(22)带动限位圈(18)进行转动，从而带动切割刀具(32)进行转动，对半导体的保护层进行切割；

S7：切割完成后将半导体从限位圈(18)的内部拔出，使半导体和保护层分离，对检测合格半导体进行清洗，对检测不合格的半导体进行反熔射。

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