CN111814211A - 变频器处理方法及装置 - Google Patents

变频器处理方法及装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111814211A
CN111814211A CN202010691083.9A CN202010691083A CN111814211A CN 111814211 A CN111814211 A CN 111814211A CN 202010691083 A CN202010691083 A CN 202010691083A CN 111814211 A CN111814211 A CN 111814211A
Authority
CN
China
Prior art keywords
storage area
frequency converter
function code
code parameters
ram
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010691083.9A
Other languages
English (en)
Inventor
李永利
肖国付
曹振涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Easydrive Electric Co ltd
Original Assignee
Shenzhen Easydrive Electric Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Easydrive Electric Co ltd filed Critical Shenzhen Easydrive Electric Co ltd
Priority to CN202010691083.9A priority Critical patent/CN111814211A/zh
Publication of CN111814211A publication Critical patent/CN111814211A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F21/00—Security arrangements for protecting computers, components thereof, programs or data against unauthorised activity
    • G06F21/70—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer
    • G06F21/78—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data
    • G06F21/79—Protecting specific internal or peripheral components, in which the protection of a component leads to protection of the entire computer to assure secure storage of data in semiconductor storage media, e.g. directly-addressable memories
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0796—Safety measures, i.e. ensuring safe condition in the event of error, e.g. for controlling element

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

本发明提供一种变频器的处理方法及装置，其中方法应用于变频器的主控芯片，所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，所述方法包括：在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数；在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作；若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。由于主控芯片内部由RAM存储区域写入至Flash存储区域，所以写入速度较快，提升存储速率。并且，本申请无需在主控芯片外部额外设置EEPROM芯片，简化硬件结构并降低成本。

Description

变频器处理方法及装置
技术领域
本申请涉及自动化技术领域，尤其涉及变频器处理方法及装置。
背景技术
随着工业化程度越来越高，变频器在工业领域的应用也越来越广。在使用变频器过程中，可以随着使用需求来调整变频器的功能码参数。功能码参数可以包括频率、速率、幅度等几十到几百个参数。
在使用变频器过程中不可避免会产生断电操作，为了保证变频器的稳定性，变频器通常具有断电保存功能，也即在断电时保存最新调整的功能码参数，以便在变频器下一次上电时确保变频器功能设置不丢失。
现有技术中，通常在变频器的主控芯片添加一个EEPROM芯片，在变频器的功能码参数中一个或多个参数发生变更时，便立即将变更的一个或多个参数写入EEPROM芯片中。
但是，EEPROM芯片写入一个参数所需时间较长，在变更参数较多的情况下，便需要较长时间来写入变更参数至EEPROM芯片。并且，在写入变更参数至EEPROM芯片的过程中发生断电操作，则也可能导致EEPROM的数据彻底丢失，不利于变频器稳定性。
发明内容
鉴于此，本申请提供一种变频器处理方法及装置，可以简单快捷的保存变频器的功能码参数，从而保证变频器的稳定性。
为了实现上述目的，本发明提供了下述技术特征：
一种变频器的处理方法，应用于变频器的主控芯片，所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，所述方法包括：
在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数；
在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作；
若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
其中，所述在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数，包括：
在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数；
缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中，擦除所述第一存储区域；
在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
其中，所述主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域；
在所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域之前，还包括：
校验所述已有功能码参数的完整性；
在所述已有功能码参数完整的情况下，并将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中，并执行所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域的步骤；
在所述已有功能码参数不完整的情况下，从所述第二存储区域中获取已有功能码参数，并执行所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域的步骤。
其中，所述在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作，包括：
监测所述变频器的直流信号；
在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
其中，在确定所述变频器发生断电操作后，还包括：
在所述变频器断电过程中，持续监测所述变频器的直流信号；
在所述直流信号不小于预设值的情况下，则确定所述变频器未失电；
不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤；
擦除所述第一存储区域。
一种变频器的处理装置，应用于变频器的主控芯片，所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，所述装置包括：
更新单元，用于在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数；
监测单元，用于在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作；
存储单元，用于若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
其中，所述更新单元，包括：
第一获取单元，用于在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数；
缓存单元，用于缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中，擦除所述第一存储区域；
重复更新单元，用于在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
其中，所述主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域；
在所述缓存单元之前，还包括：
校验单元，用于校验所述已有功能码参数的完整性；
备份单元，用于在所述已有功能码参数完整的情况下，并将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中，并执行所述缓存单元；
第二获取单元，用于在所述已有功能码参数不完整的情况下，从所述第二存储区域中获取已有功能码参数，并执行所述缓存单元。
其中，所述监测单元，包括：
监测信号单元，用于监测所述变频器的直流信号；
断电确定单元，用于在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
其中，在断电确定单元之后，还包括：
监测信号单元，还用于在所述变频器断电过程中，持续监测所述变频器的直流信号；
未失电确定单元，用于在所述直流信号不小于预设值的情况下，则确定所述变频器未失电；
停止单元，用于不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤；
擦除单元，用于擦除所述第一存储区域。
通过以上技术手段，可以实现以下有益效果：
本发明可以在变频器工作过程中于RAM存储区域缓存最新功能码参数，并且，在变频器工作过程中持续监测变频器是否发生断电操作。在监测到变频器发生断电操作，则将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中。
由于主控芯片内部由RAM存储区域写入至Flash存储区域，所以写入速度较快，可以断电过程中完成最新功能码参数存储至Flash存储区域的第一存储区域的过程，提升了存储速率。
并且，本申请无需在主控芯片外部额外设置EEPROM芯片，简化硬件结构并降低成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例公开的一种变频器的主控芯片实施例一的示意图；
图2为本申请实施例公开的一种变频器的处理方法的实施例一的流程图；
图3为本申请实施例公开的一种变频器的主控芯片实施例二的示意图；
图4为本申请实施例公开的一种变频器的处理方法的实施例二的流程图；
图5为本申请实施例公开的一种变频器的处理方法的流程图；
图6为本申请实施例公开的一种变频器的处理装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参见图1，本发明提供了一种变频器的主控芯片实施例一的示意图。
变频器的主控芯片包括RAM存储区域，且，主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域。
本发明不再在主控芯片外部的EEPROM芯片中存储功能码参数，而是在主控芯片内部的Flash存储区域开设用于存储功能码参数的第一存储区域。为了完整存储功能码参数，所以第一存储区域不小于功能码参数对应的数据量。
在图1基础上，本发明提供变频器的处理方法的实施例一，参见图4包括以下步骤：
在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数，本步骤包括下述步骤S201～S203。
步骤S201：在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数。
初始情况下，第一存储区域存储的已有功能码参数为初始功能码参数，在使用本实施例提供的方案后，第一存储区域存储的已有功能码参数为上次断电操作前的最新功能码参数。
步骤S202：缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域。
将从第一存储区域获取的已有功能码参数缓存至RAM存储区域中，以便后续在RAM存储区域中不断更新功能码参数，使得RAM存储区域中始终为最新功能码参数。
为了便于变频器断电时可以存储最新功能码参数至第一存储区域，擦除第一存储区域，以便清空已有功能码参数。
步骤S203：在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
主控芯片会从RAM存储区域提取所需参数，并按照所需参数控制变频器工作。
在变频器工作过程中，如果用户按照自己需求调整功能码参数中一个或多个参数，则主控芯片会同步更新RAM存储区域中对应的一个或多个参数。该过程会重复执行，以便RAM存储区域中始终保持最新功能码参数。
步骤S204：在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作。
需要指出的是，步骤S203和步骤S204并行执行，在变频器工作期间，一边不断维持RAM存储区域中始终保持最新功能码参数，以便监测变频器是否发生断电操作。
电源通常为交流电源，所以交流电源可以利用整流电路进行整流操作，获得直流信号。主控芯片会监测所述变频器的直流信号；在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
由于变频器通常会大容量的电容，所以在电源断电操作后，变频器的电容还能维持一会儿用电，将电容维持用电的过程称为断电过程。
步骤S205：若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
在检测到变频器发生断电操作，则在断电过程中，将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中。
由于存储过程直接从主控芯片内部的RAM区域存储至Flash存储区域，且，RAM区域存储的读取速度，以及Flash存储区域的写入速度均较快，所以可以在断电过程中实现将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中的目的。
通过以上技术手段，可以实现以下有益效果：
本发明可以在变频器工作过程中于RAM存储区域缓存最新功能码参数，并且，在变频器工作过程中持续监测变频器是否发生断电操作。在监测到变频器发生断电操作，则将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中。
由于主控芯片内部由RAM存储区域写入至Flash存储区域，所以写入速度较快，理论上，可以在断电过程中完成最新功能码参数存储至Flash存储区域的第一存储区域的过程，提升了存储速率。
并且，本申请无需在主控芯片外部额外设置EEPROM芯片，简化硬件结构并降低成本。
由于单独的第一存储区域可能还会存在些许不稳定，为此下述实施例中，主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域。
参见图3，本发明提供了一种变频器的主控芯片实施例二的示意图。
变频器的主控芯片包括RAM存储区域，且，主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，以及，不小于所述第一存储区域的第二存储区域。
可选的，第一存储区域和第二存储区域的大小相同。
本发明不再在主控芯片外部的EEPROM芯片中存储功能码参数，而是在主控芯片内部的Flash存储区域开设用于存储功能码参数的第一存储区域和第二存储区域。为了完整存储功能码参数，所以第一存储区域和第二存储区域均不小于功能码参数对应的数据量。
在图3基础上，本发明提供变频器的处理方法的实施例二，参见图4包括以下步骤：
在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数，本步骤包括下述步骤S401～S406。
步骤S401：在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数。
初始情况下，第一存储区域存储的已有功能码参数为初始功能码参数，在使用本实施例提供的方案后，第一存储区域存储的已有功能码参数为上次断电操作前的最新功能码参数。
步骤S402：校验所述已有功能码参数的完整性。
初始情况下已有功能码参数肯定是完整的，本步骤主要用于验证上次断电过程中存储的最新功能码参数的完整性。参见图2所示的实施例可知，理论上在断电过程中完成存储最新功能码参数至第一存储区域的过程。
不过为了保证变频器的稳定性和可靠性，在使用已有功能码参数之前，校验已有功能码参数的完整性。可以利用CRC校验方法、摘要算法等来校验已有功能码参数的完整性。
步骤S403：在所述已有功能码参数完整的情况下，将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中，进入步骤S405。
在已有功能码参数完整的情况下，将第一存储区域中的已有功能码备份至第二存储区域。
步骤S404：在所述已有功能码参数不完整的情况下，从所述第二存储区域中获取已有功能码参数，进入步骤S405。
在已有功能码参数不完整的情况下，说明上次断电过程中未完成存储最新功能码参数的过程，此情况下无法使用第一存储区域中的已有功能码，所以可以从第二存储区域提取备份的已有功能码参数(第二存储区域中存储的为上上次断电时的最新功能码参数)。
步骤S405：缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域。
在步骤S403之后，从第一存储区域获取的已有功能码参数缓存至RAM存储区域中，在步骤S404之后，从第二存储区域获取的已有功能码参数缓存至RAM存储区域中。
在步骤S403或步骤S404之后，在RAM存储区域中不断更新功能码参数，使得RAM存储区域中始终为最新功能码参数。
为了便于变频器断电时可以存储最新功能码参数至第一存储区域，擦除第一存储区域，以便清空已有功能码参数。
步骤S406：在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
主控芯片会从RAM存储区域提取所需参数，并按照所需参数控制变频器工作。
在变频器工作过程中，如果用户按照自己需求调整功能码参数中一个或多个参数，则主控芯片会同步更新RAM存储区域中对应的一个或多个参数。该过程会重复执行，以便RAM存储区域中始终保持最新功能码参数。
步骤S407：在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作。
需要指出的是，步骤S203和步骤S204并行执行，在变频器工作期间，一边不断维持RAM存储区域中始终保持最新功能码参数，以便监测变频器是否发生断电操作。
电源通常为交流电源，所以交流电源可以利用整流电路进行整流操作，获得直流信号。主控芯片会监测所述变频器的直流信号；在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
由于变频器通常会大容量的电容，所以在电源断电操作后，变频器的电容还能维持一会儿用电，将电容维持用电的过程称为断电过程。
步骤S408：若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
在检测到变频器发生断电操作，则在断电过程中，将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中。
由于存储过程直接从主控芯片内部的RAM区域存储至Flash存储区域，且，RAM区域存储的读取速度，以及Flash存储区域的写入速度均较快，所以可以在断电过程中实现将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中的目的。
通过以上技术手段，可以实现以下有益效果：
本发明可以在变频器工作过程中于RAM存储区域缓存最新功能码参数，并且，在变频器工作过程中持续监测变频器是否发生断电操作。在监测到变频器发生断电操作，则将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中。
由于主控芯片内部由RAM存储区域写入至Flash存储区域，所以写入速度较快，可以断电过程中完成最新功能码参数存储至Flash存储区域的第一存储区域的过程，提升了存储速率。并且，本申请无需在主控芯片外部额外设置EEPROM芯片，简化硬件结构并降低成本。
此外，本实施例中使用第二存储区域来作为第一存储区域的备份，且，还提供对第一存储区域中的已有功能码参数的完整性检测过程，以便保证变频器可以使用完整的已有功能码参数，进一步提高变频器的稳定性。
在图2和图4所示的实施例中，若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
有时候会出现假性断电，或者，在断电后启动备用电源立即供电，因此在变频器的直流信号小于预设值后，在将最新功能码参数从RAM存储区域转存至Flash存储区域的过程中，变频器又恢复至正常供电。
因此，参见图5，本实施例中提供下述步骤：
步骤S501：在所述变频器断电过程中，持续监测所述变频器的直流信号；
步骤S502：在所述直流信号不小于预设值的情况下，则确定所述变频器未失电；
步骤S503：不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤；
步骤S504：擦除所述第一存储区域。
由于第一存储区域仅存储了部分最新功能码参数，是不完整的，所以直接擦除第一存储区域。
参见图6，本发明提供了一种变频器的处理装置，应用于变频器的主控芯片，所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，所述装置包括：
更新单元61，用于在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数；
监测单元62，用于在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作；
存储单元63，用于若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
其中所述更新单元，包括：
第一获取单元，用于在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数；
缓存单元，用于缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中，擦除所述第一存储区域；
重复更新单元，用于在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
其中所述主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域；在所述缓存单元之前，还包括：
校验单元，用于校验所述已有功能码参数的完整性；
备份单元，用于在所述已有功能码参数完整的情况下，并将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中，并执行所述缓存单元；
第二获取单元，用于在所述已有功能码参数不完整的情况下，从所述第二存储区域中获取已有功能码参数，并执行所述缓存单元。
其中，所述监测单元，包括：
监测信号单元，用于监测所述变频器的直流信号；
断电确定单元，用于在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
其中，在断电确定单元之后，还包括：
监测信号单元，还用于在所述变频器断电过程中，持续监测所述变频器的直流信号；
未失电确定单元，用于在所述直流信号不小于预设值的情况下，则确定所述变频器未失电；
停止单元，用于不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤；
擦除单元，用于擦除所述第一存储区域。
通过以上技术手段，可以实现以下有益效果：
本发明可以在变频器工作过程中于RAM存储区域缓存最新功能码参数，并且，在变频器工作过程中持续监测变频器是否发生断电操作。在监测到变频器发生断电操作，则将RAM存储区域中最新功能码参数，存储至Flash存储区域的第一存储区域中。
由于主控芯片内部由RAM存储区域写入至Flash存储区域，所以写入速度较快，可以断电过程中完成最新功能码参数存储至Flash存储区域的第一存储区域的过程，提升了存储速率。并且，本申请无需在主控芯片外部额外设置EEPROM芯片，简化硬件结构并降低成本。
此外，本实施例中使用第二存储区域来作为第一存储区域的备份，且，还提供对第一存储区域中的已有功能码参数的完整性检测过程，以便保证变频器可以使用完整的已有功能码参数，进一步提高变频器的稳定性。
本实施例方法所述的功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算设备可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算设备(可以是个人计算机，服务器，移动计算设备或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种变频器的处理方法，其特征在于，应用于变频器的主控芯片，所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，所述方法包括：
在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数；
在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作；
若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数，包括：
在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数；
缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中，擦除所述第一存储区域；
在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域；
在所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域之前，还包括：
校验所述已有功能码参数的完整性；
在所述已有功能码参数完整的情况下，并将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中，并执行所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域的步骤；
在所述已有功能码参数不完整的情况下，从所述第二存储区域中获取已有功能码参数，并执行所述缓存所述已有功能码参数至所述RAM区域中，擦除所述第一存储区域的步骤。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作，包括：
监测所述变频器的直流信号；
在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在确定所述变频器发生断电操作后，还包括：
在所述变频器断电过程中，持续监测所述变频器的直流信号；
在所述直流信号不小于预设值的情况下，则确定所述变频器未失电；
不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤；
擦除所述第一存储区域。
6.一种变频器的处理装置，其特征在于，应用于变频器的主控芯片，所述主控芯片的Flash存储区域中设置有、不小于功能码参数对应数据量的第一存储区域，所述装置包括：
更新单元，用于在所述变频器工作过程中，于RAM存储区域缓存最新功能码参数；
监测单元，用于在所述变频器工作过程中，持续监测所述变频器是否发生断电操作；
存储单元，用于若监测到所述变频器发生断电操作，则将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述更新单元，包括：
第一获取单元，用于在所述变频器上电后，从所述Flash存储区域的第一存储区域中获取已有功能码参数；
缓存单元，用于缓存所述已有功能码参数至所述RAM存储区域中，擦除所述第一存储区域；
重复更新单元，用于在所述变频器工作过程中重复执行：接收一个或多个参数的变更操作并于所述RAM存储区域中更新所述一个或多个参数。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述主控芯片的Flash存储区域中还设置有不小于所述第一存储区域的第二存储区域；
在所述缓存单元之前，还包括：
校验单元，用于校验所述已有功能码参数的完整性；
备份单元，用于在所述已有功能码参数完整的情况下，并将所述已有功能码存储至所述第二存储区域中，并执行所述缓存单元；
第二获取单元，用于在所述已有功能码参数不完整的情况下，从所述第二存储区域中获取已有功能码参数，并执行所述缓存单元。
9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述监测单元，包括：
监测信号单元，用于监测所述变频器的直流信号；
断电确定单元，用于在所述直流信号小于预设值的情况下，确定所述变频器发生断电操作。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，在断电确定单元之后，还包括：
监测信号单元，还用于在所述变频器断电过程中，持续监测所述变频器的直流信号；
未失电确定单元，用于在所述直流信号不小于预设值的情况下，则确定所述变频器未失电；
停止单元，用于不再执行将所述RAM存储区域中所述最新功能码参数，存储至所述Flash存储区域的第一存储区域中的步骤；
擦除单元，用于擦除所述第一存储区域。
CN202010691083.9A 2020-07-17 2020-07-17 变频器处理方法及装置 Pending CN111814211A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010691083.9A CN111814211A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 变频器处理方法及装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010691083.9A CN111814211A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 变频器处理方法及装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111814211A true CN111814211A (zh) 2020-10-23

Family

ID=72864923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010691083.9A Pending CN111814211A (zh) 2020-07-17 2020-07-17 变频器处理方法及装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111814211A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2560039Y (zh) * 2002-07-05 2003-07-09 尹启凤 一种断电后不会丢失数据的数据处理装置
CN106202276A (zh) * 2016-06-30 2016-12-07 深圳市航天无线通信技术有限公司 蓝牙obd长时间数据保存实现方法
CN108536097A (zh) * 2018-07-06 2018-09-14 河北工业大学 基于电气隔离理念的模块化嵌入式锂电池极片轧机控制器
CN109687395A (zh) * 2018-11-27 2019-04-26 河海大学 一种基于电能回馈的磁悬浮电机断电保护装置及方法
CN110609770A (zh) * 2019-08-16 2019-12-24 中国地质大学（武汉） 一种基于单片机的Flash脱机调参系统及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2560039Y (zh) * 2002-07-05 2003-07-09 尹启凤 一种断电后不会丢失数据的数据处理装置
CN106202276A (zh) * 2016-06-30 2016-12-07 深圳市航天无线通信技术有限公司 蓝牙obd长时间数据保存实现方法
CN108536097A (zh) * 2018-07-06 2018-09-14 河北工业大学 基于电气隔离理念的模块化嵌入式锂电池极片轧机控制器
CN109687395A (zh) * 2018-11-27 2019-04-26 河海大学 一种基于电能回馈的磁悬浮电机断电保护装置及方法
CN110609770A (zh) * 2019-08-16 2019-12-24 中国地质大学（武汉） 一种基于单片机的Flash脱机调参系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6014925B2 (ja) メモリ回収方法および装置
CN102508785B (zh) 一种磨损均衡方法及装置
CN114564284B (zh) 虚拟机的数据备份方法、计算机设备及存储介质
CN105512056A (zh) 数据保存方法、装置及终端
EP2488929A2 (en) Memory object relocation for power savings
CN110968524B (zh) 数据存储控制方法、装置、存储介质及电子装置
CN109062825A (zh) 一种固态硬盘异常掉电的保护方法及装置
WO2017052595A1 (en) Variable cache for non-volatile memory
CN115495025A (zh) 一种管理异常存储块的方法和装置
CN108763046B (zh) 线程运行监控方法、装置、计算机设备和存储介质
CN102650959B (zh) 一种检测内存单元的方法及设备
CN117931091B (zh) 一种异常掉电处理方法、装置、设备、介质及产品
CN111880636B (zh) 一种存储阵列的断电保护方法及相关装置
CN106959906B (zh) 信息处理方法、信息处理装置及电子设备
CN111814211A (zh) 变频器处理方法及装置
JP5814825B2 (ja) 記憶装置及び記憶方法
CN103984603A (zh) 一种检测内存单元的方法及设备
CN104123205A (zh) 一种检测cpu超频工作状态的方法及装置
CN113075992B (zh) 一种内存上电方法、装置、设备及计算机可读存储介质
CN111176568B (zh) 一种数据分析的方法和装置
CN113835511A (zh) 一种缓存数据掉电保护的方法、系统及计算机设备
CN109582230B (zh) 一种基于矩阵式索引的数据存取方法及存取系统
CN111124752A (zh) 一种存储设备的备电保护的方法及装置
CN114003176B (zh) 数据写入方法、装置及硬盘设备
CN112527203A (zh) 闪存存储器的数据重写方法、系统、终端设备及存储介质

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination