CN111812480B - 一种led颗粒抗金属迁移能力的检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。与现有技术相比，本发明提供的检测方法采用特定步骤，能够缩短检测LED颗粒抗金属迁移能力的时间，从而快速简单有效的得出LED颗粒抗金属迁移能力；该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。

Description

一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法

技术领域

本发明涉及LED颗粒性能检测技术领域，更具体地说，是涉及一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法。

背景技术

随着小间距LED屏市场的日益火爆，市场对小颗粒LED需求越来越大，性能要求也越来越高。在此基础上，对小颗粒LED的综合能力尤其是抗金属迁移能力提出了更高的挑战。目前，市场批量使用的小间距LED颗粒产品本身结构防护性弱，颗粒应用于显示屏，显示屏在高刷新频率下会带来金属电化学迁移，从而影响其使用寿命。为此各大封装企业不惜花费大量人力、时间、设备去检测LED颗粒的抗金属迁移能力，以满足市场的需求。

现有技术检测LED颗粒抗金属迁移能力的方法主要包括：(1)颗粒(投入数量40K)SMT贴片灯板，然后将灯板HTHH(85℃/85％&96h)储存，再通过灯板高低温循环测试，高低温开光灯(-5℃～25℃&168h)；(2)颗粒形成批量灯板，通过市场端应用验证(1～2年)。由于方法(2)时间较长，有条件的企业均采用方法(1)；参见图1所示，LED颗粒首先通过SMT的方式将颗粒①贴在灯板②上，再将灯板投入到高低温循环开关灯实验③中，经过长时间的循环，最终得出颗粒的抗金属迁移能力。

但是，现有技术中LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法会浪费大量的颗粒和时间，且实验条件特殊，需要采用高低温循环设备③，使得资源在实验中浪费严重。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。

本发明提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：

a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。

优选的，步骤a)中所述待测颗粒为硅树脂胶水制作成的良品颗粒；所述良品颗粒的制备过程具体为：

将硅树脂胶水制作成颗粒；再对所述颗粒进行电测，筛选出电测结果符合要求的颗粒，得到良品颗粒。

优选的，步骤a)中所述硅树脂胶水选自DS-JA08、DS-JA10、DS-JA12和DS-JA13中的一种或多种。

优选的，步骤a)中所述若干个待测颗粒的个数为150EA～250EA。

优选的，步骤a)中所述加热的温度为45℃～55℃。

优选的，步骤a)中所述每隔一定时间的时间间隔为22h～26h。

优选的，步骤a)中所述电压测试和逆向电流测试采用kethily电源进行点测。

优选的，步骤a)中所述电压测试的参数为：

电流驱动：R 5mA，G 3mA，B 3mA。

优选的，步骤a)中所述逆向电流测试的参数为：

逆向电压驱动：RGB Vr 5V。

优选的，步骤a)中所述对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试后，还包括：

将分别进行电压测试和逆向电流测试后的待测颗粒放回到饱和NaCl溶液中。

本发明提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。与现有技术相比，本发明提供的检测方法采用特定步骤，能够缩短检测LED颗粒抗金属迁移能力的时间，从而快速简单有效的得出LED颗粒抗金属迁移能力；该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。

另外，本发明提供的检测方法适用于显示屏的各类LED颗粒，对LED颗粒抗金属迁移能力的检测标准的制订及指导企业生产都具有重要意义。

附图说明

图1为现有技术中LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的示意图；

图2为本发明提供的LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：

a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。

本发明首先将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热。在本发明中，所述待测颗粒优选为硅树脂胶水制作成的良品颗粒。在本发明中，所述良品颗粒的制备过程优选具体为：

将硅树脂胶水制作成颗粒；再对所述颗粒进行电测，筛选出电测结果符合要求的颗粒，得到良品颗粒。

在本发明中，所述硅树脂胶水优选选自DS-JA08、DS-JA10、DS-JA12和DS-JA13中的一种或多种。本发明对所述硅树脂胶水的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的市售商品即可。在本发明中，所述硅树脂胶水制作成的颗粒包括应用于显示屏的各类LED颗粒，如以BT板为载体的CHIP型颗粒、以支架为载带的TOP型颗粒等。

在本发明中，所述若干个待测颗粒的个数优选为150EA～250EA，更优选为200EA。本发明在上述个数下即能够实现准确检测，远低于传统方法在灯板上投入的颗粒数量，大大节省材耗，有利于重复检测。

本发明对所述饱和NaCl溶液的来源没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的配制方法配制而成。

在本发明中，所述加热的温度优选为45℃～55℃，更优选为50℃。本发明对所述加热的方式没有特殊限制，采用本领域技术人员熟知的可调节温度的加热板即可。

之后，本发明每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。在本发明中，所述每隔一定时间的时间间隔优选为22h～26h，更优选为24h。在本发明中，最多经过4次测试，即可对应用于显示屏的各类LED颗粒的抗金属迁移能力完成检测；由此可知，本发明的检测时间不超过96h，而传统方法至少需要264h，因此本发明明显速度更快。

在本发明中，所述电压测试和逆向电流测试优选采用kethily电源进行点测；其中，所述电压测试的参数优选为：

电流驱动：R 5mA，G 3mA，B 3mA；

所述逆向电流(Ir)测试的参数优选为：

逆向电压(Vr)驱动：RGB Vr 5V。

由此可知，本发明提供的检测方法方便快捷，观测方便，且不受设备条件影响，因此检测结果准确、稳定性及重复性好。

在本发明中，所述对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试后，优选还包括：

将分别进行电压测试和逆向电流测试后的待测颗粒放回到饱和NaCl溶液中。

参见图2所示，图2为本发明提供的LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的示意图；其中，①为待测颗粒，④为饱和NaCl溶液，⑤为加热板，⑥为kethily电源。本发明提供的检测方法采用特定步骤，能够缩短检测LED颗粒抗金属迁移能力的时间，从而快速简单有效的得出LED颗粒抗金属迁移能力；该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。

本发明提供了一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果。与现有技术相比，本发明提供的检测方法采用特定步骤，能够缩短检测LED颗粒抗金属迁移能力的时间，从而快速简单有效的得出LED颗粒抗金属迁移能力；该检测方法简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好。

另外，本发明提供的检测方法适用于显示屏的各类LED颗粒，对LED颗粒抗金属迁移能力的检测标准的制订及指导企业生产都具有重要意义。

为了进一步说明本发明，下面通过以下实施例进行详细说明。本发明以下实施例所用的硅树脂胶水由永德基提供；其中，硅树脂胶水A为DS-JA13，硅树脂胶水B为DS-JA12，硅树脂胶水C为DS-JA10，硅树脂胶水D为DS-JA08。

实施例1

将硅树脂胶水A、B、C、D分别制作成颗粒a，颗粒b，颗粒c，颗粒d；对上述颗粒a，颗粒b，颗粒c，颗粒d进行电测，分别筛选出良品的颗粒a，颗粒b，颗粒c，颗粒d备用。

各取200颗良品的颗粒a，颗粒b，颗粒c，颗粒d，投入饱和NaCl溶液中，在50℃下进行加热；每加热24h后，取出上述颗粒进行如下两项测试：

(1)电压测试，电流驱动：R 5mA，G 3mA，B 3mA；

(2)Ir(逆向电流)测试，Vr(逆向电压)驱动：RGB Vr 5V；

测试结束后，统计电压超出规格、Ir超出规格的颗粒数量；并将颗粒放回到50℃的饱和NaCl溶液中。

测试4次后结束，根据每次测试的结果，对比出抗金属迁移能力最优的颗粒。

检测结果参见表1所示。

表1 本发明实施例1提供的LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法的检测结果

综上所述，本发明提供的LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法相比现有技术中LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法(以下简称传统方法)，简便、快速且材耗低，同时检测结果准确、稳定性高、可重复性好；具体来说：本发明节省了SMT贴片工序，同时设备简单，能够避免实验条件冲突导致的设备资源浪费、检测结果不准确、稳定性及重复性差的问题，并且有效节约了传统方法中灯板及大量颗粒的浪费，检测时间上传统方法需要264h得到结果，本发明明显速度更快。

所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (5)

1.一种LED颗粒抗金属迁移能力的检测方法，包括以下步骤：

a)将若干个待测颗粒置于饱和NaCl溶液中，进行加热；每隔一定时间对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试，统计测试结果超出规格的颗粒数量，得到检测结果；所述若干个待测颗粒的个数为150EA～250EA；所述每隔一定时间的时间间隔为22h～26h；

所述电压测试和逆向电流测试采用kethily电源进行点测；

所述电压测试的参数为：

电流驱动：R 5mA，G 3mA，B 3mA；

所述逆向电流测试的参数为：

逆向电压驱动：RGB Vr 5V。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述待测颗粒为硅树脂胶水制作成的良品颗粒；所述良品颗粒的制备过程具体为：

将硅树脂胶水制作成颗粒；再对所述颗粒进行电测，筛选出电测结果符合要求的颗粒，得到良品颗粒。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述硅树脂胶水选自DS-JA08、DS-JA10、DS-JA12和DS-JA13中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述加热的温度为45℃～55℃。

5.根据权利要求1～4任一项所述的检测方法，其特征在于，步骤a)中所述对每个待测颗粒分别进行电压测试和逆向电流测试后，还包括：

将分别进行电压测试和逆向电流测试后的待测颗粒放回到饱和NaCl溶液中。

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