CN204946864U - 一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，包括石墨底盘、石墨底座、固定探针和移动探针，所述石墨底盘为光滑平整的平板，所述石墨底座位于所述石墨底盘上，与所述石墨底盘构成一体化结构，所述石墨底座为立方体结构，在所述立方体结构上表面中心处设置竖直孔槽，所述固定探针固定于所述竖直孔槽中，与万用表正极相连，所述移动探针与万用表负极相连。此检测设备，构造简单，易操作，可以同时检测太阳能电池硅片过刻及欠刻问题，更精准的测试产品质量；在检测过程中检测探针不直接接触刻蚀区，避免检测过程中导致电池硅片破坏或污染；此检测设备选用石墨材质，与PECVD供需所使用的石墨成分相同，不会对产品造成污染。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，具体涉及一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪。
背景技术
在太阳能电池的生产过程中，刻蚀工序的目的是将硅片非扩散面及侧面P-N结以化学方法腐蚀掉，但是存在两种刻蚀不合格的可能：第一种是欠刻，即侧面的P-N结没有彻底腐蚀掉，这样成品电池片会因为边缘导通而导致漏电，电池片效率会明显降低，同时电池片使用寿命明显降低；第二种刻蚀不合格的情况是过刻，即工艺过程中不但腐蚀掉了背面及侧面P-N结，而且将正面距离硅片边缘1.5mm以内的P-N结也腐蚀掉（1.5mm为电池片正电极边框位置），这样P型硅仍能将正负电极相连，成品电池会因为边缘漏电而导致转换效率下降，同时电池片使用寿命会明显降低。而现行检测刻蚀效果的方法是使用万用表测试刻蚀后硅片侧面两点间电阻，当电阻超过1000欧姆时，认为硅片合格，当电阻低于1000欧姆时，认为硅片欠刻，即不合格，但这种检测方法只能检测欠刻，而对过刻则无法检测，只能通过肉眼观察硅片外观来粗略判断，整个测试都为人工操作，两表笔间距离难于控制，同时表笔与硅片难于保证垂直，即表笔与硅片的接触面积不稳定，诸多因素影响测试的准确性。现在虽然存在一些新的检测手段，但是都不能有效的检测过刻，且容易导致碎片，污染等情况。
发明内容
发明目的：本发明目的在于针对现有技术的不足，提供一种便捷、有效、准确度高的太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪。
技术方案：本发明所述的一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，包括石墨底盘、石墨底座、固定探针和移动探针，所述石墨底盘为光滑平整的平板，所述石墨底座位于所述石墨底盘上，与所述石墨底盘构成一体化结构，所述石墨底座为立方体结构，在所述立方体结构上表面中心处设置竖直孔槽，所述固定探针固定于所述竖直孔槽中，与万用表正极相连，所述移动探针与万用表负极相连，在检测过程中，将待测太阳能电池硅片扩散面向上放置在所述石墨底片上。
优选地，为避免检测过程中导致电池硅片破坏或污染，所述移动探针在检测过程中与待测太阳能电池硅片的栅线处接触。
优选地，为达到较好的检测效果，所述检测仪在工作过程中的光照强度为900~1100Wa/m2。
优选地，所述固定探针和移动探针为铜质材料。
有益效果：（1）此检测设备，构造简单，易操作，可以同时检测太阳能电池硅片过刻及欠刻问题，更精准的测试产品质量；（2）在检测过程中检测探针不直接接触刻蚀区，避免检测过程中导致电池硅片破坏或污染；（3）此检测设备选用石墨材质，与PECVD供需所使用的石墨成分相同，不会对产品造成污染。
附图说明
图1为本发明的侧面结构示意图；
其中1.石墨底盘，2.石墨底座，3.固定探针，4.移动探针，5.竖直孔槽。
具体实施方式
下面通过附图对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。
实施例：一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，包括石墨底盘1、石墨底座2、固定探针3和移动探针4，所述石墨底盘1为光滑平整的平板，所述石墨底座2位于所述石墨底盘1上，与所述石墨底盘1构成一体化结构，所述石墨底座2为立方体结构，在所述立方体结构上表面中心处设置竖直孔槽5，所述固定探针3固定于所述竖直孔槽5中，与万用表正极相连，所述移动探针4与万用表负极相连，所述固定探针和移动探针为铜质材料。基于上述结构，具体测试过程如下：
测试原理：当被测位置存在过刻情况时，1.5mm位置处的PN结会被破坏，故测试电压会明显偏低；当被测位置出现欠刻情况时，其属于正负极导通状态，电压也会明显偏低，故当被测位置电压高于120mV时，认为此位置即不存在过刻情况，也不存在欠刻情况，视为合格品。
（1）将待测太阳能电池硅片扩散面向上放置于所述石墨底片1上，调整光照强度至1000Wa/m2；此光照条件下，当万用表显示电压大于120mV时，刻蚀效果正常，当万用表显示电压小于120mV时，刻蚀效果不良，判定产品为不合格品；
（2）待电流稳定后，将所述固定探针置入竖直孔槽5中，移动探针置于待测太阳能电池硅片的栅线处，所述栅线距离硅片边缘1.5mm，记录万用表的示数，以此方法检测并记录三个不同点的万用表示数，并求取平均值P；
（3）判断产品质量：当P≤120mV时，产品存在过刻或欠刻现象，为不合格产品；当P≥120mV时，刻蚀正常，为合格产品。
如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
Claims (4)
1.一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，其特征在于包括石墨底盘、石墨底座、固定探针和移动探针，所述石墨底盘为光滑平整的平板，所述石墨底座位于所述石墨底盘上，与所述石墨底盘构成一体化结构，所述石墨底座为立方体结构，在所述立方体结构上表面中心处设置竖直孔槽，所述固定探针固定于所述竖直孔槽中，与万用表正极相连，所述移动探针与万用表负极相连，在检测过程中，将待测太阳能电池硅片扩散面向上放置在所述石墨底片上。
2.根据权利要求1所述太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，其特征在于所述移动探针在检测过程中与待测太阳能电池硅片的栅线处接触。
3.根据权利要求1所述太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，其特征在于所述检测仪在工作过程中的光照强度为900~1100Wa/m2。
4.根据权利要求1所述太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪，其特征在于所述固定探针和移动探针为铜质材料。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201520727964.6U CN204946864U (zh) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201520727964.6U CN204946864U (zh) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN204946864U true CN204946864U (zh) | 2016-01-06 |
Family
ID=55014266
Family Applications (1)
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| CN201520727964.6U Active CN204946864U (zh) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | 一种太阳能电池硅片刻蚀效果检测仪 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN204946864U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018103760A1 (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | 惠科股份有限公司 | 一种检测端子腐蚀状态的设备及方法 |
| CN108957275A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-07 | 韩华新能源（启东）有限公司 | 硅片导电类型判别方法及基于该判别方法的判别设备和测试仪 |
| CN109616432A (zh) * | 2018-11-29 | 2019-04-12 | 普德光伏技术（苏州）有限公司 | 一种电池串焊接质量检测装置 |
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2015
- 2015-09-18 CN CN201520727964.6U patent/CN204946864U/zh active Active
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