CN111788669A - 晶片加工工具及其方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶片加工装置，可包括：晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片可以配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可以在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可以在至少装载罩和机器人访问位置之间是可移动的；其中装载罩可包括晶片站，所述晶片站可相对于位于装载罩中的叶片垂直地移动，并且所述晶片站可以配置成从位于装载罩中的叶片移除晶片和将晶片放置在位于装载罩中的叶片上。本文还公开了其他装置、装载罩和方法。

Description

晶片加工工具及其方法
技术领域
本申请涉及晶片加工，并且更具体地涉及晶片加工工具及其方法。
背景技术
诸如化学机械抛光(CMP)系统之类的晶片加工工具可能会遇到由不同处理站之间的晶片转移所引起的延迟。例如，由于机器人在不同处理之前和/或之后等待访问晶片，所以处理可能被延迟。
发明内容
在第一方面中，提供了一种晶片加工装置。晶片加工装置可包括：晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可在至少装载罩和机器人访问位置之间移动；其中所述装载罩包括晶片站，所述晶片站可相对于位于装载罩中的叶片垂直地移动，并且所述晶片站配置成从位于装载罩中的叶片移除晶片和将晶片放置在位于装载罩中的叶片上。
在第二方面中，提供了一种装载罩。所述装载罩可包括：晶片站，所述晶片站配置成接收晶片，所述晶片站可在晶片站与晶片间隔开的第一位置和晶片站接收到晶片第二位置之间在垂直方向上移动；以及凹口，所述凹口在晶片站中，所述凹口被尺寸设计成接收叶片的部分，所述叶片配置成在晶片站在所述第一位置和所述第二位置之间移动时支持晶片。
在第三方面中，提供了一种移动基板的方法。所述方法可包括：提供晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可在至少装载杯和机器人接入位置之间移动；将第一晶片放置到位于机器人接入位置处的晶片交换器的叶片上；将第二晶片从头部放置到位于装载罩处的晶片交换器的叶片上；将晶片交换器旋转到第二晶片位于机器人接入位置处的位置；从晶片交换器移除第二晶片；将晶片交换器旋转到第一晶片位于装载罩中的位置；将第一晶片放到头部中；以及将第三晶片从机器人接入位置放置到晶片交换器的叶片上。
根据本公开的这些和其他实施例，提供了众多其他方面。从以下具体描述、所附权利要求书和附图中，本公开的实施例的其他特征和方面将变得更加显而易见。
附图说明
以下描述的附图仅出于说明性的目的，并且不一定按比例绘制。附图不旨在以任何方式限制本公开的范围。在任何可能的情况下，在整个附图中将使用相同或相似的附图标记来指示相同或相似的部分。
图1示出了根据本文公开的实施例的化学机械抛光(CMP)系统的俯视平面图。
图2示出了根据本文公开的实施例的在CMP系统中使用的晶片交换器的放大俯视平面图。
图3示出了根据本文公开的实施例的装载罩和位于该装载罩内的晶片交换器的叶片的俯视平面图。
图4A示出了根据本文公开的实施例的处于缩回位置的装载罩。
图4B示出了根据本文公开的实施例的处于延伸位置的装载罩。
图5A-图5D示出了根据本文所述的实施例的与CMP系统的其他部件结合的晶片交换器的操作。
图6示出了根据本文公开的实施例的包括一个或多个冲洗站的CMP系统的俯视平面图。
图7示出了根据本文公开的实施例的可以位于图6的CMP系统中的冲洗站中的喷雾器的俯视平面图。
具体实施方式
诸如化学机械抛光(CMP)系统之类的晶片加工装置可能会遇到由不同处理站之间的晶片转移所引起的延迟。例如，在不同的处理之前和/或之后，处理可能必须等待机器人获得对晶片的访问，而这可能是耗时的。本文公开并在图1-图7中示出的晶片加工装置相对于传统的晶片加工装置减少了晶片加工时间。
参考图1，其示出了化学机械抛光(CMP)系统100的俯视平面图。虽然在图1中示出并在本文中描述了CMP系统，但是本文所公开的概念可以应用于其他晶片加工装置。CMP系统100可以包括抛光部分102以及清洁和干燥部分104，抛光部分102以及清洁和干燥部分104处理(例如，清洗和/或抛光)晶片108(标记出了一些)。CMP系统100可以包括在晶片上执行其他处理的其他部分。如本文所使用的，晶片可包括用于制造电子装置或电路部件的制品。晶片还可以包括半导体晶片、含硅晶片、图案化或未图案化的晶片、玻璃板、掩模等。贯通部110可以位于抛光部分102与清洁和干燥部分104之间。贯通部110可以是在抛光部分102与清洁和干燥部分104之间的容纳晶片108的传送的开口。
抛光部分102可包括一个或多个抛光站114。在图1所示的实施例中，抛光部分102包括四个抛光站114，各自被称为抛光站114A-114D。抛光部分102可以包括少于或多于四个抛光站114。每个抛光站114可以包括抛光垫。抛光垫各自被称为抛光垫116A-116D。抛光垫116A-116D可以抵靠在晶片108的表面上旋转以执行各种抛光处理。可以将一种或多种浆料(未示出)施加在基板和抛光垫之间以处理所述基板。例如，浆料可以移除基板的特定厚度或层。在一些实施例中，浆料可以包括腐蚀抑制剂和可以处理晶片108的其他化学物质。
抛光部分102可以包括多个头部，所述多个头部在抛光期间将晶片108保持抵靠在抛光垫116A-116D上。例如，每个抛光站114可包括头部。在图1的实施例中，抛光站114包括四个头部，各自被称为头部120A-120D，其中每个单独的抛光站114可以包括单个头部或与单个头部相关联。
当头部120A-120D被传送到抛光站114和从抛光站114传送时，头部120A-120D可以将晶片108固定在其中。例如，当头部在装载罩124和抛光站114之间传送时，头部120A-120D可将晶片108固定在其中。图1描绘的抛光部分102包括两个装载罩124，各自被称为第一装载罩124A和第二装载罩124B。装载罩124可以在头部120A-120D和晶片交换器130之间传送晶片108。在一些实施例中，抛光部分102可以包括单个装载罩或多于两个装载罩。
图1所示的CMP系统100包括两个晶片交换器130，各自被称为第一晶片交换器130A和第二晶片交换器130B。在一些实施例中，CMP系统100可以包括一个或多于两个的晶片交换器130。第一晶片交换器130A可以在第一方向132A上旋转，并且第二晶片交换器130B可以在第二方向132B上旋转，第二方向132B可以与第一方向132A相反。在一些实施例中，第一晶片交换器130A和第二晶片交换器130B可以在相同方向上旋转。
清洁和干燥部分104可包括机器人136(诸如湿式机器人之类)，机器人136可以将晶片108传送穿过贯通部110。例如，机器人136可以在第一机器人访问位置172A和第二机器人访问位置172B处从第一晶片交换器130A和/或第二晶片交换器130B装载和移除晶片108。机器人136还可以在清洁和干燥部分104中的各种站(未示出)与晶片交换器130之间传送晶片108。机器人136可以在其他机器人访问位置处从晶片交换器130访问晶片108。
现在参考图2，其示出了第一晶片交换器130A的放大俯视平面图。第一晶片交换器130A可以与第二晶片交换器130B基本相似或相同。第一晶片交换器130A可以包括多个叶片234。例如，第一晶片交换器130A可以包括三个或更多个叶片234。也可以采用更少的叶片，诸如两个或更多个叶片。在图1和图2的实施例中，第一晶片交换器130A包括三个叶片234，这三个叶片234各自被称为第一叶片234A、第二叶片234B、和第三叶片234C。在图2的视图中，第三叶片234C被其上接收的晶片208部分地遮蔽。叶片234可以被定向成在叶片234之间提供均匀的间隔。例如，图2的三个叶片234可以被定向成相对于旋转点236间隔120°。第一晶片交换器130A可以绕以旋转点236为中心的轴线(例如，垂直延伸的轴线)旋转。第一晶片交换器130A的其他实施例可以包括可以以不同角度间隔开的不同数量的叶片234。
叶片234可以耦合到可包括旋转点236的支撑构件238。叶片234可以是，但不需要是彼此基本相似或相同的。以下描述参考第一叶片234A，第一叶片234A可以代表晶片交换器130(图1)中的所有叶片234。第一叶片234A可以包括可附接到支撑构件238的臂240。如下文更详细描述的，臂240可以被尺寸设计成容纳在第一装载罩124A的一部分(例如，图3-凹口352A)中。臂240可以连接到第一框架构件242A和第二框架构件242B，这两者可以连接到第三框架构件242C。在一些实施例中，框架构件242A-242C和臂240可以一体地形成。框架构件242A-242C可以限定第一叶片234A中的开口244的边界。如下文更详细描述的，开口244可以被尺寸设计成和/或配置成使得从喷雾器(例如，图3-喷雾器356)发射的喷雾能够穿过开口244。叶片234可以具有其他配置。
叶片234可包括支撑件246(标记出了一些)，支撑件246支持位于叶片234上的基板。参考第三叶片234C，其中晶片208被示出为由支撑件246支持。支撑件246可以防止晶片208的表面接触第三叶片234C的框架构件242A-242C，这可能导致对晶片208的损坏。
现在参考图3，其示出了第一装载罩124A和位于第一装载罩124A中的第三叶片234C的俯视平面图。第一装载罩124A可以是，但不需要是与第二装载罩124B(图1)基本相似或相同的。第一装载罩124A可以包括具有环形形状的晶片站350。在一些实施例中，晶片站350可以具有其他形状。晶片站350可垂直地移动以将晶片放置到第三叶片234C上和从第三叶片234C移除晶片。例如，当晶片站350相对于第三叶片234C垂直地移动时，第三叶片234C可以在垂直方向上保持固定。
晶片站350可包括凹口352A，其中当晶片站350在垂直方向上移动时，第三叶片234C的臂240被接收在凹口352A中。晶片站350还可以包括凹口352B和凹口352C，当晶片站350在垂直方向上移动时，凹口352B和凹口352C可以接收第三叶片234C的第三框架构件242C。晶片可以搁置在晶片站上的凸起特征上。当晶片站350在向上方向上移动并从第三叶片234C移除晶片时，所述晶片被定位在多个销354内(例如，这样可以产生使晶片居中的袋)。
第一装载罩124A还可以包括喷雾器356，其中喷雾器356可将流体(例如，去离子水)喷射到第三叶片234C上、位于第三叶片234C上的基板(图3A中未示出)上、和/或位于第一装载罩124A上方的头部上。喷雾器356可包括第一喷嘴358A(由水平线标注)，第一喷嘴358A可以冲洗容纳在第三叶片234C上的晶片。喷雾器356可包括十个到十八个第一喷嘴358A。在一些实施例中，喷雾器356可包括十三个到十五个第一喷嘴358A，这些第一喷嘴358A可提供每分钟1.5升(lpm)到2.1lpm的冲洗溶液。在一些实施例中，喷雾器356可包括可以冲洗膜的第二喷嘴358B(由垂直线标注)。喷雾器356可包括五个到九个第二喷嘴358B，这些第二喷嘴358B可提供4.0lpm到6.0lpm的冲洗溶液。喷雾器356可包括第三喷嘴358C(由对角线标注)，第三喷嘴358C可以冲洗头部的部分，诸如在头部(例如，图4A-头部120D)和晶片(例如，图4A-晶片208)之间的间隙。喷雾器可包括两个到四个第三喷嘴358C，这些第三喷嘴358C可提供大约2.0lpm到4.0lpm的冲洗溶液。在一些实施例中，喷雾器356可包括第四喷嘴358D(由交叉线标注)，第四喷嘴358D可以冲洗在头部中的保持环(未示出)。喷雾器可包括两个到四个第四喷嘴358D，这些第四喷嘴358D提供1.0lpm到4.0lpm的冲洗溶液。喷雾器356可包括其他数量和配置的喷嘴和/或其他流率的冲洗溶液。
喷嘴358A-358D可以被独立地控制。例如，可独立于第二喷嘴358B控制第一喷嘴358A。如图3所示，第三叶片234C的配置和喷嘴358A-358D的配置是使得第三叶片234C不阻挡喷嘴358A-358D中的任一者。例如，框架构件242A-242C和开口244的配置不阻挡喷嘴358A-358D中的任一者。框架构件242A-242C和喷嘴358A-358C的这种配置可以使得头部120A-120D(图1)中的一个或多个可以在不被叶片(例如，第三叶片234C)阻挡的情况下被冲洗。在一些实施例中，喷雾器356在第一装载罩124A内保持静止。因此，喷雾器356可以通过固定管而不是柔性管耦合到冲洗溶液的供给(未示出)。与柔性管相比，固定管可具有减少的维护。
晶片站350可包括容适第一叶片234A和/或喷雾器356的其他特征。例如，喷雾器356可以具有支持第四喷嘴358D的突片。晶片站350可具有容适突片的相应的凹口359A-359C。因此，晶片站350可以相对于喷雾器356移动而不被所述突片阻挡。
现在参考图4A，其示出了位于靠近第一装载罩124A的头部120D的示例。第一装载罩124A可以包括或附接到支撑板460。第一晶片交换器130A可以通过轴462耦合到支撑板460。诸如伺服马达之类的马达464可以在第一方向132A(图1)上或在第二方向132B(图1)上旋转轴462。轴462的旋转使第一晶片交换器130A绕延伸穿过轴462和/或旋转点236的轴线旋转。
喷雾器356可以通过一个或多个支撑构件466耦合到支撑板460。在一些实施例中，支撑构件466可以将喷雾器356相对于支撑板460保持在固定位置。流体管线(未示出)可以耦合到喷雾器356。例如，四个流体管线可以耦合到喷雾器356，每个不同类型的喷嘴358A-358D有一条流体管线。
晶片站350可以相对于支撑板460在垂直方向上是可移动的。例如，晶片站350可以相对于支撑板460在向下或Z-方向上以及向上在Z+方向上是移动的。当晶片站350与被支持在第三叶片234C上的晶片208间隔开时，晶片站350可以处于第一位置。当晶片站350位于靠近头部120D时，晶片站350可以处于第二位置。支撑构件468可以将晶片站350耦合到致动器470，致动器470提供晶片站350相对于支撑板460的垂直移动。
图4A的第一装载罩124A被示出为处于缩回位置，在所述缩回位置中，晶片站350在Z-方向上移动，使得第一晶片交换器130A的第三叶片234C可以不受阻碍地移入和移出第一装载罩124A。例如，晶片208被支持在第三叶片234C的支撑件246上，并且晶片站350位于第三叶片234C的下方并与第三叶片234C间隔开。
现在参考第4B图，其示出了处于延伸位置的第一装载罩124A。例如，晶片支撑件350已经在Z+方向上向上移动到第二位置，以便从第三叶片234C移除晶片208或者将晶片208在头部120D附近移动。在图4B所示的晶片站350的位置处，晶片208搁置在晶片站350的凸起特征上。可以发生其他动作以将晶片208传送到头部120D。
在使用中，致动器470可通过将晶片站350在Z-方向上移动到第一位置来降低晶片站350，在所述第一位置，叶片可以不受阻碍地进入第一装载罩124A。马达464随后可以旋转轴462，轴462旋转第一晶片交换器130A。当将诸如第三叶片234C之类的叶片(晶片208位于所述叶片之上)接收到第一装载罩124A中时，可以停止第一晶片交换器130A的旋转。头部120D可以移动到第一装载罩124A上方的位置。致动器470可以随后将晶片站350在Z+方向上向上移动到第二位置，在所述第二位置，晶片208在头部120D附近。头部120D可以抓取晶片208，并且将晶片208移动到抛光站114(图1)中的一个或多个，在抛光站114中可以对晶片208施加抛光处理。
当晶片处理完成时，头部120D可与晶片208一起返回到第一装载罩124A上方的位置。致动器470可以将晶片站350在Z+方向上移动到第一位置，在所述第一位置，晶片站350可以将晶片208接收到晶片站350的凸起特征上。致动器470可以随后将晶片站350在Z-方向上降低到晶片208被传送到第三叶片234C的支持件246的位置。致动器470可继续将晶片站350在Z-方向上降低到第三叶片234C可以不受阻碍地从第一装载罩124A移动的位置。
在一些实施例中，传感器(未示出)可以位于第一装载罩124A中并且可以感测晶片208的存在。传感器还可以检测头部120D中晶片208的存在。在将晶片208装载到头部124D中的期间，传感器可以确定没有晶片位于晶片站350上。晶片站350可以随后在Z+方向上朝向晶片208上升。当晶片208传送到晶片站350时，传感器可以检测晶片站350上晶片208的存在。晶片站350可以随后在Z+方向继续上升到头部120D，在头部120D，头部120D中的传感器检测晶片208的存在。随后可以将晶片208装载到头部120D中。在从头部120D卸载期间，传感器可以检测晶片208已经从头部120D卸载并且存在于晶片站350上。晶片站350上的传感器还可以在晶片208传送到第三叶片234C时检测晶片208的缺失。化学机械抛光CMP系统100可以包括其他传感器。
在上述处理期间，喷雾器356可以冲洗第一叶片234A、头部120D、晶片站350和/或晶片208的部分。例如，在晶片208已经被抛光之后，第一喷嘴358A可以冲洗晶片208。在一些实施例中，可以在晶片208在头部120D中时并且在晶片208被传送到晶片站350之前冲洗晶片208。在一些实施例中，当晶片208位于第一装载罩124A中时，可以冲洗晶片208。在一些实施例中，第一晶片交换器130A可以将空的叶片旋转到第一装载罩124A中。在第一装载罩124A中缺少基板可以允许喷雾器356冲洗头部的各个部分。
现在参考图5A-图5D，其中描述了与CMP系统100的其他部件结合的第一晶片交换器130A和第二晶片交换器130B的操作。具有交叉阴影线(cross-hatching)的晶片已经由抛光站114或其他部件进行了抛光或处理，并将被传送到机器人136。具有对角线阴影线(diagonal hatching)的晶片已经从机器人136接收，并且将被传送到抛光站114。空心圆圈表示第一晶片交换器130A和第二晶片交换器130B中的叶片，没有晶片位于所述叶片上。
图5A-图5D中所示的处理开始于图5A，在图5A中第一叶片(由附图标记1指示)是空的。第二叶片(由附图标记2指示)包含已经由单独的抛光站114处理过并返回到第一装载罩124A和第二装载罩124B的基板。第三叶片(由附图标记3指示)包含已经从机器人136接收的基板。在图5A描绘的阶段期间，头部(图5A中未示出)将基板卸载到第一装载罩124A和第二装载罩124B中并卸载到第二叶片上。此外，将新的晶片从机器人136装载到第三叶片上。
第一晶片交换器130A可以在第一方向132A上旋转，并且第二晶片交换器130B可以在第二方向132B上旋转以达到图5B所示的配置。可以是空的的第一叶片可以容纳在第一装载罩124A和第二装载罩124B中。喷雾器356(图3)可以冲洗位于第一装载罩124A和第二装载罩124B上方的头部，而不受位于头部和喷雾器之间的晶片的阻碍。空的叶片也可被冲洗。在图5B所示的配置中，机器人136可以从第二叶片卸载经处理的晶片。
第一晶片交换器130A可以在第一方向132A上旋转，并且第二晶片交换器130B可以在第二方向132B上旋转以达到图5C所示的配置。机器人136可以将晶片装载到第一叶片上。此外，晶片交换器130可以将晶片从第三叶片卸载到头部，并且头部可以将晶片传送到抛光站114。图5D示出了晶片从抛光站114到装载罩124的返回。第一晶片交换器130A可以在第一方向132A上旋转，并且第二晶片交换器130B可以在第二方向132B上旋转以到达图5A所示所述过程被重复的配置。
图5A-图5D所示的处理实现了相对于传统的CMP系统和方法的更快的处理时间。例如，晶片交换器130将晶片和叶片移动到用于机器人136的机器人访问位置(例如，图1-机器人访问位置172A和172B)，因此机器人136可以有更多时间用于卸载和装载晶片108。晶片交换器130通过实现晶片108的并行处理来允许更快的循环时间。例如，可以卸载已完成抛光的晶片108，并且并行地，可以将新的晶片108装载到晶片交换器130中。因此，所述处理使机器人136摆脱了晶片移动的瓶颈。
晶片站350(图3)的移动使得晶片交换器130能够仅在单个水平平面上移动。因此，没有执行晶片交换器130的垂直移动，所述垂直移动可能是耗时的。如图5A-图5D所示的，晶片交换器130可以与空的叶片一起操作，这使得当空的叶片位于装载罩124中时，能够由喷雾器356冲洗头部。可以同时冲洗晶片交换器130的多个叶片。在图5A-图5D描绘的实施例中，进入装载罩124的每第三个叶片是空的，这使得在已经处理了两个晶片之后能够冲洗头部。
参考图6，其示出了CMP系统的另一实施例的俯视平面图，CMP系统100的一些实施例可以包括可由晶片交换器130访问的一个或多个冲洗站。图6的CMP系统100的实施例包括第一冲洗站670A和第二冲洗站670B，第一冲洗站670A可由第一晶片交换器130A访问，第二冲洗站670B可由第二晶片交换器130B访问。在图6的实施例中，位于晶片交换器130上的晶片108可以位于包括冲洗站670A或670B和装载罩124的位置。在图6的实施例中，冲洗站670A、670B可位于与机器人访问位置172A、172B相同的位置，在所述位置机器人136可以访问晶片108。
现在参考图7，其示出了第一冲洗站670A的俯视平面图，第一冲洗站670A可以是(尽管它们不需要是)与第二冲洗站670B相同或基本相似的。第一冲洗站670A可包括盆772，盆772可以收集清洗流体，否则所述清洗流体会过度喷射到抛光部分102(图1)中。第一冲洗站670A可以包括位于盆772内的喷雾器774。喷雾器774可以类似于喷雾器356(图3)，但是可以仅包括喷嘴776，喷嘴776配置成冲洗位于第一冲洗站670A处的基板(图7中未示出)。喷嘴776可配置成使得其不受位于第一冲洗站670A处的第一晶片交换器130A的叶片的阻碍。在一些实施例中，喷嘴776的布局和/或配置可以与喷雾器356的第一喷嘴358A(图3)的布局和/或配置相同或基本相似。例如，喷雾器774可包括十个到十八个喷嘴776，这些喷嘴776提供1.0lpm到4.0lpm的冲洗流体。参考图6，可以通过第一冲洗站670A和第二冲洗站670B冲洗晶片108。第一冲洗站670A和第二冲洗站670B可以包括清洁晶片的其他特征(未示出)。第一冲洗站670A和第二冲洗站670B可用于保持晶片湿润，尤其是在抛光之后。
在一些实施例中，晶片108可以搁置在支撑件246上和/或支撑件246之间，使得可以在不夹持晶片108的情况下移动晶片108。在一些实施例中，喷嘴358A、358B、358C和/或358D可以发射不同的喷雾模式。在一些实施例中，可以使用一个或多个硬止动件(未示出)来限制晶片站350的垂直运动(例如，以限制晶片站350在晶片交换操作期间可以行进多低或多高)。可以使用任何合适的机构在抛光站114和装载罩124之间移动头部120A-120D。
前文描述仅公开了示例实施例。对本领域普通技术人员而言，落入本公开范围内的以上所公开的设备和方法的修改将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种晶片加工装置，包括：
晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可在至少装载罩和机器人访问位置之间移动；
其中所述装载罩包括晶片站，所述晶片站可相对于位于所述装载罩中的叶片垂直地移动，并且所述晶片站配置成从位于所述装载罩中的叶片移除晶片和将晶片放置在位于所述装载罩中的叶片上。
2.如权利要求1所述的晶片加工装置，其特征在于，位于所述装载罩中的叶片配置成当所述晶片站在垂直方向上移动时保持静止，以从位于所述装载罩中的所述叶片移除晶片并将晶片放置在位于所述装载罩中的所述叶片上。
3.如权利要求1所述的晶片加工装置，进一步包括喷雾器，所述喷雾器位于所述装载罩中，所述喷雾器包括配置成喷射至少一种流体的一个或多个喷嘴。
4.如权利要求3所述的晶片加工装置，其特征在于，在所述晶片站的移动期间，所述喷雾器保持在所述装载罩内的固定位置。
5.如权利要求1所述的晶片加工装置，其特征在于，所述晶片交换器包括三个或更多个叶片，所述三个或更多个叶片可在至少所述装载罩、所述机器人访问位置、以及冲洗站之间移动。
6.如权利要求1所述的晶片加工装置，进一步包括：
第一晶片交换器，所述第一晶片交换器包括三个叶片；
第二晶片交换器，所述第二晶片交换器包括三个叶片；
第一装载罩，所述第一装载罩可由所述第一晶片交换器的所述三个叶片访问；以及
第二装载罩，所述第二装载罩可由所述第二晶片交换器的所述三个叶片访问。
7.如权利要求6所述的晶片加工装置，进一步包括：
第一冲洗站，所述第一冲洗站可由所述第一晶片交换器的所述三个叶片访问；以及
第二冲洗站，所述第二冲洗站可由所述第二晶片交换器的所述三个叶片访问。
8.如权利要求1所述的晶片加工装置，进一步包括至少一个抛光站，其中可在所述装载罩和所述至少一个抛光站之间传送晶片。
9.一种装载罩，包括：
晶片站，所述晶片站配置成接收晶片，所述晶片站可在垂直方向上在第一位置和第二位置之间移动，在所述第一位置处所述晶片站与晶片间隔开，在所述第二位置处所述晶片站接收晶片；以及
凹口，所述凹口在所述晶片站中，所述凹口被尺寸设计成接收叶片的部分，所述叶片配置成在所述晶片站在所述第一位置和所述第二位置之间移动时支持晶片。
10.如权利要求9所述的装载罩，进一步包括喷雾器，其中所述喷雾器包括一个或多个向上定向的喷嘴。
11.如权利要求10所述的装载罩，其特征在于，在所述晶片站的移动期间，所述喷雾器保持在所述装载罩内的固定位置。
12.一种移动基板的方法，包括以下步骤：
提供晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可在至少装载杯和机器人访问位置之间移动；
将第一晶片放置在位于所述机器人访问位置处的所述晶片交换器的叶片上；
将第二晶片从头部放置到位于所述装载罩处的所述晶片交换器的叶片上；
将所述晶片交换器旋转到所述第二晶片位于所述机器人访问位置的位置；
从所述晶片交换器移除所述第二晶片；
将所述晶片交换器旋转到所述第一晶片位于所述装载罩中的位置；
将所述第一晶片放置到所述头部中；以及
将第三晶片从所述机器人访问位置放置到所述晶片交换器的叶片上。
13.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：
将空的叶片旋转到所述装载罩中；
将头部定位在所述装载罩上方；以及
冲洗所述空的叶片和所述头部中的至少一者。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，冲洗所述空的叶片和所述头部中的至少一者包括：用由位于所述装载罩中的固定位置处的喷雾器所提供的液体来喷射所述空的叶片和所述头部中的至少一者。
15.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：
提供冲洗站；
将所述晶片交换器旋转到晶片位于所述冲洗站中的位置；以及
冲洗位于所述冲洗站中的所述晶片。
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