CN111785317A - 闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及系统 - Google Patents
闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111785317A CN111785317A CN202010750199.5A CN202010750199A CN111785317A CN 111785317 A CN111785317 A CN 111785317A CN 202010750199 A CN202010750199 A CN 202010750199A CN 111785317 A CN111785317 A CN 111785317A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- measuring
- test
- parameter
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims description 24
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 15
- 238000013479 data entry Methods 0.000 claims description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
本发明的一种闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及其系统，确定需要设定的参数；生存一个外部参数设置界面，所述界面包括若干参数录入窗口；点击参数录入窗口，输入相应设定的参数；录入完毕，点击界面中的测试启动，通过一个外部参数设置的界面，包含了所有需要设定的参数，这样只需一次设定，在程序内部就会将这些参数值带入到相应的测试部分。快捷的同时，降低了多次人工操作可能带来的失误。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体地属于闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统。
背景技术
在所有的闪存器件项目中，耐久性能是衡量器件可靠性的必要测试项目，耐久性是器件在反复写入和擦除多次之后，根据其阈值电压的变化趋势，通常的业界标准在10万～100万次的编程、擦除循环，判断器件的耐久性能。
现有的耐久性测试方法，即擦除-写入-擦除-写入……擦除-写入，其间在特定的次数后读取阈值电压，从阈值电压的变化趋势，获得其耐久性能的体现。
在实施现有的测试方法时进行参数设置时，需要将每一个测试步骤，一步步加入测试流程里，通常一个耐久性测试，需要几十，甚至上百个步骤，一旦更改测试所需的参数，就需要更改所有的步骤，既费时，又容易出错。
现有的测试方法中的参数设置相对死板，每次更新测试条件，要花费大量的时间，去更改每一个测试步骤的参数数据等条件，极容易出错。本发明提出的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统，提供了一个简明清晰的参数设定界面，将每一步的测试程序整合在一步，放在本程序内部，用户只需要更改外部界面的参数数据等条件即可，既节省测试时间，提高测试效率，同时大大减小了多次反复数据输入的错误风险，进而缩短项目开发的周期。
在写入和擦除的过程中，所有写入的条件都是相同的，相应的，所有擦除条件也是相同的。所以，本发明提出闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统，设计了一个外部参数设置的界面，包含了所有步骤中需要反复设定的参数输入接口，这样只需通过一个人机对话界面上的一次设定，在程序内部就会将这些参数值带入到相应的测试步骤中，快捷的同时，降低了多次人工操作可能带来的失误。
本方法是创新了一种新的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统，将现有的所有步骤的中需要反复输入的数据参数整合在一起通过程度统一调用，克服了现有的参数设定中需要没有步骤反复输入的问题，更加方便快捷的进行参数设定，内部的测试程序沿用了现有有的测试方法，并未更改现有测试结构和测试方法，故可以替代原有的测试方法，不影响测试结果。
现有的测试方法中，一旦更改参数设定，需要至少一个小时，甚至更多，且容易出错，排除错误也要花费大量的时间。本发明的一种新的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统所需测试数据的设定时间缩小到几分钟，同时方便检查是否错误以及出现错误的地方。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，如何对闪存卡耐久性测试中测试参数进行设置，克服现有的测试参数每个步骤单个输入、繁琐且容易出错的问题，本发明的一种闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及实现该方法的系统，通过确定需要设定的参数、生存一个外部参数设置界面，界面包括若干参数录入窗口、点击参数录入窗口，输入相应设定的参数、录入完毕，点击界面中的测试启动，本发明的测试参数设置方法及实现该方法的系统通过一个外部参数设置的界面，包含了所有需要设定的参数，这样只需一次设定，在程序内部就会将这些参数值带入到相应的测试部分。快捷的同时，降低了多次人工操作可能带来的失误，提高工作效率，降低人工及时间成本。
优选地，步骤一中需要设定的参数包括闪存卡器件参数和耐久性测试参数。
优选地，所述闪存卡器件参数包括：长度、宽度、环境温度、最大电流值。
优选地，所述耐久性测试参数包括：擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的结束电压、测量阈值电压时漏端电压、测量阈值电压时扫栅极电压的电压步长、测量阈值电压时漏端目标电流、选择MOS门级电压、MOS类型、总的反复写入与擦除的次数、特定次数后进行量测、写入操作的周期、擦除操作的周期、写入操作的延迟时间、擦除操作的延迟时间、写入操作的脉冲宽度、擦除操作的脉冲宽度、写入操作时栅极的负向脉冲电压、擦除操作时栅极的负向脉冲电压、写入操作时栅极的正向脉冲电压、擦除操作时栅极的正向脉冲电压、写入操作时深N阱端电压、写入操作时源极电压、写入操作时位线的电压。
优选地，所述步骤二中生存一个外部参数设置界面包括参数设置模块(01)、启动模块(02)、执行模块(03)，所述参数设置模块(01)用于闪存卡耐久性测试中测试参数的输入，所述启动模块(02)用于用来开始测试，重复测试、结束测试、计数测试次数的操作，所述执行模块(03)用于执行程序命令、执行擦除命令、执行读取。
优选地，所述步骤二中生存一个外部参数设置界面还包括闪存卡器件选择模块(04)和/或帮助模块(05)，所述器件选择模块(04)用于互补金属氧化物半导体、存储器器件、双极结型晶体管，混合信号等信息输入，所述帮助模块(05)提供知识库、专家库等信息用于提供有关测试参数设置方法的使用的帮助。
本发明还公开了一种闪存卡耐久性测试中测试参数设置系统，包括微处理器(08)、通过数据接口端线(82)连接微处理器(08)的终端显示屏(09)，所述微处理器(08)中设置有软件(81)，所述软件(81)运行并在所述终端显示屏(09)上生存人机互动测试参数设置界面(10)，所述测试参数设置界面(10)至少包括闪存卡耐久性测试的测试参数设置模块(01)、启动模块(02)、执行模块(03)，所述测试参数设置模块(01)包括闪存卡器件参数分区(11)和耐久性测试参数分区(12)，所述器件参数分区(11)、耐久性测试参数分区(12)设置有可供数据录入的参数录入窗口(06、07)，所述启动模块(02)包括用来开始测试、重复测试、结束测试、计数测试次数操作的功能按键或窗口，所述执行模块(03)包括执行所述软件程序命令、执行擦除命令、执行读取的功能按键或窗口。
优选地，所述测试参数设置界面(10)还包括闪存卡器件选择模块(04)和/或帮助模块(05)，所述器件选择模块(04)包括用于互补金属氧化物半导体、存储器器件、双极结型晶体管，混合信号等信息输入的按键或选择窗口，所述帮助模块(05)包括提供知识库、专家库等信息用于提供有关测试参数设置方法帮助的按键或选择窗口。
优选地，所述器件参数分区(11)可供数据录入的参数录入窗口包括如下参数录入窗口(06)：长度、宽度、环境温度、最大电流值。
优选地，所述耐久性测试参数分区(12)可供数据录入的参数录入窗口包括如下参数录入窗口(07)：擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的结束电压、测量阈值电压时漏端电压、测量阈值电压时扫栅极电压的电压步长、测量阈值电压时漏端目标电流、选择MOS门级电压、MOS类型、总的反复写入与擦除的次数、特定次数后进行量测、写入操作的周期、擦除操作的周期、写入操作的延迟时间、擦除操作的延迟时间、写入操作的脉冲宽度、擦除操作的脉冲宽度、写入操作时栅极的负向脉冲电压、擦除操作时栅极的负向脉冲电压、写入操作时栅极的正向脉冲电压、擦除操作时栅极的正向脉冲电压、写入操作时深N阱端电压、写入操作时源极电压、写入操作时位线的电压。
附图说明
图1为现有测试方法逻辑框图。
图2为本发明闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法逻辑框图。
图3为本发明闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法的测试参数设置实际界面图模块布置实施例。
图4为采用本发明闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法的测试参数设置方法的测试效果示意图。
附图标记说明
具体实施方式
下面结合附图对本发明的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统进行详细说明。
首先需要了解闪存卡半导体器件耐久性测试现有的测试步骤，在所有的闪存器件项目中，耐久性能是衡量器件可靠性的必要测试项目，耐久性是器件在反复写入和擦除多次之后，根据其阈值电压的变化趋势，通常的业界标准在10万～100万次的编程、擦除循环，判断器件的耐久性能。
如图1所示，现有的耐久性测试方法，首先设定待测量器件的初始值，然后设置写入和擦除的循环次数，再执行反复写入与擦除，测量反复多次写入与擦除后的阈值电压，绘出写入与擦除后的阈值电压衰减趋势，得到测试结果。即擦除-写入-擦除-写入……擦除-写入，其间在特定的次数后读取阈值电压，从阈值电压的变化趋势，获得其耐久性能的体现。
在实施现有的测试方法进行参数设置时，需要将每一个测试步骤，一步步加入测试流程里，通常一个耐久性测试，需要几十，甚至上百个步骤，一旦更改测试所需的参数，就需要更改所有的步骤，既费时，又容易出错。
现有的测试方法中的参数设置相对死板，每次更新测试条件，要花费大量的时间，去更改每一个测试步骤的参数数据等条件，极容易出错。
如图2、3所示本发明提出的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统，提供了一个简明清晰的参数设定界面，将每一步的测试程序整合在一步，放在本程序内部，用户只需要更改外部界面的参数数据等条件即可，既节省测试时间，提高测试效率，同时大大减小了多次反复数据输入的错误风险，进而缩短项目开发的周期。
由于对于同一个测试对象，写入和擦除的过程中，所有写入的条件都是相同的，相应的，所有擦除条件也是相同的。所以，本发明提出闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统，设计了一个外部参数设置的界面，包含了所有步骤中需要反复设定的参数输入接口，这样只需通过一个人机对话界面上的一次设定，在程序内部就会将这些参数值带入到相应的测试步骤中，快捷的同时，降低了多次人工操作可能带来的失误。
本发明的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统，将现有的所有步骤的中需要反复输入的数据参数整合在一起通过程度统一调用，克服了现有的参数设定中需要没有步骤反复输入的问题，更加方便快捷的进行参数设定，内部的测试程序沿用了现有有的测试方法，并未更改现有测试结构和测试方法，故可以替代原有的测试方法，不影响测试结果。
现有的测试方法中，一旦更改参数设定，需要至少一个小时，甚至更多，且容易出错，排除错误也要花费大量的时间。本发明的一种新的闪存卡半导体器件耐久性测试中参数设置方法以及实现该方法的系统所需测试数据的设定时间缩小到几分钟，同时方便检查是否错误以及出现错误的地方。
如图3所示，本发明的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，包括确定需要设定的参数、生存一个包括若干参数录入窗口的外部参数设置界面、点击参数录入窗口输入相应设定的参数、录入完毕点击界面中的测试启动，即可获得测试结果；通过设计一个外部参数设置的界面，包含了所有需要反复设定的参数，这样只需一次设定，在程序内部就会将这些参数值带入到相应的测试部分。快捷的同时，降低了多次人工操作可能带来的失误。
优选地，需要设定的参数包括闪存卡器件参数和耐久性测试参数。
优选地，闪存卡器件参数可以包括：Lg--长度、Wg--宽度、Temp--环境温度、IdMax--最大电流值。
优选地，耐久性测试参数可以如下：
VgStart_ers-----擦除后测量Vth时扫Vg的开始电压；
VgStop_ers-----擦除后测量Vth时扫Vg的结束电压；
VgStart_pgm-----写入后测量Vth时扫Vg的开始电压；
VgStop_pgm-----写入后测量Vth时扫Vg的结束电压；
VgStart_inh-----写入后测量旁边器件Vth时扫Vg的开始电压；
VgStop_inh-----写入后测量旁边器件Vth时扫Vg的结束电压；
Vd-----测量Vth时漏端电压；
VgStep-----测量Vth时扫Vg的电压步长；
Id@Vth-----测量Vth时漏端目标电流；
Vsg-----选择MOS门级电压；
Type_TK-----MOS类型，1为NMOS，-1为PMOS；
TotalWriteAndEraseCycles-----总的反复写入与擦除的次数；
Meastiming-----特定次数后进行量测，一般是1，10，100，1000，10000等；
WritePeriod-----写入操作的周期；
ErasePeriod-----擦除操作的周期；
WriteDelay-----写入操作的延迟时间；
EraseDelay-----擦除操作的延迟时间；
WriteWidth-----写入操作的脉冲宽度；
EraseWidth-----擦除操作的脉冲宽度；
Vneg_pgm-----写入操作时栅极的负向脉冲电压；
Vneg_ers-----擦除操作时栅极的负向脉冲电压；
Vpos_pgm-----写入操作时栅极的正向脉冲电压；
Vpos_ers-----擦除操作时栅极的正向脉冲电压；
Vdnw_pgm-----写入操作时deep N-well端电压；
Vsl_pgm-----写入操作时source line(源极)电压；
Vbl_inh-----写入操作时bit line的电压；
如图3所示，本发明的参数设置界面包括参数设置模块、启动模块、执行模块，相应需要设置设定的参数直接通过界面模块中的栏目窗口一次输入，内部程序直接调用，当然还应当有启动模块、执行模块。为了更好地事项人机对话，外部参数设置界面还包括闪存卡器件选择模块和/或帮助模块，使得测试记录更加方便。
更具体地，参数设置模块分为闪存卡器件参数模块和耐久性测试参数模块。其中，闪存卡器件参数模块由以下4个参数录入窗口组成：Lg--长度、Wg--宽度、Temp--环境温度、IdMax--最大电流值。
本发明还提出实现本发明方法的闪存卡耐久性测试中测试参数设置系统，该系统包括微处理器08、通过数据接口端线82连接微处理器08的终端显示屏09，微处理器08中设置有软件81，软件81运行并在终端显示屏09上生存人机互动测试参数设置界面10，测试参数设置界面10至少包括闪存卡耐久性测试的测试参数设置模块01、启动模块02、执行模块03，所述测试参数设置模块01包括闪存卡器件参数分区11和耐久性测试参数分区12，所述器件参数分区11、耐久性测试参数分区12设置有可供数据录入的参数录入窗口06、07，启动模块0)包括用来开始测试、重复测试、结束测试、计数测试次数操作的功能按键或窗口，执行模块03包括执行软件程序命令、执行擦除命令、执行读取的功能按键或窗口。
其中测试参数设置界面10还包括闪存卡器件选择模块04和/或帮助模块05，器件选择模块04包括用于Cmos-互补金属氧化物半导体、memory-存储器器件、BJT-双极结型晶体管，混合信号等信息输入的按键或选择窗口，帮助模块05包括提供知识库、专家库等信息用于提供有关测试参数设置方法帮助的按键或选择窗口。
当然，器件参数分区11可供数据录入的参数录入窗口06可以为：Lg--长度、Wg--宽度、Temp--环境温度、IdMax--最大电流值，也不排除其他有关器件参数的录入窗口或者条目。
同样地，耐久性测试参数分区12可供数据录入的参数录入窗口可以包括如下参数录入窗口07：
VgStart_ers-----擦除后测量Vth时扫Vg的开始电压；
VgStop_ers-----擦除后测量Vth时扫Vg的结束电压；
VgStart_pgm-----写入后测量Vth时扫Vg的开始电压；
VgStop_pgm-----写入后测量Vth时扫Vg的结束电压；
VgStart_inh-----写入后测量旁边器件Vth时扫Vg的开始电压；
VgStop_inh-----写入后测量旁边器件Vth时扫Vg的结束电压；
Vd-----测量Vth时漏端电压；
VgStep-----测量Vth时扫Vg的电压步长；
Id@Vth-----测量Vth时漏端目标电流；
Vsg-----选择MOS门级电压；
Type_TK-----MOS类型，1为NMOS，-1为PMOS；
TotalWriteAndEraseCycles-----总的反复写入与擦除的次数；
Meastiming-----特定次数后进行量测，一般是1，10，100，1000，10000；
WritePeriod-----写入操作的周期；
ErasePeriod-----擦除操作的周期；
WriteDelay-----写入操作的延迟时间；
EraseDelay-----擦除操作的延迟时间；
WriteWidth-----写入操作的脉冲宽度；
EraseWidth-----擦除操作的脉冲宽度；
Vneg_pgm-----写入操作时栅极的负向脉冲电压；
Vneg_ers-----擦除操作时栅极的负向脉冲电压；
Vpos_pgm-----写入操作时栅极的正向脉冲电压；
Vpos_ers-----擦除操作时栅极的正向脉冲电压；
Vdnw_pgm-----写入操作时deep N-well端电压；
Vsl_pgm-----写入操作时source line(源极)电压；
Vbl_inh-----写入操作时bit line的电压；
以上为本发明录入参数的举例，不排除其他有关耐久性测试参数分区12参数的录入窗口或者条目。
如图4所示，将通过本发明的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法的实际测试效果图，说明本发明的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及其系统是可实施、可靠的。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
步骤一、确定需要设定的参数；
步骤二、生存一个外部参数设置界面，所述界面包括若干参数录入窗口；
步骤三、点击参数录入窗口，输入相应设定的参数；
步骤四、录入完毕，点击界面中的测试启动。
2.根据权利要求1所述的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，其特征在于，
所述步骤一中需要设定的参数包括闪存卡器件参数和耐久性测试参数。
3.根据权利要求2所述的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，其特征在于：
所述闪存卡器件参数包括：长度、宽度、环境温度、最大电流值。
4.根据权利要求2所述的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，其特征在于，所述耐久性测试参数包括：
擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的结束电压、测量阈值电压时漏端电压、测量阈值电压时扫栅极电压的电压步长、测量阈值电压时漏端目标电流、选择MOS门级电压、MOS类型、总的反复写入与擦除的次数、特定次数后进行量测、写入操作的周期、擦除操作的周期、写入操作的延迟时间、擦除操作的延迟时间、写入操作的脉冲宽度、擦除操作的脉冲宽度、写入操作时栅极的负向脉冲电压、擦除操作时栅极的负向脉冲电压、写入操作时栅极的正向脉冲电压、擦除操作时栅极的正向脉冲电压、写入操作时深N阱端电压、写入操作时源极电压、写入操作时位线的电压。
5.根据权利要求1所述的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，其特征在于，所述步骤二中生存一个外部参数设置界面包括参数设置模块(01)、启动模块(02)、执行模块(03)，所述参数设置模块(01)用于闪存卡耐久性测试中测试参数的输入，所述启动模块(02)用于用来开始测试，重复测试、结束测试、计数测试次数的操作，所述执行模块(03)用于执行程序命令、执行擦除命令、执行读取。
6.根据权利要求5所述的闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法，其特征在于，所述步骤二中生存一个外部参数设置界面还包括闪存卡器件选择模块(04)和/或帮助模块(05)，所述器件选择模块(04)用于互补金属氧化物半导体、存储器器件、双极结型晶体管，混合信号等信息输入，所述帮助模块(05)提供知识库、专家库等信息用于提供有关测试参数设置方法的使用的帮助。
7.一种闪存卡耐久性测试中测试参数设置系统，其特征在于，包括微处理器(08)、通过数据接口端线(82)连接微处理器(08)的终端显示屏(09)，所述微处理器(08)中设置有软件(81)，所述软件(81)运行并在所述终端显示屏(09)上生存人机互动测试参数设置界面(10)，所述测试参数设置界面(10)至少包括闪存卡耐久性测试的测试参数设置模块(01)、启动模块(02)、执行模块(03)，所述测试参数设置模块(01)包括闪存卡器件参数分区(11)和耐久性测试参数分区(12)，所述器件参数分区(11)、耐久性测试参数分区(12)设置有可供数据录入的参数录入窗口(06、07)，所述启动模块(02)包括用来开始测试、重复测试、结束测试、计数测试次数操作的功能按键或窗口，所述执行模块(03)包括执行所述软件程序命令、执行擦除命令、执行读取的功能按键或窗口。
8.根据权利要求7所述闪存卡耐久性测试中测试参数设置系统，其特征在于，所述测试参数设置界面(10)还包括闪存卡器件选择模块(04)和/或帮助模块(05)，所述器件选择模块(04)包括用于互补金属氧化物半导体、存储器器件、双极结型晶体管，混合信号等信息输入的按键或选择窗口，所述帮助模块(05)包括提供知识库、专家库等信息用于提供有关测试参数设置方法帮助的按键或选择窗口。
9.根据权利要求8所述闪存卡耐久性测试中测试参数设置系统，其特征在于，所述器件参数分区(11)可供数据录入的参数录入窗口包括如下参数录入窗口(06)：
长度、宽度、环境温度、最大电流值。
10.根据权利要求9所述闪存卡耐久性测试中测试参数设置系统，其特征在于，所述耐久性测试参数分区(12)可供数据录入的参数录入窗口包括如下参数录入窗口(07)：
擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、擦除后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量阈值电压时扫栅极电压的结束电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的开始电压、写入后测量旁边器件阈值电压时扫栅极电压的结束电压、测量阈值电压时漏端电压、测量阈值电压时扫栅极电压的电压步长、测量阈值电压时漏端目标电流、选择MOS门级电压、MOS类型、总的反复写入与擦除的次数、特定次数后进行量测、写入操作的周期、擦除操作的周期、写入操作的延迟时间、擦除操作的延迟时间、写入操作的脉冲宽度、擦除操作的脉冲宽度、写入操作时栅极的负向脉冲电压、擦除操作时栅极的负向脉冲电压、写入操作时栅极的正向脉冲电压、擦除操作时栅极的正向脉冲电压、写入操作时深N阱端电压、写入操作时源极电压、写入操作时位线的电压。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010750199.5A CN111785317A (zh) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010750199.5A CN111785317A (zh) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及系统 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111785317A true CN111785317A (zh) | 2020-10-16 |
Family
ID=72766128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010750199.5A Pending CN111785317A (zh) | 2020-07-30 | 2020-07-30 | 闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111785317A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114743585A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-07-12 | 芯天下技术股份有限公司 | 用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器 |
| WO2024045113A1 (en) * | 2022-09-01 | 2024-03-07 | Micron Technology, Inc. | Memory sub-system lun bypassing |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1503168A (zh) * | 2002-11-22 | 2004-06-09 | 深圳市中兴通讯股份有限公司 | 一种系统产品的自动化测试方法 |
| US20110051522A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method of programming flash memory of the differential cell structures for better endurance |
| CN109147854A (zh) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 爱思开海力士有限公司 | 数据存储装置及其操作方法 |
| CN109637576A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-16 | 华中科技大学 | 一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法 |
| CN110045260A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-23 | 南京邮电大学 | 半导体器件虚拟测试平台及半导体器件虚拟测试方法 |
| CN110619919A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-27 | 上海华力微电子有限公司 | Flash器件耐久性能测试方法 |
-
2020
- 2020-07-30 CN CN202010750199.5A patent/CN111785317A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1503168A (zh) * | 2002-11-22 | 2004-06-09 | 深圳市中兴通讯股份有限公司 | 一种系统产品的自动化测试方法 |
| US20110051522A1 (en) * | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method of programming flash memory of the differential cell structures for better endurance |
| CN109147854A (zh) * | 2017-06-27 | 2019-01-04 | 爱思开海力士有限公司 | 数据存储装置及其操作方法 |
| CN109637576A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-16 | 华中科技大学 | 一种基于支持向量回归的闪存寿命预测方法 |
| CN110045260A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-23 | 南京邮电大学 | 半导体器件虚拟测试平台及半导体器件虚拟测试方法 |
| CN110619919A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-27 | 上海华力微电子有限公司 | Flash器件耐久性能测试方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| ZHILIANG XIA .ETAL: "Comprehensive modeling of NAND flash memory reliability: Endurance and data retention", RESEARCHGATE, 30 April 2012 (2012-04-30) * |
| 杜里 等: "基于参数的测试程序开发技术研究", 测控技术, no. 07, 31 July 2009 (2009-07-31) * |
| 王艳良: "基于铜互连和铝互连标准逻辑工艺的阻变随机存储器可靠性研究", 中国博士学位论文全文数据库 (信息科技辑), no. 07, 15 July 2015 (2015-07-15), pages 137 - 11 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114743585A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-07-12 | 芯天下技术股份有限公司 | 用于测试闪速存储器的编程方法、装置及闪速存储器 |
| WO2024045113A1 (en) * | 2022-09-01 | 2024-03-07 | Micron Technology, Inc. | Memory sub-system lun bypassing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI713045B (zh) | 對多個待測試儲存裝置進行自動化測試的方法、電腦裝置以及使用者介面 | |
| CN106021103B (zh) | 一种基于代码变更的移动应用测试脚本自动维护方法 | |
| CN111785317A (zh) | 闪存卡耐久性测试中测试参数设置方法及系统 | |
| CN103984626A (zh) | 一种生成测试用例脚本的方法及装置 | |
| US7681157B2 (en) | Variable threshold system and method for multi-corner static timing analysis | |
| CN110082666B (zh) | 芯片测试分析方法、装置、设备及存储介质 | |
| CN107633867A (zh) | 基于ft4222的spi闪存测试系统及方法 | |
| CN112328305B (zh) | 一种眼图测试方法、装置、电子设备及可读存储介质 | |
| CN110597675A (zh) | 芯片的测试方法、装置、存储介质及烧录器 | |
| KR100334173B1 (ko) | 마이크로컴퓨터 | |
| US7286953B1 (en) | Device testing automation utility and method | |
| US5651128A (en) | Programmable integrated circuit memory comprising emulation means | |
| US9471257B2 (en) | Semiconductor memory device | |
| CN110908899A (zh) | 应用程序的调试方法、移动终端及计算机可读存储介质 | |
| CN102799479A (zh) | 具有多功能bios的主板及其测试方法 | |
| CN107979690A (zh) | 一种移动终端及其跳过开机向导的方法和系统 | |
| CN112445670B (zh) | 一种eMMC测试方法和装置 | |
| US20080209374A1 (en) | Parameter Ordering For Multi-Corner Static Timing Analysis | |
| CN110032781B (zh) | 编辑时序约束方法、装置、计算机设备及存储介质 | |
| CN115857976A (zh) | 芯片烧录方法、装置、设备及存储介质 | |
| CN113409873B (zh) | 擦写干扰测试系统、方法以及执行装置 | |
| CN112651203B (zh) | 参数优化方法及装置、服务器和存储介质 | |
| CN103956129A (zh) | 电子产品显示屏的自动识别系统 | |
| CN113282476A (zh) | 接口性能测试方法、装置和电子设备 | |
| CN106201895B (zh) | 应用测试方法和装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |