CN111740711A

CN111740711A - 具有模拟预失真和温度补偿的ab类射频功率放大器

Info

Publication number: CN111740711A
Application number: CN202010710255.2A
Authority: CN
Inventors: 王卓; 章国豪; 刘子林; 张耀; 梁钊铭
Original assignee: Guangdong University of Technology
Current assignee: Guangdong University of Technology
Priority date: 2020-07-22
Filing date: 2020-07-22
Publication date: 2020-10-02

Abstract

本发明实施例涉及一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，通过模拟预失真电路产生与主放大器的相位响应相反的AM‑AM相位响应与AM‑PM相位响应，实现该AB类射频功率放大器射频输入信号的预失真，提高功放的线性度，也利用相位补偿电路提供的正向偏压补偿主放大器10的反向偏置带来的相位失真，提高该AB类射频功率放大器线性度，还采用线性偏置电路来稳定主放大器的工作点和补偿温度变化带来的影响，提高线性度，该AB类射频功率放大器采用模拟预失真电路、相位补偿电路和线性偏置电路提高了功率线性度，且制作成本低和运行稳定性好，解决了现有对射频功率放大器提升功放线性度方式存在制作成本高、稳定性差的问题。

Description

具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器

技术领域

本发明涉及射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器。

背景技术

射频功率放大器是对输出功率、激励电频、功耗、失真、效率、尺寸和重量等问题做综合考虑的电子电路。

射频放大器是射频前端重要的模块，它把接受到信号发送出去，发送功率越大，信号发射的越远。

随着5G通信技术的发展和逐渐普及，对高传输速率、高吞吐量和低延迟的可靠通信系统的需求不断增加。复杂的调制方式(OFDM)和更宽的信号带宽会对功率放大器提出更为苛刻的要求。同时，较高的峰均比(PAPR)会使功放(PA)更快的进入饱和区，这对功放的线性度要求很高。

现有对提升放大器的功放线性度采用的方法有：一是改变放大器制作材料，但是受到承压及输出功率的限制，制作成本高；二是采用功率回退法，该方法为了提升线性度，降低了输入功率，实际上提升的线性度是用效率的牺牲换来的，存在传输距离短、效率低的问题；三是采用信号处理电路提升功放线性度，此方法会造成电路不稳定、电路结构非常复杂，电路成本高，调节精确度要求高，在环境变化大的情况下，线性度稳定性低。

发明内容

本发明实施例提供了一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，用于解决现有对射频功率放大器提升功放线性度方式存在制作成本高、稳定性差的技术问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，包括主放大器以及与所述主放大器连接的模拟预失真电路和相位补偿电路，所述相位补偿电路与线性偏置电路连接；

所述模拟预失真电路，与所述主放大器的第一端连接并用于产生与所述主放大器的相位响应相反的AM-AM相位响应与AM-PM相位响应；

所述相位补偿电路，用于提供正向偏压补偿所述主放大器的反向偏置带来的相位失真；

所述线性偏置电路，用于让所述主放大器的稳定工作。

优选地，所述模拟预失真电路包括T型匹配电路，所述T型匹配电路与所述主放大器的第一端连接；

所述T型匹配电路包括第五电容、与所述第五电容连接的第六电容以及连接在所述第五电容和所述第六电容之间的第一电感，所述第六电容的第二端与所述主放大器的第一端连接。

优选地，所述模拟预失真电路还包括与所述T型匹配电路输入端连接的第一开关器件，所述第一开关器件用于确保所述T型匹配电路的增益，所述第一开关器件的第二端与所述第五电容的第一端连接。

优选地，所述相位补偿电路与所述主放大器的第一端连接，所述相位补偿电路包括两个并联的第二开关器件。

优选地，所述第二开关器件为三极管，所述三极管的基极与集电极之间设置有反向偏置电容。

优选地，所述线性偏置电路包括至少四个半导体器件，四个所述半导体器件分别为：与所述相位补偿电路连接的第四半导体器件、与所述第四半导体器件第一端连接的第三半导体器件、与所述第三半导体器件第一端连接的第二半导体器件以及与所述第二半导体器件第一端连接的第一半导体器件。

优选地，该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器还包括与所述主放大器第一端连接的镇流电阻。

优选地，该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器还包括与所述主放大器第二端连接的π型匹配网络电路，所述π型匹配网络电路包括第十四电容、第三电感和第十五电容。

优选地，该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器还包括与所述主放大器第二端连接的谐波电容。

本发明还提供一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，包括至少两个主放大器，每个所述主放大器的第一端均连接有一个相位补偿电路，两个所述主放大器并联后的输入端与模拟预失真电路连接，所述相位补偿电路与线性偏置电路连接，两个所述主放大器并联后的输出端连接有π型匹配网络电路。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器通过模拟预失真电路产生与主放大器的相位响应相反的AM-AM相位响应与AM-PM相位响应，实现该AB类射频功率放大器射频输入信号的预失真，提高功放的线性度，也利用相位补偿电路提供的正向偏压补偿主放大器10的反向偏置带来的相位失真，提高该AB类射频功率放大器线性度，还采用线性偏置电路来稳定主放大器的工作点和补偿温度变化带来的影响，提高功率放大器的线性度，该AB类射频功率放大器采用模拟预失真电路、相位补偿电路和线性偏置电路提高了功率线性度，且制作成本低和运行稳定性好，解决了现有对射频功率放大器提升功放线性度方式存在制作成本高、稳定性差的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器的电路图。

图2为为本发明实施例的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器另一的电路图。

具体实施方式

为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

传统的功率放大器由于静态工作点的不同，可以分为A、B、C、D、AB类，区别是导通角的不同，A类完全导通，具有良好的线性度，但效率很低，效率最高为50％。而B类导通效率一半，最高效率为78.5％，效率比A类高，AB类放大器结合A类高线性和B类高效率的特点，折中去最优一点，使放大器满足线性和效率的性能要求。

多年来关于提升功放线性度的研究主要集中于三种方法。第一种方法是从功放的本身入手，第三代半导体材料GaN产生，它突破了上一代材料在承压及输出功率的限制，制造出一种高电子迁移率的晶体管HEMT。但如今对此种材料的研究还很不成熟，且其价格昂贵，此方法通过功放本身改善线性度的方法效果并不显著。

第二种方法则是传统的功率回退法，它实现起来很简单，因为功放的特性，随着功放输入功率逐渐增加输出信号本应随之线性增加，但是功率增大到一定程度，输出信号不随输入信号线性增加，通常，基频功率减小ldB三阶互调分量功率减小2到3dB，此种方法，不需要附加任何外部设备即可调整线性度，实现简单，但存在很多缺点。首先，该方法为了提升线性度，降低了输入功率，实际上提升的线性度是用效率的牺牲换来的，若输入功率低，会出现传输距离短，效率也低的问题。另外，这种方法对改善线性度的效果也是有限的，当功率降低到一定程度，如果三阶互调系数高于40dB，线性度将无法继续改善。

第三种方法为使用外界辅助手段提升功放的线性度，主要包括信号处理电路优化来提高线性度。信号处理电路中采用的方法有负反馈法、前馈法和包络消除和恢复的线性化技术。

负反馈法是传统使用的方法，通过返回的输出信号加载于输入信号之上，从而大大提高了功率放大器线性化的精度。负反馈法适于窄带优化，因为该法会受到反馈延迟的限制，如果工作于过高的频率，环路延迟达载波周长的几倍，导致相位难以控制，造成电路不稳定。

前馈法利用了一种特殊的反馈的思想，将系统的反馈信号送至系统的输出端抵消三阶互调失真信号。因其通过上下两路的幅度相位的精确控制来抵消失真部分，因此该法电路结构非常复杂，电路成本高，调节精确度要求高，在环境变化大的情况下，线性度稳定性低。

包络消除和恢复EER(Envelope Elimination and Restorat ion)的线性化技术，该方法充分利用了功放的线性度对包络恒定信号的不敏感性。输入信号分为两路，上路通过限幅器，得到一个带有输入信号相位信息的恒定包络信号，该信号在通过一个高效率的开关模式功放，通常使用推挽式放大器、丙类、丁类的功率放大器，这样的信号送入功放放大不会产生高度的非线性。而另一路上，部分输入信号被送入了包络检波器，得到非恒定包络的电压变化，将该电压变化送入待优化功放的集电极来调节功放的直流电压，实现了原输入信号幅度和相位的重新结合，提升了功放线性度。但是同EER技术相似，D.C.COX提出LINC技术，用于幅度和相位都变化的信号。将输入信号分离为两部分恒定包络信号，分别通过两个工作状态一致、高效率、低功率的功率放大器，放大的信号虽然经过非线性放大，但是每一路信号的失真都很小。将放大后的信号合成到一起，形成放大后信号。该法的难点在于将输入信号分离为两个恒定包络信号，以及在合成功率时阻抗匹配引起的效率问题，还有上下两路功放的相位和增益的匹配度也十分敏感，匹配不好反而会造成新的失真，出现新的问题。

由此，本申请实施例提供了一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，通过改进电路结构来实现模拟预失真和相位补偿，从而实现在满足效率要求的情况下提升射频功率放大器线性度，用于解决了现有对射频功率放大器提升功放线性度方式存在制作成本高、稳定性差的技术问题。

在本实施例中，预失真技术源于三极管非线性补偿思想，模拟预失真宏观仁主要针对增益传输曲线的失真恢复，设计模拟预失真器，产生相位相反、幅度一致的信号，加在输入信号端，用于与输出失真相抵消，并减小不适宜的增益压缩。

实施例一：

如图1所示，本发明实施例提供了一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，包括主放大器10以及与主放大器10连接的模拟预失真电路20和相位补偿电路30，相位补偿电路30与线性偏置电路40连接；

模拟预失真电路20，与主放大器10的第一端连接并用于产生与主放大器10的相位响应相反的AM-AM相位响应与AM-PM相位响应；

相位补偿电路30，用于提供正向偏压补偿主放大器10的反向偏置带来的相位失真；

线性偏置电路40，用于让主放大器10的稳定工作。

在本发明的实施例中，主放大器10采用独立的相位补偿电路30来减小相位失真，并且主放大器10采用线性偏置电路40使主放大器10工作在深AB类。

在本实施例中，以三极管作为主放大器10进行说明，模拟预失真电路20的输出端串联镇流电阻与主放大器10的第一端连接，相位补偿电路30连接在镇流电阻与与主放大器10的第一端之间。需要说明的是，主放大器10的第一端为三极管的基极，主放大器10的第二端为三极管的集电极，主放大器10的第三端接地，主放大器10的第三端为三极管的发射极。在其他实施例中，主放大器10可以为MOS管、IGBT器件等具有功率放大功能的晶体管或电子管。

在本发明的实施例中，模拟预失真电路20主要是用于产生与主放大器10相反AM-AM相位响应与AM-PM相位响应的三阶谐波分量来抑制主放大器10频谱的扩展。若模拟预失真电路20产生与主放大器10相反的响应来作为输出功率信号，通过主放大器10后，可以得到线性度较高的功率信号。

需要说明的是，通过模拟预失真电路20产生与主放大器10的相位响应相反的AM-AM相位响应与AM-PM相位响应，实现该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器射频输入信号的预失真，提高功放的线性度。

在本发明的实施例中，相位补偿电路30主要在主放大器10的第一端集成了正向偏压来补偿主放大器10的反向偏置带来的相位失真。

需要说明的是，相位补偿电路30提供的正向偏压补偿主放大器10的反向偏置带来的相位失真，提高该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器线性度。

在本发明实施例中，线性偏置电路40主要是给主放大器10提供一个稳定的工作点。

需要说明的是，当温度增加时，线性偏置电路40中的半导体器件会随着主放大器10的导通电压减小，引起偏置电流的减小，从而实现补偿温度带来的误差，稳定主放大器10的静态工作点。由于温度升高，电流变大，线性度变差，线性偏置电路40使得偏置电流减小，改善了该AB类射频功率放大器的线性度。

本发明提供的一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器通过模拟预失真电路产生与主放大器的相位响应相反的AM-AM相位响应与AM-PM相位响应，实现该AB类射频功率放大器射频输入信号的预失真，提高功放的线性度，也利用相位补偿电路提供的正向偏压补偿主放大器10的反向偏置带来的相位失真，提高该AB类射频功率放大器线性度，还采用线性偏置电路来稳定主放大器的工作点和补偿温度变化带来的影响，提高功率放大器的线性度，该AB类射频功率放大器采用模拟预失真电路、相位补偿电路和线性偏置电路提高了功率线性度，且制作成本低和运行稳定性好，解决了现有对射频功率放大器提升功放线性度方式存在制作成本高、稳定性差的技术问题。

如图1所示，在本发明的一个实施例中，模拟预失真电路20包括T型匹配电路21，T型匹配电路21与主放大器10的第一端连接；T型匹配电路21包括第五电容C5、与第五电容C5连接的第六电容C6以及连接在第五电容C5和第六电容C6之间的第一电感L1，第六电容C6的第二端与主放大器10的第一端连接。

需要说明的是，T型匹配电路21的目的是为了产生与主放大器10的相反的AM-AM相位响应和AM-PM相位响应。

在本发明的实施例中，模拟预失真电路20还包括与T型匹配电路21输入端连接的第一开关器件Q_M0，第一开关器件Q_M0用于确保T型匹配电路21的增益，第一开关器件Q_M0的第二端与第五电容C5的第一端连接。

需要说明的是，第一开关器件Q_M0为三极管，也可以为MOS管、IGBT器件等具有功率放大功能的晶体管或电子管。第一开关器件Q_M0的作用是确保该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器电路的整体增益足够高。

在本发明的实施例中，如图1所示，模拟预失真电路20的相位响应的位置为M，而主放大器10的相位响应为N，模拟预失真电路20的模拟预失真的工作原理是通过幂级数分析的，具体为：

V₀＝A_v0+A_v1v_pd+A_v2v_pd ²+A_v3v_pd ³+A_v4v_pd ⁴+A_v5v_pd ⁵+...

v_pd＝B₀+B₁v_i+B₂v_i ²+B₃v_i ³+B₄v_i ⁴+B₅v_i ⁵+...

式中，v_i为AB类射频功率放大器输入的电压，任意的电压都可以用级数来展开模拟，v_i ²为输入的二次谐波，v_i ⁿ为输入的n次谐波，v_pd为模拟预失真电路20产生的输出，即图1电路M点的电压；V_o为AB类射频功率放大器输出信号，即图1电路N点电压；A与B分别是功放与预失真器的增益，增益是输出电压与输入电压的比值，上角标表示阶数，也表示谐波数，下角标，对A为此次谐波的输入电压，对B为阶数，也即几次谐波。如A_v1为一次谐波的增益，B₃为三次谐波的增益；A_v0表示静态增益(无输入)，A_v1表示一次谐波的增益，v_pd是预失真信号的一次谐波，A_v1v_pd表示一次谐波带来的增益输出，同理，A_v2V² _pd表示二次谐波带来的增益输出，同理，B₀位静态电压输出(无输入)，B₁V_i表示输入电压位V_i时的输出电压(即一次谐波带来的增益输出)，B₂V² _i表示二次输入谐波带来的输出电压。

取其中基波和三次谐波进行分析，得到公式3：

V₀＝A_v1[B₁v_i+A₃v_i ³]+B_v3[A₁v_i+B₃v_i ³]³

展开公式3，得到公式4：

V₀＝A_v1B₁v_i+[A_v1B₃+A_v3B₁ ³]+A_v3B₃[3A₃ ²v_i ⁵+B₁B₃v_i ⁶+2B₁B₃v_i ⁷+B₃ ²v_i ⁸]

使公式4的三阶分量为0，提高线性度，则得到公式5：

A_v1B₃+A_v3B₁ ³＝0

进一步化简，可以在电路中实现A_v1等于B₁ ³，得到公式6：B₃＝－A_v3。

由公式6可知，模拟预失真电路20产生与主放大器10相反AM-AM相位响应与AM-PM相位响应的三阶谐波分量来抑制主放大器10频谱的扩展。若模拟预失真电路20产生与主放大器10相反的响应来作为输出功率信号，通过主放大器10后，可以得到线性度较高的功率信号。

在本发明的一个实施例中，相位补偿电路30与主放大器10的第一端连接，相位补偿电路30包括两个并联的第二开关器件。其中，第二开关器件为三极管，三极管的基极与集电极之间设置有反向偏置电容。

需要说明的是，该AB类射频功率放大器的频谱扩展原因主要是由于主放大器10的基极与集电极之间的寄生电容C_bc引起的，采用反向偏置电容来补偿这种寄生带来的非线性，公式7如下：

其中，C_bc0是主放大器10的基极与集电极之间电压V_bc等于0时的寄生电容，A为主放大器10基极与集电极之间的导通电压，nc有材料工艺特性所决定。若相位补偿电路30的第二开关器件的基极与集电极正向偏置的话，会产生于方向偏置相反的相位响应，正向偏置的公式8如下：

由此可知，为了减小相位失真，在每个主放大器10的基极集成了正向偏压的第二开关器件的基极与集电极来补偿主放大器10C_bc的反向偏置带来的相位失真。

在本发明的给一个实施例中，线性偏置电路40包括至少四个半导体器件，四个半导体器件分别为：与相位补偿电路30连接的第四半导体器件QB4、与第四半导体器件QB4第一端连接的第三半导体器件QB3、与第三半导体器件QB3第一端连接的第二半导体器件QB2以及与第二半导体器件QB2第一端连接的第一半导体器件QB1。

需要说明的是，当该AB类射频功率放大器的温度增加时，会使第一半导体器件QB1与主放大器10的导通的电压减小，主放大器10导通的电压减小，会引起该AB类射频功率放大器的偏置电流增大。第一半导体器件QB1导通电压的减小会引起第二半导体器件QB2的基级电压较小，向后传递，从而使第四半导体器件QB4的基级电压减小，引起偏置电流的减小，补偿温度带来的误差，该稳定AB类射频功率放大器静态工作点。在本实施例中，半导体器件为三级管，在其他实施例中，半导体器件也可以为MOS管、IGBT器件等具有开关功能的电子器件。

如图1所示，在本发明的一个实施例中，该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器还包括与主放大器10第一端连接的镇流电阻R11。

需要说明的是，镇流电阻R11主要用于提高该AB类射频功率放大器电路运行的稳定性。其中，镇流电阻R11的第一端与主放大器10的第一端连接，镇流电阻R11的第二端与相位补偿电路30连接。

在本发明的一个实施例中，该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器还包括与主放大器10第二端连接的π型匹配网络电路50，π型匹配网络电路50包括第十四电容C14、第三电感L3和第十五电容C15。

需要说明的是，第十四电容C14的第一端和第三电感L3的第一端均与主放大器10的第二端连接，第十四电容C14的第二端和第十五电容C15的第二端均接地，第三电感L3的第二端与第十五电容C15的第一端连接。π型匹配网络电路50主要用于确保该AB类射频功率放大器能够拥有最大的输出功率。

如图1所示，在本发明的一个实施例中，该具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器还包括与主放大器10第二端连接的谐波电容C13。

需要说明的是，谐波电容C13主要用来使该AB类射频功率放大器的二次谐波短路，提高该AB类射频功率放大器的效率和线性度。

实施例二：

如图2所示，本发明实施例提供了一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，包括至少两个主放大器10，每个主放大器10的第一端均连接有一个相位补偿电路30，两个主放大器10并联后的输入端与模拟预失真电路20连接，相位补偿电路30与线性偏置电路40连接，两个主放大器10并联后的输出端连接有π型匹配网络电路50。

需要说明的是，实施例二中的主放大器10、模拟预失真电路20、相位补偿电路30、线性偏置电路40和π型匹配网络电路50的内容已在实施例一中一一详细阐述了，因此，在实施例二中不再一一描述。

示例性的，计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，一个或者多个模块/单元被存储在存储器中，并由处理器执行，以完成本申请。一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述计算机程序在设备中的执行过程。

设备可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。设备可包括，但不仅限于，处理器、存储器。本领域技术人员可以理解，并不构成对设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如设备还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。

所称处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

存储器可以是计算机设备的内部存储单元，例如计算机设备的硬盘或内存。存储器也可以是计算机设备的外部存储设备，例如计算机设备上配备的插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card，SMC)，安全数字(Secure Digital，SD)卡，闪存卡(Flash Card)等。进一步地，存储器还可以既包括计算机设备的内部存储单元也包括外部存储设备。存储器用于存储计算机程序以及计算机设备所需的其他程序和数据。存储器还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、方法和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，系统或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，包括主放大器以及与所述主放大器连接的模拟预失真电路和相位补偿电路，所述相位补偿电路与线性偏置电路连接；

所述线性偏置电路，用于让所述主放大器的稳定工作。

2.根据权利要求1所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，所述模拟预失真电路包括T型匹配电路，所述T型匹配电路与所述主放大器的第一端连接；

3.根据权利要求2所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，所述模拟预失真电路还包括与所述T型匹配电路输入端连接的第一开关器件，所述第一开关器件用于确保所述T型匹配电路的增益，所述第一开关器件的第二端与所述第五电容的第一端连接。

4.根据权利要求1所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，所述相位补偿电路与所述主放大器的第一端连接，所述相位补偿电路包括两个并联的第二开关器件。

5.根据权利要求4所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，所述第二开关器件为三极管，所述三极管的基极与集电极之间设置有反向偏置电容。

6.根据权利要求1所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，所述线性偏置电路包括至少四个半导体器件，四个所述半导体器件分别为：与所述相位补偿电路连接的第四半导体器件、与所述第四半导体器件第一端连接的第三半导体器件、与所述第三半导体器件第一端连接的第二半导体器件以及与所述第二半导体器件第一端连接的第一半导体器件。

7.根据权利要求1所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，还包括与所述主放大器第一端连接的镇流电阻。

8.根据权利要求1所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，还包括与所述主放大器第二端连接的π型匹配网络电路，所述π型匹配网络电路包括第十四电容、第三电感和第十五电容。

9.根据权利要求1所述的具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，还包括与所述主放大器第二端连接的谐波电容。

10.一种具有模拟预失真和温度补偿的AB类射频功率放大器，其特征在于，包括至少两个主放大器，每个所述主放大器的第一端均连接有一个相位补偿电路，两个所述主放大器并联后的输入端与模拟预失真电路连接，所述相位补偿电路与线性偏置电路连接，两个所述主放大器并联后的输出端连接有π型匹配网络电路。