CN111737042A - Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块 - Google Patents

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块 Download PDF

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吴纪铎
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Abstract

本发明公开了一种Nand‑flash page位翻转控制方法,包括获取当前已翻转page位数A和ecc纠正page位数B；若
Figure DDA0002508311750000011
则继续后续处理程序；若
Figure DDA0002508311750000012
则page位翻转控制后再继续后续处理程序，C≥2；在Nand‑flash选择一空闲page作为第一page,并擦除该第一page形成第二page；将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；虽然底层的物理page发生了变化，但是上层无法识别，还是读写同一个文件；擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。本发明还公开了一种page位翻转控制模块。本发明在位翻转积累过程中进行检测能避免因位翻转积累导致的ecc error故障造成的系统/数据损失，提高了系统的稳定性。

Description

Nand-flash page位翻转控制方法及控制模块
技术领域
本发明涉及计算机领，特别是涉及一种用于Nand-flash page位翻转控制方法。本发明还涉及一种用于Nand-flash page位翻转控制模块。
背景技术
Nand-flash由于其设计、生产工艺原因，允许出现一定数量的位翻转，一般都会在Nand datasheet中说明每个page允许出现多少位翻转。只要出现的位翻转数不超过datasheet中规定，都认为是正常的，可以通过软件ecc算法纠正过来。ecc(Error Checkingand Correction)，是一种用于Nand-flash的差错检测和修正算法。ecc算法通过对比写入数据时生成的校验码跟读出数据时生成的校验码，可以计算出翻转的位数，如果翻转位数小于等于ecc所能纠正的位数，ecc可以纠正位翻转；如果位翻转数大于ecc所能纠正的位数，ecc不能纠正位翻转，读出来的数据就是错误的，会导致kernel crash等严重死机故障。
Nand-flash位翻转一般都是逐步积累的，目前的软件处理机制在位翻转积累过程中没有进行软件处理，导致一旦位翻转数积累到超过ecc纠正能力后就会出现ecc error错误，整个系统就崩溃了。
page是内存与操作系统之间操作的最小单元。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种能避免由于位翻转过导致ecc error错误的Nand-flash page位翻转控制方法。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种能避免由于位翻转过导致ecc error错误的Nand-flash page位翻转控制模块。
为解决上述技术问题，本发明提供一种Nand-flash page位翻转控制方法,包括以下步骤：
S1，获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法ecc所能纠正page位数B；
S2，若
Figure BDA0002508311730000021
则Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure BDA0002508311730000022
则执行步骤S3-S6后，再Nand-flash继续后续处理程序；
其中，C为指定系数，且C≥2；
S3，在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page；
其中，该第一page是空闲page；
S4，将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
S5，在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；虽然底层的物理page发生了变化，但是上层无法识别，还是读写同一个文件；
S6,擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。
可选择的，实施步骤S6时，所述标记为GARBAGE，文件系统通过Garbage Collector机制重新回收利用。
可选择的所述文件系统包括但不限于JFFS、JFFS2、yaffs或yaffs2。
JFFS，日志闪存文件系统/日志闪速文件系统,是一种日志结构文件系统。
YAFFS(Yet Another Flash File System)是第一个专门为Nand-flash设计的嵌入式文件系统，适用于大容量的存储设备；并且是在GPL(General Public License)协议下发布。
本发明提供一种Nand-flashpage位翻转控制模块，包括：
位数获取单元，其适用于获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
判断单元，其根据Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B控制Nand-flash继续后续处理程序，或控制Nand-flash先执行位翻转控制后再继续后续处理程序；
位翻转控制单元，其适用于接收判断单元指令启动位翻转控制，所述位翻转控制包括：在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page，该第一page是空闲page；
将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；
擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。
其中，判断模单元采用以下方式判断是否控制Nand-flash先执行位翻转控制再继续后续处理程序：
若
Figure BDA0002508311730000031
则判断单元控制Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure BDA0002508311730000032
则判断单元控制Nand-flash先执行位翻转控制再继续后续处理程序；
其中，C为指定系数，且C≥2，优选C＝2。
可选的，位翻转控制单元擦除原位翻转page并将其标记为GARBAGE，文件系统通过Garbage Collector机制重新回收利用。
可选择的，该page位翻转控制模块可以应用于包括JFFS、JFFS2、yaffs或yaffs2的文件系统。
本发明在对page位翻转数跟ecc所能纠正位数对比，以1/2纠正位数为例说明，如果位翻转数超过了ecc纠正位数的1/2，认为该page可能已不太稳定，需要经过本发明page位翻转控制进行处理，从而避免位翻转数进一步增大到出现ecc error故障。page位翻转控制处理完成后继续执行之后的软件流程。如果位翻转数未超过ecc纠正位数的1/2，则不进行Nand位翻转软件处理，直接执行之后的软件流程。
本发明在位翻转积累过程中进行检测是一种主动防御，避免因位翻转积累导致的ecc error故障造成的系统/数据损失，避免了ecc error故障事后处理，提高了Nand-flash的主动安全性，提高了系统的稳定性。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明Nand-flash page位翻转控制方法流程示意图一。
图2是本发明Nand-flash page位翻转控制方法流程示意图二。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
此外，还应当理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、参数、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、参数、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、参数、组件、区域、层或部分与另一个元件、参数、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离根据本发明的示例性实施例的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、参数、组件、区域、层或部分也可以被称作第二元件、参数、组件、区域、层或部分。
第一实施例，参考图1结合图2所示，本发明提供一种Nand-flash page位翻转控制方法，包括以下步骤：
S1，获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
S2，若
Figure BDA0002508311730000041
则Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure BDA0002508311730000042
则执行步骤S3-S6后，再Nand-flash继续后续处理程序，
其中，C为指定系数，且C≥2；
S3，在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page；
其中，该第一page是空闲page；
S4，将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
S5，在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；虽然底层的物理page发生了变化，但是上层无法识别，还是读写同一个文件；
S6,擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。
第二实施例，本发明提供一种Nand-flash page位翻转控制方法，其能应于文件系统包括但不限于JFFS、JFFS2、yaffs或yaffs2，包括以下步骤：
S1，获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
S2，若
Figure BDA0002508311730000051
则Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure BDA0002508311730000052
则执行步骤S3-S6后，再Nand-flash继续后续处理程序，
其中，C为指定系数，且C≥2；
S3，在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page；
其中，该第一page是空闲page；
S4，将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
S5，在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；虽然底层的物理page发生了变化，但是上层无法识别，还是读写同一个文件；
S6,擦除原位翻转page并将其标记为GARBAGE，文件系统会通过GarbageCollector机制重新回收利用。
第三实施例，本发明提供一种Nand-flash page位翻转控制模块，包括：
位数获取单元，其适用于获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
判断单元，其根据Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B控制Nand-flash继续后续处理程序，或控制Nand-flash先执行位翻转控制后再继续后续处理程序；
位翻转控制单元，其适用于接收判断单元指令启动位翻转控制，所述位翻转控制包括：在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page，该第一page是空闲page；
将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；
擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。
第四实施例，本发明提供一种Nand-flash page位翻转控制模块，该page位翻转控制模块可以应用于包括JFFS、JFFS2、yaffs或yaffs2的文件系统，包括：
位数获取单元，其适用于获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
判断单元，若
Figure BDA0002508311730000061
则判断单元控制Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure BDA0002508311730000062
则判断单元控制Nand-flash先执行位翻转控制再继续后续处理程序；
其中，C为指定系数，优选C＝2；以4K page flash为例，ecc能纠正的位翻转数是8bit，当读某个page ecc计算出的位翻转数大于等于4bit时，认为该page可能不太稳定，需要经过位翻转控制单元处理；
位翻转控制单元，其适用于接收判断单元指令启动位翻转控制，所述位翻转控制包括：在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page，该第一page是空闲page；
将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；
擦除原位翻转page并将其标记为GARBAGE，文件系统会通过过Garbage Collector机制重新回收利用。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种Nand-flash page位翻转控制方法,其特征在于，包括以下步骤：
S1，获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
S2，若
Figure FDA0002508311720000011
则Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure FDA0002508311720000012
则执行步骤S3-S6后，再控制Nand-flash继续后续处理程序；
其中，C为指定系数，且C≥2；
S3，在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page；
其中，该第一page是空闲page；
S4，将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
S5，在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；
S6,擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。
2.如权利要求1所述的Nand-flash page位翻转控制方法，其特征在于：实施步骤S6时，所述标记为GARBAGE，文件系统通过Garbage Collector机制重新回收利用。
3.如权利要求1或2任意一项所述的Nand-flash page位翻转控制方法，其特征在于：所述文件系统包括JFFS、JFFS2、yaffs或yaffs2。
4.一种Nand-flash page位翻转控制模块,其特征在于，包括：
位数获取单元，其适用于获取Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B；
判断单元，其根据Nand-flash当前已翻转page位数A和本文件系统差错检测修正方法所能纠正page位数B控制Nand-flash继续后续处理程序；
或，控制Nand-flash先执行位翻转控制后再继续后续处理程序；
位翻转控制单元，其适用于接收判断单元指令启动位翻转控制，所述位翻转控制包括：在Nand-flash选择第一page,并擦除该第一page形成第二page，该第一page是空闲page；
将原位翻转page数据读出来写入第二page形成第三page；
在文件系统中重新建立映射关系，将原位翻转page映射的逻辑page重新映射到第三page上；
擦除原位翻转page并将其标记，文件系统会通过自带机制重新回收利用。
5.如权利要求4所述的Nand-flash page位翻转控制模块,其特征在于：
若
Figure FDA0002508311720000021
则判断单元控制Nand-flash继续后续处理程序；
若
Figure FDA0002508311720000022
则判断单元控制Nand-flash先执行位翻转控制再继续后续处理程序；
其中，C为指定系数，且C≥2。
6.如权利要求4所述的Nand-flash page位翻转控制模块，其特征在于：位翻转控制单元擦除原位翻转page并将其标记为GARBAGE，文件系统通过Garbage Collector机制重新回收利用。
7.如权利要求4-6任意一项所述的Nand-flash page位翻转控制模块，其特征在于：其特征在于：所述文件系统包括JFFS、JFFS2、yaffs或yaffs2。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120240012A1 (en) * 2010-07-07 2012-09-20 Stec, Inc. Apparatus and method for multi-mode operation of a flash memory device
CN103745753A (zh) * 2013-12-17 2014-04-23 记忆科技(深圳)有限公司 基于闪存的纠错方法与系统
CN104216665A (zh) * 2014-09-01 2014-12-17 上海新储集成电路有限公司 多层单元固态硬盘的存储管理方法
CN104572336A (zh) * 2015-01-14 2015-04-29 广东省电子信息产业集团有限公司 一种闪存错误检测方法及装置
CN104658610A (zh) * 2015-01-14 2015-05-27 广东省电子信息产业集团有限公司 一种动态调整的闪存错误检测方法及装置
CN106502583A (zh) * 2016-10-12 2017-03-15 记忆科技(深圳)有限公司 一种降低固态硬盘响应延迟的方法
CN106910528A (zh) * 2017-02-27 2017-06-30 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘数据巡检的优化方法及装置
CN108089993A (zh) * 2017-12-29 2018-05-29 苏州大学 多层式储存格nand闪存、关键数据存储方法及垃圾回收方法
US20180253347A1 (en) * 2017-03-02 2018-09-06 Toshiba Memory Corporation Storage device and error correction method for storage device
CN108804025A (zh) * 2018-03-07 2018-11-13 深圳忆联信息系统有限公司 一种降低闪存滞留错误的方法及固态硬盘
CN109545267A (zh) * 2018-10-11 2019-03-29 深圳大普微电子科技有限公司 闪存自检的方法、固态硬盘以及存储装置
CN110174998A (zh) * 2019-05-05 2019-08-27 上海威固信息技术股份有限公司 一种提高高速信号采集系统实时性的方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120240012A1 (en) * 2010-07-07 2012-09-20 Stec, Inc. Apparatus and method for multi-mode operation of a flash memory device
CN103745753A (zh) * 2013-12-17 2014-04-23 记忆科技(深圳)有限公司 基于闪存的纠错方法与系统
CN104216665A (zh) * 2014-09-01 2014-12-17 上海新储集成电路有限公司 多层单元固态硬盘的存储管理方法
CN104572336A (zh) * 2015-01-14 2015-04-29 广东省电子信息产业集团有限公司 一种闪存错误检测方法及装置
CN104658610A (zh) * 2015-01-14 2015-05-27 广东省电子信息产业集团有限公司 一种动态调整的闪存错误检测方法及装置
CN106502583A (zh) * 2016-10-12 2017-03-15 记忆科技(深圳)有限公司 一种降低固态硬盘响应延迟的方法
CN106910528A (zh) * 2017-02-27 2017-06-30 郑州云海信息技术有限公司 一种固态硬盘数据巡检的优化方法及装置
US20180253347A1 (en) * 2017-03-02 2018-09-06 Toshiba Memory Corporation Storage device and error correction method for storage device
CN108089993A (zh) * 2017-12-29 2018-05-29 苏州大学 多层式储存格nand闪存、关键数据存储方法及垃圾回收方法
CN108804025A (zh) * 2018-03-07 2018-11-13 深圳忆联信息系统有限公司 一种降低闪存滞留错误的方法及固态硬盘
CN109545267A (zh) * 2018-10-11 2019-03-29 深圳大普微电子科技有限公司 闪存自检的方法、固态硬盘以及存储装置
CN110174998A (zh) * 2019-05-05 2019-08-27 上海威固信息技术股份有限公司 一种提高高速信号采集系统实时性的方法

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