CN111725431A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种有机发光显示装置。该装置包括：基板、形成在该基板上的第一电极、形成在第一电极上的中间层。中间层包括有机发射层。在中间层上形成有第二电极，并且在第一区域中第二电极上形成有覆盖层。覆盖层包括第一边缘部分和至少两层。在第二区域中第二电极上形成有第三电极。第二区域与第一区域不重叠，并且第三电极包括第二边缘部分，第二边缘部分具有面向覆盖层的第一边缘部分的侧部的侧部。电特性和图像质量可以被改进。

Description

有机发光显示装置
本申请是申请日为2014年1月17日、申请号为201410022686.4、名称为“有机发光显示装置”的发明专利申请的分案申请。
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2013年5月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0061251的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置，更具体地说，涉及具有改进的电特性和图像质量的有机发光显示装置。
背景技术
便携式和薄膜型平板装置逐渐用作显示装置。在平板显示装置中，有机发光显示装置是具有宽视角、良好对比度和快速响应时间的自发射显示装置，并且作为下一代显示装置已引起关注。
有机发光显示装置包括中间层、第一电极和第二电极。中间层包括有机发光层。当向第一电极和第二电极施加电压时，可见光可以从有机发光层产生。
在此情况下，污染和损坏可能由于布置在第二电极上的密封件或杂质而产生。
由于上面描述的因素，有机发光显示装置的图像质量和电特性的改进可能被限制。
发明内容
提供一种其电特性和图像质量可以容易地被改进的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。
根据一方面，提供一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括基板、形成在所述基板上的第一电极、形成在所述第一电极上的中间层。所述中间层包括有机发射层。在所述中间层上形成有第二电极，并且在第一区域中所述第二电极上形成有覆盖层。所述覆盖层包括第一边缘部分和至少两层。在第二区域中所述第二电极上形成有第三电极。所述第二区域与所述第一区域不重叠，并且所述第三电极包括第二边缘部分，所述第二边缘部分具有面向所述覆盖层的所述第一边缘部分的侧部的侧部。
所述第三电极可以包括顺序堆叠的多层。
所述第三电极可以包括顺序堆叠的下电极层和上电极层，并且所述覆盖层可以包括顺序堆叠的第一覆盖层和第二覆盖层。
所述第三电极可以包括单层，并且所述覆盖层可以包括顺序堆叠的第一覆盖层和第二覆盖层。
所述第三电极可以包括顺序堆叠的下电极层和上电极层，并且所述覆盖层可以包括顺序堆叠的第一覆盖层、第二覆盖层、第三覆盖层和第四覆盖层。
所述第三电极的厚度可以大于所述第二电极的厚度。
所述第三电极与所述覆盖层之间的粘性可以小于所述第三电极与所述第二电极之间的粘性。
所述覆盖层可以包括8-羟基喹啉锂、N,N-联苯-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺、N(联苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或者2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。
所述第三电极可以包括Mg。
所述装置可以包括用于透射外部光的透光区和与所述透光区相邻且发光的像素区。所述透光区和所述像素区可以放置在所述第一区域中，并且所述第一电极可以与所述像素区重叠。
所述装置可以进一步包括包含有源层、栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述第一电极进行电连接，并且所述第一电极可以被布置为屏蔽所述薄膜晶体管。
所述覆盖层可以是透光的。所述覆盖层的边缘部分和所述第三电极的边缘部分中的全部可以彼此接触。
所述覆盖层的面积可以大于一个像素中发光的面积。
根据另一方面，提供一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成第一电极，在所述第一电极上形成包括有机发射层的中间层，在所述中间层上形成第二电极，以及在第一区域中所述第二电极上形成覆盖层。所述覆盖层具有第一边缘部分和至少两层。在第二区域中所述第二电极上形成第三电极。所述第二区域与所述第一区域不重叠，并且所述第三电极包括第二边缘部分，所述第二边缘部分具有面向所述覆盖层的第一边缘部分的侧部的侧部。
所述第三电极和所述覆盖层可以通过进行沉积工艺形成。
用于形成所述第三电极的金属与所述覆盖层之间的粘性可以小于用于形成所述第三电极的金属与所述第二电极之间的粘性。
所述覆盖层可以通过使用包括与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成。
所述第三电极可以通过使用包括在所述覆盖层上方的开口的开口掩膜来形成。
所述第三电极可以通过不使用掩膜执行沉积工艺来形成。
所述覆盖层的形成可以包括：通过使用具有与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成所述覆盖层的至少两层中的布置在所述第二电极上的第一层，以及通过使用包括在所述覆盖层上的开口的开口掩膜来形成所述覆盖层的其余层。
所述覆盖层的形成可以包括：通过使用具有与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成所述覆盖层的至少两层中的布置在所述第二电极上的第一层，以及不使用掩膜来形成所述覆盖层的其余层。
所述第三电极的形成可以在形成所述覆盖层的至少一层以后进行。
所述第三电极和所述覆盖层的形成可以包括：通过使用具有与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成所述覆盖层的至少两层中的布置在所述第二电极上的第一层，以及通过在共沉积工艺中使用开口掩膜来形成所述第三电极和所述覆盖层的其余层，所述开口掩膜包括在所述覆盖层的所述第一层上方的开口。
所述第三电极可以包括顺序堆叠的多个电极层。
所述第三电极和所述覆盖层的形成可以包括：通过使用包括与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成所述覆盖层的多层中的与所述第二电极接触的最下层，以及通过使用包括在所述覆盖层的最下层上方的开口的开口掩膜来形成所述第三电极的多个电极层中的与所述第二电极接触的最下电极层。
所述方法可以包括：通过使用具有与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成所述覆盖层的多层中的除所述最下层以外的其余层，以及通过使用开口掩膜来形成所述第三电极的多个电极层中的除所述最下电极层以外的其余层。
所述方法可以包括：通过使用开口掩膜形成所述覆盖层的多层中的除所述最下层以外的其余层，以及通过使用所述开口掩膜来形成所述第三电极的多个电极层中的除所述最下电极层以外的其余层。
所述第三电极和所述覆盖层的形成可以包括：交替地布置包括用于形成所述覆盖层的材料的多个第一沉积源以及包括用于形成所述第三电极的材料的多个第二沉积源，以及移动包括所述第二电极的所述基板以便使所述基板逐个对应于所述多个第一沉积源和所述多个第二沉积源。
所述第三电极和所述覆盖层的形成可以包括：通过使用具有与所述覆盖层的图案对应的狭缝部分的掩膜来形成所述覆盖层的至少两层中的布置在所述第二电极上的层，以及通过共沉积工艺利用开口掩膜来同时形成所述第三电极的至少一层和所述覆盖层的其余层中的至少一层，所述开口掩膜包括在所述覆盖层上方的开口。
根据所述有机发光显示装置和制造根据本公开的有机发光显示装置的方法，可以容易地改进电特性和图像质量。
附图说明
通过参考附图描述示例实施例，上述和其它特征及优势将变得更明显，附图中：
图1是根据示例实施例的有机发光显示装置的示意性截面图；
图2是根据另一示例实施例的有机发光显示装置的示意性截面图；
图3是图1中的X的放大图；
图4是图3中的Y1和Y2的放大图；
图5至图10顺序图示制造图1中的有机发光显示装置的方法；
图11至图13图示图1中有机发光显示装置的覆盖层(capping layer)的形状的各实施例；
图14至图17图示制造图1中有机发光显示装置的方法的另一示例实施例；
图18图示制造图1中有机发光显示装置的方法的另一示例实施例；
图19是根据另一示例实施例的有机发光显示装置的截面图；
图20是图19中的Y1和Y2的放大图；
图21和图22图示制造图19中的有机发光显示装置的方法；
图23是根据另一示例实施例的有机发光显示装置的截面图；
图24是图23中的Y1和Y2的放大图；
图25至图28顺序图示制造图23中的有机发光显示装置的方法；
图29至图32顺序图示制造图23中的有机发光显示装置的另一方法；
图33是图示根据另一示例实施例的有机发光显示装置的平面图；
图34是图示图33中有机发光显示装置的一个像素的截面图；以及
图35是图示根据另一示例实施例的有机发光显示装置的平面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这一点上，本实施例可以具有不同形式，并且不应当被解释为局限于本文所阐述的描述。因此，下面通过参考附图仅描述示例实施例来说明本描述的方面。
当在本文中使用时，术语“和/或”包括所关联列出项中的一个或多个的任意和所有组合。
下文中，将参考附图中图示的示例实施例详细地说明构造和操作。
图1是根据示例实施例的有机发光显示装置的示意性截面图。
参考图1，根据实施例的有机发光显示装置100包括形成在基板101上的有机发光部件110以及用于密封有机发光部件110的封装基板191。
封装基板191可以形成为包括透光材料，使得在有机发光部件110处产生的可见光可以穿透封装基板191，并且封装基板191可以防止外部气体和湿气穿透到有机发光部件110内。
基板101和封装基板191可以通过密封材料150组合，并且基板101和封装基板191之间的间隙25可以被密封。在间隙25中，可以布置吸湿材料或填充物。
图2是根据另一示例实施例的有机发光显示装置的示意性截面图。
在图2的有机发光显示装置100′中，代替形成图1中的封装基板191，薄膜的封装层192可以形成在有机发光部件110′上，以便保护有机发光部件110′不受外部空气影响。封装层192可以通过不限制地交替形成包括如氧化硅或氮化硅之类的无机材料的层以及包括如环氧树脂和聚酰亚胺之类的有机材料的层来获得。透光薄膜上的任何密封结构可能是可应用的。
图3是图1中勾勒出的区域X的放大图，并且图4是图3中勾勒出的区域Y1和Y2的放大图。更具体地说，图3图示图1中图示的有机发光部件110的一个像素。可替代地，图3可以图示图2中图示的有机发光部件110′的一个像素。
参考图3，缓冲层102可以形成在基板101上，并且薄膜晶体管TR形成在缓冲层102上。薄膜晶体管TR包括有源层103、栅电极105、源电极107和漏电极108。
尽管图3中图示出仅仅一个薄膜晶体管TR，但是该像素可以通过进一步包括至少一个其它薄膜晶体管和电容器而构成像素电路。
有源层103形成在缓冲层102上。
缓冲层102可以防止杂质元素的穿透，并且可以起到使其表面平整的作用。缓冲层102可以通过使用可执行上面提到的功能的各种材料形成。例如，缓冲层102可以通过使用诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛等的无机材料或者诸如聚酰亚胺、聚酯、亚克力等的有机材料形成，或者可以形成为无机材料或有机材料的堆叠结构。缓冲层102可以省略。
有源层103可以由非晶硅、多晶硅或有机半导体材料形成，但是不必局限于此。有源层103可以通过使用氧化物半导体形成。例如，有源层103可以包括G-I-Z-O层[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c层](其中a、b和c是分别满足a≥0、b≥0和c≥0的实数)。
覆盖有源层103的栅绝缘层104形成在缓冲层102上，并且栅电极105形成在栅绝缘层104上。
层间绝缘层106形成在栅绝缘层104上来覆盖栅电极105，并且源电极107和漏电极108形成在层间绝缘层106上并通过接触孔与有源层103进行相应接触。
上面描述的薄膜晶体管TR的结构不必局限于此，并且薄膜晶体管的各种类型的结构可能是可应用的。例如，图3中图示的薄膜晶体管TR可以具有顶栅结构。可替代地，可以使用底栅结构的薄膜晶体管TR。可替代地，可以应用所有这些薄膜晶体管的其它可应用结构。
包括电容器的像素电路(未示出)可以与薄膜晶体管TR一起形成。
覆盖包括薄膜晶体管TR的像素电路的钝化层109被形成。钝化层109可以是单层或多层的具有平整上表面的绝缘层。钝化层109可以通过使用无机材料和/或有机材料形成。
在钝化层109上，有机发光器件EL被形成以便与薄膜晶体管TR进行电连接。有机发光器件EL包括第一电极121、第二电极122和中间层120。
具体地，第一电极121被形成为与漏电极108进行电连接。
在钝化层109上，覆盖第一电极121的边缘部分的像素限定层119被形成。像素限定层119包括被放置为与第一电极121的中央部分对应的开口部分119a。
在通过开口部分119a暴露的第一电极121上，包括有机发射层的中间层120被形成，并且覆盖中间层120的第二电极122被形成。
中间层可以包括低分子量有机层或高分子量有机层。当使用低分子量有机层时，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等可以用作单层结构或堆叠的复合结构。低分子量有机层可以通过真空沉积方法形成。
HIL可以通过使用例如像铜酞菁等这样的酞菁化合物或者像三(4-咔唑-9-基苯基)胺(TCTA)、4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)(m-MTDATA)、1,3,5-三[4-(2-甲基苯基苯基氨基)苯基]苯(m-MTDAPB)等这样的星爆型胺来形成。
HTL可以通过使用例如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(TPD)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基联苯胺(α-NPD)等形成。
EIL可以通过使用例如像LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、8-羟基-喹啉-锂(Liq)等这样的材料形成。
ETL可以通过使用例如三(8-羟基)铝(Alq3)形成。
EML可以包括主体材料和掺杂材料。EML可以包括发射各种颜色的可见光的发射层。此外，EML的布置可以多样地限定并且可以被布置为根据像素产生不同的颜色。然而，本公开可以不局限于上面描述的实施例。不同颜色的滤色器可以在堆叠多个发射层以后根据像素的期望颜色来布置，以便根据白光发射方法相对于全体像素获得白光。
第一电极121可以充当阳电极，而第二电极122可以充当阴电极。可替代地，第一电极121的极性和第二电极122的极性可以互换。
当第一电极121充当阳电极时，第一电极121可以包括具有高功函数的材料，例如ITO、IZO、ZnO、In2O3等，并且可以附加地包括通过使用例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb、Ca等形成的反射层。
当第二电极122充当阴电极时，第二电极122可以通过使用诸如例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca等这样的金属形成。此外，第二电极122可以包括例如用于光透射的ITO、IZO、ZnO、In2O3等。此外，第二电极122可以通过使用例如Al、Ag和/或Mg被形成为薄膜。第二电极122可以被形成为使得公共电压可以施加给所有像素，因此被形成为未被图案化为与像素的图案对应的公共电极。可替代地，作为公共电极的第二电极122可以以通过去除该公共电极的除与发光区重叠的那些部分以外的部分获得的网眼形状而被图案化。
当第二电极122被形成为公共电极时，电压降可能在第二电极122处产生。具体地，当图3中的装置是用户可以从图3中的上部看到图像的顶发射型装置时，第二电极122的片电阻(sheet resistance)可以增加，因为第二电极122包括透光的金属氧化物或金属薄膜。在此情况下，所产生的电压降可能甚至更大。
为解决上面描述的缺陷，在本公开中可以进一步形成与第二电极122进行电连接的第三电极130。
此外，由于图1所示的封装基板191，第二电极122的上表面可能被损坏。第二电极122的上表面也可能容易在图2中封装层192的形成期间被损坏。为解决上面描述的缺陷，覆盖层140形成在第二电极122上。
覆盖层140形成在第一区域R1中第二电极122上且具有第一边缘部分140a。
第三电极130形成在第二区域R2中第二电极122上且具有第二边缘部分130a。第三电极130被布置为与覆盖层140相邻，同时保持水平状态。
第一区域R1的面积大于至少一个像素中产生发光的面积，并且对应于覆盖一个像素中产生发光的区域的区域。覆盖层140形成在整个第一区域R1上，并且第一区域R1的边缘部分是覆盖层140的第一边缘部分140a。第二区域R2对应于从第二电极122中排除第一区域R1以外的区域。第三电极130形成在整个第二区域R2上，并且第二区域R2的边缘部分是第三电极130的第二边缘部分130a。第二区域R2是排除产生发光的区域以外的区域。
覆盖层140的第一边缘部分140a的侧部和第三电极130的第二边缘部分130a的侧部彼此接触。
第三电极可以被形成为具有大于第二电极122的厚度的厚度，以便减小第二电极122的片电阻。
由于覆盖层140可以覆盖像素中产生发光的区域，所以覆盖层140可以被形成为透光。覆盖层140可以被形成为具有小于第三电极130的厚度的薄膜层，然而覆盖层140的厚度不局限于此。
在示例实施例中，第三电极130和覆盖层140的材料可以被选择为使得第三电极130和覆盖层140之间的粘性可以小于第三电极130和第二电极122之间的粘性。
覆盖层可以通过使用例如包括8-羟基喹啉锂(Liq)、N,N-联苯-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺、N(联苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或者2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑的材料形成。
第三电极130可以通过使用例如Mg形成。
用于形成第三电极130的Mg与用于形成第二电极122的材料类似，也就是说，第三电极130和第二电极122都是通过使用金属形成的，并且第三电极130和第二电极122之间的粘性良好。然而，Mg和上面描述的覆盖层140的材料之间的粘性不好。因此，第三电极130可以简单地通过使用第三电极130和覆盖层140之间的粘性被图案化。
如上面所述，第三电极130被图案化以便仅在第二区域R2中形成。然而，在形成有机发光器件EL的中间层120以后，第三电极130可以被图案化，而不必使用被广泛用作普通金属层的图案化方法的湿法工艺，如光刻工艺。当在进行湿法工艺时湿汽和/或氧气穿透进入中间层120内时，有机发光器件EL的寿命可能急剧降低。
因此，第三电极130的图案化在实际工艺中是非常困难的。
根据本公开，第三电极130可以通过使用第三电极130和覆盖层140之间的粘合特性来图案化。下面将描述具体方法。
第三电极130和覆盖层140可以各自分别包括多层。
参考图4，第三电极130包括下电极层131和上电极层132。
此外，覆盖层140包括第一覆盖层141和第二覆盖层142。第一覆盖层141和第二覆盖层142包括覆盖层140的上面描述的材料并且可以通过使用相同材料或不同材料形成。
为了保证覆盖层140的目标厚度，进行一次以上的沉积工艺，该沉积工艺作为两个分离的沉积工艺进行。首先，形成第一覆盖层141并且形成下电极层131。然后，形成第二覆盖层142并且形成上电极层132。在此情况下，可以容易地进行第三电极130和覆盖层140的图案化，并且对每个工艺进行控制以形成第三电极130和覆盖层140的微细图案会是可能的。此外，可以容易地防止在第一区域R1中形成第三电极130，因此可以提高有机发光显示装置100的透射率。
在该示例实施例中，覆盖层140通过进行沉积工艺两次来形成，并且第三电极130通过进行沉积工艺两次来形成。然而，沉积工艺可能不局限于此，并且可以分离地进行三次或更多次。
图5至图10顺序图示制造图1中的有机发光显示装置的方法。
首先，参考图5，在基板101上形成直至第二电极122的元件。
然后，参考图6，对其上形成有直至第二电极122的元件的基板101进行沉积工艺。也就是说，布置掩膜170来面向基板101，并且通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺。第一沉积源S1包括上面描述的用于形成覆盖层140的各种材料中的至少一种材料。
掩膜170包括屏蔽部分171和狭缝部分172。狭缝部分172具有与用于形成覆盖层140的区域对应(即与第一区域R1对应)的特定图案。
如图7所示，进行通过使用第一沉积源S1的沉积工艺来在第一区域R1中第二电极122上形成覆盖层140的第一覆盖层141。
然后，参考图8，对包括被形成为直至第一覆盖层141的元件的基板101进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜180来面向基板101，并且使用第二沉积源S2进行沉积工艺。第二沉积源S2包括上面描述的用于形成第三电极130的材料，即Mg。开口掩膜180包括屏蔽部分181和开口部分182。屏蔽部分181具有与方形窗框类似的形状，并且开口部分182形成屏蔽部分181的中心。开口掩膜180包括不具有特定图案的开口部分182。也就是说，与上面描述的掩膜170不同，开口掩膜180被形成为将沉积材料传递到基板101的除被屏蔽部分181的边界遮挡的基板表面的那些部分以外的整个表面上(包括在图案中沉积的覆盖层上)。
同时，尽管开口掩膜180被提供在本示例实施例中，但是开口掩膜180也可以在沉积工艺期间使用第二沉积源S2时省略。
通过利用第二沉积源S2进行沉积工艺，第三电极130的下电极层131形成在第二区域R2中第二电极122上。
在此情况下，由于在第二沉积源S2中包含的用于形成第三电极130的材料具有与第一覆盖层141的差粘性，因此第二沉积源S2材料的层可以不形成在第一覆盖层141上，而是可以仅在第二电极122的暴露部分上形成一层，第二电极122具有与第二沉积源S2材料相对好的粘性。
因此，下电极层131可以自然地被图案化，而不使用单独的掩膜或不进行图案化工艺。具体地，整个第三电极130可以通过进行沉积工艺多于一次形成。也就是说，整个第三电极130可以通过首先形成下电极层131至与第三电极130的期望厚度的一半对应的特定厚度来形成。在此情况下，下电极层131的微细图案化会是可能的。
然后，参考图9，对包括被形成为直至下电极层131的元件的基板101进行沉积工艺。也就是说，如图6所示布置掩膜170来面向基板101，并且使用第一沉积源S1进行沉积工艺来在第一区域R1中第一覆盖层141上形成第二覆盖层142，以完成覆盖层140。由于掩膜170与上面描述的掩膜相同，所以将省略其详细描述。此外，由于下列示例实施例中的掩膜270和370与掩膜170相同，所以也将省略其详细描述。
参考图10，对包括被形成为直至第二覆盖层142的元件的基板101进行沉积工艺。也就是说，如图8所示，布置开口掩膜180来面向基板101，并且使用第二沉积源S2进行沉积工艺来在第二区域R2中下电极层131上形成上电极层132，以完成第三电极130。如上面所述的，上电极层132可以通过使用第二沉积源S2而不使用开口掩膜180进行沉积工艺来形成。
由于开口掩膜180与上面描述的开口掩膜相同，所以将省略其详细描述。此外，由于以下示例实施例中的开口掩膜280和380与开口掩膜180相同，所以也将省略其详细描述。
在该示例实施例中，第一覆盖层141和第二覆盖层142通过使用掩膜170分离的两次而形成，以完成覆盖层140。通过这些工艺，覆盖层140可以容易地形成到具有目标厚度的目标图案中。具体地，覆盖层140的微细图案可以被控制使得其仅对应于第一区域R1会是可能的。
此外，下电极层131和上电极层132通过使用开口掩膜180分离的两次而形成，以完成第三电极130。具体地，在形成第一覆盖层141以后，下电极层131通过使用第一覆盖层141在第二区域R2中形成为期望的形状。此外，在形成第二覆盖层142以后，上电极层132通过使用第二覆盖层142在第二区域R2中形成为期望的形状。通过该方法，可以容易地实现在不使用具有特定图案的掩膜的情况下第三电极130在第二区域R2中的微细图案化。
图11至图13图示图1中有机发光显示装置的覆盖层的形状的各示例实施例。
如图11所示，一个覆盖层140作为岛形状可以被提供给每一个像素P。在图11中，覆盖层140具有覆盖一个像素P的整个区域的区域。然而，覆盖层140可以具有仅覆盖上面描述的像素P的发光区的区域，而没有限制。在此情况下，第三电极130可以形成每个像素P之间的点阵图案。
如图12中作为另一示例实施例所图示的，一个覆盖层140作为岛形状可以被提供用于多个像素P。在此情况下，第三电极130可以形成多个像素P之间的点阵图案。
如图13中作为另一示例实施例所图示的，覆盖层140可以被提供用于以条纹形状成行排列的多个像素P。在此情况下，第三电极130可以形成每行像素P之间的条纹图案。
图14至图17图示制造图1中有机发光显示装置的方法的另一示例实施例。
参考图14，对包括被形成为直至第二电极122的元件的基板101进行沉积工艺。掩膜170包括屏蔽部分171和狭缝部分172。狭缝部分172具有与用于形成覆盖层140的区域，即第一区域R1对应的特定图案。
通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺，覆盖层140的第一覆盖层141形成在第一区域R1中第二电极122上。
然后，参考图15，对包括被形成为直至第一覆盖层141的元件的基板101进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜180来面向基板101，并且使用第二沉积源S2进行沉积工艺。通过利用第二沉积源S2进行沉积工艺，第三电极130的下电极层131形成在第二区域R2中第二电极上。
然后，参考图16，对包括被形成为直至下电极层131的元件的基板101进行沉积工艺。具体地，布置开口掩膜180为面向基板101，并且通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺来在第一区域R1中第一覆盖层141上形成第二覆盖层142，以完成覆盖层140。在此情况下，在第一沉积源S1中包含的用于形成第二覆盖层142的材料对第一覆盖层141具有好的粘合特性，并且对下电极层131具有差的粘合特性。因此，第一沉积源S1材料的层可以不形成在下电极层131上，但是第一沉积源S1材料的层可以形成在具有相对好粘性的第一覆盖层141上。
然后，参考图17，对包括被形成为直至第二覆盖层142的元件的基板101进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜180为面向基板101，并且使用第二沉积源S2进行沉积工艺来在第二区域R2中下电极层131上形成上电极层132，以完成第三电极130。
图18图示制造图1中图示的有机发光显示装置的方法的另一示例实施例。
参考图18，当沿由箭头A指示的方向(x轴方向)移动包括被形成为直至第二电极122的元件的基板101时，连续地进行沉积工艺。也就是说，使用第一沉积源S1对基板101进行沉积工艺。在基板101上方布置掩膜170来在第一区域R1中形成第一覆盖层。
然后，逐个使用第二沉积源S2、第一沉积源S1、第二沉积源S2、第一沉积源S1和第二沉积源S2进行沉积工艺。具体地，在基板101上方布置开口掩膜180来进行沉积工艺。可替代地，可以将开口掩膜180排除进行沉积工艺。
通过进行上面描述的工艺，可以容易地形成通过堆叠三层获得的第三电极130和通过集成三层获得的覆盖层140。
图19是根据另一示例实施例的有机发光显示装置的截面图。图20是图19中示出的区域Y1和Y2的放大图。为便于说明，将优先说明与上面描述的示例实施例不同的部分。
参考图19和图20，缓冲层202形成在基板201上，并且薄膜晶体管TR形成在缓冲层202上。薄膜晶体管TR包括有源层203、栅电极205、源电极207和漏电极208。
有源层203形成在缓冲层202上，覆盖有源层203的栅绝缘层204被形成，并且栅电极205形成在栅绝缘层204上。覆盖栅电极205的层间绝缘层206形成在栅绝缘层204上。在层间绝缘层206上，源电极207和漏电极208被形成并且通过接触孔分别与有源层203进行接触。覆盖包括薄膜晶体管TR的像素电路的钝化层209被形成。在钝化层209上，与薄膜晶体管TR进行电连接的有机发光器件EL被形成。有机发光器件EL包括第一电极221、第二电极222和中间层220。具体地，第一电极221被形成为与漏电极208进行电连接。在钝化层209上，包括开口部分219a的像素限定层219被形成。
在第一电极221上，包括有机发光层的中间层220被形成，并且覆盖中间层220的第二电极222被形成。
与第二电极222进行电连接的第三电极230被形成，并且覆盖层240形成在第二电极222上。
覆盖层240形成在第一区域R1中第二电极222上且具有第一边缘部分240a。
第三电极230形成在第二区域R2中第二电极222上且具有第二边缘部分230a。第三电极230被布置为与覆盖层240相邻，同时保持水平状态。
覆盖层240的第一边缘部分240a的侧部和第三电极230的第二边缘部分230a的侧部可以彼此接触。
第三电极230可以被形成为具有大于第二电极222的厚度，以便减小第二电极222的片电阻。
由于覆盖层240可以覆盖像素中发光的区域，所以覆盖层240可以被形成为透光。覆盖层240可以被形成为具有小于第三电极230的厚度的薄膜层，然而覆盖层240的厚度不局限于此。
如在示例实施例中图示的，第三电极230和覆盖层240的材料可以被选择为，使得第三电极230和覆盖层240之间的粘性小于第三电极230和第二电极222之间的粘性。
在本示例实施例中，覆盖层240包括多层。
参考图20，覆盖层240包括第一覆盖层241和第二覆盖层242。第一覆盖层241和第二覆盖层242可以包括覆盖层240的上面描述的材料，并且可以通过使用相同材料或不同材料形成。
为了实现覆盖层240的目标厚度，沉积工艺可以进行一次以上。具体地，沉积工艺进行分离的两次。也就是说，在形成第一覆盖层241以后，第三电极230和第二覆盖层242同时形成，如下面描述的。通过上面描述的工艺，第三电极230和覆盖层240可以容易地被图案化和控制，并且每层的微细图案会是可能的。此外，可以容易地防止第三电极230在第一区域R1中的形成，以提高有机发光显示装置200的透射率。
图21和图22图示制造图19中图示的有机发光显示装置的方法。
首先，参考图21，对基板201进行沉积工艺。尽管未图示出，但是直至第二电极222的元件形成在基板201上。
布置掩膜270来面向基板201，并且使用第一沉积源S1进行沉积工艺。掩膜270包括屏蔽部分271和狭缝部分272。狭缝部分272包括与用于形成覆盖层240的区域，即第一区域R1对应的特定图案。
通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺，在第一区域R1中第二电极222上形成覆盖层240的第一覆盖层241。
然后，参考图22，对包括被形成为直至第一覆盖层241的元件的基板201进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜280来面向基板201，并且进行使用第一沉积源S1和第二沉积源S2的共沉积工艺。可替代地，开口掩膜280的使用可以省略。
通过使用第一沉积源S1和第二沉积源S2进行共沉积工艺，在第二区域R2中第二电极222上形成第三电极230，并且在第一区域R1中第一覆盖层241上形成第二覆盖层242。
在此情况下，由于在第二沉积源S2中包含的用于形成第三电极230的材料与第一覆盖层241的粘性不好，所以可能不在第一覆盖层241上形成层。然而，可以在具有相对好粘性的第二电极222上形成层。类似地，可以在具有相对好粘性的第一覆盖层241上形成在第一沉积源S1中包含的用于形成第二覆盖层242的材料。
因此，第三电极230和第二覆盖层242可以自然地被图案化，而不使用单独的掩膜或不进行单独的图案化工艺。
在该示例实施例中，在使用掩膜270形成第一覆盖层241以后，使用开口掩膜280形成第二覆盖层242，以完成覆盖层240。通过进行上面描述的工艺，覆盖层240可以容易地被形成为具有目标厚度的图案。具体地，覆盖层240的仅与第一区域R1对应的微细图案会是可能的。
此外，在使用开口掩膜280沉积第二覆盖层242时，第三电极230形成。通过进行这些工艺，可以容易地实现在不使用具有特定图案的掩膜的情况下第三电极230在第二区域R2中的微细图案化。
图23是根据另一示例实施例的有机发光显示装置的截面图。图24是图23中示出的区域Y1和Y2的放大图。为便于说明，将优先说明与上面描述的示例实施例不同的部分。
参考图23和图24，缓冲层302形成在基板301上，并且薄膜晶体管TR形成在缓冲层302上。薄膜晶体管TR包括有源层303、栅电极305、源电极307和漏电极308。
在缓冲层302上，有源层303被形成，覆盖有源层303的栅绝缘层304被形成，并且栅电极305形成在栅绝缘层304上。覆盖栅电极305的层间绝缘层306形成在栅绝缘层304上，并且源电极307和漏电极308形成在层间绝缘层306上，以通过接触孔分别与有源层303进行接触。覆盖包括薄膜晶体管TR的像素电路的钝化层309被形成。在钝化层309上，与薄膜晶体管TR进行电连接的有机发光器件EL被形成。有机发光器件EL包括第一电极321、第二电极322和中间层320。具体地，第一电极321被形成为与漏电极308进行电连接。在钝化层309上，包括开口部分319a的像素限定层319被形成。
在第一电极321上，包括有机发光层的中间层320被形成，并且覆盖中间层320的第二电极322被形成。
第三电极330被形成与第二电极进行电连接，并且覆盖层340形成在第二电极322上。
覆盖层340形成在第一区域R1中第二电极322上，且具有第一边缘部分340a。
第三电极330形成在第二区域R2中第二电极322上，且具有第二边缘部分330a。第三电极330被布置为与覆盖层340相邻，同时保持水平状态。
覆盖层340的第一边缘部分340a的侧部和第三电极330的第二边缘部分330a的侧部彼此接触。
第三电极330可以被形成为具有大于第二电极322的厚度，以便减小第二电极322的片电阻。
由于覆盖层340可以覆盖像素中发光的区域，所以覆盖层可以被形成为透光。覆盖层340可以被形成为具有小于第三电极330的厚度的薄膜层，然而覆盖层340的厚度不局限于此。
在示例实施例中，用于形成第三电极330和覆盖层340的材料可以被选择为，使得第三电极330和覆盖层340之间的粘性小于第三电极330和第二电极322之间的粘性。
覆盖层340和第三电极330各自包括多层。
参考图24，第三电极330包括下电极层331和上电极层332。此外，覆盖层340包括第一覆盖层341、第二覆盖层342、第三覆盖层343和第四覆盖层344。第一覆盖层341至第四覆盖层344可以通过使用相同材料或不同材料形成。
为了实现覆盖层340的目标厚度，沉积工艺可以进行一次以上。沉积工艺进行多次，具体地为四次。此外，为了实现第三电极330的目标厚度，沉积工艺可以进行两次。
也就是说，在形成第一覆盖层341以后，下电极层331和第二覆盖层342同时形成。在形成第三覆盖层343以后，上电极层332和第四覆盖层344同时形成。本文下面将描述具体说明。
通过进行上面描述的工艺，第三电极330和覆盖层340的图案化可以容易地被进行和控制，并且每层的微细图案会是可能的。此外，可以容易地防止第三电极330在第一区域R1中的形成，并且可以提高有机发光显示装置300的透射率。
图25至图28顺序图示制造图23中图示的有机发光显示装置的方法。
参考图25，对基板301进行沉积工艺。尽管未图示出，但是直至第二电极322的元件形成在基板301上。
布置掩膜370来面向基板301，并且通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺。该掩膜包括屏蔽部分371和狭缝部分372。狭缝部分372具有与用于形成覆盖层340的区域，即第一区域R1对应的特定图案。
通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺，在第一区域R1中第二电极322上形成覆盖层340的第一覆盖层341。
参考图26，对包括被形成为直至第一覆盖层341的元件的基板301进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜380来面向基板301，并且进行使用第一沉积源S1和第二沉积源S2的共沉积工艺。可替代地，开口掩膜380的使用可以省略。
通过使用第一沉积源S1和第二沉积源S2进行共沉积工艺，在第二区域R2中第二电极322上形成下电极层331，并且在第一区域R1中第一覆盖层341上形成第二覆盖层342。
在此情况下，在第二沉积源S2中包含的用于形成第三电极330的下电极层331的材料具有与第一覆盖层341的差粘性。因此，在第一覆盖层341上可以不形成第二沉积源S2材料的层，但是可以在具有相对好粘性的第二电极322上形成第二沉积源S2材料的层。类似地，可以在具有相对好粘性的第一覆盖层341上形成在第一沉积源S1中包含的用于形成第二覆盖层342的材料。
然后，参考图27，对包括被形成为直至下电极层331和第二覆盖层342的元件的基板301进行沉积工艺。
在布置掩膜370来面向基板301以后，通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺。进行通过第一沉积源S1的沉积工艺，以在第一区域R1中第二覆盖层342上形成第三覆盖层343。
然后，参考图28，对包括被形成为直至第三覆盖层343的元件的基板301进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜380来面向基板301，并且进行使用第一沉积源S1和第二沉积源S2的共沉积工艺。可替代地，开口掩膜380的使用可以省略。
通过使用第一沉积源S1和第二沉积源S2进行共沉积工艺，在第二区域R2中下电极层331上形成上电极层332，并且在第一区域R1中第三覆盖层343上形成第四覆盖层344。
在此情况下，在第二沉积源S2中包含的用于形成第三电极330的上电极层332的材料具有与第三覆盖层343的差粘性。因此，在第三覆盖层343上可以不形成第二沉积源S2材料的层，但是可以在具有相对好粘性的下电极层331上形成第二沉积源S2材料的层。类似地，在第一沉积源S1中包含的用于形成第四覆盖层344的材料可以在具有相对好粘性的第三覆盖层343上形成层。
在该示例实施例中，在使用掩膜370形成第一覆盖层341以后，使用开口掩膜380同时形成第二覆盖层342和下电极层331。此外，在使用掩膜370形成第三覆盖层343以后，使用开口掩膜380同时形成第四覆盖层344和上电极层332。
通过进行上面描述的工艺，可以容易地形成具有目标厚度的图案的覆盖层340。具体地，覆盖层340的微细图案可以被控制以便仅对应于第一区域R1会是可能的。
此外，当使用开口掩膜380沉积第二覆盖层342和第四覆盖层344时，第三电极330的下电极层331和上电极层332可以同时形成。因此，第三电极330在第二区域R2中的微细图案化可以容易地进行，而不使用特定图案掩膜。
图29至图32顺序图示制造图23中图示的有机发光显示装置的另一方法。
首先，参考图29，对基板301进行沉积工艺。尽管未图示出，但是直至第二电极322的元件形成在基板301上。
布置掩膜370来面向基板301，并且使用第一沉积源S1进行沉积工艺。掩膜370包括屏蔽部分371和狭缝部分372。狭缝部分372具有与用于形成覆盖层340的区域，即第一区域R1对应的特定图案。
通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺，在第一区域R1中第二电极322上形成覆盖层340的第一覆盖层341。
参考图30，对包括被形成为直至第一覆盖层341的元件的基板301进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜380来面向基板301，并且使用第一沉积源S1和第二沉积源S2进行共沉积工艺。可替代地，开口掩膜380的使用可以省略。
通过使用第一沉积源S1和第二沉积源S2进行共沉积工艺，在第二区域R2中第二电极322上形成下电极层331，并且在第一区域R1中第一覆盖层341上形成第二覆盖层342。
在此情况下，在第二沉积源S2中包含的用于形成第三电极330的下电极层331的材料具有与第一覆盖层341的差粘性。因此，在第一覆盖层341上可以不形成第二沉积源S2材料的层，但是可以在具有相对好粘性的第二电极322上形成第二沉积源S2材料的层。类似地，在第一沉积源S1中包含的用于形成第二覆盖层342的材料可以在具有相对好粘性的第一覆盖层341上形成层。
然后，参考图31，对包括被形成为直至下电极层331和第二覆盖层342的元件的基板301进行沉积工艺。
在布置掩膜380来面向基板301以后，通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺。通过使用第一沉积源S1进行沉积工艺，在第一区域R1中第二覆盖层342上形成第三覆盖层343。在此情况下，在第一沉积源S1中包含的用于形成第三覆盖层的材料具有与第二覆盖层342的好粘性，但是具有与下电极层331的差粘性。因此，在下电极层331上可以不形成第一沉积源S1材料的层，但是可以在具有相对好粘性的第二覆盖层342上形成第一沉积源S1材料的层。
参考图32，对包括被形成为直至第三覆盖层343的元件的基板301进行沉积工艺。也就是说，布置开口掩膜380来面向基板301，并且进行使用第一沉积源S1和第二沉积源S2的共沉积工艺。可替代地，开口掩膜380的使用可以省略。
通过使用第一沉积源S1和第二沉积源S2进行共沉积工艺，在第二区域R2中下电极层331上形成上电极层332，并且在第一区域R1中第三覆盖层343上形成第四覆盖层344。
在此情况下，在第二沉积源S2中包含的用于形成第三电极330的上电极层332的材料具有与第三覆盖层的差粘性。因此，第二沉积源S2材料的层可以不形成在第三覆盖层343上，但是第二沉积源S2材料的层可以形成在具有相对好粘性的下电极层331上。类似地，在第一沉积源S1中包含的用于形成第四覆盖层344的材料可以在具有相对好粘性的第三覆盖层343上形成层。
在该示例实施例中，在使用掩膜370形成第一覆盖层341以后，使用开口掩膜380同时形成第二覆盖层342和下电极层331。此外，在使用开口掩膜380形成第三覆盖层343以后，使用开口掩膜380同时形成第四覆盖层344和上电极层332。
通过进行上面描述的工艺，可以容易地形成具有至目标厚度的目标图案的覆盖层340。具体地，覆盖层340的微细图案可以被控制以便仅对应于第一区域R1会是可能的。
此外，当使用开口掩膜380沉积第二覆盖层342和第四覆盖层344时，可以同时形成第三电极330的下电极层331和上电极层332。因此，可以容易地实现第三电极330在第二区域R2中的微细图案化，而不使用具有特定图案的掩膜。
图33是图示根据另一示例实施例的有机发光显示装置的平面图，并且图34是图示图33中有机发光显示装置的一个像素的截面图。
有机发光显示装置400包括被形成为透射外部光的透光区TA、以及在透光区TA的任一侧上的各自分离的多个像素区PA。
如图33中所示，像素电路部分PC放置在像素区PA的每个中，并且多条导线，如扫描线S、数据线D和电源线V，电连接至像素电路部分PC。尽管未图示出，但是除扫描线S、数据线D和电源线V以外的各种导线可以根据像素电路部分PC的构造被提供。
此外，像素电路部分PC包括连接至扫描线S和数据线D的第一薄膜晶体管T1、连接至第一薄膜晶体管T1和电源线V的第二薄膜晶体管T2，以及连接至第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的电容器Cst。在此情况下，第一薄膜晶体管T1可以是开关晶体管，并且第二薄膜晶体管T2可以是驱动晶体管。第二薄膜晶体管T2电连接至第一电极421。上面描述的薄膜晶体管和电容器的数量不局限于所图示的示例实施例的数量，并且两个或多个薄膜晶体管以及一个或多个电容器可以根据像素电路部分PC组合。
参考图33，扫描线S和第一电极421被布置为彼此重叠。然而，示例实施例不限于此。包括扫描线S、数据线D和电源线V在内的多条导线中的至少一条导线可以被布置为与第一电极421重叠。可替代地，包括扫描线S、数据线D和电源线V在内的多条导线中的所有导线可以被布置为与第一电极421重叠，或者可以根据设计需要被布置为与第一电极421相邻。
在该示例实施例中，可以防止由于像素电路部分PC中器件的图案引起的外部光散射导致的失真。
像素区PA和透光区TA被形成为使得透光区TA的面积与像素区PA和透光区TA的总面积之比在从大约5％至大约90％的范围内。
当透光区TA的面积与像素区PA和透光区TA的总面积之比小于大约5％时，用户可能难以观看在有机发光显示装置400的相对侧放置的物体或图像。也就是说，有机发光显示装置400的透明度差。然而，当外部光的强度高时，即使透光区TA的面积与像素区PA和透光区TA的总面积之比是大约5％，用户可能也能够可见地识别在有机发光显示装置400的相对侧放置的物体或图像。因此，用户可以将有机发光显示装置400识别为透光的显示装置。
当透光区TA的面积与像素区PA和透光区TA的总面积之比超过大约90％时，可能难以通过像素区PA中发出的光产生稳定图像。也就是说，当像素区PA的面积减小时，从中间层420发出的光的亮度应增加以产生稳定图像。当从有机发光器件发出的光的亮度如上所述增加时，有机发光器件的寿命可能快速下降。
透光区TA的面积与像素区PA和透光区TA的总面积之比可以在从大约20％至大约70％的范围内。
当透光区TA的面积与像素区PA和透光区TA的总面积之比小于大约20％时，像素区PA的面积在与透光区TA相比时过大。因此，用户在通过透光区TA观测相对位置的图像时可能察觉到限制。当该比率超过大约70％时，可能限制待在像素区PA中布置的像素电路部分PC的设计。
在像素区PA中，可以提供电连接至像素电路部分PC的第一电极421。像素电路部分PC可以与第一电极421重叠，以便被第一电极421遮挡。此外，包括上面描述的扫描线S、数据线D和电源线V在内的导线中的至少一条导线可以被布置为与第一电极421交叉。可替代地，由于这些导线与像素电路部分PC相比对透射率具有较小的抑制比，因此所有这些导线可以根据设计限制被布置为与第一电极421相邻。
如上所述，当第一电极421包括通过使用用于反射光的导电金属制造的反射层时，第一电极421可以遮挡像素电路部分PC，并且可以防止由于像素区PA中的像素电路部分PC导致的外部图像的失真。
如图34中图示的，像素区PA和透光区TA被放置在第一区域R1中。
在此情况下，由于覆盖层440被放置在第一区域R1中，因此像素区PA和透光区TA中的全部可以被覆盖。此外，第三电极430被提供在位于第一区域R1的外部区域的第二区域R2中。
在该示例实施例中，由于覆盖层440使用如上所述的透光有机材料，因此透光区TA中的透光率可以不受影响。覆盖层440和第三电极430的结构、材料、制造方法等与上面描述的实施例中描述的那些相同。
尽管在附图中未图示出，但透光区TA中的透光率可以通过在透光区TA中排除第二电极422的至少一部分形成透光窗而被增加。在此情况下，透光窗可以进一步形成在像素限定层419、钝化层409、层间绝缘层406、栅绝缘层404和缓冲层402中的至少一层上，更别说在通过移除第二电极422的一部分的第二电极422上。
图35是图示根据另一示例实施例的有机发光显示装置的平面图。具体地，图35图示与有机发光显示装置500的三个子像素对应的三个平面图。
参考图35，与三个子像素的第一电极521a、521b和521c对应的一个透光区TA被形成。第一数据线D1至第三数据线D3分别与这三个子像素的第一电极521a、521b和521c电连接。此外，第一电源线V1与第一电极521a和第二第一电极521b进行电连接，并且第二电源线V2与第三第一电极521c进行电连接。
在此结构中，一个大的透光区TA可以针对多个子像素提供。因此，总显示的透光率可以增加得甚至更高，并且由于光的散射导致的图像失真可以更多地降低。
尽管未图示出，但是透光窗可以进一步形成在透光区TA中第二电极、像素限定层、钝化层、绝缘层间层、栅绝缘层和缓冲层中的至少一层上。
此外，在该示例实施例中，透光区TA和像素区PA被布置在第一区域(未示出)中，并且覆盖层(未示出)被布置在第一区域(未示出)中以覆盖透光区TA和像素区PA。此外，第三电极(未示出)可以形成在位于第一区域(未示出)的外部区域的第二区域中。
尽管参考本发明的示例实施例具体示出并描述了当前公开，但是本领域普通技术人员应当理解，可以在不背离包括所附权利要求的本公开的精神和范围的情况下，在这里进行形式和细节上的各种修改。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
布置在所述基板上的第一电极；
布置在所述第一电极上的中间层，所述中间层包括有机发射层；
布置在所述中间层上的第二电极；
布置在第一区域中所述第二电极上的覆盖层，所述覆盖层包括第一边缘部分和至少两层；以及
直接布置在第二区域中所述第二电极上并且包括至少两层的第三电极，所述第二区域与所述第一区域不重叠，所述第三电极包括第二边缘部分，所述第二边缘部分具有面向所述覆盖层的所述第一边缘部分的侧部的侧部，
其中所述第三电极的所述至少两层中的每层的厚度大于所述覆盖层的所述至少两层中的每层的厚度，并且
其中所述第三电极的所述至少两层中的最靠近所述第二电极的层的侧表面接触所述覆盖层，并且所述第三电极的所述至少两层中的最远离所述第二电极的层的侧表面不接触所述覆盖层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三电极包括顺序堆叠的下电极层和上电极层，并且所述覆盖层包括顺序堆叠的第一覆盖层和第二覆盖层，并且
其中所述下电极层和所述上电极层之间的界面与所述第一覆盖层和所述第二覆盖层之间的界面不重合。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三电极的所述至少两层中的一层的厚度等于或大于所述覆盖层的总厚度。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述覆盖层的所述至少两层的所有侧表面接触所述第三电极。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三电极的厚度大于所述第二电极的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三电极与所述覆盖层之间的粘性小于所述第三电极与所述第二电极之间的粘性。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述覆盖层包括8-羟基喹啉锂、N,N-联苯-N,N-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺、N(联苯-4-基)9,9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺或者2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第三电极包括Mg。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机发光显示装置，进一步包括用于透射外部光的透光区以及与所述透光区相邻且发光的像素区，所述透光区和所述像素区放置在所述第一区域中，并且所述第一电极与所述像素区重叠。
10.一种制造有机发光显示装置的方法，包括：
在基板上形成第一电极；
在所述第一电极上形成包括有机发射层的中间层；
在所述中间层上形成第二电极；
在第一区域中所述第二电极上形成覆盖层，所述覆盖层具有第一边缘部分和至少两层；并且
在第二区域中所述第二电极上形成第三电极，所述第二区域与所述第一区域不重叠，所述第三电极包括第二边缘部分和至少两层，所述第二边缘部分具有面向所述覆盖层的所述第一边缘部分的侧部的侧部，
其中，在形成所述覆盖层的所述至少两层中的一层之后，形成所述第三电极的所述至少两层中的一层，并且在形成所述覆盖层的所述至少两层中的另一层之后，形成所述第三电极的所述至少两层中的另一层，并且
其中所述第三电极的所述至少两层中的每层的厚度大于所述覆盖层的所述至少两层中的每层的厚度。
11.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第三电极的所述至少两层中的最靠近所述第二电极的层的侧表面接触所述覆盖层，并且所述第三电极的所述至少两层中的最远离所述第二电极的层的侧表面不接触所述覆盖层。
12.根据权利要求10所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述第三电极的所述至少两层中的每层的所述厚度等于或大于所述覆盖层的总厚度。
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