CN111725197A - 微发光二极管基板及其制作方法、显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种微发光二极管基板及其制作方法、显示面板及其制作方法。微发光二极管基板包括：第一衬底；以及微发光二极管阵列层，位于第一衬底上，微发光二极管阵列层包括：介电层，位于第一衬底上，介电层包括阵列排布的多个通孔，每个通孔贯穿介电层在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面，每个通孔包括内壁面；以及多个微发光二极管，微发光二极管的至少部分位于对应的通孔内，并与通孔的内壁面连接。根据本发明实施例的微发光二极管基板，在需要转移微发光二极管时，可以将带有微发光二极管阵列的整层微发光二极管阵列层进行转移，提高微发光二极管的转移效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种微发光二极管基板及其制作方法、显示面板及其制作方法。
背景技术
随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的微发光二极管(MicroLight Emitting Diode，Micro-LED)技术具有显著的性能优势，越来越引起人们的广泛关注。Micro-LED可视为微小化的LED，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势。
在Micro-LED显示面板的制造过程中，需要将Micro-LED芯片从生长衬底上转移至阵列基板上。现有技术中，Micro-LED芯片的转移方式是对Micro-LED芯片进行逐个或一定数量的拾取和转移，该方法耗时，生产效率较低。
发明内容
本发明提供一种微发光二极管基板及其制作方法，便于提高微发光二极管的转移效率。本发明提供一种显示面板及其制作方法，提高显示面板的制作良率。
第一方面，本发明实施例提供一种微发光二极管基板，其包括：第一衬底；以及微发光二极管阵列层，位于第一衬底上，微发光二极管阵列层包括：介电层，位于第一衬底上，介电层包括阵列排布的多个通孔，每个通孔贯穿介电层在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面，每个通孔包括内壁面；以及多个微发光二极管，微发光二极管的至少部分位于对应的通孔内，并与通孔的内壁面连接。
第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，其包括：阵列基板；微发光二极管阵列层，位于阵列基板上，微发光二极管阵列层包括：介电层，位于阵列基板上，介电层包括阵列排布的多个通孔，每个通孔贯穿介电层在垂直于阵列基板方向上相对的两个表面，每个通孔包括内壁面；以及多个微发光二极管，每个微发光二极管的至少部分位于对应的通孔内，并与通孔的内壁面连接；以及色彩转换层，位于微发光二极管阵列层上，色彩转换层用于将至少部分微发光二极管发出的光线转换为目标颜色的光线。
第三方面，本发明实施例提供一种微发光二极管基板的制作方法，其包括：提供第一衬底；以及在第一衬底上形成微发光二极管阵列层，其中，在第一衬底上形成微发光二极管阵列层包括：在第一衬底上形成介电层；图案化介电层，以在介电层上形成阵列排布的多个通孔，每个通孔贯穿介电层在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面，每个通孔包括内壁面；在介电层的通孔形成微发光二极管，微发光二极管与通孔的内壁面连接。
第四方面，本发明实施例提供一种显示面板的制作方法，其包括：提供前述本发明第一方面任一实施方式的微发光二极管基板；提供阵列基板；将微发光二极管基板的整面发光二极管阵列层与第一衬底剥离；将微发光二极管阵列层整面转移至阵列基板上；将微发光二极管阵列层的微发光二极管与阵列基板的像素驱动电路对应电连接；以及在微发光二极管阵列层上形成色彩转换层，色彩转换层用于将至少部分微发光二极管发出的光线转换为目标颜色的光线。
根据本发明实施例的微发光二极管基板及其制作方法，微发光二极管阵列层设于第一衬底上，其中微发光二极管阵列层包括介电层以及多个微发光二极管多个为发光二极管位于介电层的通孔内，并与通孔的内壁面连接，使得微发光二极管阵列层为包括微发光二极管阵列结构的整层结构。在需要转移微发光二极管时，可以将带有微发光二极管阵列的整层微发光二极管阵列层进行转移，提高微发光二极管的转移效率。
根据本发明实施例的显示面板及其制作方法，多个微发光二极管以设置于微发光二极管阵列层的整层结构进行转移，以及以整层的形式同时与阵列基板之间进行键合绑定，微发光二极管之间的间距始终准确固定，提高显示面板的制作良率。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1是根据本发明一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图；
图2是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图；
图3是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的俯视结构示意图；
图4是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图；
图5是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板隐去微发光二极管的截面结构示意图；
图6是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图；
图7是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图；
图8是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图；
图9是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的俯视结构示意图；
图10是根据本发明一种实施例提供的显示面板的截面结构示意图；
图11是根据本发明又一种实施例提供的显示面板的截面结构示意图；
图12是根据本发明一种实施例提供的微发光二极管基板的制作方法的流程图；
图13是根据本发明一种实施例提供的微发光二极管基板的制作方法中在第一衬底上形成微发光二极管阵列层的流程图；
图14是根据本发明一种实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
本发明实施例提供一种微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)基板。图1是根据本发明一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图。微发光二极管基板100包括第一衬底110以及微发光二极管阵列层ZL，微发光二极管阵列层ZL位于第一衬底110上。
第一衬底110即微发光二极管的生长衬底，例如是蓝宝石衬底。
微发光二极管阵列层ZL包括介电层120和多个微发光二极管130。介电层120位于第一衬底110上，介电层120包括阵列排布的多个通孔121，每个通孔121贯穿介电层120在垂直于第一衬底110方向上相对的两个表面，每个通孔121包括内壁面，其中，通孔121的内壁面连接于介电层120在垂直于第一衬底110方向上相对的两个表面之间。微发光二极管130的至少部分位于对应的通孔121内，并与通孔121的内壁面连接。其中，微发光二极管130与通孔121内壁面之间的连接，例如是彼此接触且相互黏连，使得介电层120的移动时，微发光二极管130随之移动。
根据本发明实施例的微发光二极管基板100，微发光二极管阵列层ZL设于第一衬底110上，其中微发光二极管阵列层ZL包括介电层120以及多个微发光二极管130多个为发光二极管位于介电层120的通孔121内，并与通孔121的内壁面连接，使得微发光二极管阵列层ZL为包括微发光二极管130阵列结构的整层结构。在需要转移微发光二极管130时，可以将带有微发光二极管130阵列的整层微发光二极管阵列层ZL进行转移，提高微发光二极管130的转移效率。
在一些实施例中，每个微发光二极管130在对应通孔121内的形状，与对应通孔121内壁面的形状互补，使得微发光二极管130的周面与通孔121内壁面契合，从而充分接触连接，提高微发光二极管130与通孔121内壁面的连接紧密性。
图2是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图。在一些实施例中，通孔121的至少部分内壁面设有多个微结构RS，微结构RS为凸起结构或凹入结构。例如在本实施例中，微结构RS为凹入结构，使得微发光二极管130与通孔121接触的表面凹凸不平，提高微发光二极管130在通孔121中的粘附性，进而提高微发光二极管130与介电层120连接的稳固性。
图3是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的俯视结构示意图。在一些实施例中，通孔121在第一衬底110上的正投影的至少部分轮廓呈锯齿状，提高微发光二极管130在通孔121中的粘附性，进而提高微发光二极管130与介电层120连接的稳固性，轮廓呈锯齿状的通孔121可以通过刻蚀工艺形成在介电层120上，使得轮廓呈锯齿状的通孔121便于形成。
在本实施例中，介电层120为无机介电层。进一步地，介电层120可以为氧化硅层、氧化钛层中的任一或至少一者的叠层。例如，介电层120可以为二氧化硅、二氧化钛等材料制成，其可以是单层结构，也可以是叠层结构。微发光二极管130的绝大部分膜层为无机材料层，由于较高温度下无机材料之间能够相互黏连，使得微发光二极管130的无机材料层与无机介电层在较高温度下具有具有较强的结合能力，因此微发光二极管130在形成过程中，微发光二极管130的周面与通孔121内壁面生长在一起，使得微发光二极管130与通孔121内壁面连接得更加牢固，提高微发光二极管阵列层ZL的整体性。
在一些实施例中，介电层120在垂直于第一衬底110方向上的厚度为0.5微米至10微米，该介电层120的厚度与微发光二极管130的高度大致契合，使得介电层120的厚度足够将微发光二极管130较为稳定地相互连接。
在一些实施例中，每个微发光二极管130在垂直于第一衬底110方向上的高度，与对应通孔121在垂直于第一衬底110方向上的深度的差值为-1000纳米至1000纳米，使得微发光二极管130的高度和通孔121的深度的差别较小，微发光二极管130在垂直于第一衬底110方向上相对的两个表面，与介电层120在垂直于第一衬底110方向上相对的两个表面大致平齐，便于后续转运基板、显示面板的阵列基板等与微发光二极管阵列层ZL的接合，提高接合的紧密程度，避免脱落。
在一些实施例中，介质层120的上表面与微发光二极管130的上表面平齐。即微发光二极管阵列层ZL整体的上表面为一平整表面，在转运微发光二极管阵列层ZL的过程中，整体的上表面为平整表面的微发光二极管阵列层ZL更有利于转运装置对微发光二极管阵列层ZL的抓取、转移以及释放，并且能够有效防止微发光二极管阵列层ZL的局部翘曲。
微发光二极管阵列层ZL中，通孔121的尺寸和间距即微发光二极管130的尺寸和间距，通过对介电层120上形成的通孔121的尺寸和间距进行控制，即可实现对微发光二极管130的尺寸和间距的控制。在一些实施例中，通孔121的尺寸根据每个微发光二极管130预设的设计尺寸确定，通孔121的间距根据期望获得的显示面板中像素的间距进行配置。在一些实施例中，通孔121在平行于第一衬底110方向上的直径为1微米至50微米，从而能够得到直径为1微米至50微米的微发光二极管130。在一些实施例中，相邻通孔121之间的间距为1微米至50微米，使得获得的微发光二极管阵列层ZL中，微发光二极管130的间距也控制在1微米至50微米。微发光二极管130可以通过整层的微发光二极管阵列层ZL转移至显示面板的阵列基板上，使得微发光二极管130的尺寸以及相互间距在微发光二极管130器件形成后不再变化。因此，针对期望的显示面板中的像素尺寸和像素密度，能够在微发光二极管130的制作期间就进行调整和控制，并在后续工艺中保持不变，保证得到的显示面板产品的像素尺寸和像素密度能够与显示面板的设计尺寸高度符合。通过将微发光二极管130的直径控制在1微米至50微米的微小尺寸，使得微发光二极管130能够应用于精细化显示装置中。通过将微发光二极管130的间距也控制在1微米至50微米，使得通过转移获得的显示面板能够具有更高的像素密度(Pixels Per Inch，PPI)，从而提高显示面板的显示效果。
在上述实施例中，通孔121的内壁面垂直于第一衬底110，例如，通孔121的内壁面为柱面。然而，通孔121的内壁面可以不限于这样的设置方式。
图4是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图，图5是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板隐去微发光二极管的截面结构示意图。在一些实施例中，通孔121的至少部分内壁面相对于第一衬底110倾斜设置。
如图5，进一步地，每个通孔121包括相对的第一开口K1和第二开口K2。第一开口K1朝向第一衬底110，第二开口K2远离第一衬底110，其中，第二开口K2的开口面积大于第一开口K1的开口面积。在本实施例中，通孔121的内壁面为锥面或部分锥面，使得微发光二极管130的截面结构大致为梯形。
微发光二极管130在形成过程中，其包括的各膜层从第一开口K1向第二开口K2的方向依次生长形成，通孔121的形状大致为从第一开口K1向第二开口K2的方向上轮廓逐渐增大，使得微发光二极管130在生长形成中便于与通孔121的内壁面始终接触，提高微发光二极管130与介电层120连接的稳定性。
在微发光二极管基板100中，第一开口K1位于通孔121的底部，第二开口K2位于通孔121的顶部，当将微发光二极管阵列层ZL与第一衬底110剥离时，开口面积较小的底部第一开口K1能够避免微发光二极管130从第一开口K1处脱离介电层120，保证剥离过程中不会遗漏微发光二极管130。
在微发光二极管阵列层ZL的转移过程中，通常第一开口K1朝向下方，第二开口K2朝向上方，由于处于下方的第一开口K1的开口面积较小，使得第一开口K1上方的内壁面能够对微发光二极管130提供一定的支撑，避免转移过程中微发光二极管130掉落。
在微发光二极管阵列层ZL转移至显示面板的阵列基板上后，第一开口K1可以是朝向阵列基板，而第二开口K2可以是朝向显示面板的出光面，由于第二开口K2的开口面积更大，能够一定程度提高显示面板发光器件的开口率。
图6是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图，在一些实施例中，微发光二极管阵列层ZL还包括反射层140，反射层140位于介电层120背离第一衬底110的一侧。当微发光二极管阵列层ZL被转移至显示面板中时，其包括的反射层140用于对微发光二极管130发出的光线进行反射。
在一些实施例中，反射层140为第一分布式布拉格反射层(Distributed BraggReflector，DBR)，当微发光二极管阵列层ZL被转移至显示面板中时，第一分布式布拉格反射层能够对微发光二极管130发出的光线进行选择性透过和选择性反射。在一些实施例中，第一分布式布拉格反射层为无机膜层，从而在微发光二极管阵列层ZL中与微发光二极管130以及介电层120生长在一起，提高第一分布式布拉格反射层与微发光二极管130之间位置关系的稳固性。
图7是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图，在一些实施例中，介电层120背离第一衬底110的表面设有凹槽122，其中，至少部分凹槽122围绕通孔121设置，凹槽122能够提高介电层120背离第一衬底110的表面的表面积，从而在微发光二极管基板100的制作过程中提供更好的辅助散热效果。
图8、图9分别是根据本发明又一种实施例提供的微发光二极管基板的截面结构示意图、俯视结构示意图。在一些实施例中，介电层120背离第一衬底110的表面设有凹槽122，其中，至少部分凹槽122围绕通孔121设置。微发光二极管基板100还包括导热层150。导热层150位于介电层120背离第一衬底110的一侧，并且填充凹槽122设置。其中，导热层150包括多个导热单元151，多个导热单元151相互交叉形成多个第三开口，每个第三开口暴露至少一个微发光二极管130，多个导热单元151中的至少部分延伸至介电层120的外边缘，并从介电层120的外边缘暴露。在一些实施例中，凹槽122延伸至介电层120的外边缘，使得导热单元151的至少部分延伸至介电层120的外边缘。导热层150例如是石墨烯等导热性能强的膜层。通过在介电层120上设置导热层150，并将导热层150延伸至介电层120的外边缘以暴露，在微发光二极管130的形成过程中，导热层150能够将热量从介电层120向外导出，提高对微发光二极管基板100的散热性能。
本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板为Micro-LED显示面板。图10是根据本发明一种实施例提供的显示面板的截面结构示意图。显示面板200包括阵列基板210、微发光二极管阵列层ZL以及色彩转换层220。
阵列基板210包括第二衬底211以及位于第二衬底211上的驱动阵列层212。衬底211可以是玻璃、包含聚酰亚胺(Polyimide，PI)的衬底膜层。驱动阵列层212包括用于驱动发光元件发光的驱动电路。
微发光二极管阵列层ZL位于阵列基板210上，微发光二极管阵列层ZL包括介电层120以及多个微发光二极管130。介电层120位于阵列基板210上，介电层120包括阵列排布的多个通孔121，每个通孔121贯穿介电层120在垂直于阵列基板210方向上相对的两个表面。每个通孔121包括内壁面，内壁面连接于介电层120在垂直于阵列基板210方向上相对的两个表面之间。每个微发光二极管130的至少部分位于对应的通孔121内，并与通孔121的内壁面连接。
可选的，阵列基板210包括阵列排布的像素电路，像素电路与微发光二极管130一一对应并电连接，像素电路用于驱动对应的微发光二极管130显示。
色彩转换层220位于微发光二极管阵列层ZL上，色彩转换层220用于将至少部分微发光二极管130发出的光线转换为目标颜色的光线。
根据本发明实施例的显示面板200，包括整层结构的微发光二极管阵列层ZL，微发光二极管阵列层ZL包括介电层120以及连接于介电层120的通孔121内的微发光二极管130。在显示面板200的形成过程中，多个微发光二极管130以设置于微发光二极管阵列层ZL的整层结构进行转移，以及以整层的形式同时与阵列基板210之间进行键合绑定，微发光二极管130之间的间距始终准确固定，提高显示面板200的制作效率和制作良率。
在一些实施例中，色彩转换层220包括黑矩阵(Black Matrix，BM)221以及多个色彩转换单元222。黑矩阵221可以通过贴膜、光刻、激光加工、喷墨打印、3D打印、丝网印刷、微接触印刷等方式形成。黑矩阵221具有阵列排布的多个通道HL，多个通道HL的排布方式与微发光二极管阵列层ZL中微发光二极管130的排布方式匹配。色彩转换单元222可以是通过滤光实现色彩转化的层结构，也可以是包括光致发光材料的色彩转化层，其中光致发光材料可以是量子点层、荧光粒子层等。在本实施例中，以色彩转换单元222是量子点层为例进行说明。在一个示例中，色彩转换单元222可以包括颜色不同的多种，例如是包括红色色彩转换单元、绿色色彩转换单元、蓝色色彩转换单元，从而分别能够将微发光二极管130发出的光线转换为红光、绿光、蓝光。
在一些实施例中，每个微发光二极管130在对应通孔121内的形状，与对应通孔121内壁面的形状互补，使得微发光二极管130的周面与通孔121内壁面契合，从而充分接触连接，提高微发光二极管130与通孔121内壁面的连接紧密性。
在一些实施例中，显示面板200还包括封装层230以及保护层240。封装层230位于色彩转换层220背离阵列基板210的一侧，并且覆盖色彩转换层220以及微发光二极管阵列层ZL设置。保护层240位于封装层230背离阵列基板210的一侧。
图11是根据本发明又一种实施例提供的显示面板的截面结构示意图。在一些实施例中，显示面板200还包括第二分布式布拉格反射层250，第二分布式布拉格反射层250位于微发光二极管阵列层ZL背离阵列基板210的一侧。例如，第二分布式布拉格反射层250位于色彩转换层220背离阵列基板210的表面。再例如，第二分布式布拉格反射层250位于微发光二极管阵列层ZL与色彩转换层220之间。通过设置第二分布式布拉格反射层250，能够对显示面板200的出射光进行选择性过滤，降低各发光像素中的杂色比例，提高显示面板200在显示时的色彩准确性。
在一些实施例中，显示面板200还包括第三分布式布拉格反射层260，第三分布式布拉格反射层260位于微发光二极管阵列层ZL朝向阵列基板210的一侧。例如，第三分布式布拉格反射层260位于微发光二极管阵列层ZL朝向阵列基板210的表面。通过设置第三分布式布拉格反射层260，能够对微发光二极管130发出的光线选择性反射，使得更多的光线向显示面板200的出光面反射，提高显示面板200在显示时的显示亮度。
当第三分布式布拉格反射层260位于微发光二极管阵列层ZL朝向阵列基板210的表面时，第三分布式布拉格反射层260上可以设置有图案化的连接孔，该连接孔例如是刻蚀形成的过孔，微发光二极管阵列层ZL中的微发光二极管130能够通过设置在连接孔中的互连结构与阵列基板中像素电路电连接。
本发明实施例还提供一种微发光二极管基板的制作方法，该制作方法例如是用于制作根据本发明前述任一实施方式的微发光二极管基板100。
图12是根据本发明一种实施例提供的微发光二极管基板的制作方法的流程图。该微发光二极管基板的制作方法包括步骤S110至步骤S120。
在步骤S110中，提供第一衬底。第一衬底即微发光二极管的生长衬底，例如是蓝宝石衬底。
在步骤S120中，在第一衬底上形成微发光二极管阵列层。
图13是根据本发明一种实施例提供的微发光二极管基板的制作方法中在第一衬底上形成微发光二极管阵列层的流程图。其中，在第一衬底上形成微发光二极管阵列层的步骤S120进一步包括步骤S121至步骤S123。
在步骤S121中，在第一衬底上形成介电层。在本实施例中，介电层为无机介电层。进一步地，介电层可以为氧化硅层、氧化钛层中的任一或至少一者的叠层。在一些实施例中，介电层在垂直于第一衬底方向上的厚度为0.5微米至10微米。
在步骤S122中，图案化介电层，以在介电层上形成阵列排布的多个通孔。每个通孔贯穿介电层在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面，每个通孔包括内壁面，内壁面连接于介电层在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面之间。
在步骤S123中，在介电层的通孔形成微发光二极管，微发光二极管与通孔的内壁面连接。在一些实施例中，每个微发光二极管在垂直于第一衬底方向上的高度，与对应通孔在垂直于第一衬底方向上的深度的差值为-1000纳米至1000纳米，使得微发光二极管的高度和通孔的深度的差别较小，微发光二极管在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面，与介电层在垂直于第一衬底方向上相对的两个表面大致平齐，便于后续转运基板、显示面板的阵列基板等与微发光二极管阵列层的接合，提高接合的紧密程度，避免脱落。
根据本发明实施例的微发光二极管基板的制作方法，微发光二极管阵列层设于第一衬底上，其中微发光二极管阵列层包括介电层以及多个微发光二极管多个为发光二极管位于介电层的通孔内，并与通孔的内壁面连接，使得微发光二极管阵列层为包括微发光二极管阵列结构的整层结构。在需要转移微发光二极管时，可以将带有微发光二极管阵列的整层微发光二极管阵列层进行转移，提高微发光二极管的转移效率。
本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，该显示面板的制作方法例如是用于制作根据本发明前述任一实施方式的显示面板200。
图14是根据本发明一种实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。该显示面板的制作方法包括步骤S210至步骤S280。
在步骤S210中，提供微发光二极管基板，其中，提供的微发光二极管基板为提供本发明前述任一实施方式的微发光二极管基板100。该微发光二极管基板100包括第一衬底110以及微发光二极管阵列层ZL，微发光二极管阵列层ZL位于第一衬底110上。第一衬底110即微发光二极管的生长衬底，例如是蓝宝石衬底。微发光二极管阵列层ZL包括介电层120和多个微发光二极管130。介电层120位于第一衬底110上，介电层120包括阵列排布的多个通孔121，每个通孔121贯穿介电层120在垂直于第一衬底110方向上相对的两个表面，每个通孔121包括内壁面，其中，通孔121的内壁面连接于介电层120在垂直于第一衬底110方向上相对的两个表面之间。微发光二极管130的至少部分位于对应的通孔121内，并与通孔121的内壁面连接。
在步骤S220中，提供阵列基板。该阵列基板可以包括第二衬底以及位于第二衬底上的驱动阵列层。衬底可以是玻璃、包含PI的衬底膜层。驱动阵列层包括用于驱动发光元件发光的驱动电路。
在步骤S230中，将微发光二极管基板的整面发光二极管阵列层与第一衬底剥离。
在步骤S240中，将微发光二极管阵列层整面转移至阵列基板上。
在步骤S250中，将微发光二极管阵列层的微发光二极管与阵列基板的像素驱动电路对应电连接。
在步骤S260中，在微发光二极管阵列层上形成色彩转换层，色彩转换层用于将至少部分微发光二极管发出的光线转换为目标颜色的光线。
根据本发明实施例的显示面板的制作方法，多个微发光二极管以设置于微发光二极管阵列层的整层结构进行转移，以及以整层的形式同时与阵列基板之间进行键合绑定，微发光二极管之间的间距始终准确固定，提高显示面板的制作效率和制作良率。
在一些实施例中，显示面板的制作方法还包括步骤S270以及步骤S280。其中，在步骤S270中，在色彩转换层上形成封装层。在步骤S280中，在封装层上形成保护层。通过设置封装层和保护层，能够对微发光二极管阵列层以及色彩转换层提供保护，降低外部环境对微发光二极管阵列层以及色彩转换层的损害。
依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (23)
1.一种微发光二极管基板，其特征在于，包括：
第一衬底；以及
微发光二极管阵列层，位于所述第一衬底上，所述微发光二极管阵列层包括：
介电层，位于所述第一衬底上，所述介电层包括阵列排布的多个通孔，每个所述通孔贯穿所述介电层在垂直于所述第一衬底方向上相对的两个表面，每个所述通孔包括内壁面；以及
多个微发光二极管，所述微发光二极管的至少部分位于对应的所述通孔内，并与所述通孔的内壁面连接。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，每个所述微发光二极管在对应所述通孔内的形状，与对应所述通孔内壁面的形状互补。
3.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述通孔的至少部分内壁面设有多个微结构，所述微结构为凸起结构或凹入结构。
4.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述通孔在所述第一衬底上的正投影的至少部分轮廓呈锯齿状。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述介电层为无机介电层。
6.根据权利要求5所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述介电层为氧化硅层、氧化钛层中的任一或至少一者的叠层。
7.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述介电层在垂直于所述第一衬底方向上的厚度为0.5微米至10微米。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，每个所述微发光二极管在垂直于所述第一衬底方向上的高度，与对应所述通孔在垂直于所述第一衬底方向上的深度的差值为-1000纳米至1000纳米。
9.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述通孔在平行于所述第一衬底方向上的直径为1微米至50微米。
10.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，相邻所述通孔之间的间距为1微米至50微米。
11.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述内壁面垂直于所述第一衬底；或者
至少部分所述内壁面相对于所述第一衬底倾斜设置。
12.根据权利要求11所述的微发光二极管基板，其特征在于，每个所述通孔包括相对的第一开口和第二开口，所述第一开口朝向所述第一衬底，所述第二开口远离所述第一衬底，其中，所述第二开口的开口面积大于所述第一开口的开口面积。
13.根据权利要求11所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述内壁面为柱面；或者
所述内壁面为锥面或部分锥面。
14.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述微发光二极管阵列层还包括：
反射层，位于所述介电层背离所述第一衬底的一侧。
15.根据权利要求14所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述反射层为第一分布式布拉格反射层。
16.根据权利要求1所述的微发光二极管基板，其特征在于，所述介电层背离所述第一衬底的表面设有凹槽，其中，至少部分所述凹槽围绕所述通孔设置。
17.根据权利要求16所述的微发光二极管基板，其特征在于，还包括：
导热层，位于所述介电层背离所述第一衬底的一侧，并且填充所述凹槽设置，
其中，所述导热层包括多个导热单元，所述多个导热单元相互交叉形成多个第三开口，每个所述第三开口暴露至少一个所述微发光二极管，所述多个导热单元中的至少部分延伸至所述介电层的外边缘，并从所述介电层的外边缘暴露。
18.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
微发光二极管阵列层，位于所述阵列基板上，所述微发光二极管阵列层包括：
介电层，位于所述阵列基板上，所述介电层包括阵列排布的多个通孔，每个所述通孔贯穿所述介电层在垂直于所述阵列基板方向上相对的两个表面，每个所述通孔包括内壁面；以及
多个微发光二极管，每个所述微发光二极管的至少部分位于对应的所述通孔内，并与所述通孔的内壁面连接；以及
色彩转换层，位于所述微发光二极管阵列层上，所述色彩转换层用于将至少部分所述微发光二极管发出的光线转换为目标颜色的光线。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，每个所述微发光二极管在对应所述通孔内的形状，与对应所述通孔内壁面的形状互补。
20.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第二分布式布拉格反射层，位于所述微发光二极管阵列层背离所述阵列基板的一侧。
21.一种微发光二极管基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底；以及
在所述第一衬底上形成微发光二极管阵列层，
其中，所述在所述第一衬底上形成微发光二极管阵列层包括：
在所述第一衬底上形成介电层；
图案化所述介电层，以在所述介电层上形成阵列排布的多个通孔，每个所述通孔贯穿所述介电层在垂直于所述第一衬底方向上相对的两个表面，每个所述通孔包括内壁面；
在所述介电层的所述通孔形成微发光二极管，所述微发光二极管与所述通孔的内壁面连接。
22.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供根据权利要求1至17任一项所述的微发光二极管基板；
提供阵列基板；
将所述微发光二极管基板的整面所述发光二极管阵列层与所述第一衬底剥离；
将所述微发光二极管阵列层整面转移至所述阵列基板上；
将所述微发光二极管阵列层的微发光二极管与所述阵列基板的像素驱动电路对应电连接；以及
在所述微发光二极管阵列层上形成色彩转换层，所述色彩转换层用于将至少部分所述微发光二极管发出的光线转换为目标颜色的光线。
23.根据权利要求22所述的显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述色彩转换层上形成封装层；以及
在所述封装层上形成保护层。
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