CN111711898A - 一种发声装置模组 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种发声装置模组,外壳,所述外壳内具有腔室;盆架,所述盆架固定设置于所述腔室内,所述盆架相对的两侧分别设置有高音发声单元和低音发声单元;所述外壳对应所述高音发声单元一侧设置有挡板,所述挡板与所述外壳配合形成对应于所述高音发声单元的侧出声口;所述发声装置模组被配置为对所述低音发声单元形成正出声结构;所述盆架中设置有加强板,所述加强板间隔于所述高音发声单元和所述低音发声单元之间。本申请提供的发声装置模组充分利用了其整体结构占用的空间,通过高音发声单元和低音发声单元共用盆架,减小了发生装置模组内部的体积,同时在盆架内设置加强板保证发声装置模组内部结构的稳定。
Description
技术领域
本申请属于声电转换技术领域,具体地,本申请涉及一种用于发声装置模组。
背景技术
发声装置作为一种人们平时娱乐消遣的设备,随着人们对生活质量要求的越来越高,对发声装置也提出了越来越高的要求。
发声装置模组作为家用音响、车载音响和电子设备等发声装置的核心部件,其广泛应用于电子产品中。发声装置模组本身的产品质量直接影响着发声的品质。近年来电子产品的发展趋势倾向于轻薄化、小型化,例如大部分手机厂家都会将手机设置的越来越薄,因此,相应的手机中的各个电子元器件的体积也会相应被压缩,然而,这种结构设计要求会严重影响发声装置模组的声学性能,造成声学性能无法满足音质要求的缺陷。
因此,有必要对发声装置模组的结构进行改进,在有限的空间中优化结构,以优化声学性能。
发明内容
本申请的目的是提供一种改进的发声装置模组。
根据本申请的一个方面,提供了一种发声装置模组,包括:
外壳,所述外壳内具有腔室;
盆架,所述盆架固定设置于所述腔室内,所述盆架相对的两侧分别设置有高音发声单元和低音发声单元;
所述外壳对应所述高音发声单元一侧设置有挡板,所述挡板与所述外壳配合形成对应于所述高音发声单元的侧出声口;
所述发声装置模组被配置为对所述低音发声单元形成正出声结构;
所述盆架中设置有加强板,所述加强板间隔于所述高音发声单元和所述低音发声单元之间。
可选地,所述盆架的边缘向所述挡板相反方向弯折延伸形成第一容纳槽,所述低音发声单元的至少一部分结构设置于所述第一容纳槽内;
所述盆架的中部开设有通孔,所述通孔的侧壁向所述挡板方向弯折延伸形成第二容纳槽,所述高音发声单元的至少一部分结构设置于所述第二容纳槽内;
所述第一容纳槽的槽底设置有所述加强板,所述第一容纳槽和所述第二容纳槽通过所述加强板隔断。
可选地,所述低音发声单元包括第一磁铁、第一线圈和第一振膜,所述第一磁铁设置于所述第一容纳槽内并固定于所述加强板上,所述第一振膜设置于所述第一容纳槽开口相对一侧的所述外壳上,所述第一磁铁与所述第一容纳槽的槽壁之间设置有第一磁间隙,所述第一线圈与所述第一振膜连接,所述第一线圈位于所述第一磁间隙内。
可选地,所述高音发声单元包括第二磁铁、第二线圈和第二振膜,所述第二磁铁设置于所述第二容纳槽内并固定于所述加强板上,所述第二振膜设置于所述第二容纳槽开口相对一侧的所述外壳上,所述第二磁铁与所述第二容纳槽的槽壁之间设置有第二磁间隙,所述第二线圈与所述第二振膜连接,所述第二线圈位于所述第二磁间隙内。
可选地,所述外壳对应所述第一容纳槽的开口位置开设有第一出声孔,所述第一振膜覆盖于所述第一出声孔上;
所述外壳对应所述第二容纳槽的开口位置开设有第二出声孔,所述第二振膜覆盖于所述第二出声孔上。
可选地,所述第一出声孔的面积大于所述第二出声孔的面积。
可选地,所述第一振膜和所述第二振膜的边缘固定于所述外壳上;
所述第一振膜靠近所述第一出声孔边缘的位置向所述腔室内凹陷形成第一折环;
所述第二振膜靠近所述第二出声孔边缘的位置向所述腔室内凹陷形成第二折环。
可选地,所述第一振膜和所述第二振膜上分别固定有第一补强板和第二补强板。
可选地,所述第一磁铁上朝向所述第一振膜的一侧设置有第一华司;
所述第二磁铁上朝向所述第二振膜的一侧设置有第二华司。
可选地,所述盆架与所述外壳在所述腔室内构成相互隔离的第一后音腔和第二后音腔,所述第一后音腔与所述低音发声单元连通,所述第二后音腔与所述高音发声单元连通。
本申请提供的发声装置模组充分利用了其整体结构占用的空间,通过高音发声单元和低音发声单元共用盆架,减小了喇叭内部的体积,同时在盆架内设置加强板保证发声装置模组内部结构的稳定。
通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述,本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本申请的实施例,并且连同其说明一起用于解释本申请的原理。
图1是本申请具体实施方式提供的一种发声装置模组的侧面剖视示意图;
图2是本申请具体实施方式提供的另一种发声装置模组的侧面剖视示意图。
附图标记:
1、外壳;11、第一出声孔;12、第二出声孔;2、盆架;21、第一容纳槽;22、第二容纳槽;3、第一后音腔;4、低音发声单元;41、第一磁铁;42、第一线圈;43、第一振膜;431、第一折环;44、第一磁间隙;45、第一补强板;46、第一华司;5、高音发声单元51、第二磁铁;52、第二线圈;53、第二振膜;531、第二折环;54、第二磁间隙;55、第二补强板;56、第二华司;6、挡板;7、第二后音腔; 8、加强板。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本申请提供了一种发声装置模组,包括:
外壳1,所述外壳1内具有腔室,所述腔室可以作为高音发声单元5和低音发声单元4的后音腔。腔室整体可以作为高音发声单元5和低音发声单元4的共用音腔;或是,对腔室的内部空间进行分割,形成第一后音腔3和第二后音腔7,将高音发声单元5的音腔和低音发声单元4的音腔分隔开。
盆架2,所述盆架2固定设置于所述腔室内,所述盆架2相对的两侧分别设置有高音发声单元5和低音发声单元4。通常由于盆架2体积较大容易占用过多的模组内部空间,相应的需要将模组体积做大,才能够保证音质不被损坏。所以为了进一步缩小发声装置模组的体积,将高音发声单元5和低音发声单元4朝向相反地设置在同一个盆架2上,能够大大减小喇叭的体积。
所述外壳1对应所述高音发声单元5一侧设置有挡板6,所述挡板6与所述壳体配合改变所述高音发声单元5的出声方向。所述挡板6与外壳1配合使得发声装置模组对高音发声单元5形成侧出声口,使其振动产生的声音能够从侧面传出。可选地,所述发声装置模组可以对低音发声单元4配置正出声结构,使得低音发声单元4的声音能够从正面传出。例如,所述高音发声单元5和所述低音发声单元4的出声方向相垂直。为了满足更多电子设备的不同的出声孔位置,将高音发声单元5的出声方向通过挡板6改变至与低音发声单元4的出声方向垂直,能够满足不同的产品对出声位置的需求。
所述盆架2中设置有加强板8,所述加强板8位于所述高音发声单元5和所述低音发声单元4之间。加强板8的作用是为了高音发声单元5的吸引系统的部分结构提供较为稳定的安装位置,使发声装置模组内部结构整体较为稳定,保证了发声装置模组的音质。
本申请的技术方案中,高音发声单元5和低音发声单元4共用一个盆架2,节省空间的同时,通过加强板8对高音发声单元5和低音发声单元4结构的稳定性进行加强,保证了发声装置模组的高品质音质。
可选地,所述盆架2的边缘向所述挡板6相反方向弯折延伸形成第一容纳槽21,部分所述低音发声单元4设置于所述第一容纳槽21内。
所述盆架2的中部可以开设有通孔,所述通孔的侧壁向所述挡板6方向弯折延伸形成第二容纳槽22,所述高音发声单元5的至少一部分结构设置于所述第二容纳槽22内。
所述第一容纳槽21的槽底设置有所述加强板8,所述第一容纳槽21和所述第二容纳槽22通过所述加强板8隔断。
加强板8将第一容纳槽21和第二容纳槽22分隔的同时,也为高音发声单元5和低音发声单元4提供了固定安装的区域,同时可以保证高音发声单元5中的磁路以及低音发声单元4中的磁路相互之间更加稳定。
可选地,所述低音发声单元4包括第一磁铁41、第一线圈42和第一振膜43,所述第一磁铁41设置于所述第一容纳槽21内并固定于所述加强板8上,所述第一振膜43设置于所述第一容纳槽21开口相对一侧的所述外壳1上,所述第一磁铁41与所述第一容纳槽21的槽壁之间设置有第一磁间隙44,所述第一线圈42与所述第一振膜43连接,所述第一线圈42与所述第一振膜43连接,所述第一线圈42位于所述第一磁间隙44内。利用加强板8固定第一磁铁41,同时使第一磁铁41和第一容纳槽21的槽壁之间形成有第一磁间隙44,设置在第一磁间隙44内的第一线圈42通电后,运动的电荷在磁场中受到洛伦兹力,第一线圈42产生振动,实现将电能转化为机械能,从而带动振膜振动产生声音。
可选地,所述高音发声单元5包括第二磁铁51、第二线圈52和第二振膜53,所述第二磁铁51设置于所述第二容纳槽22内并固定于所述加强板8上,所述第二振膜53设置于所述第二容纳槽22开口相对一侧的所述外壳1上,所述第二磁铁51与所述第二容纳槽22的槽壁之间设置有第二磁间隙54,所述第二线圈52与所述第二振膜53连接,所述第二线圈52位于所述第二磁间隙54内。第二磁铁51固定在加强板8上,且与第一磁铁41朝向相反的设置于第二容纳槽22内,此时通过第二振膜53方向传出的高音与通过第一振膜43穿出的低音方向相反。
同时通过挡板6对高音出声方向的改变,可以实现将后出声改变为侧出声。为了适配于更多的电子设备,具体的可以将挡板6设置为可拆卸的,并在外壳1上对应高音发声单元5的一侧设置有环状的安装位,可以将挡板6安装在不同位置,使高音发声单元5的出声方向能够手动调节,适配于更多的电子设备而不用对重新设计发声装置模组的结构,更加通用,进一步降低成本。
在有限的空间中通过加强板的设置更均匀的分布平衡支撑作用力,节省材料、充分利用空间,使第一磁铁41和第二磁铁51能够稳定的产生磁场。
可选地,所述外壳1对应所述第一容纳槽21的开口位置开设有第一出声孔11,所述第一振膜43覆盖于所述第一出声孔11上;所述外壳1对应所述第二容纳槽22的开口位置开设有第二出声孔12,所述第二振膜53覆盖于所述第二出声孔12上。具体的,第一振膜43和第二振膜53在振动过程中声音从出声孔处传出。
可选地,所述第一出声孔11的面积大于所述第二出声孔12的面积。为了保证发声装置模组高音的甜美通透以及低音的澎湃和震撼,需要对高音和低音作出明显的区分,所以,第一出声孔11的面积需要大于第二出声孔12的面积,相应的第一振膜43的面积也大于第二振膜53的面积。具体的,第一出声孔11和第二出声孔12的形状不做具体限定,可以为圆形、圆腰形或其它能够满足出声要求的孔。仅以第一出声孔11和第二出声孔12为圆形出声孔为例,第一出声孔11和第二出声孔12共用第一后音腔3,第一出声孔11的直径大于第二出声孔12的直径,保证第一出声孔11中传出的声音为低音,第二出声孔12中传出的声音为高音,满足发声装置模组各个音域的完整。
可选地,所述第一振膜43和所述第二振膜53的边缘固定于所述外壳1上;所述第一振膜43靠近所述第一出声孔11边缘的位置向所述腔室内凹陷形成第一折环431;所述第二振膜53靠近所述第二出声孔12边缘的位置向所述腔室内凹陷形成第二折环531。在第一线圈42和第二线圈52通电后,电力分别在第一磁间隙44和第二磁间隙54内运动,第一线圈42和第二线圈52振动并带动第一振膜43和第二振膜53振动,而第一折环431和第二折环531则是为了避免在振动过程中第一振膜43和第二振膜53被拉扯损坏,或是振动幅度不够,导致高音和低音的达不到要求。当第一线圈42和第二线圈52振动时,第一折环431和第二折环531为第一振膜43和第二振膜53的振动提供了更大的余量,使发声装置模组的声音更加保真。
通常而言,增大磁场强度就能够提高振膜振动的振动灵敏度和振幅,进而提高发声装置模组的声学性能。增大磁场强度主要通过增大第一磁铁41和第二磁铁51的磁性以及体积。但是,在实际的产品需求中,发声装置模组的整体尺寸往往是固定的,不能随意增大,这就造成体积有限的第一磁铁41和第二磁铁51可能无法产生足够强的磁场,以达到声学性能的要求。所以,通过低音发声单元4和高音发声单元5共用同一盆架2,能够保证发声装置模组整体体积不变的前提下第一磁铁41和第二磁铁51体积进一步增大,从而达到要求的声学性能。或是能够进一步减小发声装置模组的体积,相应的也就能够适配于更多的电子设备,或是将电子设备的体积进一步缩小。
可选地,所述第一振膜43和所述第二振膜53上分别固定有第一补强板45和第二补强板55。在第一振膜43和第二振膜53振动的过程中,由于振膜为软质材料,所以会随着振动频率的改变,导致声学性能的损失。所以通过在第一振膜43和第二振膜53上分别设置第一补强板45和第二补强板55,使振膜能够受到全面、可靠的平衡限制作用,振膜产生偏振、倾斜振动的可能性大幅降低。
可选地,所述第一磁铁41上朝向所述第一振膜43的一侧设置有第一华司;所述第二磁铁51上朝向所述第二振膜53的一侧设置有第二华司。从而降低整个振动组件因驱动力不均衡而产生的偏振的可能性。通过第一华司和第二华司进一步提高磁间隙处的磁场强度和磁场均匀性,在磁间隙中形成均匀、强度更高的磁场。使得第一线圈42和第二线圈52在沿其圆周方向上的各个区域都能够接收到改善的磁场,进而提高发声装置模组的声学性能。
可选地,所述盆架2与所述外壳1在所述腔室内构成第一后音腔3和第二后音腔7。所述外壳1在所述腔室内可以形成有凸起、挡壁等结构,盆架2可以通过与上述凸起、挡壁等结构配合,从而与外壳1的内部结构配合将腔室分割成第一后音腔3和第二后音腔7。所述第一后音腔3与所述低音发声单元4连通,所述第二后音腔7与所述高音发声单元5连通。相互隔离的第一后音腔3与第二后音腔7互不连通,第一后音腔3与第二后音腔7分别作为低音发声单元4和高音发声单元5的后声腔,以对发声单元提供后腔共振、吸收声音的声学效果。在这种实施方式中,高音发声单元5和低音发声单元4分别拥有单独的后腔,单独的第二后音腔7被配置为高音发声单元5单独使用的腔室,防止低音发声单元4的干扰,由于高音发声单元5中第一线圈42和第二振膜53的振幅较小,所以第二后音腔7的体积无需太大,只需将第二磁铁51、第二线圈52和第二振膜53围合在内即可。
可选地,第二后音腔7的具体结构为,在盆架2上对应第二出声孔12一侧设置有环状的分隔板,分隔板两端分别连接于盆架2和外壳1内壁,提升了盆架2的稳定性,且并未增加发声装置模组内部的空间。所述分隔板所围成的第二后音腔7的直径大于所述第二振膜53的直径且大于所述第二容纳槽22的直径。
虽然已经通过例子对本申请的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本申请的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本申请的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本申请的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种发声装置模组,其特征在于,包括:
外壳(1),所述外壳(1)内具有腔室;
盆架(2),所述盆架(2)固定设置于所述腔室内,所述盆架(2)相对的两侧分别设置有高音发声单元(5)和低音发声单元(4);
所述外壳(1)对应所述高音发声单元(5)一侧设置有挡板(6),所述挡板(6)与所述外壳(1)配合形成对应于所述高音发声单元(5)的侧出声口;
所述发声装置模组被配置为对所述低音发声单元(4)形成正出声结构;
所述盆架(2)中设置有加强板(8),所述加强板(8)间隔于所述高音发声单元(5)和所述低音发声单元(4)之间。
2.根据权利要求1所述的发声装置模组,其特征在于,所述盆架(2)的边缘向所述挡板(6)相反方向弯折延伸形成第一容纳槽(21),所述低音发声单元(4)的至少一部分结构设置于所述第一容纳槽(21)内;
所述盆架(2)的中部开设有通孔,所述通孔的侧壁向所述挡板(6)方向弯折延伸形成第二容纳槽(22),所述高音发声单元(5)的至少一部分结构设置于所述第二容纳槽(22)内;
所述第一容纳槽(21)的槽底设置有所述加强板(8),所述第一容纳槽(21)和所述第二容纳槽(22)通过所述加强板(8)隔断。
3.根据权利要求2所述的发声装置模组,其特征在于,所述低音发声单元(4)包括第一磁铁(41)、第一线圈(42)和第一振膜(43),所述第一磁铁(41)设置于所述第一容纳槽(21)内并固定于所述加强板(8)上,所述第一振膜(43)设置于所述第一容纳槽(21)开口相对一侧的所述外壳(1)上,所述第一磁铁(41)与所述第一容纳槽(21)的槽壁之间设置有第一磁间隙(44),所述第一线圈(42)与所述第一振膜(43)连接,所述第一线圈(42)位于所述第一磁间隙(44)内。
4.根据权利要求3所述的发声装置模组,其特征在于,所述高音发声单元(5)包括第二磁铁(51)、第二线圈(52)和第二振膜(53),所述第二磁铁(51)设置于所述第二容纳槽(22)内并固定于所述加强板(8)上,所述第二振膜(53)设置于所述第二容纳槽(22)开口相对一侧的所述外壳(1)上,所述第二磁铁(51)与所述第二容纳槽(22)的槽壁之间设置有第二磁间隙(54),所述第二线圈(52)与所述第二振膜(53)连接,所述第二线圈(52)位于所述第二磁间隙(54)内。
5.根据权利要求4所述的发声装置模组,其特征在于,所述外壳(1)对应所述第一容纳槽(21)的开口位置开设有第一出声孔(11),所述第一振膜(43)覆盖于所述第一出声孔(11)上;
所述外壳(1)对应所述第二容纳槽(22)的开口位置开设有第二出声孔(12),所述第二振膜(53)覆盖于所述第二出声孔(12)上。
6.根据权利要求5所述的发声装置模组,其特征在于,所述第一出声孔(11)的面积大于所述第二出声孔(12)的面积。
7.根据权利要求5所述的发声装置模组,其特征在于,所述第一振膜(43)和所述第二振膜(53)的边缘固定于所述外壳(1)上;
所述第一振膜(43)靠近所述第一出声孔(11)边缘的位置向所述腔室内凹陷形成第一折环(431);
所述第二振膜(53)靠近所述第二出声孔(12)边缘的位置向所述腔室内凹陷形成第二折环(531)。
8.根据权利要求5所述的发声装置模组,其特征在于,所述第一振膜(43)和所述第二振膜(53)上分别固定有第一补强板(45)和第二补强板(55)。
9.根据权利要求4所述的发声装置模组,其特征在于,所述第一磁铁(41)上朝向所述第一振膜(43)的一侧设置有第一华司;
所述第二磁铁(51)上朝向所述第二振膜(53)的一侧设置有第二华司。
10.根据权利要求1所述的发声装置模组,其特征在于,所述盆架(2)与所述外壳(1)在所述腔室内构成相互隔离的第一后音腔(3)和第二后音腔(7),所述第一后音腔(3)与所述低音发声单元(4)连通,所述第二后音腔(7)与所述高音发声单元(5)连通。
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