CN111710632A - 一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器 - Google Patents

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CN111710632A CN202010705482.6A CN202010705482A CN111710632A CN 111710632 A CN111710632 A CN 111710632A CN 202010705482 A CN202010705482 A CN 202010705482A CN 111710632 A CN111710632 A CN 111710632A
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Abstract

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，公开了一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器，即包括有刻蚀腔体、介质窗片和冷却气导管，其中，所述介质窗片包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片和下层介质窗片，在所述上层介质窗片的下表面和/或所述下层介质窗片的上表面开设有气冷槽，以及在所述下层介质窗片的上表面和/或内部嵌设有电加热器；所述冷却气导管连通所述气冷槽，由此一方面可通过内置在介质窗片中的气体冷却系统调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性，另一方面可通过多片式介质窗片结构设计，对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合，从而实现对刻蚀均匀性的有效改进。

Description

一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器
技术领域
本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体地涉及一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器。
背景技术
刻蚀技术是一种在半导体制造工艺中按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术，其不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。在典型的等离子体刻蚀工艺中，不同的工艺气体组合(如CxFy、O2和Ar等气体)在射频(Radio frequency)环境中经过射频激励作用形成等离子体，然后在刻蚀腔体(典型的刻蚀腔体包括容性耦合腔体和感性耦合腔体两种)的上下电极电场作用下，使形成的等离子体与晶圆表面发生物理轰击和化学反应，完成对晶圆表面设计图案和关键工艺的处理过程。
但是在晶圆的等离子体刻蚀过程中，特别是在高频刻蚀过程(如60MHz和40MHz等高频功率源占主导的刻蚀过程)中或者诸如感性耦合等高等离子体密度刻蚀过程中，不可避免地会遇到刻蚀不对称性问题。这种不对称性的主要原因之一在于刻蚀腔体内零部件的温度分布不均匀，导致反应物和生成物，特别是较重的反应物和生成物在腔体内部分布不均匀，从而影响刻蚀效果的均匀性。例如在感性耦合型等离子体刻蚀反应器中，刻蚀腔体上介质窗片的温度分布就对刻蚀均匀性以及窗片自身聚合物沉积保护至关重要。
在传统感性耦合型等离子体刻蚀反应器中，介质窗片的主动控温方案为：采用风扇或液体冷却，以及采用加热器对介质窗片主动加热，从而对窗片温度进行主动控制；当反应器处于闲置状态时，通过加热器输出高功率将介质窗片控制在特定温度，如100℃；而当反应器处于晶圆刻蚀阶段时，介质窗片被等离子体或射频加热，通过降低加热器输出功率或加强风扇/液体冷却效果，使介质窗片的温度控制在闲置状态温度，如100℃。但是前述这种主动控温方案却存在如下两方面问题：一是如何对加热器与风扇/液体冷却系统进行充分去耦合(decouple)；二是窗片温度均匀性与加热器在窗片上的几何分布强相关，窗片温度的均匀性无法保证。
发明内容
为了解决在现有感性耦合型等离子体刻蚀反应器中，介质窗片主动控温方案所存在的对加热器与风扇/液体冷却系统不能充分去耦合以及窗片温度的均匀性无法保证的问题，本发明目的在于提供一种新型的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，既可通过内置气体冷却系统调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性，还可通过多片式介质窗片设计，对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合，从而实现对刻蚀均匀性的有效改进。
本发明第一方面所采用的技术方案为：
一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：包括刻蚀腔体、介质窗片和冷却气导管，其中，所述介质窗片位于所述刻蚀腔体的正上方并与所述刻蚀腔体一起围成刻蚀反应空腔；
所述介质窗片包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片和下层介质窗片，其中，在所述上层介质窗片的下表面和/或所述下层介质窗片的上表面开设有气冷槽，以及在所述下层介质窗片的上表面和/或内部嵌设有电加热器；
所述冷却气导管连通所述气冷槽。
基于上述发明内容，提供了一种能提升刻蚀对称性的新型感性耦合型等离子体刻蚀反应器，一方面可通过内置在介质窗片中的气体冷却系统调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性，另一方面可通过多片式介质窗片结构设计，对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合，从而实现对刻蚀均匀性的有效改进。
在一个可能的设计中，还包括有冷却气供应阀、压力流量控制器和阀门，其中，所述冷却气供应阀的输入端用于连通冷却气源；
所述冷却气供应阀的输出端连通所述压力流量控制器的输入端，所述压力流量控制器的输出端连通所述阀门的第一端，所述阀门的第二端连通所述冷却气导管。
在一个可能的设计中，还包括有输入端连通所述阀门的第一端的放泄阀和排气阀，其中，所述放泄阀的输入端连通管道上开设有若干通气孔。
在一个可能的设计中，在所述气冷槽中离散布置有若干凸台，其中，所述凸台的上端连接所述上层介质窗片的下表面，或所述凸台的下端连接所述下层介质窗片的上表面。
在一个可能的设计中，所述凸台采用圆形柱体、三角形柱体、正多边形柱体或锥台结构。
在一个可能的设计中，所述气冷槽为单区气冷槽；
或者，所述气冷槽可被隔离成至少两个能够独立地对所述下层介质窗片进行分区控温的分区气冷槽，所述冷却气导管为多根且分别一一对应地连通所述分区气冷槽。
在一个可能的设计中，所述上层介质窗片为单片体结构或由多片介质组件叠加而成。
在一个可能的设计中，在所述上层介质窗片的边缘区域与所述下层介质窗片的边缘区域之间，通过密封圈、粘合结构或焊接结构实现对所述气冷槽的密封。
在一个可能的设计中，还包括有用于包围所述介质窗片和射频天线的射频天线屏蔽罩，其中，所述射频天线位于所述介质窗片的上方；
所述射频天线屏蔽罩的顶部中心区域设有开口结构，并在所述开口结构中安装有冷却风扇。
在一个可能的设计中，在所述上层介质窗片的内部嵌设有冷却液流通管道。
本发明的有益效果为：
(1)本发明创造提供了一种能提升刻蚀对称性的新型感性耦合型等离子体刻蚀反应器，即包括有刻蚀腔体、介质窗片和冷却气导管，其中，所述介质窗片包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片和下层介质窗片，在所述上层介质窗片的下表面和/或所述下层介质窗片的上表面开设有气冷槽，以及在所述下层介质窗片的上表面和/或内部嵌设有电加热器；所述冷却气导管连通所述气冷槽，由此一方面可通过内置在介质窗片中的气体冷却系统调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性，另一方面可通过多片式介质窗片结构设计，对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合，从而实现对刻蚀均匀性的有效改进。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的感性耦合型等离子体刻蚀反应器的截面结构示意图。
图2是本发明提供的内置在介质窗片中气体冷却系统的结构示意图。
图3是本发明提供的介质窗片温度随冷却气压的响应曲线图。
图4是本发明提供的在气冷槽中凸台的分布示例图。
上述附图中:1-刻蚀腔体；11-刻蚀反应空腔；12-反应气喷嘴；13-静电吸盘；14-射频隔离环；15-等离子体约束环；16-传片门；2-介质窗片；21-上层介质窗片；22-下层介质窗片；23-气冷槽；231-凸台；24-电加热器；25-密封圈；3-冷却气导管；41-冷却气供应阀；42-压力流量控制器；43-阀门；44-放泄阀；441-输入端连通管道；45-排气阀；5-射频天线；6-射频天线屏蔽罩；7-冷却风扇；8-冷却液流通管道；100-晶圆。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例来对本发明作进一步阐述。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明虽然是用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本发明的示例实施例。然而，可用很多备选的形式来体现本发明，并且不应当理解为本发明限制在本文阐述的实施例中。
应当理解，尽管本文可能使用术语第一、第二等等来描述各种单元，但是这些单元不应当受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个单元和另一个单元。例如可以将第一单元称作第二单元,并且类似地可以将第二单元称作第一单元，同时不脱离本发明的示例实施例的范围。
应当理解，对于本文中可能出现的术语“和/或”，其仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况；对于本文中可能出现的术语“/和”，其是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况；另外，对于本文中可能出现的字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。
应当理解，在本文中若将单元称作与另一个单元“连接”、“相连”或“耦合”时，它可以与另一个单元直相连接或耦合，或中间单元可以存在。相対地，在本文中若将单元称作与另一个单元“直接相连”或“直接耦合”时，表示不存在中间单元。另外，应当以类似方式来解释用于描述单元之间的关系的其他单词(例如，“在……之间”对“直接在……之间”,“相邻”对“直接相邻”等等)。
应当理解，本文使用的术语仅用于描述特定实施例，并不意在限制本发明的示例实施例。若本文所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”意在包括复数形式，除非上下文明确指示相反意思。还应当理解，若术语“包括”、“包括了”、“包含”和/或“包含了”在本文中被使用时,指定所声明的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在性,并且不排除一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、单元、组件和/或他们的组合存在性或增加。
应当理解，还应当注意到在一些备选实施例中，所出现的功能/动作可能与附图出现的顺序不同。例如,取决于所涉及的功能/动作,实际上可以实质上并发地执行,或者有时可以以相反的顺序来执行连续示出的两个图。
应当理解，在下面的描述中提供了特定的细节,以便于对示例实施例的完全理解。然而,本领域普通技术人员应当理解可以在没有这些特定细节的情况下实现示例实施例。例如可以在框图中示出系统，以避免用不必要的细节来使得示例不清楚。在其他实例中，可以不以不必要的细节来示出众所周知的过程、结构和技术，以避免使得示例实施例不清楚。
实施例一
如图1～4所示，本实施例提供的所述感性耦合型等离子体刻蚀反应器，包括刻蚀腔体1、介质窗片2和冷却气导管3，其中，所述介质窗片2位于所述刻蚀腔体1的正上方并与所述刻蚀腔体1一起围成刻蚀反应空腔11；所述介质窗片2包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片21和下层介质窗片22，其中，在所述上层介质窗片21的下表面和/或所述下层介质窗片22的上表面开设有气冷槽23，以及在所述下层介质窗片22的上表面和/或内部嵌设有电加热器24；所述冷却气导管3连通所述气冷槽23。
如图1～3所示，在所述感性耦合型等离子体刻蚀反应器的具体结构中，所述刻蚀腔体1用于针对晶圆100提供可进行等离子体刻蚀的反应场所——刻蚀反应空腔11，其具体可采用现有刻蚀腔体结构实现；同时如图1所示，还可以但不限于配置有常规的且用于向所述刻蚀反应空腔11喷入反应气体(如CxFy、O2和Ar等气体以及经过射频激励作用而形成的等离子体)的反应气喷嘴12(如图1所示，需要从上至下穿过所述介质窗片2)、用于吸附所述晶圆100的静电吸盘13、用于实现底部馈入射频电流隔离的射频隔离环14、用于约束等离子体的等离子体约束环15和用于在打开时方便装卸/卸载所述晶圆100的传片门16，等等。所述介质窗片2用于实现射频天线5(用于在顶部馈入射频电流，以便为反应气体提供射频环境，为现有常规配置部件)与呈真空状态的所述刻蚀反应空腔11的有效隔离，其为现有感性耦合型等离子体刻蚀反应器中的必备零部件。所述冷却气导管3用于向所述气冷槽23中导入外部的冷却气体或导出冷却气体(具体可在抽气泵作用下导出)。
在所述介质窗片2的具体结构中，由于采用了包含所述上层介质窗片21和所述下层介质窗片22的双层介质窗片结构且它们是分别由低介电常数材质制成的，可以对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合；具体的，所述上层介质窗片21和所述下层介质窗片22可以但不限于采用诸如陶瓷或石英等现有低介电常数材料制成。所述气冷槽23用于通过所述冷却气导管3充入特定压力(压力控制范围可介于0～100托之间，窗片温度响应曲线可如图3所示)的冷却气体(例如氦气、氩气或氮气等)，实现上下介质窗片间的热量传递，以及对所述下层介质窗片22进行温度均匀化，解决现有窗片温度均匀性仅与加热器在窗片上的几何分布强相关的问题，确保窗片温度的均匀性；所述气冷槽23可如图1所示开设在所述上层介质窗片21的下表面，也可以开设在所述下层介质窗片22的上表面，还可以分别在所述上层介质窗片21的下表面和所述下层介质窗片22的上表面开设槽体，进而拼接得到所述气冷槽23；所述气冷槽的上下深度可优选介于10～100um之间。所述电加热器24用于对所述下层介质窗片22进行加热，其可以采用现有的电加热器实现；如图1和2所示，在所述下层介质窗片22的上表面均匀地嵌设有多个所述电加热器24。
通过上述感性耦合型等离子体刻蚀反应器的详细结构描述，所述下层介质窗片22的控温方案可存在如下两种模式：(A)反应器闲置模式，即通过所述电加热器24对所述下层介质窗片22进行主动加热，同时通过在所述气冷槽23中充入特定气压的冷却气体(例如氦气、氩气或氮气等)，可对所述下层介质窗片22进行均匀控制，例如控制在100℃；(B)晶圆刻蚀模式，即当所述介质窗片2被等离子体或射频加热时，通过降低所述电加热器24的输出功率和增加所述气冷槽23中的冷却气体压力(如图3所示，压力越大，窗片温度越低，冷却能力越强；反之，压力越小，窗片温度越高，冷却能力越弱)，使得所述下层介质窗片22的温度可被均匀地控制在闲置模式温度，例如100℃。由此一方面可通过内置在介质窗片中的气体冷却系统调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性，另一方面可通过多片式介质窗片结构设计，对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合，从而实现对刻蚀均匀性的有效改进。
优化的，还包括有冷却气供应阀41、压力流量控制器42和阀门43，其中，所述冷却气供应阀41的输入端用于连通冷却气源；所述冷却气供应阀41的输出端连通所述压力流量控制器42的输入端，所述压力流量控制器42的输出端连通所述阀门43的第一端，所述阀门43的第二端连通所述冷却气导管3。如图2所示，所述冷却气源可举例为氦气罐；所述冷却气供应阀41用于导通/截止冷却气供应通路，其可以但不限于采用电磁阀、液动阀或气动阀等阀门结构实现；所述压力流量控制器42用于精准调节控制所述气冷槽23中的冷却气压(在所述冷却气供应阀41和所述阀门43均导通时)，其可以采用现有的压力流量控制器产品实现；所述阀门43用于导通/截止所述冷却气导管3，其也可以但不限于采用电磁阀、液动阀或气动阀等阀门结构实现。由此通过前述冷却气压调节通路，可以方便对处于所述气冷槽23中的冷却气压进行实时精准控制，进一步利于调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性。
进一步优化的，还包括有输入端连通所述阀门43的第一端的放泄阀44和排气阀45，其中，所述放泄阀44的输入端连通管道441上开设有若干通气孔。如图2所示，所述放泄阀44及开设在所述输入端连通管道441上的通气孔用于降低处于所述气冷槽23中的冷却气压，以便确保能够进行由晶圆刻蚀模式至反应器闲置模式的正常切换；所述放泄阀44可具体采用现有的阀门产品实现。所述排气阀45用于排空处于所述气冷槽23中的冷却气体，其也可以但不限于采用电磁阀、液动阀或气动阀等阀门结构实现。详细优化的，为了方便回收冷却气体，所述放泄阀44和所述排气阀45的输出端可用于连通一个抽气泵。
优化的，在所述气冷槽23中离散布置有若干凸台231，其中，所述凸台231的上端连接所述上层介质窗片21的下表面，或所述凸台231的下端连接所述下层介质窗片22的上表面。如图4所示，在所述气冷槽23中均匀地离散布置有多个所述凸台231，通过所述凸台231对所述上层介质窗片21或所述下层介质窗片22的支撑作用，可减缓因上下层介质窗片间气冷槽造成的且对所述上层介质窗片21造成的形变；具体的，所述凸台231的上下高度与所述气冷槽23的上下深度一致；此外，所述凸台231可以但不限于采用圆形柱体、三角形柱体、正多边形柱体或锥台结构等常见结构，其具体尺寸大小一般大于1mm，个数不做限制；如图4所示，举例的，所述凸台231采用圆形柱体，个数为31个。
优化的，所述气冷槽23为单区气冷槽；或者，所述气冷槽23可被隔离成至少两个能够独立地对所述下层介质窗片22进行分区控温的分区气冷槽，所述冷却气导管3为多根且分别一一对应地连通所述分区气冷槽。通过对前述分区气冷槽的分离设置，可以对所述下层介质窗片22进行分区地均匀性控温，进一步利于进行灵活温控。
优化的，所述上层介质窗片21为单片体结构或由多片介质组件叠加而成。通过前述更多层的介质窗片结构设计，可进一步提升对窗片加热和冷却系统的去耦合充分性。
优化的，在所述上层介质窗片21的边缘区域与所述下层介质窗片22的边缘区域之间，通过密封圈25、粘合结构或焊接结构实现对所述气冷槽23的密封。如图1和2所示，具体通过所述密封圈25实现对所述气冷槽23的密封，以免出现冷却气体泄漏的问题。
优化的，还包括有用于包围所述介质窗片2和射频天线5的射频天线屏蔽罩6，其中，所述射频天线5位于所述介质窗片2的上方；所述射频天线屏蔽罩6的顶部中心区域设有开口结构，并在所述开口结构中安装有冷却风扇7。如图1所示，所述射频天线屏蔽罩6用于防止内部射频信号向外泄漏，确保外部生产环境的安全，其可采用现有结构实现。所述冷却风扇7用于提升对所述上层介质窗片21的冷却能力，以便在晶圆刻蚀模式时被启用，实现快速降温目的。
优化的，在所述上层介质窗片21的内部嵌设有冷却液流通管道8。如图1所示，所述冷却液流通管道8用于通过流经的液体(例如水体)带走热量，从而提升对所述上层介质窗片21的冷却能力，以便在晶圆刻蚀模式时被启用，实现快速降温目的。
综上，采用本实施例所提供的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，具有如下技术效果：
(1)本实施例提供了一种能提升刻蚀对称性的新型感性耦合型等离子体刻蚀反应器，即包括有刻蚀腔体、介质窗片和冷却气导管，其中，所述介质窗片包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片和下层介质窗片，在所述上层介质窗片的下表面和/或所述下层介质窗片的上表面开设有气冷槽，以及在所述下层介质窗片的上表面和/或内部嵌设有电加热器；所述冷却气导管连通所述气冷槽，由此一方面可通过内置在介质窗片中的气体冷却系统调节反应器中介质窗片的温度大小和均匀性，另一方面可通过多片式介质窗片结构设计，对窗片结构的加热和冷却系统进行充分去耦合，从而实现对刻蚀均匀性的有效改进。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
最后应说明的是，本发明不局限于上述可选的实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品。上述具体实施方式不应理解成对本发明的保护范围的限制，本发明的保护范围应当以权利要求书中界定的为准，并且说明书可以用于解释权利要求书。

Claims (10)

1.一种感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：包括刻蚀腔体(1)、介质窗片(2)和冷却气导管(3)，其中，所述介质窗片(2)位于所述刻蚀腔体(1)的正上方并与所述刻蚀腔体(1)一起围成刻蚀反应空腔(11)；
所述介质窗片(2)包括有分别由低介电常数材质制成的上层介质窗片(21)和下层介质窗片(22)，其中，在所述上层介质窗片(21)的下表面和/或所述下层介质窗片(22)的上表面开设有气冷槽(23)，以及在所述下层介质窗片(22)的上表面和/或内部嵌设有电加热器(24)；
所述冷却气导管(3)连通所述气冷槽(23)。
2.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：还包括有冷却气供应阀(41)、压力流量控制器(42)和阀门(43)，其中，所述冷却气供应阀(41)的输入端用于连通冷却气源；
所述冷却气供应阀(41)的输出端连通所述压力流量控制器(42)的输入端，所述压力流量控制器(42)的输出端连通所述阀门(43)的第一端，所述阀门(43)的第二端连通所述冷却气导管(3)。
3.如权利要求2所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：还包括有输入端连通所述阀门(43)的第一端的放泄阀(44)和排气阀(45)，其中，所述放泄阀(44)的输入端连通管道(441)上开设有若干通气孔。
4.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：在所述气冷槽(23)中离散布置有若干凸台(231)，其中，所述凸台(231)的上端连接所述上层介质窗片(21)的下表面，或所述凸台(231)的下端连接所述下层介质窗片(22)的上表面。
5.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：所述凸台(231)采用圆形柱体、三角形柱体、正多边形柱体或锥台结构。
6.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：所述气冷槽(23)为单区气冷槽；
或者，所述气冷槽(23)可被隔离成至少两个能够独立地对所述下层介质窗片(22)进行分区控温的分区气冷槽，所述冷却气导管(3)为多根且分别一一对应地连通所述分区气冷槽。
7.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：所述上层介质窗片(21)为单片体结构或由多片介质组件叠加而成。
8.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：在所述上层介质窗片(21)的边缘区域与所述下层介质窗片(22)的边缘区域之间，通过密封圈(25)、粘合结构或焊接结构实现对所述气冷槽(23)的密封。
9.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：还包括有用于包围所述介质窗片(2)和射频天线(5)的射频天线屏蔽罩(6)，其中，所述射频天线(5)位于所述介质窗片(2)的上方；
所述射频天线屏蔽罩(6)的顶部中心区域设有开口结构，并在所述开口结构中安装有冷却风扇(7)。
10.如权利要求1所述的感性耦合型等离子体刻蚀反应器，其特征在于：在所述上层介质窗片(21)的内部嵌设有冷却液流通管道(8)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN113611588A (zh) * 2021-07-02 2021-11-05 江苏籽硕科技有限公司 一种可增加等离子密度的icp等离子体刻蚀设备
WO2024201904A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 ワイエイシイテクノロジーズ株式会社 プラズマ処理装置

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