CN111708112B

CN111708112B - 液晶体光栅的制作方法

Info

Publication number: CN111708112B
Application number: CN202010840432.9A
Authority: CN
Inventors: 杨镇源; 赵东峰; 李琨; 赵恩; 杜凯凯; 程鑫; 饶轶
Original assignee: Goertek Inc
Current assignee: Goertek Optical Technology Co Ltd
Priority date: 2020-08-20
Filing date: 2020-08-20
Publication date: 2021-01-22
Anticipated expiration: 2040-08-20
Also published as: CN111708112A

Abstract

本发明公开一种液晶体光栅的制作方法，包括如下步骤：提供两个基底，在两个所述基底上分别铺设胶层和配向层；对所述胶层进行刻蚀，形成多个刻蚀区，并对所述配向层进行曝光，形成与所述刻蚀区数量一致的多个曝光区；向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅。本发明将不同区域体光栅整合到同一块基底上，将形成有多个曝光区的基底与形成有多个刻蚀区的基底粘接即可形成液晶体光栅，无需经过多个玻璃基底拼接，避免液晶体光栅的玻璃基底边缘漏光的情况。并且，液晶体光栅的各光栅厚度可调，进而实现液晶体光栅的衍射效率的调节，工艺兼容性好、灵活性高。

Description

液晶体光栅的制作方法

技术领域

本发明涉及光学技术领域，特别涉及一种液晶体光栅的制作方法。

背景技术

液晶体光栅的衍射效率与液晶Δn（双折射率）和光栅厚度有关系，在保证液晶Δn不变的条件下，可以通过调节光栅厚度来调节其衍射效率。目前，通常采用多个玻璃基底拼接方式或喷涂方式制作液晶体光栅，其中，多个玻璃基底拼接方式是将光栅耦入区、转折区以及耦出区分别涂在多个不同的玻璃基底上，再将多个玻璃基底拼接起来，但是采用这种拼接方式制成的液晶体光栅的玻璃边缘容易漏光，降低液晶体光栅的衍射效率。喷涂方式虽然可采用一整体的玻璃基体就可完成，但是其光栅厚度不可调，光栅厚度一致，不能调节液晶体光栅的衍射效率，兼容性及灵活性差。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种液晶体光栅的制作方法，旨在解决现有的采用多个玻璃基底拼接的方式及喷涂方式制作液晶体光栅存在容易漏光及不能调节液晶体光栅衍射效率的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种液晶体光栅的制作方法，所述液晶体光栅的制作方法包括如下步骤：

提供两个基底，在两个所述基底上分别铺设胶层和配向层；

对所述胶层进行刻蚀，形成多个刻蚀区，并对所述配向层进行曝光，形成与所述刻蚀区数量一致的多个曝光区；

向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅。

优选地，所述提供两个基底，在两个所述基底上分别铺设胶层和配向层的步骤包括：

在其中一个所述基底上旋涂与所述基底的折射率一致或基本一致的粘胶，形成所述胶层；

在另一个所述基底上旋涂、喷涂、喷墨打印或刮涂一层配向薄膜，并对所述配向薄膜进行光致配向、摩擦配向或离子束配向处理，形成所述配向层。

优选地，所述胶层的折射率与所述基底的折射率的差值范围为-0.1~0.1。

优选地，所述对所述胶层进行刻蚀，形成多个刻蚀区，并对所述配向层进行曝光，形成与所述刻蚀区数量一致的多个曝光区的步骤包括：

固化所述胶层，采用光刻或电子束刻方式对所述胶层进行刻蚀，形成多个所述刻蚀区；

采用双光束干涉曝光配掩膜版的方式对所述配向层进行曝光，形成多个所述曝光区。

优选地，所述向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅的步骤包括：

将液晶混合物旋涂或灌注进各所述刻蚀区内；其中，所述液晶混合物为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物；或者，所述液晶混合物为可聚合液晶单体、手性剂、引发剂、助引发剂以及溶剂混合形成的混合物；

将所述曝光区所在的所述基底通过粘胶盖合粘接在所述刻蚀区所在的所述基底上方，以使多个所述曝光区一一对应粘接在多个所述刻蚀区上方，形成所述液晶体光栅。

优选地，所述向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅的步骤之后，还包括：

在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅加热1~5min。

优选地，所述在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅加热1~5min的步骤之后，还包括：

当所述液晶混合物为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物时，对所述液晶光栅体进行固化处理。

优选地，所述胶层的厚度为100~1000um，所述刻蚀区的深度为1~100um，且所述胶层的厚度大于所述刻蚀区的厚度。

优选地，所述曝光区的尺寸大于或等于和与其对应的所述刻蚀区的尺寸。

优选地，所述刻蚀区和所述曝光区的数量均为三个，三个所述刻蚀区分别为耦入区、转折区和耦出区，所述耦入区、所述转折区和所述耦出区分别对应粘接在三个所述曝光区上。

本发明液晶体光栅的制作方法，通过在一个基底上铺设胶层，对所述胶层进行刻蚀形成多个刻蚀区，向各刻蚀区内填充液晶体混合物，并且，通过在另一个基底上铺设配向层，对配向层进行曝光形成多个曝光区。然后将两个基底粘接，使得多个所述刻蚀区一一对应粘接在所述曝光区上即可形成液晶体光栅，工艺简单方便。相较于现有采用多个玻璃基底拼接的方式制成液晶体光栅而言，通过采用本发明液晶体光栅的制作方法，使得液晶体光栅的多个刻蚀区形成在同一块基底上，从而将不同区域体光栅整合到同一块基底上，将形成有多个曝光区的基底与形成有多个刻蚀区的基底粘接即可形成液晶体光栅，无需经过多个玻璃基底拼接，避免液晶体光栅的玻璃基底边缘漏光的情况，提高液晶体光栅的衍射效率。相较于采用喷涂方式制成的液晶体光栅而言，通过采用本发明液晶体光栅的制作方法，使得液晶体光栅的各刻蚀区的深度可调，实现各光栅厚度可调，进而实现液晶体光栅的衍射效率的调节，工艺兼容性好、灵活性高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明液晶体光栅的制作方法第一实施例的流程示意图；

图2为本发明一实施例第一基板刻蚀前的侧视示意图；

图3为本发明一实施例第一基板刻蚀后的侧视示意图；

图4为本发明一实施例刻蚀区填充液晶混合物后的侧视示意图；

图5为本发明一实施例第一基板的主视示意图；

图6为本发明一实施例第二基板曝光前的侧视示意图；

图7为本发明一实施例第二基板曝光后的侧视示意图；

图8为本发明一实施例液晶体光栅的侧视示意图；

图9为本发明液晶体光栅的制作方法第二实施例的流程示意图；

图10为本发明液晶体光栅的制作方法第三实施例的流程示意图；

图11为本发明液晶体光栅的制作方法第四实施例的流程示意图；

图12为本发明液晶体光栅的制作方法第五实施例的流程示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	液晶体光栅	40	刻蚀区
10	基底	41	耦入区
				11	第一基底	42	转折区
12	第二基底	43	耦出区
				20	胶层	50	曝光区
30	配向层	60	液晶混合物

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种液晶体光栅的制作方法。

参照图1，为本发明液晶体光栅的制作方法第一实施例的流程示意图，该方法包括以下步骤：

步骤S100，提供两个基底，在两个所述基底上分别铺设胶层和配向层；

参照图2至图8，两个基底10中，其中一个基底10的上表面铺设有胶层20，胶层20由UV固化胶或热固化胶等形成，胶层20的厚度可根据实际情况灵活设置，在优选的实施例中，该胶层20的厚度为100~1000um，厚度设计合理，便于后续液晶体光栅100的制作。在另一个基底10的上表面铺设有配向层30，配向层30为后续固定液晶分子旋向做准备，可为液晶分子提供所需依附或对准的理想方向。本实施例的基底10为玻璃基底10。

步骤S200，对所述胶层进行刻蚀，形成多个刻蚀区，并对所述配向层进行曝光，形成与所述刻蚀区数量一致的多个曝光区；

两个基底10分别为第一基底11和第二基底12，其中，胶层20所在的基底10为第一基底11，配向层30所在的基底10为第二基底12。对第一基底11上的胶层20进行刻蚀，形成多个刻蚀区40。可以理解地，刻蚀区40的形状可以是圆形、矩形、梯形或其他任意形状，刻蚀区40的形状可根据实际情况灵活设置，本实施例对刻蚀区40的形状不作限制。刻蚀区40为经过刻蚀后在胶层20的上表面形成的凹槽，凹槽的顶端呈敞口设置，凹槽的底端则封闭设置。各刻蚀区40的深度，即各凹槽的深度可根据实际情况灵活调整，进而利于后续光栅厚度的调整。对第二基底12进行曝光，形成多个曝光区50，曝光区50的数量与刻蚀区40的数量一致。

步骤S300，向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅。

具体地，向刻蚀区40内填充液晶混合物60，液晶混合物60为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物；或者，液晶混合物60为可聚合液晶单体、手性剂、引发剂、助引发剂以及溶剂混合形成的混合物；其中，手性剂可以选择不同型号，比如R5011、S5011、R811、S811、R1011或S1011等，不同型号的手性剂诱导液晶成螺旋结构能力不同，可根据实际情况选用不同型号的手性剂。引发剂包括紫外光引发体系与可见光引发体系，引发剂作用是在一定的波长范围内引发可聚合液晶单体发生聚合反应，常用的有光引发剂-1173、光引发剂-651、香豆素酮类引发剂[3,3'-羰基双(7-二乙胺香豆素)]等。助引发剂的作用是扩大引发剂使用的波长范围，主要有硼酸盐类（丁基三苯基硼酸盐）、胺类（N-苯基甘氨酸）等。溶剂的作用是将液晶混合物60的各组分混为均一体系，方便后续操作，溶剂包括有机/无机溶剂，主要有丙酮、甲苯、二甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、丙二醇甲醚醋酸酯等。

可以理解地，图2至图8中所示阴影区仅用于将液晶混合物60与曝光区50区分表示。向第一基底11的各刻蚀区40内填充上述液晶混合物60，填充有液晶混合物60的各刻蚀区40形成光栅，刻蚀区40的深度即为光栅的厚度。将第一基底11的多个刻蚀区40与第二基底12的多个曝光区50面对面一一对准，并将第一基底11和第二基底12粘接在一起，使得多个刻蚀区40一一对应粘接在多个曝光区50上，形成液晶体光栅100。

需要说明的是，本实施例的刻蚀区40的数量为三个，三个刻蚀区40分别为耦入区41、转折区42和耦出区43，曝光区50的数量也为三个，耦入区41、转折区42和耦出区43分别对应粘接在三个曝光区50上，即，耦入区41、转折区42和耦出区43各自对应有一个曝光区50。填充有液晶混合物60的耦入区41、转折区42和耦出区43分别形成耦入光栅、转折光栅和耦出光栅，耦入区41、转折区42和耦出区43的深度可调，从而实现耦入光栅、转折光栅和耦出光栅的厚度可调。入射到耦入光栅的光束由耦入光栅耦入转折光栅进行传递，经过转折光栅传递的光束在转折光栅内衍射并由耦出光栅耦出。本实施例的液晶体光栅100可适用于VR（Virtual Reality，虚拟现实技术）及AR（Augmented Reality，增强现实技术）。以液晶体光栅100用于VR眼镜为例进行说明，从所述耦出光栅耦出的光束为会聚光束并在人眼内会聚；光束会聚点为人眼的晶状体中心，然后直接投影到人眼的视网膜上，形成近眼视觉。

本实施例液晶体光栅100的制作方法，通过在一个基底10上铺设胶层20，对所述胶层20进行刻蚀形成多个刻蚀区40，向各刻蚀区40内填充液晶体混合物，并且，通过在另一个基底10上铺设配向层30，对配向层30进行曝光形成多个曝光区50。然后将两个基底10粘接，使得多个所述刻蚀区40一一对应粘接在所述曝光区50上即可形成液晶体光栅100，工艺简单方便。相较于现有采用多个玻璃基底拼接的方式制成液晶体光栅100而言，通过采用本实施例液晶体光栅100的制作方法，使得液晶体光栅100的多个刻蚀区40形成在同一块基底10上，从而将不同区域体光栅整合到同一块基底10上，将形成有多个曝光区50的基底10与形成有多个刻蚀区40的基底10粘接即可形成液晶体光栅100，无需经过多个玻璃基底10拼接，避免液晶体光栅100的玻璃基底10边缘漏光的情况，提高液晶体光栅100的衍射效率。相较于采用喷涂方式制成的液晶体光栅100而言，通过采用本实施例液晶体光栅100的制作方法，使得液晶体光栅100的各刻蚀区40的深度可调，实现各光栅厚度可调，进而实现液晶体光栅100的衍射效率的调节，工艺兼容性好、灵活性高。

另外，现有的采用喷涂方式制成的液晶体光栅100只适用于其液晶混合物60为可聚合液晶单体、手性剂、引发剂、助引发剂以及溶剂混合形成的混合物的情况，不适用于液晶混合物60为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物的情况。而本实施例的液晶体光栅100的制作方法此两者情况都适用，进一步提高工艺兼容性和灵活性。

进一步的，参照图9，为本发明液晶体光栅的制作方法第二实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S100包括：

步骤S101，在其中一个所述基底上旋涂与所述基底的折射率一致或基本一致的粘胶，形成所述胶层；

具体地，在第一基底11上旋涂粘胶，以形成胶层20。采用旋涂的方式向第一基底11涂布粘胶，利于提高胶层20的厚度均匀性。粘胶的折射率与第一基底11的折射率一致或基本一致，优选地，胶层20的折射率与基底10的折射率的差值范围为-0.1~0.1，以防胶层20与基底10的折射率相差过大导致光束路径发生改变而不能正常传播的情况。

步骤S102，在另一个所述基底上旋涂、喷涂、喷墨打印或刮涂一层配向薄膜，并对所述配向薄膜进行光致配向、摩擦配向或离子束配向处理，形成所述配向层。

采用旋涂、喷涂、喷墨打印或刮涂的方式在第二基底12上形成配向薄膜，优选地，为保证配向薄膜的厚度均匀性，可采用旋涂方式在第二基底12上形成配向薄膜。对配向薄膜进行光子配向、摩擦配向或离子束配向处理，形成配向层30。本实施例的配向层30的材料为聚酰亚胺、偶氮染料（亮黄）、肉桂酰支链聚合物（PVMC）等。

进一步的，参照图10，为本发明液晶体光栅的制作方法第三实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S200包括：

步骤S201，固化所述胶层，采用光刻或电子束刻方式对所述胶层进行刻蚀，形成多个所述刻蚀区；

在第一基底11上旋涂粘胶后，形成胶层20，胶层20由UV固化胶或热固化胶等形成，在进行刻蚀之前，需先对胶层20进行固化，以便后续进行刻蚀。对胶层20进行刻蚀后形成多个刻蚀区40，各刻蚀区40的可以是圆形、矩形、梯形或其他任意形状，多个刻蚀区40之间的形状可以相同，也可以不相同，从而在向各所述刻蚀区40内填充液晶混合物60后，形成形状相同或不同的耦入区41、转折区42和耦出区43。参照图3至图5，刻蚀区40的数量为三个，分别为耦入区41、转折区42和耦出区43，其中，耦入区41为圆形，转折区42为梯形，耦出区43为矩形。耦入区41、转折区42和耦出区43的形状可以根据实际情况灵活设置，本实施例对耦入区41、转折区42和耦出区43的形状不作限制。

在优选的实施例中，胶层20的厚度为100~1000um，刻蚀区40的深度为1~100um，且胶层20的厚度大于刻蚀区40的厚度。如前所述，刻蚀区40的深度即为光栅的厚度，各刻蚀区40的深度可在1~100um范围内灵活调整，即耦入光栅、转折光栅和耦出光栅的厚度可在1~100um范围内灵活调整，满足不同的使用需求。

步骤S202，采用双光束干涉曝光配掩膜版的方式对所述配向层进行曝光，形成多个所述曝光区。

可以理解地，掩膜版为光学掩膜版，光学掩模板在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位。采用双光束干涉曝光配掩膜版的方式对所述配向层30进行曝光后可形成多个曝光区50。

进一步的，参照图11，为本发明液晶体光栅的制作方法第四实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，所述步骤S300包括：

步骤S301，将液晶混合物旋涂或灌注进各所述刻蚀区内；其中，所述液晶混合物为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物；或者，所述液晶混合物为可聚合液晶单体、手性剂、引发剂、助引发剂以及溶剂混合形成的混合物；

采用旋涂或灌注的方式将液晶混合物60均匀地填充进刻蚀区40内，填充有液晶混合物60的各刻蚀区40形成光栅。

在一实施例中，液晶混合物60可以为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物，其中，手性剂可以选择不同型号，比如R5011、S5011、R811、S811、R1011或S1011等，不同型号的手性剂诱导液晶成螺旋结构能力不同，可根据实际情况选用不同型号的手性剂。溶剂的作用是将液晶混合物60的各组分混为均一体系，方便后续操作，溶剂包括有机/无机溶剂，主要有丙酮、甲苯、二甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、丙二醇甲醚醋酸酯等。

在另一实施例中，液晶混合物60为可聚合液晶单体、手性剂、引发剂、助引发剂以及溶剂混合形成的混合物；其中，手性剂可以选择不同型号，比如R5011、S5011、R811、S811、R1011或S1011等，不同型号的手性剂诱导液晶成螺旋结构能力不同，可根据实际情况选用不同型号的手性剂。引发剂包括紫外光引发体系与可见光引发体系，引发剂作用是在一定的波长范围内引发可聚合液晶单体发生聚合反应，常用的有光引发剂-1173、光引发剂-651、香豆素酮类引发剂[3,3'-羰基双(7-二乙胺香豆素)]等。助引发剂的作用是扩大引发剂使用的波长范围，主要有硼酸盐类（丁基三苯基硼酸盐）、胺类（N-苯基甘氨酸）等。溶剂的作用是将液晶混合物60的各组分混为均一体系，方便后续操作，溶剂包括有机/无机溶剂，主要有丙酮、甲苯、二甲苯、N,N-二甲基甲酰胺、丙二醇甲醚醋酸酯等。

步骤S302，将所述曝光区所在的所述基底通过粘胶盖合粘接在所述刻蚀区所在的所述基底上方，以使多个所述曝光区一一对应粘接在多个所述刻蚀区上方，形成所述液晶体光栅。

曝光区50所在的基底10为第二基底12，刻蚀区40所在的基底10为第一基底11，将第二基底12通过粘胶盖合粘接在第一基底11上方，粘接后，曝光区50位于刻蚀区40的上方，避免填充进刻蚀区40的液晶混合物60掉落。如上所述，三个刻蚀区40分别为耦入区41、转折区42和耦出区43，曝光区50的数量为三个。耦入区41对应粘接在其中一个曝光区50上方，该曝光区50的形状与耦入区41的形状匹配或类似；转折区42对应粘接在另一个曝光区50上方，该曝光区50的形状与转折区42的形状匹配或类似；耦出区43对应粘接在再一个曝光区50上方，该曝光区50的形状与耦出区43的形状匹配或类似。

在优选的实施例中，曝光区50的尺寸大于或等于和与其对应的刻蚀区40的尺寸，以对液晶体混合物起到有效配向作用。具体地，粘接在耦入区41上方的曝光区50大于或等于耦入区41的尺寸，该曝光区50的边缘与耦入区41的边缘重叠或者外扩于耦入区41的边缘；粘接在转折区42上方的曝光区50大于或等于转折区42的尺寸，该曝光区50的边缘与转折区42的边缘重叠或者外扩于转折区42的边缘；粘接在耦出区43上方的曝光区50大于或等于耦出区43的尺寸，该曝光区50的边缘与耦出区43的边缘重叠或者外扩于耦出区43的边缘。

进一步的，参照图12，为本发明液晶体光栅的制作方法第五实施例的流程示意图，基于上述第一实施例，在所述步骤S300之后，还包括：

步骤S400，在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅加热1~5min。

在本实施例中，第一基底11和第二基底12之间通过粘胶粘接在一起之后，在在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅100加热1~5min，提高第一基底11和第二基底12之间的粘接稳定性，进而提高液晶体光栅100的结构稳定性。

更进一步地，在步骤S400之后，还包括：

步骤S500，当所述液晶混合物为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物时，对所述液晶体光栅进行固化处理。

具体地，在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅100加热1~5min后，自然冷却，并当液晶混合物60为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物时，对所述液晶体光栅100进行固化处理，以实现两个基底10之间粘胶以及液晶混合物60的固化，提高液晶体光栅100的结构稳定性。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述液晶体光栅的制作方法包括如下步骤：

提供两个基底，在两个所述基底上分别铺设胶层和配向层；

向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅；

其中，所述曝光区的尺寸大于或等于和与其对应的所述刻蚀区的尺寸；所述液晶体光栅适用于VR和AR。

2.如权利要求1所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述提供两个基底，在两个所述基底上分别铺设胶层和配向层的步骤包括：

3.如权利要求2所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述胶层的折射率与所述基底的折射率的差值范围为-0.1~0.1。

4.如权利要求1所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述对所述胶层进行刻蚀，形成多个刻蚀区，并对所述配向层进行曝光，形成与所述刻蚀区数量一致的多个曝光区的步骤包括：

5.如权利要求1所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅的步骤包括：

6.如权利要求1所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述向各所述刻蚀区内填充液晶混合物，并将两个所述基底粘接，以使多个所述刻蚀区一一对应粘接在多个所述曝光区，形成液晶体光栅的步骤之后，还包括：

在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅加热1~5min。

7.如权利要求6所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述在70~80℃的温度下对所述液晶体光栅加热1~5min的步骤之后，还包括：

当所述液晶混合物为非可聚合液晶单体、手性剂以及溶剂混合形成的混合物时，对所述液晶体光栅进行固化处理。

8.如权利要求1-7中任一项所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述胶层的厚度为100~1000um，所述刻蚀区的深度为1~100um，且所述胶层的厚度大于所述刻蚀区的厚度。

9.如权利要求1-7中任一项所述的液晶体光栅的制作方法，其特征在于，所述刻蚀区和所述曝光区的数量均为三个，三个所述刻蚀区分别为耦入区、转折区和耦出区，所述耦入区、所述转折区和所述耦出区分别对应粘接在三个所述曝光区上。