CN111707910A - 瓷绝缘子内绝缘检测方法以及瓷绝缘子检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种瓷绝缘子内绝缘检测方法以及瓷绝缘子检测电路，该瓷绝缘子内绝缘检测方法包括：S101：通过冲击电压发生器发送冲击电压，并利用测量回路获取电压变化波形数据；S102：根据电压变化波形数据获取第一电压幅值和第一衰减时间常数以及第二电压幅值和第二衰减时间常数；S103：根据第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取待测瓷绝缘子的绝缘电阻；S104：根据第一电压幅值与第二电压幅值的大小或正常瓷绝缘子的绝缘电阻与待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。本发明准确度高，能够快速检测内绝缘劣化的瓷绝缘子，并且加压时间短，功率小，能量消耗少，判断逻辑简单便于集成，便于检测设备小型化，应用场所广。

Description

瓷绝缘子内绝缘检测方法以及瓷绝缘子检测电路

技术领域

本发明涉及瓷绝缘子检测领域，尤其涉及一种瓷绝缘子内绝缘检测方法以及瓷绝缘子检测电路。

背景技术

随着工业的发展，电力日益成为工业发展的重要保障，在电力输送中可靠的外绝缘是必不可少的，瓷绝缘子是实现可靠外绝缘的重要保障。在瓷绝缘子中，瓷绝缘子是应用最广的种类之一，瓷绝缘子制作成本低、耐候性好、不易老化，应用优势显著，因此在输电线路是得到了广泛的应用，其形式也多种多样，如盘式瓷绝缘子、耐张瓷绝缘子等。

但是，瓷绝缘子在应用过程中也有一个显著的弊端，就是容易出现内绝缘劣化，一旦瓷绝缘子出现内绝缘劣化，其绝缘电阻显著降低，直接影响输电安全，因此可靠及时地排查和发现劣化的瓷绝缘子是输电线路巡检工作的重要内容之一。

因为即使劣化的瓷绝缘子在宏观和外观上并不会呈现出明显的变化，因此，不能通过肉眼或者无人机摄像的方法排查出劣化的瓷绝缘子。需要采用电学的方法进行判别。然而，传统的检测及分析手段仅能从瓷绝缘子的绝缘电阻值进行检验，外加电压等级低，无法发现内绝缘劣化的瓷绝缘子。近年来随着各种零值瓷绝缘子检测装置的研制，其中不乏检测设备体积小、检测速度快的设备逐渐应用于电网设备的缺陷检测领域，例如红外检测、紫外检测、超声检测等。但这些方法都受到瓷绝缘子外表面污秽、环境声光电噪声的影响，精确度差，更不能暴露瓷绝缘子瓷件内部问题，对劣化瓷绝缘子存在大量的漏测。

对于瓷件头部有裂纹，但并未形成贯穿型通道的劣化瓷绝缘子，用低电压等级的摇表，测量得到的绝缘电阻值仍然较高，现有方法中只有通过工频耐压试验才能检测出来。提高检测电压是检测劣化瓷绝缘子的必要手段。但是，工频耐压试验由于需要专业设备，设备体积大，单次加压时间长，应用场所少，不便于大批量进行检测。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提出一种瓷绝缘子内绝缘检测方法以及瓷绝缘子检测电路，通过冲击电压发生器向瓷绝缘子发送冲击电压，根据瓷绝缘子在该瞬时冲击高电压下是否发生击穿以及施加电压之后瓷绝缘子上的电压变化特性，来判断所测量的瓷绝缘子是否发生了劣化，准确度高，能够快速检测内绝缘劣化的瓷绝缘子，并且加压时间短，功率小，能量消耗少，判断逻辑简单便于集成，便于检测设备小型化，应用场所广。

为解决上述问题，本发明采用的一个技术方案为：一种瓷绝缘子内绝缘检测方法，所述瓷绝缘子内绝缘检测方法包括：S101：通过冲击电压发生器分别对正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子发送冲击电压，并利用测量回路获取所述正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的电压变化波形数据；S102：根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数；S103：根据所述第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻；S104：根据所述第一电压幅值与所述第二电压幅值的大小或所述正常瓷绝缘子的绝缘电阻与所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。

进一步地，所述测量回路包括高压探头和波形采样电路，所述波形采样电路通过所述高压探头与所述正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的两端连接。

进一步地，所述根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤之前还包括：

通过低通滤波的方式去除所述电压变化波形数据中的毛刺。

进一步地，所述根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤具体包括：根据正常瓷绝缘子的所述电压变化波形数据获取电压序列以及与所述电压序列对应的时间序列，通过所述电压序列、时间序列获取所述第一电压幅值和第一衰减时间常数；根据待测瓷绝缘子的所述电压变化波形数据获取待测瓷绝缘子的电压序列以及与所述电压序列对应的时间序列，通过所述电压序列、时间序列获取所述第二电压幅值和第二衰减时间常数。

进一步地，所述通过所述电压序列、时间序列获取所述第一电压幅值和第一衰减时间常数的步骤具体包括：根据所述电压序列的最大值获取第一电压幅值；获取所述电压序列和时间序列中电压衰减段的数据，通过所述电压衰减段的数据获取第一衰减时间常数。

进一步地，所述测量回路的输入阻抗大于1GΩ，所述测量回路的采样间隔不大于1ms。

进一步地，所述时间序列的时间间隔与所述测量回路的采样间隔相等。

进一步地，所述根据所述第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的步骤具体包括：判断所述第二衰减时间常数是否小于第一衰减时间常数的二分之一；若是，则通过公式

获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻，其中，RX为待测瓷绝缘子的绝缘电阻，T′为第二衰减时间常数，T为第一衰减时间常数，R0为测量回路的输入阻抗；若否，则确定R_X>1GΩ。

进一步地，所述根据所述第一电压幅值与所述第二电压幅值的大小或所述正常瓷绝缘子的绝缘电阻与所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子的步骤具体包括：判断第二电压幅值是否小于第一电压幅值与预设阈值的乘积或待测瓷绝缘子的绝缘电阻是否小于正常瓷绝缘子的绝缘电阻；若是，则确定所述待测瓷绝缘子为劣化瓷绝缘子；若否，则确定所述待测瓷绝缘子为合格瓷绝缘子。

基于相同的发明构思，本发明还提出一种瓷绝缘子检测电路，所述瓷绝缘子检测电路包括冲击电压发生器、测量回路；所述冲击电压发生器的正负极分别与所述正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接；所述测量回路与所述正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接；所述瓷绝缘子检测电路通过权利要求1-9任一项所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法检测所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：通过冲击电压发生器向瓷绝缘子发送冲击电压，根据瓷绝缘子在该瞬时冲击高电压下是否发生击穿以及施加电压之后瓷绝缘子上的电压变化特性，来判断所测量的瓷绝缘子是否发生了劣化，准确度高，能够快速检测内绝缘劣化的瓷绝缘子，并且加压时间短，功率小，能量消耗少，判断逻辑简单便于集成，便于检测设备小型化，应用场所广。

附图说明

图1为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法一实施例的流程图；

图2为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法应用的瓷绝缘子检测电路一实施例的电路图；

图3为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法中合格瓷绝缘子与劣化瓷绝缘子施加冲击电压后的电压波形一实施例的示意图；

图4为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法另一实施例的流程图；

图5为本发明瓷绝缘子检测电路一实施例的电路图。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

请参阅图1-4，其中，图1为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法一实施例的流程图；图2为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法应用的瓷绝缘子检测电路一实施例的电路图；图3为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法中合格瓷绝缘子与劣化瓷绝缘子施加冲击电压后的电压波形一实施例的示意图；图4为本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法另一实施例的流程图。结合附图1-4对本发明瓷绝缘子内绝缘检测方法作详细说明。

本发明的瓷绝缘子内绝缘检测方法首先对正常瓷绝缘子施加冲击电压，并对正常瓷绝缘子两端的电压波形进行采集获取电压变化波形数据，得到正常瓷绝缘子的电压幅值和衰减时间常数两个特征量；再对待测瓷绝缘子进行加压，同样得到电压幅值和衰减时间常数两个特征量；通过比较和计算待测瓷绝缘子的特征量与正常瓷绝缘子的特征量的差别，判断待测瓷绝缘子内部是否存在缺陷进而识别劣化瓷绝缘子。

在本实施例中，瓷绝缘子内绝缘检测方法具体包括：

S101：通过冲击电压发生器分别对正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子发送冲击电压，并利用测量回路获取正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的电压变化波形数据。

在本实施例中，测量回路包括高压探头和波形采样电路，波形采样电路通过高压探头与正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的两端连接。

在一个具体的实施例中，波形采样电路为示波器。

在本实施例中，正常瓷绝缘子为内绝缘未劣化的合格瓷绝缘子。

在本实施例中，冲击电压发生器空载即向瓷绝缘子发送冲击电压时产生60-100kv的高压，且能够在10ms内向待测瓷绝缘子、正常瓷绝缘子施加的冲击电压。

在一个具体的实施例中，正常瓷绝缘子和待测瓷绝缘子的型号相同，且二者均为瓷绝缘子。

在本实施例中，冲击电压发生器通过高压硅堆向正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子发送冲击电压，从而保证发送冲击电压后，冲击电压发生器的参数变化不会影响正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子上的电压衰减，进而保证电压变化波形数据的准确性。

在一个具体的实施例中，冲击电压发生器的正极通过高压硅堆与正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子连接。

在本实施例中，波形采样电路设置有触发器，该触发器与冲击电压发生器的触发器同时触发以使测量回路能够在冲击电压发生器发出冲击电压时采集电压变化波形。

在本实施例中，测量回路的输入阻抗大于1GΩ，且测量回路中波形采样电路的采样间隔不大于1ms。

在本实施例中，测量回路的输入阻抗可通过设备参数或测量得到。

S102：根据电压变化波形数据获取正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数。

在本实施例中，测量回路检测到的冲击电压波形中电压先随时间快速增加，之后慢慢衰减，获取的时间序列的时间间隔与测量回路的采样间隔相等。

在本实施例中，根据电压变化波形数据获取正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤之前还包括：通过低通滤波的方式去除电压变化波形数据中的毛刺。

在本实施例中，根据电压变化波形数据获取正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤具体包括：根据正常瓷绝缘子的电压变化波形数据获取电压序列以及与电压序列对应的时间序列，通过电压序列、时间序列获取第一电压幅值和第一衰减时间常数；根据待测瓷绝缘子的电压变化波形数据获取待测瓷绝缘子的电压序列以及与电压序列对应的时间序列，通过电压序列、时间序列获取第二电压幅值和第二衰减时间常数。

在本实施例中，通过电压序列、时间序列获取第一电压幅值和第一衰减时间常数的步骤具体包括：根据电压序列的最大值获取第一电压幅值；获取电压序列和时间序列中电压衰减段的数据，通过电压衰减段的数据获取第一衰减时间常数。

在一个具体的实施例中，测量过程中记录的正常瓷绝缘子的电压变化波形数据通过低通滤波滤除毛刺，通过滤波后的电压变化波形数据获取的电压序列为{u₁,u₂，u₃…u_N}，电压序列对应的时间序列记为{t₁,t₂,t₃…t_N}，其中(t₁、u₁)为触发后采集的第一个采样点，根据电压序列和时间序列得到第一电压幅值和第一衰减时间常数两个特征参量，具体过程包括：

正常瓷绝缘子的第一电压幅值直接通过电压序列的最大值得到，即

U_MAX＝max_1≤i≤N(U_i)，其中，U_MAX为第一电压幅值。

在时间序列和电压序列中，提取出电压衰减段的数据，衰减段的时间序列为{t_k,t_k+1…t_N}，电压序列为{U_k,U_k+1…U_N}，提取方法是取顺序在U_MAX之后的数据点或者取t>10ms之后的数据点，利用衰减段的数据拟合指数衰减关系，指数衰减关系可以用公式表示为：

其中，U₀为衰减段的起始电压，T为第一衰减时间常数，拟合得到的T值即作为正常瓷绝缘子的第一衰减时间常数；所采用的拟合方法为两点法或最小二乘法。

在一个具体的实施例中，采用两点法获取第一衰减时间常数的方式为：任取衰减段的时间序列中两个时间点，以及对应的电压，如(t_a,U_a)和(t_b,U_b)，通过两个时间点的电压和时间求得第一衰减时间常数T，计算式为：

在另一个具体的实施例中，采用最小二乘法获取第一衰减时间常数的方式：通过最小二乘法对衰减段的时间序列{t_k,t_k+1…t_N}、电压序列{U_k,U_k+1…U_N}进行拟合，第一衰减时间常数T的计算式为：

其中，t_i为衰减段的时间序列中第i个时间点，u_i为衰减段的电压序列中第i个点的电压。

采用同样的冲击电压发生器对待测瓷绝缘子施加冲击电压，并获取电压变化波形数据，进而通过同样的方法获取待测瓷绝缘子的第二电压幅值和第二衰减时间常数。

S103：根据第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取待测瓷绝缘子的绝缘电阻。

在本实施例中，根据第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取待测瓷绝缘子的绝缘电阻的步骤具体包括：判断第二衰减时间常数是否小于第一衰减时间常数的二分之一；若是，则通过公式

获取待测瓷绝缘子的绝缘电阻，其中，R_X为待测瓷绝缘子的绝缘电阻，T′为第二衰减时间常数，T为第一衰减时间常数，R₀为测量回路的输入阻抗；若否，则确定R_X>1GΩ。

在一个具体的实施例中，根据待测瓷绝缘子的第二电压衰减时间常数T′和正常瓷绝缘子的第一衰减时间常数T推算待测瓷绝缘子绝缘电阻，如果二者的时间常数满足T′<T/2的关系，则可以利用如下公式计算出待测瓷绝缘子的绝缘电阻：

其中，R_X为待测瓷绝缘子的绝缘电阻，R₀为测量回路的输入电阻。

若T′≥T/2，可以推断出R_X>1GΩ。

S104：根据第一电压幅值与第二电压幅值的大小或正常瓷绝缘子的绝缘电阻与待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。

在本实施例中，根据第一电压幅值与第二电压幅值的大小或正常瓷绝缘子的绝缘电阻与待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子的步骤具体包括：判断第二电压幅值是否小于第一电压幅值与预设阈值的乘积或待测瓷绝缘子的绝缘电阻是否小于正常瓷绝缘子的绝缘电阻；若是，则确定待测瓷绝缘子为劣化瓷绝缘子；若否，则确定待测瓷绝缘子为合格瓷绝缘子。

在本实施例中，预设阈值为0.8，在其他实施例中，预设阈值为0.85、0.9以及其他能够识别劣化瓷绝缘子的数值，预设阈值的大小可根据实际情况进行设置，在此不做限定。

在一个具体的实施例中，若待测瓷绝缘子的第二电压幅值U′_MAX和正常瓷绝缘子的第一电压幅值U_MAX满足：U′_MAX<0.8U_MAX，则认定待测瓷绝缘子为劣化瓷绝缘子。若待测瓷绝缘子的估计绝缘电阻值足：R_X<R_B，其中，R_B为正常瓷绝缘子的绝缘电阻，则也认定待测瓷绝缘子为劣化瓷绝缘子。

在本实施例中，正常瓷绝缘子的电阻可以通过测量的方式得到，也可以根据现行的最新国家或电力行业瓷绝缘子标准设置。

在一个具体的实施例中，正常瓷绝缘子为盘形悬式瓷绝缘子，根据现行电力标准《DL/T 626-2015运行劣化盘形悬式瓷绝缘子检测规程》可设置：若该瓷绝缘子应用于500kV以上的输电线路中，取R_B＝500MΩ；若该型号瓷绝缘子应用于500kV以下输电线路中，则取R_B＝300MΩ。

本发明提出的瓷绝缘子内绝缘劣化检测算法，其优点是：

1、采用快速施加瞬时高电压的方法，可以避免传统方法需要长时间施加高电压才可以测量出绝缘电阻的弊端。

2、采用未劣化的合格瓷绝缘子作为参考，不依赖于电流来对瓷绝缘子的劣化进行判断。

3、本发明的方法仅采用简单的设备即可以产生高电压，避免了传统方法中因为需要持续加压，施加高电压需要复杂庞大的设备的弊端，采用本发明的方法更有利于实现设备的小型化和轻量化。

4、基于电压变化波形数据进行测量和计算，可靠度高，准确度高，误检漏检的概率基本为零。

有益效果：本发明的瓷绝缘子内绝缘检测方法通过冲击电压发生器向瓷绝缘子发送冲击电压，根据瓷绝缘子在该瞬时冲击高电压下是否发生击穿以及施加电压之后瓷绝缘子上的电压变化特性，来判断所测量的瓷绝缘子是否发生了劣化，准确度高，能够快速检测内绝缘劣化的瓷绝缘子，并且加压时间短，功率小，能量消耗少，判断逻辑简单便于集成，便于检测设备小型化，应用场所广。

基于相同的发明构思，本发明还提出一种瓷绝缘子检测电路，请参阅图5，图5为本发明瓷绝缘子检测电路一实施例的电路图，结合图5对本发明的瓷绝缘子检测电路作具体说明。

在本实施例中，瓷绝缘子检测电路包括冲击电压发生器、测量回路；冲击电压发生器的正负极分别与正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接；测量回路与正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接；瓷绝缘子检测电路通过如上述实施例所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法检测待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。

有益效果：本发明的瓷绝缘子检测电路通过冲击电压发生器向瓷绝缘子发送冲击电压，根据瓷绝缘子在该瞬时冲击高电压下是否发生击穿以及施加电压之后瓷绝缘子上的电压变化特性，来判断所测量的瓷绝缘子是否发生了劣化，准确度高，能够快速检测内绝缘劣化的瓷绝缘子，并且加压时间短，功率小，能量消耗少，判断逻辑简单便于集成，便于检测设备小型化，应用场所广。

在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备、模块和电路，可以通过其他的方式实现。例如，以上所描述的装置实施方式仅仅是示意性的，例如，所述模块的结构器件划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个或模块可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其他的形式。

所述作为分离部件说明的可以是或者也可以不是物理上分开的，作为显示的部件可以是或者也可以不是物理，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个位置。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部来实现本实施方式方案的目的。

上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述瓷绝缘子内绝缘检测方法包括：

S101：通过冲击电压发生器分别对正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子发送冲击电压，并利用测量回路获取所述正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的电压变化波形数据；

S102：根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数；

S103：根据所述第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻；

S104：根据所述第一电压幅值与所述第二电压幅值的大小或所述正常瓷绝缘子的绝缘电阻与所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。

2.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述测量回路包括高压探头和波形采样电路，所述波形采样电路通过所述高压探头与所述正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的两端连接。

3.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤之前还包括：

通过低通滤波的方式去除所述电压变化波形数据中的毛刺。

4.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤具体包括：

根据正常瓷绝缘子的所述电压变化波形数据获取电压序列以及与所述电压序列对应的时间序列，通过所述电压序列、时间序列获取所述第一电压幅值和第一衰减时间常数；

根据待测瓷绝缘子的所述电压变化波形数据获取待测瓷绝缘子的电压序列以及与所述电压序列对应的时间序列，通过所述电压序列、时间序列获取所述第二电压幅值和第二衰减时间常数。

5.如权利要求4所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述通过所述电压序列、时间序列获取所述第一电压幅值和第一衰减时间常数的步骤具体包括：

根据所述电压序列的最大值获取第一电压幅值；

获取所述电压序列和时间序列中电压衰减段的数据，通过所述电压衰减段的数据获取第一衰减时间常数。

6.如权利要求4所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述测量回路的输入阻抗大于1GΩ，所述测量回路的采样间隔不大于1ms。

7.如权利要求6所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述时间序列的时间间隔与所述测量回路的采样间隔相等。

8.如权利要求1所述瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述根据所述第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的步骤具体包括：

判断所述第二衰减时间常数是否小于第一衰减时间常数的二分之一；

若是，则通过公式

获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻，其中，R_X为待测瓷绝缘子的绝缘电阻，T′为第二衰减时间常数，T为第一衰减时间常数，R₀为测量回路的输入阻抗；

若否，则确定R_X>1GΩ。

9.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法，其特征在于，所述根据所述第一电压幅值与所述第二电压幅值的大小或所述正常瓷绝缘子的绝缘电阻与所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子的步骤具体包括：

判断第二电压幅值是否小于第一电压幅值与预设阈值的乘积或待测瓷绝缘子的绝缘电阻是否小于正常瓷绝缘子的绝缘电阻；

若是，则确定所述待测瓷绝缘子为劣化瓷绝缘子；

若否，则确定所述待测瓷绝缘子为合格瓷绝缘子。

10.一种瓷绝缘子检测电路，其特征在于，所述瓷绝缘子检测电路包括冲击电压发生器、测量回路；

所述冲击电压发生器的正负极分别与所述正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接；

所述测量回路与所述正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接；

所述瓷绝缘子检测电路通过权利要求1-9任一项所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法检测所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。

Images