CN111697340A - 双极化阵列天线及去耦合结构 - Google Patents

双极化阵列天线及去耦合结构 Download PDF

Info

Publication number
CN111697340A
CN111697340A CN202010696197.2A CN202010696197A CN111697340A CN 111697340 A CN111697340 A CN 111697340A CN 202010696197 A CN202010696197 A CN 202010696197A CN 111697340 A CN111697340 A CN 111697340A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resonant
branch
resonance
disposed
resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010696197.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111697340B (zh
Inventor
林晓阳
王宇
李明超
薛锋章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT, Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN202010696197.2A priority Critical patent/CN111697340B/zh
Publication of CN111697340A publication Critical patent/CN111697340A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111697340B publication Critical patent/CN111697340B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/52—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure
    • H01Q1/521—Means for reducing coupling between antennas; Means for reducing coupling between an antenna and another structure reducing the coupling between adjacent antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/24—Combinations of antenna units polarised in different directions for transmitting or receiving circularly and elliptically polarised waves or waves linearly polarised in any direction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

本发明涉及一种双极化阵列天线及去耦合结构，去耦合结构包括第一谐振体及第二谐振体，第一谐振体与第二谐振体正交设置，第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。使用时，可以将去耦合结构设置在相邻的两个辐射单元之间，由于第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；并且，在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段，从而能够分别对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。

Description

双极化阵列天线及去耦合结构
技术领域
本发明涉及移动通信技术领域，特别是涉及一种双极化阵列天线及去耦合结构。
背景技术
随着移动通信技术的发展，双极化阵列天线因其优良的性能，在移动通信网络中得到了广泛的应用。同时，在天面资源紧张的情况下，合理的选择不同的工作频段，不仅能够有效的利用通信资源，而且还能节省运维成本。因此，为了满足市场需求，传统的双极化阵列天线的工作频段通常很宽(1710MHz～2690MHz)，从而导致传统的双极化阵列天线的隔离度较差。
发明内容
基于此，有必要针对隔离度较差的问题，提供一种双极化阵列天线及去耦合结构。
一方面，提供了一种去耦合结构，包括第一谐振体及第二谐振体，所述第一谐振体与所述第二谐振体正交设置，所述第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，所述第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在所述第一预设频段和所述第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。
上述实施例的去耦合结构，使用时，可以将去耦合结构设置在相邻的两个辐射单元之间，由于第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；并且，在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段，从而能够分别对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。
在其中一个实施例中，所述第一谐振体包括相互连接并呈中心对称设置的第一谐振件和第二谐振件。
在其中一个实施例中，所述第一谐振件包括与所述第二谐振件及所述第二谐振体均连接的第一谐振枝节、设置于所述第一谐振枝节一侧的第二谐振枝节、及设置于所述第一谐振枝节另一侧的第三谐振枝节，且所述第二谐振枝节及所述第三谐振枝节关于所述第一谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
在其中一个实施例中，所述第二谐振件包括与所述第一谐振枝节及所述第二谐振体均连接的第四谐振枝节、设置于所述第四谐振枝节一侧的第五谐振枝节、及设置于所述第四谐振枝节另一侧的第六谐振枝节，且所述第五谐振枝节及所述第六谐振枝节关于所述第四谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
在其中一个实施例中，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节均与所述第二谐振体间隔设置，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L1，且所述L1可调。
在其中一个实施例中，所述第一谐振枝节及所述第四谐振枝节的长度可调；和/或所述第一谐振枝节连及所述第四谐振枝节的宽度可调；所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的长度可调；和/或所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的宽度可调。
在其中一个实施例中，所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段；或所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段、及与所述第一段呈第二夹角设置的第五段。
在其中一个实施例中，所述第二谐振体包括相互连接并以连接部位呈中心对称设置的第三谐振件和第四谐振件。
在其中一个实施例中，所述第三谐振件包括与所述第四谐振件及所述第一谐振体均连接的第七谐振枝节、设置于所述第七谐振枝节一侧的第八谐振枝节、及设置于所述第七谐振枝节另一侧的第九谐振枝节，且所述第八谐振枝节及所述第九谐振枝节关于所述第七谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
在其中一个实施例中，所述第四谐振件包括与所述第七谐振枝节及所述第一谐振体均连接的第十谐振枝节、设置于所述第十谐振枝节一侧的第十一谐振枝节、及设置于所述第十谐振枝节另一侧的第十二谐振枝节，且所述第十一谐振枝节及所述第十二谐振枝节关于所述第十谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
在其中一个实施例中，所述第八谐振枝节及所述第十一谐振枝节均与所述第一谐振体间隔设置，所述第八谐振枝节及所述第十一谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L2，且所述L2可调。
在其中一个实施例中，所述第七谐振枝节连及所述第十谐振枝节的长度可调；和/或所述第七谐振枝节连及所述第十谐振枝节的宽度可调；所述第八谐振枝节连及所述第十一谐振枝节的长度可调；和/或所述第八谐振枝节连及所述第十一谐振枝节的宽度可调。
在其中一个实施例中，所述第八谐振枝节包括与所述第七谐振枝节呈第三夹角设置的第九段，或所述第八谐振枝节包括与所述第七谐振枝节呈第三夹角设置的第九段、及与所述第九段呈第四夹角设置的第十三段。
在其中一个实施例中，所述去耦合结构还包括支撑组件，所述支撑组件用于对所述第一谐振体及所述第二谐振体进行支撑。
另一方面，提供了一种双极化阵列天线，包括反射板、至少两个辐射单元、及所述的去耦合结构，所述辐射单元及所述去耦合结构均设置在所述反射板上，且相邻的两个所述辐射单元之间设有一个所述去耦合结构。
上述实施例的双极化阵列天线，使用时，利用去耦合结构能够对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度，也能实现良好的驻波，同时，也不会影响辐射性能。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例的双极化阵列天线的结构示意图；
图2为图1的双极化阵列天线的俯视图；
图3为图1的双极化阵列天线一个实施例的去耦合结构的俯视图；
图4为图3的双极化阵列天线的去耦合结构的轴测图；
图5为图1的双极化阵列天线另一个实施例的去耦合结构的俯视图；
图6为图1的双极化阵列天线有无去耦合结构的隔离度的曲线图。
附图标记说明：
10、去耦合结构，100、第一谐振体，110、第一谐振件，111、第一谐振枝节，112、第二谐振枝节，1121、第一段，1122、第五段，113、第三谐振枝节，1131、第二段，1132、第六段，120、第二谐振件，121、第四谐振枝节，122、第五谐振枝节，1221、第三段，1222、第七段，123、第六谐振枝节，1231、第四段，1232、第八段，200、第二谐振体，210、第三谐振件，211、第七谐振枝节，212、第八谐振枝节，2121、第九段，2122、第十三段，213、第九谐振枝节，2131、第十段，2132、第十四段，220、第四谐振件，221、第十谐振枝节，222、第十一谐振枝节，2221、第十一段，2222、第十五段，223、第十二谐振枝节，2231、第十二段，2232、第十六段，300、支撑组件，310、支撑件，20、辐射单元，30、反射板。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1至图3所示，在一个实施例中，提供了一种去耦合结构10，包括第一谐振体100及第二谐振体200。第一谐振体100与第二谐振体200正交设置。第一谐振体100的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体200的谐振频率处于第二预设频段内。在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。
上述实施例的去耦合结构10，使用时，可以将去耦合结构10设置在相邻的两个辐射单元20之间，由于第一谐振体100的谐振频率处于第一预设频段内，第二谐振体200的谐振频率处于第二预设频段内；并且，在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段，从而能够分别对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。
需要进行说明的是，在第一预设频段和第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段，是指当第一预设频段属于低频段时，第二预设频段属于高频段，或当第一预设频段属于高频段时，第二预设频段属于低频段。其中，低频段可以是1710MHz～2250MHz；高频段可以是2250MHz～2690MHz。当然，根据实际使用情况，低频段的范围和高频段的范围可以进行灵活的变换，只需满足第一谐振体100的谐振频率及第二谐振体200的谐振频率能够对相应频段的空间波进行抑制，从而提高隔离度即可。
如图6所示，上述实施例的去耦合结构10，能够将两个辐射单元20的隔离度在1710MHz～2690MHz内提高至19dB以下，最大能够提高20dB，有效提高隔离度和实现良好的驻波，同时，也不会影响辐射性能。
如图3所示，在一个实施例中，第一谐振体100包括相互连接并以连接部位呈中心对称设置的第一谐振件110和第二谐振件120。如此，利用第一谐振件110与第二谐振件120之间的配合，从而能够对相应频段(高频段或低频段)的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。
如图3所示，在一个实施例中，第一谐振件110包括与第二谐振件120及第二谐振体200均连接的第一谐振枝节111、设置于第一谐振枝节111一侧的第二谐振枝节112、及设置于第一谐振枝节111另一侧的第三谐振枝节113。且第二谐振枝节112及第三谐振枝节113关于第一谐振枝节111的中心轴线轴对称设置。如此，使得第一谐振件110对两侧的辐射单元20的抑制效果保持一致，使得两侧的辐射单元20的辐射性能的一致性强。
如图3所示，在一个实施例中，第二谐振件120包括与第一谐振枝节111及第二谐振体200均连接的第四谐振枝节121、设置于第四谐振枝节121一侧的第五谐振枝节122、及设置于第四谐振枝节121另一侧的第六谐振枝节123。且第五谐振枝节122及第六谐振枝节123关于第四谐振枝节121的中心轴线轴对称设置。如此，使得第二谐振件120对两侧的辐射单元20的抑制效果保持一致，使得两侧的辐射单元20的辐射性能的一致性强。同时，第一谐振件110关于第一谐振枝节111的中心轴线轴对称设置，第二谐振件120关于第四谐振枝节121的中心轴线轴对称设置。并且，第二谐振枝节112和第五谐振枝节122关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第三谐振枝节113和第六谐振枝节123关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，从而使得第一谐振体100对两侧的辐射单元20的抑制效果保持一致，使得辐射单元20件的辐射性能保持一致，一致性强。
如图3及图5所示，在一个实施例中，第一谐振枝节111及第四谐振枝节121均沿第一方向(如图3的A方向所示)设置，第一谐振枝节111的一端与第四谐振枝节121的一端连接，第二谐振枝节112的一端及第三谐振枝节113的一端均与第一谐振枝节111的另一端连接，且第二谐振枝节112设置在第一谐振枝节111的左侧，第三谐振枝节113设置在第一谐振枝节111的右侧；第五谐振枝节122的一端及第六谐振枝节123的一端均与第四谐振枝节121的另一端连接，且第五谐振枝节122设置在第四谐振枝节121的右侧，第六谐振枝节123设置在第四谐振枝节121的左侧；同时，第二谐振枝节112与第五谐振枝节122之间关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第三谐振枝节113与第六谐振枝节123之间关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置。如此，第一谐振体100左右两侧对称设置，对左右两侧的辐射单元20的抑制效果一致，也便于加工，降低了生产难度，节省了生产成本。其中，第一谐振枝节111、第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第四谐振枝节121、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123可以通过一体成型的方式制得，加工方便；第一谐振枝节111、第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第四谐振枝节121、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123均可以设置为贴片的形式，便于加工制造。
如图3及图5所示，在一个实施例中，第二谐振枝节112及第五谐振枝节122均与第二谐振体200间隔设置。第二谐振枝节112及第五谐振枝节122与第二谐振体200之间的间距均为L1，且L1可调。如此，能够通过调节L1的大小，从而调节第二谐振枝节112与第二谐振体200之间的电容大小(由于第三谐振枝节113与第二谐振枝节112关于第一谐振枝节111的中心轴线对称设置，第三谐振枝节113与第二谐振体200之间的间距相应也为L1，从而也能调节第三谐振枝节113与第二谐振体200之间的电容大小)，也能调节第五谐振枝节122与第二谐振体200之间的电容大小(由于第六谐振枝节123与第五谐振枝节122关于第四谐振枝节121的中心轴线对称设置，第六谐振枝节123与第二谐振体200之间的间距相应也为L1，从而也能调节第六谐振枝节123与第二谐振体200之间的电容大小)，进而能够通过调节电容大小而调节第一谐振体100的谐振频率，从而使得第一谐振体100能够对相应频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。其中，第二谐振枝节112与第二谐振体200之间的间距，可以是第二谐振枝节112最靠近第二谐振体200的端部与第二谐振体200之间的间距；同理，第五谐振枝节122与第二谐振体200之间的间距，也可以是第五谐振枝节122最靠近第二谐振体200的端部与第二谐振体200之间的间距；第三谐振枝节113与第二谐振体200之间的间距、及第四谐振枝节121与第二谐振体200之间的间距，也可以是最靠近第二谐振体200的端部与第二谐振体200之间的间距。L1优选为2mm～5mm(可以是2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
在一个实施例中，第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的长度可调。如此，能够通过调节第一谐振枝节111和第四谐振枝节121的长度，从而调节第一谐振体100的谐振频率，进而使得第一谐振体100能够对相应频段(例如低频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的长度可以是13mm～18mm(可以是13mm、13.5mm、14mm、14.5mm、15mm、15.5mm、16mm、16.5mm、17mm、17.5mm或18mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
在一个实施例中，第一谐振枝节111连及第四谐振枝节121的宽度可调。如此，能够通过调节第一谐振枝节111和第四谐振枝节121的宽度，从而调节第一谐振体100的谐振频率，进而使得第一谐振体100能够对相应频段(例如低频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的宽度可以是0.8mm～1.2mm(可以是0.8mm、0.85mm、0.9mm、0.95mm、1mm、1.05mm、1.1mm、1.15mm或1.2mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
当然，在其他实施例中，还可以调节第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的长度；同时，调节第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的宽度。如此，能够更加灵活的对第一谐振体100的谐振频率进行调节，进而使得第一谐振体100能够对相应频段(例如低频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。
在一个实施例中，第二谐振枝节112连及第五谐振枝节122的长度可调。如此，能够通过调节第二谐振枝节112和第五谐振枝节122的长度，从而调节第一谐振体100的谐振频率，进而使得第一谐振体100能够对相应频段(例如低频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。其中，由于第三谐振枝节113与第二谐振枝节112关于第一谐振枝节111的中心轴线对称设置，第三谐振枝节113的长度相应也可调，从而也能调节第三谐振枝节113的长度，从而调节第一谐振体100的谐振频率；同理，由于第六谐振枝节123与第五谐振枝节122关于第四谐振枝节121的中心轴线对称设置，第六谐振枝节123的长度相应也可调，从而也能调节第六谐振枝节123的长度，从而调节第一谐振体100的谐振频率。第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123的长度可以是10mm～15mm(可以是10mm、10.5mm、11mm、11.5mm、12mm、12.5mm、13mm、13.5mm、14mm、14.5mm或15mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
在一个实施例中，第二谐振枝节112连及第五谐振枝节122的宽度可调。如此，能够通过调节第二谐振枝节112和第五谐振枝节122的宽度，从而调节第一谐振体100的谐振频率，进而使得第一谐振体100能够对相应频段(例如低频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。其中，由于第三谐振枝节113与第二谐振枝节112关于第一谐振枝节111的中心轴线对称设置，第三谐振枝节113的宽度相应也可调，从而也能调节第三谐振枝节113的宽度，从而调节第一谐振体100的谐振频率；同理，由于第六谐振枝节123与第五谐振枝节122关于第四谐振枝节121的中心轴线对称设置，第六谐振枝节123的宽度相应也可调，从而也能调节第六谐振枝节123的宽度，从而调节第一谐振体100的谐振频率。第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123的宽度可以是0.3mm～0.7mm(可以是0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm或0.7mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
当然，在其他实施例中，还可以调节第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123的长度；同时，调节第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123的宽度。如此，能够更加灵活的对第一谐振体100的谐振频率进行调节，进而使得第一谐振体100能够对相应频段(例如低频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。
如图3及图4所示，在一个实施例中，第二谐振枝节112包括与第一谐振枝节111呈第一夹角(如图3的角度a所示)设置的第一段1121，第三谐振枝节113包括与第一谐振枝节111呈第一夹角设置的第二段1131。如此，第一段1121与第二段1131关于第一谐振枝节111的中心轴线呈轴对称设置。第五谐振枝节122包括与第四谐振枝节121呈第一夹角设置的第三段1221，第六谐振枝节123包括与第四谐振枝节121呈第一夹角设置的第四段1231。如此，第三段1221与第四段1231关于第四谐振枝节121的中心轴线呈轴对称设置。且第一段1121与第三段1221关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第二段1131与第四段1231关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置。如此，使得第一谐振体100左右两侧对称设置，对左右两侧的辐射单元20的抑制效果一致，也便于加工，降低了生产难度，节省了生产成本。其中，第一夹角的大小可以根据实际使用情况进行灵活的调整，例如，第一夹角可以是30°、45°、60°、90°、135°或其他满足使用要求的角度。
如图3及图4所示，进一步地，第二谐振枝节112还包括与第一段1121呈第二夹角(如图3的角度b所示)设置的第五段1122，第三谐振枝节113还包括与第二段1131呈第二夹角设置的第六段1132。如此，第五段1122与第六段1132关于第一谐振枝节111的中心轴线呈轴对称设置，利用第五段1122延长了第二谐振枝节112的表面积，利用第六段1132延长了第三谐振枝节113的表面积，从而使得调节更加灵活。如图3及图4所示，第五谐振枝节122还包括与第三段1221呈第二夹角设置的第七段1222，第六谐振枝节123还包括与第四段1231呈第二夹角设置的第八段1232。如此，第七段1222与第八段1232关于第四谐振枝节121的中心轴线呈轴对称设置，利用第七段1222延长了第五谐振枝节122的表面积，利用第八段1232延长了第六谐振枝节123的表面积，从而使得调节更加灵活。且第五段1122与第七段1222关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第六段1132与第八段1232关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置。如此，使得第一谐振体100左右两侧对称设置，对左右两侧的辐射单元20的抑制效果一致。其中，第二夹角的大小可以根据实际使用情况进行灵活的调整，例如，第二夹角可以是30°、45°、60°、90°、135°或其他满足使用要求的角度。第二夹角与第一夹角可以相同，也可以不同。
如图3所示，在上述任一实施例的基础上，第二谐振体200包括相互连接并以连接部位呈中心对称设置的第三谐振件210和第四谐振件220。如此，利用第三谐振件210与第四谐振件220之间的配合，从而能够对相应频段(低频段或高频段)的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。
如图3所示，在一个实施例中，第三谐振件210包括与第四谐振件220及第一谐振体100均连接的第七谐振枝节211、设置于第七谐振枝节211一侧的第八谐振枝节212、及设置于第七谐振枝节211另一侧的第九谐振枝节213。且第八谐振枝节212及第九谐振枝节213关于第七谐振枝节211的中心轴线轴对称设置。如此，使得第三谐振件210的两侧对辐射单元20的抑制效果保持一致。
如图3及图4所示，在一个实施例中，第四谐振件220包括与第七谐振枝节211及第一谐振体100均连接的第十谐振枝节221、设置于第十谐振枝节221一侧的第十一谐振枝节222、及设置于第十谐振枝节221另一侧的第十二谐振枝节223。且第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223关于第十谐振枝节221的中心轴线轴对称设置。如此，使得第四谐振件220的两侧对辐射单元20的抑制效果保持一致。同时，第三谐振件210关于第七谐振枝节211的中心轴线轴对称设置，第四谐振件220关于第十谐振枝节221的中心轴线轴对称设置。并且，第八谐振枝节212和第十一谐振枝节222关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第九谐振枝节213和第十二谐振枝节223关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，从而使得第二谐振体200对两侧的辐射单元20的抑制效果保持一致，使得辐射单元20件的辐射性能保持一致，一致性强。
如图3及图4所示，在一个实施例中，第七谐振枝节211及第十谐振枝节221均沿第二方向(如图3的B方向所示)设置(其中，第二方向垂直于第一方向设置)，第七谐振枝节211的一端与第十谐振枝节221的一端连接，第八谐振枝节212的一端及第九谐振枝节213的一端均与第七谐振枝节211的另一端连接，且第八谐振枝节212设置在第七谐振枝节211的上侧，第九谐振枝节213设置在第七谐振枝节211的下侧；第十一谐振枝节222的一端及第十二谐振枝节223的一端均与第十谐振枝节221的另一端连接，且第十一谐振枝节222设置在第十谐振枝节221的下侧，第十二谐振枝节223设置在第十谐振枝节221的上侧；同时，第八谐振枝节212与第十一谐振枝节222之间关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第九谐振枝节213与第十二谐振枝节223之间关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置。如此，第二谐振体200上下两侧对称设置，且第二谐振体200以第一谐振体100的中心轴线(第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的中心轴线)呈左右对称设置，使得第二谐振体200对左右两侧的辐射单元20的抑制效果一致，也便于加工，降低了生产难度，节省了生产成本。其中，第七谐振枝节211、第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十谐振枝节221、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223可以通过一体成型的方式制得，加工方便；第七谐振枝节211、第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十谐振枝节221、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223均可以设置为贴片的形式，便于加工制造。
如图3及图4所示，进一步地，第三谐振件210设置于第二谐振枝节112与第六谐振枝节123之间，第四谐振件220设置于第三谐振枝节113与第五谐振枝节122之间，第一谐振枝节111的一端、第四谐振枝节121的一端、第七谐振枝节211的一端及第十谐振枝节221的一端相互连接，从而使得第一谐振件110和第二谐振件120关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的中心轴线对称设置，第三谐振件210和第四谐振件220关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的中心轴线对称设置，从而使得整个去耦合结构10呈现左右和上下方向的对称设置，使得整个去耦合结构10更加紧凑，降低了加工难度，节省了加工成本，也使得去耦合结构10对相邻的两个辐射单元20的抑制效果一致，保证辐射性能。其中，第一谐振枝节111、第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第四谐振枝节121、第五谐振枝节122、第六谐振枝节123、第七谐振枝节211、第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十谐振枝节221、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223可以通过一体成型的方式制得，便于加工，降低加工难度。
如图3及图5所示，在一个实施例中，第八谐振枝节212及第十一谐振枝节222均与第一谐振体100间隔设置。第八谐振枝节212及第十一谐振枝节222与第二谐振体200之间的间距均为L2，且L2可调。如此，能够通过调节L2的大小，从而调节第八谐振枝节212与第一谐振体100之间的电容大小(由于第九谐振枝节213与第八谐振枝节212关于第七谐振枝节211的中心轴线对称设置，第九谐振枝节213与第一谐振体100之间的间距相应也为L2，从而也能调节第九谐振枝节213与第一谐振体100之间的电容大小)，也能调节第十一谐振枝节222与第一谐振体100之间的电容大小(由于第十二谐振枝节223与第十一谐振枝节222关于第十谐振枝节221的中心轴线对称设置，第十二谐振枝节223与第一谐振体100之间的间距相应也为L2，从而也能调节第十二谐振枝节223与第一谐振体100之间的电容大小)，进而能够通过调节电容大小而调节第二谐振体200的谐振频率，从而使得第二谐振体200能够对相应频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。其中，第八谐振枝节212与第一谐振体100之间的间距，可以是第八谐振枝节212最靠近第一谐振体100的端部与第一谐振体100之间的间距；同理，第十一谐振枝节222与第一谐振体100之间的间距，也可以是第十一谐振枝节222最靠近第一谐振体100的端部与第一谐振体100之间的间距；第九谐振枝节213与第一谐振体100之间的间距、及第十二谐振枝节223与第一谐振体100之间的间距，也可以是最靠近第一谐振体100的端部与第一谐振体100之间的间距。L2优选为2mm～4mm(可以是2mm、2.5mm、3mm、3.5mm或4mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
在一个实施例中，第七谐振枝节211连及第十谐振枝节221的长度可调。如此，能够通过调节第七谐振枝节211和第十谐振枝节221的长度，从而调节第二谐振体200的谐振频率，进而使得第二谐振体200能够对相应频段(例如高频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。第七谐振枝节211及第十谐振枝节221的长度可以是3mm～8mm(可以是3mm、3.5mm、4mm、4.5mm、5mm、5.5mm、6mm、6.5mm、7mm、7.5mm或8mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
在一个实施例中，第七谐振枝节211连及第十谐振枝节221的宽度可调。如此，能够通过调节第七谐振枝节211和第十谐振枝节221的宽度，从而调节第二谐振体200的谐振频率，进而使得第二谐振体200能够对相应频段(例如高频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。第七谐振枝节211及第十谐振枝节221的宽度可以是0.8mm～1.2mm(可以是0.8mm、0.85mm、0.9mm、0.95mm、1mm、1.05mm、1.1mm、1.15mm或1.2mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
当然，在其他实施例中，还可以调节第七谐振枝节211及第十谐振枝节221的长度；同时，调节第七谐振枝节211及第十谐振枝节221的宽度。如此，能够更加灵活的对第二谐振体200的谐振频率进行调节，进而使得第二谐振体200能够对相应频段(例如高频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。
在一个实施例中，第八谐振枝节212连及第十一谐振枝节222的长度可调。如此，能够通过调节第八谐振枝节212和第十一谐振枝节222的长度，从而调节第二谐振体200的谐振频率，进而使得第二谐振体200能够对相应频段(例如高频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。其中，由于第九谐振枝节213与第八谐振枝节212关于第七谐振枝节211的中心轴线对称设置，第九谐振枝节213的长度相应也可调，从而也能调节第九谐振枝节213的长度，从而调节第二谐振体200的谐振频率；同理，由于第十二谐振枝节223与第十一谐振枝节222关于第十谐振枝节221的中心轴线对称设置，第十二谐振枝节223的长度相应也可调，从而也能调节第十二谐振枝节223的长度，从而调节第二谐振体200的谐振频率。第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223的长度可以是1.5mm～6.5mm(可以是1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm、5mm、5.5mm、6mm或6.5mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
在一个实施例中，第八谐振枝节212连及第十一谐振枝节222的宽度可调。如此，能够通过调节第八谐振枝节212和第十一谐振枝节222的宽度，从而调节第二谐振体200的谐振频率，进而使得第二谐振体200能够对相应频段(例如高频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。其中，由于第九谐振枝节213与第八谐振枝节212关于第七谐振枝节211的中心轴线对称设置，第九谐振枝节213的宽度相应也可调，从而也能调节第九谐振枝节213的宽度，从而调节第二谐振体200的谐振频率；同理，由于第十二谐振枝节223与第十一谐振枝节222关于第十谐振枝节221的中心轴线对称设置，第十二谐振枝节223的宽度相应也可调，从而也能调节第十二谐振枝节223的宽度，从而调节第二谐振体200的谐振频率。第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223的宽度可以是0.3mm～0.7mm(可以是0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm或0.7mm)，能够使得隔离度误差在1dB以内进行调节。
当然，在其他实施例中，还可以调节第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223的长度；同时，调节第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123的宽度。如此，能够更加灵活的对第二谐振体200的谐振频率进行调节，进而使得第二谐振体200能够对相应频段(例如高频段)的空间波进行抑制，从而能够提高隔离度。
在一个实施例中，第一谐振枝节111及第四谐振枝节121的长度均为15mm，宽度均为1mm；第二谐振枝节112、第三谐振枝节113、第五谐振枝节122及第六谐振枝节123的长度均为12mm，宽度均为0.5mm；第七谐振枝节211及第十谐振枝节221的长度均为4mm，宽度均为1mm；第八谐振枝节212、第九谐振枝节213、第十一谐振枝节222及第十二谐振枝节223的长度均为2.5mm，宽度均为0.5mm。如此，第一谐振体100的谐振频率处于低频段部分，从而能够对低频段部分的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度；第二谐振体200的谐振频率处于高频段部分，从而能够对高频段部分的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度。
如图3及图4所示，在一个实施例中，第八谐振枝节212包括与第七谐振枝节211呈第三夹角(如图3的c角度所示)设置的第九段2121，第九谐振枝节213包括与第七谐振枝节211呈第三夹角设置的第十段2131。如此，第九段2121与第十段2131关于第七谐振枝节211的中心轴线呈轴对称设置。第十一谐振枝节222包括与第十谐振枝节221呈第三夹角设置的第十一段2221，第十二谐振枝节223包括与第十谐振枝节221呈第三夹角设置的第十二段2231。如此，第十一段2221与第十二段2231关于第十谐振枝节221的中心轴线呈轴对称设置。且第八段1232与第十一段2221关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第九段2121与第十二段2231关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置。如此，使得第二谐振体200上下及左右两侧对称设置，对两侧的辐射单元20的抑制效果一致，也便于加工，降低了生产难度，节省了生产成本。其中，第三夹角的大小可以根据实际使用情况进行灵活的调整，例如，第三夹角可以是30°、45°、60°、90°、135°或其他满足使用要求的角度。
如图3及图4所示，进一步地，第八谐振枝节212还包括与第九段2121呈第四夹角(如图3的d角度所示)设置的第十三段2122，第九谐振枝节213还包括与第十段2131呈第四夹角设置的第十四段2132。如此，第十三段2122与第十四段2132关于第七谐振枝节211的中心轴线呈轴对称设置，利用第十三段2122延长了第八谐振枝节212的表面积，利用第十四段2132延长了第九谐振枝节213的表面积，从而使得调节更加灵活。第十一谐振枝节222还包括与第十一段2221呈第四夹角设置的第十五段2222，第十二谐振枝节223还包括与第十二段2231呈第四夹角设置的第十六段2232。如此，第十五段2222与第十六段2232关于第十谐振枝节221的中心轴线呈轴对称设置，利用第十五段2222延长了第十一谐振枝节222的表面积，利用第十六段2232延长了第十二谐振枝节223的表面积，从而使得调节更加灵活。且第十三段2122与第十五段2222关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第十四段2132与第十六段2232关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置。如此，使得第二谐振体200上下及左右两侧对称设置，对两侧的辐射单元20的抑制效果一致。其中，第四夹角的大小可以根据实际使用情况进行灵活的调整，例如，第四夹角可以是30°、45°、60°、90°、135°或其他满足使用要求的角度。第四夹角与第三夹角可以相同，也可以不同。
如图5所示，在一个实施例中，第二谐振枝节112包括与第一谐振枝节111呈45°设置的第一段1121；第三谐振枝节113包括与第一谐振枝节111呈45°设置的第二段1131；第五谐振枝节122包括与第四谐振枝节121呈45°设置的第三段1221；第六谐振枝节123包括与第四谐振枝节121呈45°设置的第四段1231；且第一段1121与第三段1221关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第二段1131与第四段1231关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置；第八谐振枝节212包括与第七谐振枝节211呈45°设置的第九段2121；第九谐振枝节213包括与第七谐振枝节211呈45°设置的第十段2131；第十一谐振枝节222包括与第十谐振枝节221呈45°设置的第十一段2221；第十二谐振枝节223包括与第十谐振枝节221呈45°设置的第十二段2231；且第九段2121与第十一段2221关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第十段2131与第十二段2231关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置；同时，第一段1121、第九段2121、第十一段2221及第三段1221相互平行设置，第二段1131、第十二段2231、第十段2131及第四段1231相互平行设置。其中，第一段1121与第九段2121之间的最短间距为L1，第二段1131与第十二段2231之间的最短间距为L1，第四段1231与第十段2131之间的最短间距为L1，第三段1221与第十一段2221之间的最短间距为L1；第九段2121与第一谐振枝节111之间的最短距离为L2，第十二段2231与第一谐振枝节111之间的最短距离为L2，第十一段2221与第四谐振枝节121之间的最短距离为L2，第十段2131与第四谐振枝节121之间的最短距离为L2。
如图3及图4所示，在一个实施例中，第二谐振枝节112包括与第一谐振枝节111呈90°设置的第一段1121、及与第一段1121呈90°设置的第五段1122，且第五段1122朝向第二谐振体200延伸；第三谐振枝节113包括与第一谐振枝节111呈90°设置的第二段1131、及与第二段1131呈90°设置的第六段1132，且第六段1132朝向第二谐振体200延伸；第五谐振枝节122包括与第四谐振枝节121呈90°设置的第三段1221、及与第三段1221呈90°设置的第七段1222，且第七段1222朝向第二谐振体200延伸；第六谐振枝节123包括与第四谐振枝节121呈90°设置的第四段1231、及与第四段1231呈90°设置的第八段1232，且第八段1232朝向第二谐振体200延伸；第一段1121与第三段1221关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第二段1131与第四段1231关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置；第五段1122与第七段1222关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置，第六段1132与第八段1232关于第一谐振枝节111与第四谐振枝节121的连接部位呈中心对称设置；第八谐振枝节212包括与第七谐振枝节211呈90°设置的第九段2121、及与第九段2121呈90°设置的第十三段2122，且第十三段2122朝向第一谐振枝节111延伸，第九谐振枝节213包括与第七谐振枝节211呈90°设置的第十段2131、及与第十段2131呈90°设置的第十四段2132，且第十四段2132朝向第四谐振枝节121延伸，第十一谐振枝节222包括与第十谐振枝节221呈90°设置的第十一段2221、及与第十一段2221呈90°设置的第十五段2222，且第十五段2222朝向第四谐振枝节121延伸，第十二谐振枝节223包括与第十谐振枝节221呈90°设置的第十二段2231、及与第十二段2231呈90°设置的第十六段2232，且第十六段2232朝向第一谐振枝节111延伸，第九段2121与第十一段2221关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第十段2131与第十二段2231关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置；第十三段2122与第十五段2222关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置，第十四段2132与第十六段2232关于第七谐振枝节211与第十谐振枝节221的连接部位呈中心对称设置。其中，第五段1122与第十三段2122之间的最短间距为L1，第六段1132与第十六段2232之间的最短间距为L1，第八段1232与第十四段2132之间的最短间距为L1，第七段1222与第十五段2222之间的最短间距为L1；第十三段2122与第一谐振枝节111之间的最短距离为L2，第十六段2232与第一谐振枝节111之间的最短距离为L2，第十四段2132与第四谐振枝节121之间的最短距离为L2，第十五段2222与第四谐振枝节121之间的最短距离为L2。
如图1及图4所示，在上述任一实施例的基础上，去耦合结构10还包括支撑组件300，支撑组件300用于对第一谐振体100及第二谐振体200进行支撑。如此，利用支撑组件300能够对第一谐振体100和第二谐振体200进行支撑，从而能够将第一谐振体100和第二谐振体200稳定、可靠的安装在反射板30上，并使得第一谐振体100和第二谐振体200设置在相邻的两个辐射单元20之间。
如图4所示，在一个实施例中，支撑组件300包括四个支撑件310，四个支撑件310分别与第一谐振件110、第二谐振件120、第三谐振件210及第四谐振件220一一对应设置，从而能够将第一谐振件110、第二谐振件120、第三谐振件210及第四谐振件220安装在反射板30上，使得第一谐振件110、第二谐振件120、第三谐振件210及第四谐振件220与反射板30间隔设置。其中，支撑件310可以是采用塑料等绝缘材质的支撑柱、支撑条或其他能够进行支撑安装的元件。支撑件310与第一谐振件110、第二谐振件120、第三谐振件210及第四谐振件220的连接，可以通过粘结等现有的方式实现。
如图1至图3所示，在一个实施例中，还提供了一种双极化阵列天线，包括反射板、至少两个辐射单元20、及上述任一实施例的去耦合结构10，辐射单元20及去耦合结构10均设置在反射板30上，相邻的两个辐射单元20之间设有一个去耦合结构10。
上述实施例的双极化阵列天线，使用时，利用去耦合结构10能够对低频段和高频段的空间波进行抑制，进而能够提高隔离度，也能实现良好的驻波，同时，也不会影响辐射性能。
如图1所示，进一步地，去耦合结构10相对反射板30的安装高度(如图1的h所示)小于或等于辐射单元20相对反射板30的安装高度(如图1的H所示)。如此，便于将设有辐射单元20和去耦合结构10的反射板30安装至天线罩内，不会发生抵触干涉。其中，安装高度是指相对反射板30的高度。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
还应当理解的是，在解释元件的连接关系或位置关系时，尽管没有明确描述，但连接关系和位置关系解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (15)

1.一种去耦合结构，其特征在于，包括第一谐振体及第二谐振体，所述第一谐振体与所述第二谐振体正交设置，所述第一谐振体的谐振频率处于第一预设频段内，所述第二谐振体的谐振频率处于第二预设频段内；在所述第一预设频段和所述第二预设频段中，其中一个属于低频段，另外一个属于高频段。
2.根据权利要求1所述的去耦合结构，其特征在于，所述第一谐振体包括相互连接并呈中心对称设置的第一谐振件和第二谐振件。
3.根据权利要求2所述的去耦合结构，其特征在于，所述第一谐振件包括与所述第二谐振件及所述第二谐振体均连接的第一谐振枝节、设置于所述第一谐振枝节一侧的第二谐振枝节、及设置于所述第一谐振枝节另一侧的第三谐振枝节，且所述第二谐振枝节及所述第三谐振枝节关于所述第一谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
4.根据权利要求3所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振件包括与所述第一谐振枝节及所述第二谐振体均连接的第四谐振枝节、设置于所述第四谐振枝节一侧的第五谐振枝节、及设置于所述第四谐振枝节另一侧的第六谐振枝节，且所述第五谐振枝节及所述第六谐振枝节关于所述第四谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
5.根据权利要求4所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节均与所述第二谐振体间隔设置，所述第二谐振枝节及所述第五谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L1，且所述L1可调。
6.根据权利要求4所述的去耦合结构，其特征在于，所述第一谐振枝节及所述第四谐振枝节的长度可调；和/或所述第一谐振枝节连及所述第四谐振枝节的宽度可调；所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的长度可调；和/或所述第二谐振枝节连及所述第五谐振枝节的宽度可调。
7.根据权利要求4所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段；或所述第二谐振枝节包括与所述第一谐振枝节呈第一夹角设置的第一段、及与所述第一段呈第二夹角设置的第五段。
8.根据权利要求1至7任一项所述的去耦合结构，其特征在于，所述第二谐振体包括相互连接并以连接部位呈中心对称设置的第三谐振件和第四谐振件。
9.根据权利要求8所述的去耦合结构，其特征在于，所述第三谐振件包括与所述第四谐振件及所述第一谐振体均连接的第七谐振枝节、设置于所述第七谐振枝节一侧的第八谐振枝节、及设置于所述第七谐振枝节另一侧的第九谐振枝节，且所述第八谐振枝节及所述第九谐振枝节关于所述第七谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
10.根据权利要求9所述的去耦合结构，其特征在于，所述第四谐振件包括与所述第七谐振枝节及所述第一谐振体均连接的第十谐振枝节、设置于所述第十谐振枝节一侧的第十一谐振枝节、及设置于所述第十谐振枝节另一侧的第十二谐振枝节，且所述第十一谐振枝节及所述第十二谐振枝节关于所述第十谐振枝节的中心轴线轴对称设置。
11.根据权利要求10所述的去耦合结构，其特征在于，所述第八谐振枝节及所述第十一谐振枝节均与所述第一谐振体间隔设置，所述第八谐振枝节及所述第十一谐振枝节与所述第二谐振体之间的间距均为L2，且所述L2可调。
12.根据权利要求10所述的去耦合结构，其特征在于，所述第七谐振枝节连及所述第十谐振枝节的长度可调；和/或所述第七谐振枝节连及所述第十谐振枝节的宽度可调；所述第八谐振枝节连及所述第十一谐振枝节的长度可调；和/或所述第八谐振枝节连及所述第十一谐振枝节的宽度可调。
13.根据权利要求10所述的去耦合结构，其特征在于，所述第八谐振枝节包括与所述第七谐振枝节呈第三夹角设置的第九段，或所述第八谐振枝节包括与所述第七谐振枝节呈第三夹角设置的第九段、及与所述第九段呈第四夹角设置的第十三段。
14.根据权利要求1至7任一项所述的去耦合结构，其特征在于，所述去耦合结构还包括支撑组件，所述支撑组件用于对所述第一谐振体及所述第二谐振体进行支撑。
15.一种双极化阵列天线，其特征在于，包括反射板、至少两个辐射单元、及如权利要求1至14任一项所述的去耦合结构，所述辐射单元及所述去耦合结构均设置在所述反射板上，且相邻的两个所述辐射单元之间设有一个所述去耦合结构。
CN202010696197.2A 2020-07-20 2020-07-20 双极化阵列天线及去耦合结构 Active CN111697340B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010696197.2A CN111697340B (zh) 2020-07-20 2020-07-20 双极化阵列天线及去耦合结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010696197.2A CN111697340B (zh) 2020-07-20 2020-07-20 双极化阵列天线及去耦合结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111697340A true CN111697340A (zh) 2020-09-22
CN111697340B CN111697340B (zh) 2021-08-24

Family

ID=72485857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010696197.2A Active CN111697340B (zh) 2020-07-20 2020-07-20 双极化阵列天线及去耦合结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111697340B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113410602A (zh) * 2021-06-17 2021-09-17 东南大学 一种抑制宽带双极化基站天线间耦合的级联型裂环谐振器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202855894U (zh) * 2012-09-18 2013-04-03 桂林电子科技大学 一种高隔离度双单元mimo阵列天线
CN106816698A (zh) * 2016-12-28 2017-06-09 重庆大学 具有高极化隔离度的双极化阵列天线
CN106876894A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 华为机器有限公司 一种阵列天线及通讯器件
CN108923122A (zh) * 2018-06-27 2018-11-30 河南安伏众电子科技有限公司 一种基于电谐振器的具有高隔离度的圆极化微带阵列天线
CN110098485A (zh) * 2019-05-06 2019-08-06 深圳锐越微技术有限公司 小间距微带天线阵列

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202855894U (zh) * 2012-09-18 2013-04-03 桂林电子科技大学 一种高隔离度双单元mimo阵列天线
CN106816698A (zh) * 2016-12-28 2017-06-09 重庆大学 具有高极化隔离度的双极化阵列天线
CN106876894A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 华为机器有限公司 一种阵列天线及通讯器件
CN108923122A (zh) * 2018-06-27 2018-11-30 河南安伏众电子科技有限公司 一种基于电谐振器的具有高隔离度的圆极化微带阵列天线
CN110098485A (zh) * 2019-05-06 2019-08-06 深圳锐越微技术有限公司 小间距微带天线阵列

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
QI WU ET AL: "A Broadband ±45°Dual-Polarized Multiple-Input Multiple-Output Antenna for 5G Base Stations with Extra Decoupling Elements", 《JOURNAL OF COMMUNICATIONS AND INFORMATION NETWORKS》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113410602A (zh) * 2021-06-17 2021-09-17 东南大学 一种抑制宽带双极化基站天线间耦合的级联型裂环谐振器

Also Published As

Publication number Publication date
CN111697340B (zh) 2021-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI112984B (fi) Laitteen sisäinen antenni
US20200127389A1 (en) Antennas including multi-resonance cross-dipole radiating elements and related radiating elements
CN107799886B (zh) 一种新型扩频宽带基站天线
US7443356B2 (en) Antenna module
US8766866B2 (en) Log periodic antenna
CN109962335B (zh) 一种双波段宽带圆极化共口径天线
EP3257102B1 (en) Base station antenna with dummy elements between subarrays
KR20020073212A (ko) 이동무선통신 안테나
US11336031B2 (en) Antenna, array antenna, sector antenna, and dipole antenna
CN111029767A (zh) 一种小型化低剖面基站天线单元
US20190198989A1 (en) Antenna array assembly
CN111987437A (zh) 一种基于双层容性加载的宽带小型化超表面天线
CN111697340B (zh) 双极化阵列天线及去耦合结构
US20210135363A1 (en) Antenna device
CN111916886A (zh) 一种增强型扩频宽带基站天线及无线通信设备
CN211126051U (zh) 半耦合馈电的辐射单元及天线装置
CN112768895B (zh) 天线、低频振子及辐射单元
KR100836001B1 (ko) 플레이트 부착형 폴디드 마이크로 스트립 안테나
CN115241635A (zh) Gnss天线
CN107785654B (zh) 一种小型化强耦合天线
CN116454635A (zh) 天线装置
KR100981664B1 (ko) 2중 대역 원형편파 마이크로스트립 안테나
KR100726025B1 (ko) 위성 디엠비용 차량 탑재 안테나
CN210167499U (zh) 一种双极化辐射单元及其天线
JP4133665B2 (ja) 複合アンテナ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant