CN111668266A - 显示设备 - Google Patents

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CN111668266A
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郑皓炼
金明焕
金相烈
申世重
李昌汉
张德贤
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了显示设备，显示设备包括：衬底；发光元件层，包括位于衬底的第一显示区域中的第一发光元件和位于衬底的第二显示区域中的第二发光元件；以及形成在发光元件层上的薄膜封装层。第一发光元件可以包括第一电极、有机发光层和第二电极。第二发光元件可以包括第一电极、无机发光层和第二电极。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月7日提交的第10-2019-0026404号韩国专利申请的优先权，以及由其产生的所有权益，该申请的全部内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开的各种实施方式涉及显示设备。
背景技术
在显示设备中，有机发光显示设备由于其不仅包括宽视角和高对比度而且包括高响应速度的优点而作为下一代显示器受到关注。通常，有机发光显示设备可以包括设置在衬底上的薄膜晶体管和有机发光二极管(“OLED”)，并且可以以OLED自主发光的方式操作。
发光二极管(“LED”)是通过使用化合物半导体的特性将电信号转换为诸如红外光、可见光等光的设备，并且可以用于家用电器、遥控器、电子显示板、各种类型的自动化设备等中。LED正变得更加广泛地用于例如不仅包括相对小的手持电子设备而且包括相对大的显示设备的电子设备中。
发明内容
本公开的各种实施方式涉及在显示区域中复合使用有机发光二极管和发光二极管两者的混合显示设备。
本公开的各种实施方式涉及混合显示设备，在混合显示设备中，包括阳电极、有机发光层和阴电极的发光元件与显示设备中的第一区域相对应地设置，并且包括阳电极、发光单元和阴电极的发光元件与显示设备中的第二区域相对应地设置。
在本公开的各种实施方式中，第一区域可以是显示区域，并且第二区域可以是外围区域、弯曲区域和折叠区域中的一个或多个。
本公开的各种实施方式涉及显示设备，在显示设备中，外围区域中设置有通孔。
本公开的实施方式可以提供显示设备，显示设备包括：衬底；发光元件层，包括设置在衬底的第一显示区域中的第一发光元件和设置在衬底的第二显示区域中的第二发光元件；以及位于发光元件层上的薄膜封装层。第一发光元件可以包括第一电极、有机发光层和第二电极。第二发光元件可以包括第一电极、无机发光层和第二电极。
在实施方式中，无机发光层可以包括发光单元。发光单元可以包括：掺杂有第一导电掺杂剂的第一导电半导体层；掺杂有第二导电掺杂剂的第二导电半导体层；以及设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。
在实施方式中，发光单元可以定向为使得第一导电半导体层或第二导电半导体层接触相应的第二发光元件的第一电极，而另一个接触相应的第二发光元件的第二电极。
在实施方式中，发光单元包括微型发光二极管(“LED”)。
在实施方式中，第二显示区域可以包围第一显示区域。
在实施方式中，显示设备还可以包括位于薄膜封装层上并且包括多个量子点的滤色器层。
在实施方式中，滤色器层可以包括与第二发光元件相对应的颜色转换滤光器。
在实施方式中，显示设备还可以包括安装有集成电路芯片的焊盘部分以及弯曲区域，显示设备在弯曲区域处能够弯曲，弯曲区域将第一显示区域或第二显示区域联接到焊盘部分。
在实施方式中，显示设备还可以包括位于第二显示区域中并且穿过衬底和薄膜封装层的通孔。
在实施方式中，第一显示区域可以设置成多个以限定多个子区域，并且第二显示区域可以设置在多个子区域之间。
在实施方式中，薄膜封装层可以包括多个无机层。
在实施方式中，薄膜封装层可以包括在第一显示区域中设置在多个无机层之间的有机层。
在实施方式中，第一发光元件可以包括有机发光二极管。
本公开的实施方式可以提供显示设备，显示设备包括：衬底；位于衬底的第一显示区域中的第一发光元件；以及位于衬底的第二显示区域中的第二发光元件。第一发光元件可以包括有机发光层。第二发光元件可以包括无机发光层。
在实施方式中，发光单元可以设置在无机发光层中。发光单元可以包括：掺杂有第一导电掺杂剂的第一导电半导体层；掺杂有第二导电掺杂剂的第二导电半导体层；以及设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本发明的实施方式，本发明的上述和其它特征将变得更加明显。
图1是示意性地示出显示设备的实施方式的平面图。
图2是示出被弯曲的图1的显示设备的立体图。
图3是像素的实施方式的等效电路图。
图4是沿图1的线I-I'截取的剖视图。
图5是示出发光单元的实施方式的立体图。
图6是沿图1的线I-I'截取的显示设备的修改实施方式的剖视图。
图7是未折叠的显示设备的沿图1的线II-II'截取的剖视图。
图8是示意性地示出显示设备的另一实施方式的平面图。
图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图。
图10是示意性地示出显示设备的又一实施方式的平面图。
图11是沿图10的线IV-IV'截取的剖视图。
具体实施方式
下面将参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了各种实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域的技术人员完全地传达本发明的范围。相同的附图标记始终表示相同的元件。
应当理解，当元件被称为与另一元件相关，诸如与另一元件“连接”或“联接”时，它可以直接连接或联接到另一元件，或者间接连接或联接到另一元件，且一个或多个中间元件插置在它们之间。相反，当元件被称为与另一元件相关，诸如与另一元件“直接连接”或“直接联接”时，不存在中间元件。
应当理解，虽然本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分。
本文中所使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文另外清楚地指示。“或”意指“和/或”。“A和B中的至少一个”是指“A和/或B”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
此外，相对术语，诸如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”可以在本文中用来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。应当理解，除了附图中所描绘的定向之外，相对术语旨在包括设备的不同定向。例如，如果附图中的一个中的设备被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随之被定向在其它元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下部”根据附图的特定定向可以包括“下部”和“上部”两种定向。类似地，如果附图中的一个中的设备被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下”的元件将随之被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“下”可以包括上方和下方两种定向。
如本文中所使用的，考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，“约”或“近似”包括所陈述的值和在如本领域普通技术人员所确定的特定值的偏差的可接受范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的含义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
本文中参考作为理想化实施方式的示意性说明的剖视图示来描述实施方式。因此，由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化将是预料到的。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示的特定形状的区域，而应包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线型特征。此外，所示的尖角可以是圆化的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状，并且不是为了限制本权利要求的范围。
在下文中，将参考附图详细描述显示设备和用于控制显示设备的色域的方法的实施方式。
图1是示意性地示出显示设备DD的实施方式的平面图。图2是示出被折叠的图1的显示设备DD的立体图。
参照图1，显示设备DD可以包括显示部分DP-P、弯曲部分BD-P和焊盘部分PD-P。显示设备DD及其部件能够在弯曲部分BD-P处弯曲。
显示部分DP-P生成并显示图像，诸如使用光用来显示图像。在平面上，显示部分DP-P包括显示区域DA和外围区域NDA。外围区域NDA与显示区域DA相邻，并且可以包围显示区域DA，诸如在平面图中围绕显示区域DA。显示区域DA和外围区域NDA二者处能够显示图像，或者显示区域DA和外围区域NDA二者处能够发射光，而不限于此。外围区域NDA可延伸到显示设备DD的边缘，使得外围区域NDA的外边缘对应于显示设备DD的外边缘。
显示部分DP-P可以包括设置为多个的像素PX(例如，多个像素PX、像素PX或多个子像素)。在各种实施方式中，多个像素PX可以设置在显示区域DA和外围区域NDA二者中。可以驱动或控制多个像素PX以产生和/或发射光，产生和/或显示图像等，而不限于此。
在各种实施方式中，显示区域DA可以相对于显示设备DD的边缘限定在显示部分DP-P的内部区域中，并且外围区域NDA可以沿显示区域DA的外围限定，诸如比显示区域DA靠近显示设备DD的边缘。外围区域NDA可以被认为是显示设备DD的边缘部分。
虽然图1示出显示区域DA具有矩形形状，但是显示区域DA的平面形状不限于此。换句话说，在各种实施方式中，显示区域DA可以沿平面(例如，平面形状)具有圆形形状、椭圆形形状或多边形(例如，六边形)形状。
显示部分DP-P可以包括各种信号线，通过这些信号线将诸如驱动信号、电力信号、控制信号等的电信号传输到多个像素PX。显示部分DP-P的信号线可以包括但不限于栅极线(未示出)、数据线(未示出)、发射线(未示出)、控制信号线(未示出)、初始化电压线(未示出)和电压线(未示出)。
栅极线可分别联接到多个像素PX中的相应像素PX。数据线可以分别联接到多个像素PX中的相应像素PX。发射线中的每个可以与栅极线中的相应栅极线平行地布置。控制信号线可以向栅极驱动电路(未示出)提供控制信号。初始化电压线可以向多个像素PX提供初始化电压。电压线可以联接到多个像素PX，并向多个像素PX提供第一电压。
多个栅极线、数据线、发射线、控制信号线、初始化线和电压线可以设置在显示部分DP-P内的相同层中或上，而上述信号线中的其它信号线可以设置在不同层中或上。
焊盘部分PD-P上可以安装有驱动芯片IC和柔性印刷电路板FPC。
驱动芯片IC可以与焊盘部分PD-P的端子电联接。驱动芯片IC可以向显示区域DA的像素PX提供驱动信号和数据。驱动芯片IC和焊盘部分PD-P可以通过各向异性导电膜(“ACF”)彼此电联接，而不限于此。在实施方式中，驱动芯片IC和焊盘部分PD-P可以通过焊料凸点相互电接合。驱动芯片IC可以以塑料上芯片(“COP”)方式或玻璃上芯片(“COG”)方式安装在焊盘部分PD-P上。
柔性印刷电路板FPC可以与焊盘部分PD-P电联接。柔性印刷电路板FPC可以具有柔性特性。柔性印刷电路板FPC可以发送用于控制显示部分DP-P的驱动的控制信号等。柔性印刷电路板FPC和焊盘部分PD-P可以通过各向异性导电膜(“ACF”)彼此电联接。在实施方式中，电信号可以通过驱动芯片IC从柔性印刷电路板FPC传输到显示部分DP-P。
弯曲部分BD-P可以设置在显示部分DP-P和焊盘部分PD-P之间。弯曲部分BD-P可以将显示部分DP-P和焊盘部分PD-P彼此联接或连接。
弯曲部分BD-P可以包括设置为多个的信号线SL(例如，多个信号线SL、多个线SL或线SL)。线SL可以将显示部分DP-P的信号线和焊盘部分PD-P的信号线彼此联接。线SL可以延伸到显示部分DP-P，并且与栅极线、数据线、发射线、控制信号线、初始化电压线和/或电压线联接。
在各种实施方式中，多个像素PX(未示出)也可以设置在弯曲部分BD-P中。在这些实施方式中，弯曲部分BD-P可以设置有联接到设置在弯曲部分BD-P中的多个像素PX(未示出)的栅极线(未示出)、数据线(未示出)、发射线(未示出)、控制线(未示出)、初始化电压线(未示出)和电压线(未示出)。
图1将位于显示设备DD的相对端处的弯曲部分BD-P和显示部分DP-P示出为平坦的(例如，未弯曲)。显示部分DP-P、弯曲部分BD-P和焊盘部分PD-P可以沿第一方向DR1依次布置。第二方向DR2与第一方向DR1交叉并且可以与第一方向DR1一起限定平面。
显示部分DP-P的宽度平行于第二方向DR2获取，并且可以大于平行于第二方向DR2获取的弯曲部分BD-P的宽度。为了形成宽度小于显示部分DP-P的宽度的弯曲部分BD-P，可以去除图1中由虚线表示的具有总体矩形形状的初步形式的显示设备DD的切割区域CA。也就是说，切割区域CA是显示设备DD的这样的区域，在该区域处，显示设备DD的一部分被去除以形成宽度小于显示部分DP-P的宽度的弯曲部分BD-P。在实施方式中，切割区域CA可以诸如通过使用激光切割方法等进行切割来与初步形式的显示设备DD分离。
图2是示出被弯曲的图1的显示设备DD的弯曲部分BD-P的立体图。参照图2，显示设备DD可以包括显示部分DP-P、从显示部分DP-P延伸的弯曲部分BD-P以及从弯曲部分BD-P延伸的焊盘部分PD-P。如图2中所示，弯曲部分BD-P可以是沿着沿第二方向DR2纵向延伸的弯曲轴线BAX能够弯曲的。
显示设备DD可以具有这样的结构，使得通过弯曲部分BD-P绕弯曲轴线BAX的弯曲，显示设备DD的对应于第一方向DR1的边缘的部分沿第三方向DR3弯曲。虽然图1和图2示出了仅在显示设备DD的沿第一方向DR1的一个端处，对应于第一方向DR1的并沿第二方向DR2彼此相对的边缘被弯曲，但本发明不限于此。在各种实施方式中，例如，显示设备DD可以具有这样的结构，使得在沿第一方向DR1的两个相对端二者处，各自对应于第一方向DR1的边缘可以是沿第三方向DR3能够弯曲的，或者可以具有这样的结构，使得在沿第二方向DR2的一个或多个端处，对应于第二方向DR2的边缘也可以是沿第三方向DR3能够弯曲的。
图3是像素PX的实施方式的等效电路图。图3示出联接到栅极线GL、数据线DL和电压线SL-VDD的像素PX。像素PX的配置不限于此，并且可以改变。
像素PX可以包括有机发光二极管(“OLED”)或无机发光二极管(无机“LED”)作为发光元件。在本公开的各种实施方式中，设置在显示区域DA中的像素PX中的每个的发光元件可以是有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以是顶部发射二极管或底部发射二极管。
在本公开的各种实施方式中，设置在除显示区域DA之外的其它区域(例如，外围区域NDA和弯曲部分BD-P)中的像素PX的发光元件OLED/LED可以是包括发光单元(参见图5中的“LU”)的发光二极管(“LED”)。除了发光元件之外，显示区域DA和其它区域(例如，外围区域NDA和弯曲部分BD-P)的像素PX的结构可以是相同的。这里，设置在外围区域NDA中的像素PX中的每个的发光元件可以是具有例如约100微米(μm)或更小的尺寸的微发光二极管(“LED”)(例如，MicroLED、micro-LED、mLED、μLED)。
像素PX包括用于驱动发光元件OLED/LED的电路元件。像素PX的电路(或电路元件)可包括第一晶体管TFT1(例如，开关晶体管)、第二晶体管TFT2(例如，驱动晶体管)和电容器CAP。
第一晶体管TFT1可响应于施加到栅极线GL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器CAP可利用与从第一晶体管TFT1接收的数据信号对应的电压充电。
第二晶体管TFT2联接到发光元件OLED/LED。第二晶体管TFT2可以基于存储在电容器CAP中的电荷的量来控制流经发光元件OLED/LED的电驱动电流。有机发光二极管OLED可以在第二晶体管TFT2的导通时段期间发光。
虽然图3示出了第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2中的每个由N型晶体管提供或形成的示例，但该结构不限于此。换句话说，在各种实施方式中，第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2中的每个可以由P型晶体管提供或形成，从而可以相应地改变图3中所示的配置。
图4是沿图1的线I-I'截取的剖视图。图5是示出发光单元LU的实施方式的图。
一起参照图1和图4，显示设备DD可以包括衬底100以及设置在衬底100上的各种元件和层。图4中的竖直方向可以沿以上描述的第三方向DR3延伸，并且可以表示显示设备DD和/或其部件的厚度或厚度方向。
衬底100可以是例如塑料衬底、玻璃衬底、金属衬底或有机/无机复合材料衬底。在实施方式中，例如，塑料衬底可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、基于乙烯的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸酯的树脂、基于纤维素的树脂、基于硅氧烷的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于聚酰胺的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种或由它们中的至少一种形成。在实施方式中，衬底100可以包括柔性材料或由柔性材料形成。当包括柔性材料时，衬底100可以是包括柔性玻璃或聚合物材料或者由柔性玻璃或聚合物材料形成的衬底100，或者可以是包括柔性膜或者由柔性膜形成的衬底100。对于光透射，衬底100可以是透明的、半透明的或不透明的。
衬底100可以包括显示区域DA和外围区域NDA，并且这些区域可以对应于以上描述的显示区域DA和外围区域NDA。在本公开的各种实施方式中，显示区域DA和外围区域NDA中的每个可以包括像素PX，像素PX中的每个包括发光元件OLED/LED。在这些实施方式中，设置在显示区域DA中的像素PX中的每个可以包括作为发光元件OLED/LED的有机发光二极管OLED。设置在外围区域NDA中的像素PX中的每个可以包括作为发光元件OLED/LED的发光二极管LED，发光二极管LED包括发光单元LU或者由发光单元LU形成。
衬底100上设置有像素电路层PL和发光元件层EL。
像素电路层PL可以包括缓冲层110和设置在缓冲层110上的晶体管TFT。
缓冲层110设置在衬底100上，以减少或有效地防止杂质渗入晶体管TFT中。缓冲层110可以作为单层提供，或者可替代地可以具有包括至少两层或更多层的多层结构。在缓冲层110具有多层结构的情况下，各层可包括相同材料或不同材料或者由相同材料或不同材料形成。在各种实施方式中，根据衬底100的材料和/或形成显示设备DD时的处理条件，可以省略缓冲层110。
晶体管TFT可以是用于驱动设置在发光元件层EL中的发光元件OLED/LED的驱动晶体管，或者是用于切换驱动晶体管的开关晶体管。晶体管TFT可以包括设置在缓冲层110上的半导体层121以及设置或形成在半导体层121上方的栅电极123。
半导体层121可以设置在缓冲层110上。半导体层121可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。
半导体层121可以包括联接到晶体管TFT的第一电极的第一区域121_1以及联接到晶体管TFT的第二电极的第二区域121_2。在各种实施方式中，第一区域121_1和第二区域121_2中的任一个可以是源极区域，而另一个可以是漏极区域。第一区域121_1和第二区域121_2可以掺杂有杂质。第一区域121_1和第二区域121_2之间可以设置或形成有未掺杂杂质或具有比第一区域121_1和第二区域121_2的杂质少的杂质的沟道区域CH。
栅电极123可以设置在半导体层121上方。栅电极123可以包括具有相对高导电性的金属或者由具有相对高导电性的金属形成。考虑到相邻层之间的压实，例如堆叠层的表面平整度以及可加工性，可以例如使用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种材料提供或形成具有单层结构或多层结构的栅电极123。根据施加到栅电极123的电信号，半导体层121的第一区域121_1和第二区域121_2可以彼此电连接。
为了确保半导体层121和栅电极123之间的电绝缘能力，可以在半导体层121和栅电极123之间插置栅极绝缘层122。栅极绝缘层122可以包括诸如硅氧化物或硅氮化物的无机材料或者由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。
栅电极123上可以设置或形成有层间绝缘层124。层间绝缘层124可包括无机材料或由无机材料形成，并且可包括与栅极绝缘层122的材料相同或不同的材料或者由与栅极绝缘层122的材料相同或不同的材料形成。在实施方式中，例如，层间绝缘层124可以包括诸如硅氧化物或硅氮化物的无机材料或者由诸如硅氧化物或硅氮化物的无机材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。
层间绝缘层124上可设置或形成有源电极125和漏电极126。
源电极125和漏电极126可以在层间绝缘层124和栅极绝缘层122中设置或形成的接触孔处或通过该接触孔电连接到半导体层121。在实施方式中，例如，考虑到导电性，源电极125和漏电极126可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或多种材料或者由它们中的一种或多种材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。
在各种实施方式中，源电极125和漏电极126上可以设置或形成有钝化层127。钝化层127可包括有机或无机材料或者由有机或无机材料形成。
钝化层127上可以设置或形成有平坦化层128。平坦化层128可包括有机或无机材料或者由有机或无机材料形成。平坦化层128可以使晶体管TFT的顶表面基本上平坦，并且起到保护晶体管TFT的各种元件的作用。平坦化层128可以包括例如基于丙烯酸的有机材料或苯并环丁烯(“BCB”)或者由基于丙烯酸的有机材料或苯并环丁烯(“BCB”)形成。
发光元件层EL可以设置或形成在平坦化层128上。在显示区域DA中，包括有机发光层的有机发光二极管OLED可以设置在发光元件层EL中。在外围区域NDA中，包括发光单元LU的发光二极管LED可以设置在发光元件层EL中。发光元件层EL可以包括第一电极层131(例如，第一电极)、中间层132和133以及第二电极层134(例如，第二电极)。
在实施方式中，例如，第一电极层131可以用作发光元件OLED/LED的阳电极。第一电极层131可包括导电材料或者由导电材料形成。第一电极层131可包括透明电极、半透明电极或不透明电极(例如，反射电极)或者由透明电极、半透明电极或不透明电极(例如，反射电极)形成。
当第一电极层131包括透明或半透明电极或者由透明或半透明电极形成时，第一电极层131可以包括例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO或者由例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO制成。当第一电极层131由反射电极设置或形成时，第一电极层131可包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其合金形成的反射膜以及由铟锡氧化物(“ITO”)、铟锌氧化物(“IZO”)、ZnO、In2O3、铟镓氧化物(“IGO”)或铝锌氧化物(“AZO”)形成的层。本公开不限于此，并且第一电极层131可以包括各种其它材料或者由各种其它材料形成，并且其结构也可以以各种方式改变；例如，其可以具有单层结构或多层结构。
平坦化层128上可以设置有像素限定层135。像素限定层135可以覆盖第一电极层131的至少一部分。像素限定层135可以包围第一电极层131的外围，并且因此限定每个像素PX的发光区域。像素限定层135可以针对每个像素PX进行图案化。像素限定层135可以包括有机或无机材料或者由有机或无机材料形成，并且具有单层结构或多层结构。
中间层132或133可以设置在第一电极层131的暴露于像素限定层135之外的区域上。
在显示区域DA中，中间层132可以包括有机发光层。根据实施方式，显示区域DA中的中间层132还可以包括各种功能层，诸如空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)。
在外围区域NDA中，中间层133可以包括无机发光层。在实施方式中，例如，在外围区域NDA中，发光单元LU可以在中间层133中设置为多个(例如，多个发光单元LU)。每个发光单元LU可以是微型发光单元，并且具有例如图5中所示的结构。
参照图5，发光单元LU可以具有各种三维形状，包括例如圆柱形状、立方体形状和多棱镜形状。图5示出了具有圆柱形的发光单元LU的示例。
发光单元LU可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13以及插置在第一导电半导体层11和第二导电半导体层13之间的有源层12。在实施方式中，例如，可以将发光单元LU实现为通过依次堆叠第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13而形成的堆叠体。
如果发光单元LU延伸的方向被定义为纵向方向，则发光单元LU可以具有第一端和第二端，第一端和第二端作为沿纵向方向彼此相对的相对端。第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在发光单元LU的第一端处，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在发光单元LU的第二端处。
第一导电半导体层11可以包括例如至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括半导体层，半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料并且掺杂有第一导电掺杂剂，诸如Si、Ge或Sn。形成第一导电半导体层11的材料不受限制，并且第一导电半导体层11可以包括各种其它材料或者由各种其它材料形成。
有源层12可以设置或形成在第一导电半导体层11上，并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。在本公开的实施方式中，可以在有源层12上和/或在有源层12下设置或形成掺杂有导电掺杂剂的覆层(未示出)。在实施方式中，例如，覆层可以包括AlGaN层或InAlGaN层或者由AlGaN层或InAlGaN层形成。此外，可以采用诸如AlGaN或AlInGaN的材料来形成有源层12。如果将预定电压或更高电压的电场施加到发光单元LU的相对端，则发光单元LU通过有源层12中的电子-空穴对的耦合来发光。
第二导电半导体层13可以设置在有源层12上并且包括与第一导电半导体层11的类型不同类型的半导体层。在实施方式中，例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括半导体层，该半导体层包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种半导体材料，并且掺杂有诸如Mg的第二导电掺杂剂。形成第二导电半导体层13的材料不受限制，并且第二导电半导体层13可以包括各种其它材料或者由各种其它材料形成。
在本公开的实施方式中，发光单元LU不仅可以包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13，而且还可以包括设置在每一层上和/或下的荧光层、另一有源层、另一半导体层和/或电极层。
在实施方式中，发光单元LU还可以包括设置在第二导电半导体层13上的电极层(未示出)。电极层可以包括金属或金属氧化物。在实施方式中，例如，Cr、Ti、Al、Au、Ni、ITO及其氧化物或合金可以单独使用或者彼此组合使用。然而，本公开不限于此。
此外，发光单元LU还可以包括绝缘膜14。在本公开的实施方式中，可以省略作为有机绝缘膜的绝缘膜14，或者作为有机绝缘膜的绝缘膜14可以设置成覆盖第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13的部分。在实施方式中，例如，绝缘膜14可以设置在发光单元LU的除其相对端之外的部分上，使得发光单元LU的相对端可以暴露于其外部。虽然在图5中出于解释的目的示出了暴露第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13的部分的绝缘膜14，但是可以提供或形成发光单元LU，使得其圆柱形体部的整个侧表面被绝缘膜14包围。绝缘膜14可以设置成包围第一导电半导体层11、有源层12和/或第二导电半导体层13的外周表面的至少一部分，以提供发光单元LU的外表面。在实施方式中，例如，绝缘膜14可以设置成至少包围有源层12的外周表面。
在本公开的实施方式中，绝缘膜14可以包括透明绝缘材料。在实施方式中，例如，绝缘膜14可以包括选自SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2中的至少一种绝缘材料，但是其不限于此。换句话说，可以采用具有绝缘特性的各种材料。
如果绝缘膜14设置在发光单元LU上，则可以减少或有效地防止有源层12与第一电极和/或第二电极(未示出)的短路。此外，由于绝缘膜14，可以最小化发光单元LU的表面上的缺陷的发生，由此可以改进发光单元LU的寿命和效率。即使当多个发光单元LU彼此相邻设置时，绝缘膜14也可以减少或有效地防止发光单元LU免受发光单元LU之间的不期望的短路的影响。
与有机发光二极管OLED相比，包括发光单元LU的发光二极管LED对外部湿气等的抗性可能相对高，并且可能不容易劣化。因此，与包括有机发光二极管OLED的显示区域DA的堆叠结构相比，在包括发光二极管LED的外围区域NDA中，设置在发光元件层EL上的薄膜封装层TFE可以具有相对薄或其中层的总数减少的堆叠结构。
一起参照图4和图5，发光单元LU的第一导电半导体层11可以设置在第一电极层131上，诸如以在第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13中与第一电极层131最接近。换句话说，发光单元LU可以定向为使得第一导电半导体层11与第一电极层131接触，并且第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13依次堆叠。然而，本公开的技术精神不限于此。在实施方式中，例如，发光单元LU的定向可以根据第一电极层131、第二电极层134和发光单元LU的掺杂状态以各种方式改变。
第二电极层134可以设置在中间层132和133上。第二电极层134可以用作发光元件OLED/LED的阴电极。第二电极层134可以包括导电材料或者由导电材料形成，并且可以是透明电极、半透明电极或不透明电极(例如，反射电极)。
当第二电极层134包括透明或半透明电极或者由透明或半透明电极形成时，第二电极层134可包括包括具有相对低功函数的金属或者由具有相对低功函数的金属(例如为Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag或Mg或其组合)形成的层以及包括ITO、IZO、ZnO或In2O3或者由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透明或半透明层。当第二电极层134包括反射电极或由反射电极形成时，第二电极层134可具有例如由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其组合形成的层。第二电极层134的结构和材料不限于此，并且可以以各种方式改变。
薄膜封装层TFE可以设置在发光元件层EL上。薄膜封装层TFE对于发光元件OLED/LED中的每个是共用的。薄膜封装层TFE可以覆盖第二电极层134。薄膜封装层TFE可以具有通过交替堆叠有机层和无机层获得的结构。在实施方式中，例如，在显示区域DA中，薄膜封装层TFE可以包括第一无机层14、有机层142和第二无机层143。薄膜封装层TFE可以起到保护显示设备DD免受外部湿气渗透的作用。
此外，例如，在外围区域NDA中，薄膜封装层TFE可以包括第一无机层141和第二无机层143。也就是说，显示区域DA的有机层142可以在对应于显示区域DA和外围区域NDA之间的边界的位置处终止，使得在外围区域NDA中，薄膜封装层TFE不包括有机层142。如上所述，由于设置在外围区域NDA中的发光二极管LED不包括有机层，因此与设置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED对外部湿气的渗透的抗性相比，发光二极管LED对外部湿气的渗透的抗性可以是相对高的。因此，在外围区域NDA中，可以省略在显示区域DA中作为薄膜封装层TFE的层的有机层142以及第一无机层141和第二无机层143中的任一个。
这样，有机发光二极管OLED易受外部湿气渗透的影响。因此，如果有机发光二极管OLED布置在整个显示设备DD中，则布置在显示设备DD的周边中的有机发光二极管OLED可能容易因外部湿气的渗透而损坏。在本公开的各种实施方式中，由于外围区域NDA中的发光元件层EL包括具有发光单元LU的发光二极管LED或者由发光二极管LED形成，因此可以实现能够在显示部分DP-P的整个平面区域上发光而不损坏发光元件的混合显示设备DD。此外，在发光单元LU的情况下，由于发光单元LU的劣化速率相对低，所以常亮显示(“AOD”)功能可以选择性地应用于外围区域NDA。
图6是沿图1的线I-I'截取的显示设备的修改实施方式的剖视图。除了在薄膜封装层TFE上进一步设置滤色器层CL之外，图6的实施方式的配置与图4的实施方式的配置基本上相同；因此，相同的附图标记用于表示相同或相似的部件，并且将省略对其的详细描述。
在本公开的各种实施方式中，滤色器层CL可以设置在外围区域NDA上。可替代地，在本发明的各种实施方式中，滤色器层CL可设置在显示区域DA和外围区域NDA两者上。在以下实施方式中，虽然滤色器层CL设置在显示区域DA和外围区域NDA两者上的情况将描述为代表性示例，但本发明的技术精神不限于此。在本公开的各种实施方式中，滤色器层CL可以仅设置在外围区域NDA的全部区域或者外围区域NDA和显示区域DA的全部区域之中的设置有发光单元LU的区域中。
参照图6，滤色器层CL可以设置在薄膜封装层TFE上。滤色器层CL可以包括多个转换滤光器151和黑矩阵BM。
根据入射在滤色器层CL上的光的能量，转换滤光器151可以转换入射光的颜色或者允许入射光在没有颜色转换的情况下穿过。由发光元件OLED/LED提供的光可以通过转换滤光器151(例如，颜色转换滤光器151)转换为具有各种颜色的光。
转换滤光器151中的每个可以包括多个量子点。量子点中的每个可以吸收入射光的一部分并发射具有特定颜色的光，或者允许入射光在没有颜色转换的情况下穿过。在入射在转换滤光器151上的光具有足以激发量子点的能量的情况下，量子点中的每个通过吸收入射光的一部分而被激发，并且然后在被稳定化的同时发射具有特定颜色的光。所发射的光可以具有与入射光的颜色不同的颜色。相反，在入射光不具有足以激发量子点的能量的情况下，入射光可以在没有颜色转换的情况下穿过转换滤光器151，并且因此作为未转换的光对于用户是可见的。
量子点中的每个可以选自II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以选自：选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合的三元化合物；以及选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其组合的四元化合物。III-V族化合物可以选自：选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合的三元化合物；以及选自GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、GaAlNP、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其组合的四元化合物。IV-VI族化合物可以选自：选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合的三元化合物；以及选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合的四元化合物。IV族元素可以选自Si、Ge和其组合。IV族化合物可以是选自SiC、SiGe及其组合的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以基本上均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以不同的浓度分布存在于相同的颗粒中。每个颗粒可以具有核/壳结构，在核/壳结构中，一个量子点被其它量子点包围。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度在从颗粒表面到颗粒中心的方向上降低。
量子点可以具有本领域中通常使用的任何形状，并且没有特别限制。具体地，可以使用球形、金字塔形、多臂形或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米片颗粒。
在本公开的各种实施方式中，转换滤光器151可以包括第一转换滤光器F1、第二转换滤光器F2和第三转换滤光器F3。黑矩阵BM可以设置在第一转换滤光器F1、第二转换滤光器F2和第三转换滤光器F3中的相邻转换滤光器之间，以限定第一转换滤光器F1、第二转换滤光器F2和第三转换滤光器F3之间的边界。
第一转换滤光器F1至第三转换滤光器F3可以将入射在滤色器层CL上的光线转换为具有不同波长带宽的相应光线。
在实施方式中，包括在第一转换滤光器F1至第三转换滤光器F3中的相应量子点可以具有不同的尺寸。换句话说，可以根据量子点的粒度来确定从每个量子点产生的光的波长。在第一转换滤光器F1、第二转换滤光器F2和第三转换滤光器F3中，第二转换滤光器F2可以包括具有最大粒度的量子点，并且第三转换滤光器F3可以包括具有最小粒度的量子点。在本公开的实施方式中，第三转换滤光器F3可以不包括量子点。
然而，本发明不限于此。在实施方式中，例如，转换滤光器151可以被配置为使得第一转换滤光器F1至第三转换滤光器F3中的任何一个或多个被省略。在该实施方式中，在没有设置转换滤光器151和黑矩阵BM的区域中，从发光元件OLED/LED产生的光可以直接对用户可见。在实施方式中，例如，发光元件OLED/LED可以产生蓝光，并且转换滤光器151可以将蓝光转换为红光或绿光。
黑矩阵BM可以被设置成与转换滤光器151相邻。黑矩阵BM可以包括遮光材料或者由遮光材料形成。黑矩阵BM可以减少或有效地防止光通过像素区域(未示出)以外的区域泄漏，并且限定相邻像素区域之间的边界，其中光通过像素区域发射。像素区域可以是发射光的像素PX的一部分。
图7是展开的或平坦的显示设备DD的沿图1的线II-II'截取的剖视图。虽然出于解释的目的，图7示出了展开的显示设备DD，但是显示设备DD可以如图2中所示那样在弯曲部分BD-P处弯曲。
一起参照图1和图7，显示设备DD可以包括衬底100以及设置在衬底100上的各种元件。
衬底100可以包括显示部分DP-P和弯曲部分BD-P。显示部分DP-P可以包括显示区域DA和外围区域NDA。
在本公开的各种实施方式中，显示区域DA和弯曲部分BD-P中的每个可以包括像素PX，像素PX中的每个包括发光元件OLED/LED。在这些实施方式中，设置在显示区域DA中的像素PX中的每个可以包括有机发光二极管OLED作为发光元件。设置在弯曲部分BD-P中的像素PX中的每个可以包括由发光单元LU形成的发光二极管LED作为发光元件。
像素电路层PL和发光元件层EL设置在衬底100上。像素电路层PL可以包括缓冲层110和设置在缓冲层110上的晶体管TFT。在本公开的各种实施方式中，晶体管TFT可以是用于驱动设置在发光元件层EL中的发光元件OLED/LED的驱动晶体管，或者是用于切换驱动晶体管的开关晶体管。更详细地，晶体管TFT可以是用于驱动设置在显示区域DA中的发光元件层EL中的有机发光二极管OLED或设置在弯曲部分BD-P中的发光二极管LED的晶体管。在图7的实施方式中，像素电路层PL的结构与参考图4所描述的结构相同；因此，将省略其详细描述。
发光元件层EL可以设置或形成在像素电路层PL上。在显示区域DA中，有机发光二极管OLED可以设置在发光元件层EL中。在弯曲部分BD-P中，包括发光单元LU的发光二极管LED可以设置在发光元件层EL中。
在图7的实施方式中，除了包括发光单元LU的发光二极管LED形成在弯曲部分BD-P中之外，发光元件层EL的结构与参考图4所描述的结构基本上相同；因此，将省略其详细描述。
虽然图7示出了在外围区域NDA中不存在发光元件的示例，但是本发明不限于此。在实施方式中，例如，在各种实施方式中，用于驱动设置在显示区域DA和/或弯曲部分BD-P中的发光元件OLED/LED的至少一个晶体管可以设置在外围区域NDA中。可替代地，在各种实施方式中，可在外围区域NDA的层间绝缘层124中设置或形成至少一条金属线、导电线、金属或导电信号线等。
此外，图7示出了发光元件OLED/LED设置在显示区域DA和弯曲部分BD-P中并且发光元件OLED/LED不设置在外围区域NDA中的实施方式。然而，本发明不限于此。换句话说，在本公开的各种实施方式中，发光元件OLED/LED可以设置在显示区域DA、外围区域NDA和弯曲部分BD-P中的每个处。在这些实施方式中，有机发光二极管OLED可以设置在显示区域DA中，并且发光单元LU可以如图4至图6所示那样设置在外围区域NDA和弯曲部分BD-P两者中。
图8是示意性地示出显示设备DD_1的另一实施方式的平面图。图9是沿图8的线III-III'截取的剖视图。图9是示出包括显示设备DD_1的通孔TH的外围区域NDA的放大剖视图。在图8中，出于解释的目的，省略了图1中所示的线和驱动器。
参照图8和图9，显示设备DD_1可以包括显示部分DP-P、弯曲部分BD-P和焊盘部分PD-P。除了在显示部分DP-P的外围区域NDA中设置或形成至少一个通孔TH之外，显示设备DD_1与图1中所示的显示设备DD基本上相同。因此，在以下描述中，将使用相同的参考标号来指定与图1中所示的显示设备DD的部件相同的部件，并且将省略其详细描述。
通孔TH可以穿过显示设备DD_1的层，诸如衬底100、薄膜封装层TFE以及插置在衬底100和薄膜封装层TFE之间的层。通孔TH在平面图中设置在外围区域NDA中并且被多个像素PX包围。虽然图9中的水平方向可以表示图8中所示的第二方向DR2，但是本发明不限于此。在实施方式中，例如，沿图9中的水平方向的结构可以被应用于图8中所示的第一方向DR1和第二方向DR2两者。也就是说，可以在通孔TH的沿第一方向DR1、第二方向DR2和/或相对于第一方向DR1和/或第二方向DR2倾斜的方向的相对侧处具有像素PX，从而使通孔TH被像素PX包围。
通孔TH可以通过(诸如使用激光等)对装置进行切割和/或冲孔而设置或形成在外围区域NDA中。根据实施方式，可以在通孔TH周围设置或形成多层图案，以便减少或有效地防止在形成通孔TH的过程中由于冲击等而在通孔TH周围出现裂纹，并且减少或有效地防止这种裂纹朝像素PX传播。
通孔TH被外围区域NDA中的层包围，并且像素PX被设置在外围区域NDA中。通孔TH设置或形成为穿过衬底100、薄膜封装层TFE以及插置在衬底100和薄膜封装层TFE之间的层。
包围通孔TH的外围区域NDA的像素PX中的每个可以包括如图4至图6中所示的由发光单元LU形成的发光二极管LED。图9示出了发光二极管LED在外围区域NDA中包括发光单元LU的代表性示例。
虽然图8和图9示出了外围区域NDA中设置或形成有四个通孔TH的示例，但是本公开不限于此。通孔TH可以沿外围区域NDA设置在任何位置处，并且通孔TH的详细位置和/或数量没有特别限制。
虽然图8和图9示出了通孔TH在平面图中具有圆形平面形状的情况，但是通孔TH可以具有各种平面形状，诸如矩形形状、多边形形状和椭圆形形状。
图10是示意性地示出显示设备DD_2的又一实施方式的平面图。图11是沿图10的线IV-IV'截取的剖视图。特别地，图10示出了显示设备DD_2的折叠部分FD-P，在折叠部分FD-P处，显示设备DD_2是可折叠的。图11是示出设置在显示设备DD_2的折叠部分FD-P的相对侧上的显示区域DA的部分的放大剖视图。
参照图10和图11，根据本公开的实施方式的显示设备DD_2可以包括显示部分DP-P和折叠部分FD-P。折叠部分FD-P可以被认为是外围区域NDA的一部分，而不限于此。
显示部分DP-P可以被分成设置在折叠部分FD-P的相对侧上的第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2。第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2可以另外被称为多个子区域。在各种实施方式中，第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2可以以相同或不同的类型设置或形成。在实施方式中，例如，第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2中的至少一个可以以与折叠部分FD-P相同的方式被实现为柔性类型。可替代地，第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2中的至少一个可以被设置或形成为透明部分。然而，本发明不限于上述示例。
第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2中的每个可以包括显示区域DA和外围区域NDA。在该实施方式中，第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2中的每个可以具有与图4至图6中所示的结构相同的结构。
折叠部分FD-P设置在第一子显示部分DP-P1和第二子显示部分DP-P2之间。虽然图10和图11示出一个折叠部分FD-P设置在两个子显示部分DP-P1和DP-P2之间的示例，但是本发明不限于此。例如，在各种实施方式中，可以增加包括在显示设备DD_2中的子显示部分DP_P1和DP_P2的数量，并且可以将折叠部分FD-P分别设置在子显示部分DP_P1和DP_P2之间。
显示设备DD_2可以是在折叠部分FD-P处能够折叠的。显示设备DD_2可以包括用于感测折叠部分FD-P的折叠操作的至少一个传感器。传感器可以配置为感测诸如电阻、电容和/或磁场的电值的变化。显示设备DD_2可以通过传感器感测折叠或展开信息，并且响应于感测到的信息来控制要显示在子显示部分DP-P1和DP-P2上的图像。折叠或展开信息可以包括例如折叠角度、折叠方向和折叠位置。
在图10中，出于解释的目的，省略了对设置在显示设备DD_2中的部件的说明。在各种实施方式中，显示设备DD_2可以包括与图1中所示的内部部件相同的内部部件。
在各种实施方式中，折叠部分FD-P可以设置或形成为沿图1的第一方向DR1或第二方向DR2纵向延伸。在实施方式中，在折叠部分FD-P沿第一方向DR1纵向延伸的情况下，可以针对通过折叠部分FD-P分开的子显示部分DP-P1和DP-P2中的每个设置单独的弯曲部分BD-P和单独的焊盘部分PD-P。
参照图11，显示设备DD_2可包括衬底100和设置在衬底100上的各种元件。
衬底100可以包括显示部分DP-P和折叠部分FD-P。显示部分DP-P可以包括显示区域DA和外围区域NDA。
在本公开的各种实施方式中，显示区域DA和折叠部分FD-P中的每个可以包括像素PX，像素PX中的每个包括发光元件OLED/LED。由于包括像素PX，折叠部分FD-P可以被认为是外围区域NDA的一部分，而不限于此。在这些实施方式中，设置在显示区域DA中的像素PX中的每个可以包括有机发光二极管OLED作为发光元件。设置在折叠部分FD-P中的像素PX中的每个可以包括由发光单元LU形成的发光二极管LED作为发光元件。
衬底100上设置有像素电路层PL和发光元件层EL。像素电路层PL可以包括缓冲层110和设置在缓冲层110上的晶体管TFT。在本公开的各种实施方式中，晶体管TFT可以是用于驱动设置在发光元件层EL上的发光元件OLED/LED的驱动晶体管，或者是用于切换驱动晶体管的开关晶体管。更详细地，晶体管TFT可以是用于驱动设置在显示区域DA中的发光元件层EL中的有机发光二极管OLED或设置在折叠部分FD-P中的发光二极管LED的晶体管。在图11的实施方式中，像素电路层PL的结构与参考图4所描述的结构相同；因此，将省略其详细描述。
发光元件层EL可以设置或形成在像素电路层PL上。在显示区域DA中，有机发光二极管OLED可以设置在发光元件层EL中。在折叠部分FD-P中，包括发光单元LU的发光二极管LED可以设置在发光元件层EL中。
在图11的实施方式中，除了包括发光单元LU的发光二极管LED形成在折叠部分FD-P中之外，发光元件层EL的结构与参考图4所描述的结构基本上相同；因此，将省略其详细描述。
虽然图10和图11示出了显示区域DA设置在折叠部分FD-P的相对侧上的示例，但是本发明不限于此。在实施方式中，例如，在各种实施方式中，折叠部分FD-P的至少一侧可以被外围区域NDA包围。也就是说，外围区域NDA可以设置在折叠部分FD-P和显示区域DA之间。在这些实施方式中，发光单元LU可以如图4至图6中所示那样设置在外围区域NDA中。
各种实施方式提供一种混合显示设备，其包括有机发光二极管和无机发光二极管两者作为发射用于显示图像的光的发光元件，从而使得可在所述混合显示设备的屏幕的整个表面上显示图像。在各种实施方式中，第一区域可以包括上述显示区域DA，并且第二区域可以包括上述外围区域NDA、弯曲部分BD-P和折叠部分FD-P中的一个或多个。由于像素PX可以设置在第一区域和第二区域中的每个中，因此第一区域和第二区域两者可以分别被认为是第一显示区域和第二显示区域，在第一显示区域和第二显示区域处显示图像或发射光。
本发明不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域的技术人员完全传达本发明的构思。
虽然已经参考本发明的实施方式具体示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。

Claims (18)

1.显示设备，包括：
衬底，包括第一显示区域和第二显示区域，所述第二显示区域比所述第一显示区域靠近所述显示设备的边缘；
发光元件层，包括：
第一发光元件，位于所述衬底的所述第一显示区域中，所述第一发光元件包括第一电极、有机发光层和第二电极，以及
第二发光元件，设置在所述衬底的所述第二显示区域中，所述第二发光元件包括第一电极、无机发光层和第二电极；以及
薄膜封装层，位于所述发光元件层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二发光元件的所述无机发光层包括发光单元，所述发光单元包括：
第一导电半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；
第二导电半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及
有源层，设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，在所述第二发光元件内，
所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的一个接触所述第二发光元件的所述第一电极，以及
所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层中的另一个接触所述第二发光元件的所述第二电极。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第二发光元件的所述发光单元包括微型发光二极管。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在平面图中，比所述第一显示区域靠近所述显示设备的所述边缘的所述第二显示区域包围所述第一显示区域。
6.根据权利要求1所述的显示设备，还包括包含量子点的滤色器层，所述薄膜封装层设置在所述滤色器层和所述发光元件层之间。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，在所述第二显示区域中，所述滤色器层包括颜色转换滤光器，所述颜色转换滤光器对入射到所述颜色转换滤光器的光进行颜色转换，所述颜色转换滤光器对应于所述第二发光元件。
8.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
焊盘部分，电信号通过所述焊盘部分被提供给所述第一显示区域，所述焊盘部分包括集成电路芯片，以及
弯曲区域，所述显示设备在所述弯曲区域处能够弯曲，
其中，所述弯曲区域将所述第一显示区域或所述第二显示区域连接至所述焊盘部分。
9.根据权利要求1所述的显示设备，还包括位于所述第二显示区域中的通孔，所述通孔延伸穿过所述衬底和所述薄膜封装层。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中：
所述第一显示区域设置成多个以限定多个子区域，以及
所述第二显示区域包括弯曲区域，所述显示设备在所述弯曲区域处能够弯曲，所述弯曲区域将所述多个子区域彼此连接。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述薄膜封装层包括多个无机层。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，
在所述第一显示区域中，所述薄膜封装层包括位于所述多个无机层之间的有机层，以及
在所述第二显示区域中，所述薄膜封装层不包括所述有机层。
13.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一发光元件包括有机发光二极管。
14.显示设备，包括：
衬底，包括第一显示区域和第二显示区域，所述第二显示区域比所述第一显示区域靠近所述显示设备的外边缘；
第一发光元件，位于所述衬底的所述第一显示区域中，所述第一发光元件包括有机发光层；以及
第二发光元件，位于所述衬底的所述第二显示区域中，所述第二发光元件包括无机发光层。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第二发光元件包括位于所述无机发光层中的发光单元，所述发光单元包括：
第一导电半导体层，掺杂有第一导电掺杂剂；
第二导电半导体层，掺杂有第二导电掺杂剂；以及
有源层，设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第二显示区域的外边缘对应于所述显示设备的所述外边缘。
17.根据权利要求14所述的显示设备，还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层包括多个无机层，
其中，
在所述第一显示区域中：
所述薄膜封装层还包括位于所述多个无机层之间的有机层，以及
包括所述有机发光层的所述第一发光元件位于所述衬底和所述薄膜封装层的所述有机层之间，以及
在所述第二显示区域中：
所述薄膜封装层包括所述多个无机层并且不包括所述有机层，以及
包括所述无机发光层的所述第二发光元件位于所述衬底和所述薄膜封装层之间。
18.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述第二显示区域包括弯曲区域，所述显示设备在所述弯曲区域处能够弯曲，以及
包括所述无机发光层的所述第二发光元件设置在所述弯曲区域中。
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