CN111642339A - 一种哈密瓜育苗方法 - Google Patents

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Abstract

一种哈密瓜育苗方法,包括：高温干热处理、表皮粘液清除、种子磁化处理、浸种液浸泡处理、温热催种处理、基质育苗、分苗种植，其中浸种液包括硫酸链霉素、多菌灵、丙氨酸、赤霉素、氨基酸螯合钙、清水、磷酸二氢钾、茶皂素，所述基质包括土壤、蚓粪、水葫芦、大黄酸、棉花壳、甘蔗渣、甲硫氨酸、菌菇类菇渣、多菌灵、槲皮素；其中分苗种植过程中还可对种苗根部浇灌氯化锌营养液后在进行大面积分苗种植；本发明涉及的哈密瓜育苗方法与现有技术相比可加快出牙速度、缩短育苗周期、提高种苗病虫害抵抗力，特别是对果腐病的妨害颇有成效，在育苗期间的病虫妨害以及基质的营养供给可降低种苗后期种植管理过程中人力、物力的投入，提高果农的实际收益。

Description

一种哈密瓜育苗方法
技术领域
本发明涉及哈密瓜育苗技术领域，具体为一种哈密瓜育苗方法。
背景技术
哈密瓜属一年生蔓生草本植物，哈密瓜含有葡萄糖、蔗糖、果糖及多种矿物质，其汁多味甜、质细性凉，是人们的夏季解暑佳品。受温度、水分、基质等多种因素的影响，哈密瓜生产过程中经常受种子发芽率低、出苗慢的困扰，提高种子发芽率及发芽速度是哈密瓜种植过程中的关键因素。再者，哈蜜瓜生长过程中易遭受细菌性的果腐病，给种植果农带来较大的经济损失，果农的常用方法是在后期植株的开花或坐果期通过喷洒农药对植株进行杀虫处理，所用农药一般为化学试剂配制，对环境污染较大、影响面积较广，再者需要人为或机器对大面积的种植基地进行定期喷洒，会造成较大的成本输出。
经过研究可知哈密瓜细菌性病虫害尤其是果腐病来自哈密瓜的瓜瓤中，所以哈密瓜采籽过程中会遗留在种子的表皮，哈密瓜种子直接播种的话会大大提高植株后期的果腐病发病率。
针对上述技术问题，本发明提出一种哈密瓜育苗方法，以解决或改善上述一个或多个技术问题。
发明内容
一种哈密瓜育苗方法，步骤如下：
高温干热处理：选择颗粒饱满的种子在干热处理机中进行干热处理，干热处理温度为60℃～70℃，干热处理时间为10min～15min；
表皮粘液清除：将干热处理后的种子在24℃～27℃浸泡5～7个小时后冲洗掉表皮的粘液物质；
浸种液浸泡处理：将表皮粘液物质去除后的哈密瓜种子用布料拭去表面水分后浸泡在杀虫剂中0.5小时～1小时；
温热催种处理：将杀虫剂浸泡处理后的种子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的温度维持在24℃～27℃温热催种5～7个小时，不透光的容器要求不受光照作用；
基质育苗：将温热催种处理后的种子播撒在基质培养土中，并在播撒的种子上覆盖上培养土2cm～4cm,并在基质培养土表层覆盖黑色薄膜，保持基质培养土的含水量处于50％～65％，并在种子播撒到基质培养土中6小时后给以光照，分别为早晨9点～11点、下午15点～17点的光照；待50％～55％种子发芽后，去除基质培养土表层的黑色薄膜，每天浇水；基质育苗环境的温度始终控制在24℃～27℃；
分苗种植：待幼苗生长至4～6片真叶后即可移栽；种植幼苗用的基质需翻动土壤后进行下一批幼苗培育，同一基质连续培养2～3批哈密瓜幼苗后需要进行翻新。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述浸种液包括72％农用硫酸链霉素800～950倍液10～15份、多菌灵10～15份、丙氨酸7～8份、赤霉素3～5份、氨基酸螯合钙6～7份、清水80～85份、磷酸二氢钾0～2份、茶皂素0～1份。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质包括哈密瓜种植基地中的土壤20～30份、蚓粪15～25份、水葫芦5～7份、大黄酸0.05～0.1份、棉花壳5～10份、甘蔗渣10～20份、甲硫氨酸1～3份、菌菇类菇渣10～20份、多菌灵3～5份、槲皮素0～2份。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质的制作步骤如下：
1)将土壤摊开并在烈日下暴晒48小时；蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放在一起发酵36小时且使堆放中心的温度达到40℃～50℃之间；
2)将多菌灵按比例搅拌到土壤、蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放物中进行基质杀菌2～5小时；
3)将所有基质成分混合并在撒种之前10～12小时内浇透水。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质的翻新步骤如下：
1)将基质整体翻动后通风24小时；
2)再次撒入上次多菌灵用量的一半进行搅拌杀菌1.5～2.5小时；
3)加入甲硫氨酸1～1.5份、大黄酸0.02～0.05份、槲皮素0～1份，搅拌均匀；
4)在翻新后的基质中注入上次注水量的0.3～0.6倍。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,基质育苗步骤中，若同批次的待幼苗有85％～95％的种苗生长至4～6片真叶后，需弃用种苗真叶数量不大于2的种苗，被弃用的种苗可直接废弃或集中收集用于后期补苗使用。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,表皮粘液清除步骤中用石灰水冲洗种子。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,表皮粘液清除步骤与浸种液浸泡处理步骤之间增加种子磁化处理步骤：将种子浸入氯化铁营养液中30min～40min后捞出，对种子进行磁化处理，且在磁场190G～210G的强度下磁化80S～100S。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,基质育苗步骤中，幼苗生长至4～6片后，先在根部施加氯化锌营养液，12小时后进行分苗种植。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,将3～3.2重量的氯化锌、0.2～0.3重量的辛夷花多糖加入210～230重量的水中搅拌至溶解并在700G～800G的条件下磁化处理25min～30min。
如下具体实施方式进一步说明本发明。
具体实施方式
实施例1：
一种哈密瓜育苗方法，步骤如下：
高温干热处理：选择颗粒饱满的种子在干热处理机中进行干热处理，干热处理温度为65℃5，干热处理时间为10min；
表皮粘液清除：将干热处理后的种子在27℃浸泡6个小时后用石灰水冲洗种子表皮的粘液物质；
浸种液浸泡处理：将表皮粘液物质去除后的哈密瓜种子用布料拭去表面水分后浸泡在杀虫剂中0.7小时；
温热催种处理：将杀虫剂浸泡处理后的种子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的温度维持在24℃～27℃温热催种6个小时，不透光的容器要求不受光照作用；
基质育苗：将温热催种处理后的种子播撒在基质培养土中，并在播撒的种子上覆盖上培养土3cm,并在基质培养土表层覆盖黑色薄膜，保持基质培养土的含水量处于60％，并在种子播撒到基质培养土中6小时后给以光照，分别为早晨9点～11点、下午15点～17点的光照；待55％种子发芽后，去除基质培养土表层的黑色薄膜，每天浇水；基质育苗环境的温度始终控制在24℃～27℃；
分苗种植：待幼苗生长至4～6片真叶后即可移栽；种植幼苗用的基质需翻动土壤后进行下一批幼苗培育，同一基质连续培养2批哈密瓜幼苗后需要进行翻新。
其中,所述浸种液包括72％农用硫酸链霉素800～950倍液10份、多菌灵10、丙氨酸7份、赤霉素3份、氨基酸螯合钙6份、清水80份、磷酸二氢钾0～2份、茶皂素0～1份，基质包括哈密瓜种植基地中的土壤20份、蚓粪20份、水葫芦7份、大黄酸0.05份、棉花壳10份、甘蔗渣10份、甲硫氨酸2份、菌菇类菇渣15份、多菌灵4份、槲皮素0～2份。
进一步的，所述基质的制作步骤如下：
1)将土壤摊开并在烈日下暴晒48小时；蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放在一起发酵36小时且使堆放中心的温度达到40℃～50℃之间；
2)将多菌灵按比例搅拌到土壤、蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放物中进行基质杀菌3小时；
3)将所有基质成分混合并在撒种之前12小时内浇透水。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质的翻新步骤如下：
1)将基质整体翻动后通风24小时；
2)再次撒入上次多菌灵用量的一半进行搅拌杀菌1.5～2.5小时；
3)加入甲硫氨酸1份、大黄酸0.04份、槲皮素0～1份，搅拌均匀；
4)在翻新后的基质中注入上次注水量的0.4倍。
实施例2：
一种哈密瓜育苗方法，步骤如下：
高温干热处理：选择颗粒饱满的种子在干热处理机中进行干热处理，干热处理温度为65℃5，干热处理时间为10min；
表皮粘液清除：将干热处理后的种子在27℃浸泡6个小时后用石灰水冲洗种子表皮的粘液物质；
浸种液浸泡处理：将表皮粘液物质去除后的哈密瓜种子用布料拭去表面水分后浸泡在杀虫剂中0.7小时；
温热催种处理：将杀虫剂浸泡处理后的种子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的温度维持在24℃～27℃温热催种6个小时，不透光的容器要求不受光照作用；
基质育苗：将温热催种处理后的种子播撒在基质培养土中，并在播撒的种子上覆盖上培养土3cm,并在基质培养土表层覆盖黑色薄膜，保持基质培养土的含水量处于60％，并在种子播撒到基质培养土中6小时后给以光照，分别为早晨9点～11点、下午15点～17点的光照；待55％种子发芽后，去除基质培养土表层的黑色薄膜，每天浇水；基质育苗环境的温度始终控制在24℃～27℃；
分苗种植：待幼苗生长至4～6片真叶后即可移栽；种植幼苗用的基质需翻动土壤后进行下一批幼苗培育，同一基质连续培养2批哈密瓜幼苗后需要进行翻新。
其中,所述浸种液包括72％农用硫酸链霉素800～950倍液10份、多菌灵10、丙氨酸7份、赤霉素3份、氨基酸螯合钙6份、清水80份、磷酸二氢钾2份，基质包括哈密瓜种植基地中的土壤20份、蚓粪20份、水葫芦7份、大黄酸0.05份、棉花壳10份、甘蔗渣10份、甲硫氨酸2份、菌菇类菇渣15份、多菌灵4份。
进一步的，所述基质的制作步骤如下：
1)将土壤摊开并在烈日下暴晒48小时；蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放在一起发酵36小时且使堆放中心的温度达到40℃～50℃之间；
2)将多菌灵按比例搅拌到土壤、蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放物中进行基质杀菌3小时；
3)将所有基质成分混合并在撒种之前12小时内浇透水。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质的翻新步骤如下：
1)将基质整体翻动后通风24小时；
2)再次撒入上次多菌灵用量的一半进行搅拌杀菌1.5～2.5小时；
3)加入甲硫氨酸1份、大黄酸0.04份，搅拌均匀；
4)在翻新后的基质中注入上次注水量的0.4倍。
实施例3：一种哈密瓜育苗方法，步骤如下：
高温干热处理：选择颗粒饱满的种子在干热处理机中进行干热处理，干热处理温度为65℃5，干热处理时间为10min；
表皮粘液清除：将干热处理后的种子在27℃浸泡6个小时后用石灰水冲洗种子表皮的粘液物质；
浸种液浸泡处理：将表皮粘液物质去除后的哈密瓜种子用布料拭去表面水分后浸泡在杀虫剂中0.7小时；
温热催种处理：将杀虫剂浸泡处理后的种子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的温度维持在24℃～27℃温热催种6个小时，不透光的容器要求不受光照作用；
基质育苗：将温热催种处理后的种子播撒在基质培养土中，并在播撒的种子上覆盖上培养土3cm,并在基质培养土表层覆盖黑色薄膜，保持基质培养土的含水量处于60％，并在种子播撒到基质培养土中6小时后给以光照，分别为早晨9点～11点、下午15点～17点的光照；待55％种子发芽后，去除基质培养土表层的黑色薄膜，每天浇水；基质育苗环境的温度始终控制在24℃～27℃；
分苗种植：待幼苗生长至4～6片真叶后即可移栽；种植幼苗用的基质需翻动土壤后进行下一批幼苗培育，同一基质连续培养2批哈密瓜幼苗后需要进行翻新。
其中,所述浸种液包括72％农用硫酸链霉素800～950倍液10份、多菌灵10、丙氨酸7份、赤霉素3份、氨基酸螯合钙6份、清水80份、磷酸二氢钾2份、茶皂素1份，基质包括哈密瓜种植基地中的土壤20份、蚓粪20份、水葫芦7份、大黄酸0.05份、棉花壳10份、甘蔗渣10份、甲硫氨酸2份、菌菇类菇渣15份、多菌灵4份。
进一步的，所述基质的制作步骤如下：
1)将土壤摊开并在烈日下暴晒48小时；蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放在一起发酵36小时且使堆放中心的温度达到40℃～50℃之间；
2)将多菌灵按比例搅拌到土壤、蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放物中进行基质杀菌3小时；
3)将所有基质成分混合并在撒种之前12小时内浇透水。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质的翻新步骤如下：
1)将基质整体翻动后通风24小时；
2)再次撒入上次多菌灵用量的一半进行搅拌杀菌1.5～2.5小时；
3)加入甲硫氨酸1份、大黄酸0.04份，搅拌均匀；
4)在翻新后的基质中注入上次注水量的0.4倍。
实施例4：
一种哈密瓜育苗方法，步骤如下：
高温干热处理：选择颗粒饱满的种子在干热处理机中进行干热处理，干热处理温度为65℃5，干热处理时间为10min；
表皮粘液清除：将干热处理后的种子在27℃浸泡6个小时后用石灰水冲洗种子表皮的粘液物质；
浸种液浸泡处理：将表皮粘液物质去除后的哈密瓜种子用布料拭去表面水分后浸泡在杀虫剂中0.7小时；
温热催种处理：将杀虫剂浸泡处理后的种子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的温度维持在24℃～27℃温热催种6个小时，不透光的容器要求不受光照作用；
基质育苗：将温热催种处理后的种子播撒在基质培养土中，并在播撒的种子上覆盖上培养土3cm,并在基质培养土表层覆盖黑色薄膜，保持基质培养土的含水量处于60％，并在种子播撒到基质培养土中6小时后给以光照，分别为早晨9点～11点、下午15点～17点的光照；待55％种子发芽后，去除基质培养土表层的黑色薄膜，每天浇水；基质育苗环境的温度始终控制在24℃～27℃；
分苗种植：待幼苗生长至4～6片真叶后即可移栽；种植幼苗用的基质需翻动土壤后进行下一批幼苗培育，同一基质连续培养2批哈密瓜幼苗后需要进行翻新。
其中,所述浸种液包括72％农用硫酸链霉素800～950倍液10份、多菌灵10、丙氨酸7份、赤霉素3份、氨基酸螯合钙6份、清水80份、磷酸二氢钾2份、茶皂素1份，基质包括哈密瓜种植基地中的土壤20份、蚓粪20份、水葫芦7份、大黄酸0.05份、棉花壳10份、甘蔗渣10份、甲硫氨酸2份、菌菇类菇渣15份、多菌灵4份、槲皮素1.5份。
进一步的，所述基质的制作步骤如下：
1)将土壤摊开并在烈日下暴晒48小时；蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放在一起发酵36小时且使堆放中心的温度达到40℃～50℃之间；
2)将多菌灵按比例搅拌到土壤、蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放物中进行基质杀菌3小时；
3)将所有基质成分混合并在撒种之前12小时内浇透水。
优选的，所述哈密瓜育苗方法,所述基质的翻新步骤如下：
1)将基质整体翻动后通风24小时；
2)再次撒入上次多菌灵用量的一半进行搅拌杀菌1.5～2.5小时；
3)加入甲硫氨酸1份、大黄酸0.04份、槲皮素1份，搅拌均匀；
4)在翻新后的基质中注入上次注水量的0.4倍。
实施例5
与实施例4相比，区别如下：
表皮粘液清除步骤与浸种液浸泡处理步骤之间增加种子磁化处理步骤：将种子浸入氯化铁营养液中35min后捞出，对种子进行磁化处理，且在磁场200G的强度下磁化90S。
实施例6
与实施例5相比，区别如下：基质育苗步骤中，幼苗生长至4～6片后，先在根部施加氯化锌营养液，12小时后进行分苗种植。将3.1重量的氯化锌、0.25重量的辛夷花多糖加入220重量的水中搅拌至溶解并750G的条件下磁化处理30min。
表1中列出各实施例种子的出芽率、出牙时间、种苗真叶4～6片的时间以及种苗成活率、种苗后期的果腐病发病率
Figure BDA0002569602390000071
从上表实验数据可知：
(1)本发明将哈密瓜种子进行浸种处理，提高种子的抗病性、尤其是抵抗果腐病的能力，其次浸种液中的还含有钙类等营养物质，可以促进种子的新陈代谢、提高种子抵抗病菌体侵害的能力；
(2)种子的磁化处理、基质的使用、可大大加快种子的出牙速度以及缩短种苗分苗种植的时间；氯化锌营养液的使用也在一定程度上位种苗后期的生长及抗病效果带来一定好处；
(3)种子初步的高温干热处理可杀灭种皮表面的部分病菌并唤醒种子内部的酶作用，种皮表面黏液物质的去除可软化种皮表层，上述手段均可加快哈密瓜种子的出牙速度。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种哈密瓜育苗方法，其特征在于：步骤如下：
高温干热处理：选择颗粒饱满的种子在干热处理机中进行干热处理，干热处理温度为60℃～70℃，干热处理时间为10min～15min；
表皮粘液清除：将干热处理后的种子在24℃～27℃浸泡5～7个小时后冲洗掉表皮的粘液物质；
浸种液浸泡处理：将表皮粘液物质去除后的哈密瓜种子用布料拭去表面水分后浸泡在杀虫剂中0.5小时～1小时；
温热催种处理：将杀虫剂浸泡处理后的种子晾干后置于深色不透光的容器中，并使容器的温度维持在24℃～27℃温热催种5～7个小时，不透光的容器要求不受光照作用；
基质育苗：将温热催种处理后的种子播撒在基质培养土中，并在播撒的种子上覆盖上培养土2cm～4cm,并在基质培养土表层覆盖黑色薄膜，保持基质培养土的含水量处于50％～65％，并在种子播撒到基质培养土中6小时后给以光照，分别为早晨9点～11点、下午15点～17点的光照；待50％～55％种子发芽后，去除基质培养土表层的黑色薄膜，每天浇水；基质育苗环境的温度始终控制在24℃～27℃；
分苗种植：待幼苗生长至4～6片真叶后即可移栽；种植幼苗用的基质需翻动土壤后进行下一批幼苗培育，同一基质连续培养2～3批哈密瓜幼苗后需要进行翻新。
2.如权利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述浸种液包括72％农用硫酸链霉素800～950倍液10～15份、多菌灵10～15份、丙氨酸7～8份、赤霉素3～5份、氨基酸螯合钙6～7份、清水80～85份、磷酸二氢钾0～2份、茶皂素0～1份。
3.如权利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述基质包括哈密瓜种植基地中的土壤20～30份、蚓粪15～25份、水葫芦5～7份、大黄酸0.05～0.1份、棉花壳5～10份、甘蔗渣10～20份、甲硫氨酸1～3份、菌菇类菇渣10～20份、多菌灵3～5份、槲皮素0～2份。
4.如权利要求3所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述基质的制作步骤如下：
1)将土壤摊开并在烈日下暴晒48小时；蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放在一起发酵36小时且使堆放中心的温度达到40℃～50℃之间；
2)将多菌灵按比例搅拌到土壤、蚓粪、棉花壳、甘蔗渣、菌菇类菇渣、水葫芦堆放物中进行基质杀菌2～5小时；
3)将所有基质成分混合并在撒种之前10～12小时内浇透水。
5.如权利要求3所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：所述基质的翻新步骤如下：
1)将基质整体翻动后通风24小时；
2)再次撒入上次多菌灵用量的一半进行搅拌杀菌1.5～2.5小时；
3)加入甲硫氨酸1～1.5份、大黄酸0.02～0.05份、槲皮素0～1份，搅拌均匀；
4)在翻新后的基质中注入上次注水量的0.3～0.6倍。
6.如权利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：同批次的待幼苗有85％～95％的种苗生长至4～6片真叶后，弃用种苗真叶数量不大于2的种苗，被弃用的种苗可直接废弃或集中收集用于后期补苗使用。
7.如权利要求3所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：表皮粘液清除步骤中用石灰水冲洗种子。
8.如权利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：表皮粘液清除步骤与浸种液浸泡处理步骤之间增加种子磁化处理步骤：将种子浸入氯化铁营养液中30min～40min后捞出，对种子进行磁化处理，且在磁场190G～210G的强度下磁化80S～100S。
9.如权利要求1所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：基质育苗步骤中，幼苗生长至4～6片后，先在根部施加氯化锌营养液，12小时后进行分苗种植。
10.如权利要求9所述哈密瓜育苗方法,其特征在于：将3～3.2重量的氯化锌、0.2～0.3重量的辛夷花多糖加入210～230重量的水中搅拌至溶解并在700G～800G的条件下磁化处理25min～30min。
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