CN111641388A - 一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。该方法包括：(1)、在电池片待测面上印刷至少两个不同金属占比的栅线图形；(2)、在电池片非待测面印刷多个细栅线，并烧结；(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率；根据线性函数的斜率、以及太阳能电池复合模型，计算出金属接触复合值。本发明用于测试金属接触复合值的太阳能电池的制备工艺与生产线完全兼容，无需增加额外的工艺步骤；本发明测试得到的金接触复合值与电池在实际工作情况下一致，其测试结果更具准确性。

Description

一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。

背景技术

在晶体硅太阳电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳电池效率发展的重要因素。目前商业化的高效晶体硅太阳电池中，如P型PERC或者N型PERT电池，发射极钝化区域的暗饱和电流密度(J0,pass)一般为30～60fA/cm²，而发射极与金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为1000～2000fA/cm²，比非金属接触区域的复合高出一到两个数量级。金属接触复合成为提升太阳电池开路电压和转换效率的重要挑战。

钝化接触结构，如隧穿氧化层/掺杂多晶硅层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能。钝化接触结构的优异性能受到研究机构及企业的广泛关注，研究机构如德国Fraunhofer、ISFH太阳能系统研究所针对隧穿氧化层/掺杂多晶硅层结构分别开发了TOPCon电池和POLO电池，企业如中来、天合等将实验室小尺寸的钝化接触电池技术转化为大面积全尺寸的量产技术。在量产技术中，金属化的方式为丝网印刷和烧结，烧结过程中金属浆料的“穿刺”效应会局域破坏钝化接触结构，同样会使接触区域的金属复合升高。对于产业化的钝化接触结构电池而言，金属接触复合依然是一个重大的挑战。

为了进一步提升电池的效率，一些新的辅料、工艺、结构等会被开发用于降低金属接触复合；因而，如何去定量评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等对金属接触复合的影响成为这些工作的基础。

鉴于此，开发一种工艺过程简单、耗时短、成本低，可以定量、准确测试金属接触复合大小的测试方法，对于评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等的优劣及优化电池的效率具有重要的意义。

发明内容

本发明主要针对现有技术难以准确测试金属接触复合值的大小，以及难以定量评估不同工艺、技术对金属接触复合的影响的问题，提供一种能够精确测试金属接触复合值的方法及用于测试金属接触复合值的太阳能电池。

本发明的一种测试金属接触复合值的方法，其技术方案为：包括以下步骤：

(1)、在电池片待测面上印刷至少两个不同金属占比的栅线图形；

(2)、在电池片非待测面印刷多个细栅线，并烧结；

(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；

(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率；根据所述线性函数的斜率、以及太阳能电池复合模型，计算出金属接触复合值。

本发明提供的一种测试金属接触复合值的方法，还包括如下附属技术方案：

其中，在步骤(4)中，所述太阳能电池复合模型的计算公式为：

J_T＝χ*J_0,metal+(1-χ)*J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear (1)

其中，J_T为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J_0,metal为待测面金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,pass为待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,bulk为硅衬底的暗态饱和电流密度，J_0,rear为非待测面的暗态饱和电流密度；其中，非待测面的暗态饱和电流密度J_0,rear，以及待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度均为已知；经变形之后，上述公式(1)变为：

J_T＝(J_0,metal-J_0,pass)*χ+(J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear) (2)

根据公式(2)可得：

k＝J_0,metal-J_0,pass

则金属接触区域暗态饱和电流密度J_0,metal的值为：

J_0,metal＝k+J_0,pass

其中，k为线性函数的斜率。

其中，所述电池片待测面上印刷有不同金属占比的八个栅线图形，所述不同金属占比的八个栅线图形以太阳能电池片中心点呈镜像对称分布。

其中，所述不同金属占比的八个栅线图形包含四种不同的金属占比面积，所述四种不同的金属占比面积呈等差数列递增；每个所述栅线图形金属占比的范围为1％～20％。

其中，在步骤(1)中，所述太阳能电池的待测面由内至外依次包括晶体硅衬底、第一载流子选择性层、以及减反射膜；所述太阳能电池的非待测面从内到外依次包括晶体硅衬底、第二载流子选择性层、以及减反射膜。

其中，在步骤(1)中，所述电池片待测面上的栅线图形由主栅线和细栅线组成，所述主栅线和细栅线呈“H”型分布。

其中，将电池片待测面朝上，电池片非待测面朝下，使得电池片非待测面与测试台接触，并使测试探针与电池片待测面上的栅线图形的主栅线接触。

其中，所述第一载流子选择性层为N型单晶硅层，所述第二载流子选择性层为P型单晶硅层；或，

所述第一载流子选择性层为P型单晶硅层，所述第二载流子选择性层为N型单晶硅层。

其中，所述第一载流子选择性层通过扩散或离子注入磷原子进行掺杂形成N型单晶硅层，所述第二载流子选择性层通过扩散或离子注入硼原子进行掺杂形成P单晶硅层；或，

所述第一载流子选择性层通过扩散或离子注入硼原子进行掺杂形成P型单晶硅层，所述第二载流子选择性层通过扩散或离子注入磷原子进行掺杂形成N单晶硅层；

所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层的方阻值均为10～500Ω/sq，结深均为0.3～3μm。

其中，所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层均为同质结构；或，所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层均为钝化接触结构；

所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；所述隧穿氧化层包括氧化硅、氧化钛、或氧化铝中的一种或任几种的组合，其厚度为0.5～3.0nm；所述掺杂多晶硅层的厚度为30～600nm，掺杂浓度为0.1～5.0E+20cm^-3。

本发明还提供了一种用于测试金属接触复合值的太阳能电池，该太阳能电池包括晶体硅衬底，所述太阳能电池的待测面由内至外依次包括晶体硅衬底、第一载流子选择性层、以及减反射膜；所述太阳能电池的非待测面从内到外依次包括晶体硅衬底、第二载流子选择性层、以及减反射膜；

所述晶体硅衬底待测面的减反射膜上印刷有至少两个不同金属占比的栅线图形，所述栅线图形由主栅线和细栅线组成，所述主栅线和细栅线呈“H”型分布；

所述晶体硅衬底非待测面的减反射膜上印刷有相互垂直的细栅线，所述相互垂直的细栅线呈“十”字形分布。

本发明中的用于测试金属接触复合值的太阳能电池的制备工艺与生产线完全兼容，不需要增加额外的工艺步骤；并且，基于本发明的电池片测试得到的金属接触复合与电池在实际工作情况下的金属复合一致，其测试结果更具有准确性；最后，本发明的测试方法可以用于定量测试金属接触复合值的大小，准确性好、精确性高，可用于评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等的优劣，为优化金属接触复合奠定了基础。并且，本发明的测试金属接触复合值的方法能够与工业生产零距离和无缝对接，方便调整、修改配方、工艺、条件等。

附图说明

图1为本发明一种测试电池片待测面金属接触复合值的网版图形示意图；

图2为本发明一种测试电池片非待测面金属接触复合的网版图形示意图；

图3为本发明步骤(2)后具有钝化接触结构的待测样品的结构示意图；

图4为本发明实施例1中步骤(2)后具有钝化接触结构的待测样品的结构示意图；

图5为本发明步骤(4)中太阳能电池的数据拟合示意图；

图6为本发明实施例1中测试钝化接触结构金属接触复合的数据拟合图；

图中，1是电池片，2是待测面金属栅线图形，3是非待测面金属栅线图形，11是硅衬底，12是第一载流子选择性层，121是硼掺杂单晶硅层，13是第二载流子选择性层，131是隧穿氧化层，132是掺杂多晶硅层，14是减反射膜。

具体实施方式

下面结合实例对本发明进行详细的说明。

本发明的一种测试金属接触复合值的方法，其技术方案为：包括以下步骤：

(1)、在电池片待测面上印刷至少两个不同金属占比的栅线图形；

(2)、在电池片非待测面印刷多个细栅线，并烧结；

(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；

(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率；根据所述线性函数的斜率、以及太阳能电池复合模型，计算出金属接触复合值。

需要说明的是，本发明中的不同金属占比是指相同栅线图形的占空比，即，不同区域内栅线图形印刷的面积不同。

在一个实施例中，在步骤(4)中，所述太阳能电池复合模型的计算公式为：

J_T＝χ*J_0,metal+(1-χ)*J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear (1)；

其中，J_T为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J_0,metal为待测面金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,pass为待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,bulk为硅衬底的暗态饱和电流密度，J_0,rear为非待测面的暗态饱和电流密度；其中，非待测面的暗态饱和电流密度J_0,rear，以及待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度均为已知；经变形之后，上述公式(1)变为：

J_T＝(J_0,metal-J_0,pass)*χ+(J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear) (2)

根据公式(2)可得：

k＝J_0,metal-J_0,pass

则金属接触区域暗态饱和电流密度J_0,metal的值为：

J_0,metal＝k+J_0,pass

其中，k为线性函数的斜率。

在一个实施例中，所述电池片待测面上印刷有不同金属占比的八个栅线图形，所述不同金属占比的八个栅线图形以太阳能电池片中心点呈镜像对称分布。

在一个实施例中，所述不同金属占比的八个栅线图形包含四种不同的金属占比面积，所述四种不同的金属占比面积呈等差数列递增；每个所述栅线图形金属占比的范围为1％～20％。

在一个实施例中，所述电池片的待测面上印刷2-8个金属栅线图形。

在一个实施例中，在步骤(1)中，所述太阳能电池的待测面由内至外依次包括晶体硅衬底、第一载流子选择性层、以及减反射膜；所述太阳能电池的非待测面从内到外依次包括晶体硅衬底、第二载流子选择性层、以及减反射膜。

在一个实施例中，在步骤(1)中，所述电池片待测面上的栅线图形由主栅线和细栅线组成，所述主栅线和细栅线“H”型分布；。

在一个实施例中，将电池片待测面朝上，电池片非待测面朝下，使得电池片非待测面与测试台接触，并使测试探针与电池片待测面上的栅线图形的主栅线接触。

在一个实施例中，所述第一载流子选择性层为N型单晶硅层，所述第二载流子选择性层为P型单晶硅层；或，

所述第一载流子选择性层为P型单晶硅层，所述第二载流子选择性层为N型单晶硅层。

在一个实施例中，所述第一载流子选择性层通过扩散或离子注入磷原子进行掺杂形成N型单晶硅层，所述第二载流子选择性层通过扩散或离子注入硼原子进行掺杂形成P单晶硅层；或，

所述第一载流子选择性层通过扩散或离子注入硼原子进行掺杂形成P型单晶硅层，所述第二载流子选择性层通过扩散或离子注入磷原子进行掺杂形成N单晶硅层；

所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层的方阻值均为10～500Ω/sq，结深均为0.3～3μm。

在一个实施例中，所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层均为同质结构；或，所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层均为钝化接触结构；

所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；所述隧穿氧化层包括氧化硅、氧化钛、或氧化铝中的一种或任几种的组合，其厚度为0.5～3.0nm；所述掺杂多晶硅层的厚度为30～600nm，掺杂浓度为0.1～5.0E+20cm^-3。

本发明还提供了一种用于测试金属接触复合值的太阳能电池，该晶体硅衬底的待测面由内至外依次包括晶体硅衬底、第一载流子选择性层、以及减反射膜；所述太阳能电池的非待测面从内到外依次包括晶体硅衬底、第二载流子选择性层、以及减反射膜；

所述晶体硅衬底待测面的减反射膜上印刷有至少两个不同金属占比的栅线图形，所述栅线图形由主栅线和细栅线组成，所述主栅线和细栅线呈“H”型分布；

所述晶体硅衬底非待测面的减反射膜上印刷有相互垂直的细栅线，所述相互垂直的细栅线呈“十”字形分布。

本发明中的用于测试金属接触复合值的太阳能电池的制备工艺与生产线完全兼容，不需要增加额外的工艺步骤；并且，基于本发明的电池片测试得到的金属接触复合与电池在实际工作情况下的金属复合一致，其测试结果更具有准确性；最后，本发明的测试方法可以用于定量测试金属接触复合值的大小，准确性好、精确性高，可用于评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等的优劣，为优化金属接触复合奠定了基础。

下面将以具体的实施例对本发明的测试金属接触复合值的方法进行详细地说明。

实施例1

(1)、在电池片待测面上印刷至少两个不同金属占比的栅线图形。该步骤包括：

(a)、在单晶硅衬底的前后表面分别制备第一载流子选择性层和第二载流子选择性层：将电阻率为0.3～5.0Ω·cm、厚度为～160μm的N型硅衬底11进行去损伤层处理并制绒，接着将硅片置于扩散炉中进行掺杂，在硅片的双面均形成第一载流子选择性层12，然后通过刻蚀去除硅片背面的第一载流子选择性层12，并在硅片背面制备具有与第一载流子选择性层12导电类型相异的第二载流子选择性层13；

(b)、双面沉积减反射膜：在第一载流子选择性层12上，采用ALD沉积0.5～5.0nm的氧化铝薄膜，接着采用PECVD沉积SiN_X减反射膜，厚度为60～85nm；然后在第二载流子选择性层13上采用PECVD沉积SiN_X减反射膜，厚度为65～85nm；

(c)、在电池片待测面印刷不同金属占比的栅线图形：丝网印刷的网版图形如附图1所示，待测面网版图形包含八个栅线图形，以电池片中心点呈镜像对称，其中八个栅线图形包含四种不同的金属面积占比，即每种金属面积占比对应两个栅线图形，四种金属面积的占比呈等差递增；栅线的材料为银或者银铝，栅线图形由主栅线和细栅线组成，呈“H”型；细栅线由等间距连续的直线段组成，直线段长度为为2.0～4.0cm，主栅线的宽度为1～3mm，细栅线的宽度为30～60μm，金属栅线在硅片上的占比范围为1％～20％。

(2)、在电池片非待测面印刷多个细栅线，并烧结。该步骤包括：

(a)、电池片非待测面丝网印刷均匀分布的细栅线：丝网印刷的网版图形如图2所示，栅线材料为银或者银铝，栅线图形由相互垂直的细栅线组成，呈“十字”正方形网格，栅线区域覆盖整个电池表面；

(b)、将丝网印刷完的电池片进行烧结处理，烧结的峰值温度为750～875℃，烧结的带速为4.0～10.0m/min。完成本步骤之后的电池片的结构如图3所示。

本实施例中，第一载流子选择性层12为硼扩散掺杂的单晶硅层，即为p+发射极121，方阻值为95～105Ω/sq，结深为0.8～0.9μm；第二载流子选择性层13为钝化接触结构，由隧穿氧化层131和磷掺杂多晶硅层132组成，具体制备方式为：

将去除背面p+发射极121的硅片，背靠背插入低压化学气相沉积设备石英舟中，先通过热氧化生长一层隧穿二氧化硅层131，厚度为1.0～1.5nm，然后沉积原位磷掺杂的多晶硅层132，多晶硅层的厚度为100～200nm，接着将样品进行高温退火，退火的温度为850～900℃，退火的时间为15～90min，退火后掺杂的多晶硅层132的方阻为80～110Ohm/sq，磷原子峰值掺杂浓度为1.0～4.0E+20cm^-3，正背面金属化之后，电池片的结构如图4所示。

(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值，该步骤包括：

(a)、将电池片待测面朝上，置于测试仪样品台上，非待测面朝下与测试台接触，测试时探针与图形主栅线接触；

(b)、分别将测试仪探针点在具有不同金属比例图形的单元电池的主栅线上，分别测得不同金属比例单元电池的总暗态饱和电流密度值，如待测面金属占比为X₁、X₂、X₃、X₄等对应的单元电池总暗态饱和电流密度值分别为J_T1、J_T2、J_T3、J_T4等。

(4)集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率；根据所述线性函数的斜率、以及太阳能电池复合模型，计算出金属接触复合值。该步骤包括：

(a)、以待测面金属占比的比例X₁、X₂、X₃、X₄等为横坐标，与之对应的单元电池的总暗态饱和电流密度值J_T1、J_T2、J_T3、J_T4等为纵坐标，绘制散点图，通过线性拟合，得到线性函数的斜率k。太阳能电池的数据拟合示意图如图5所示；

根据所述线性函数的斜率，以及太阳电池复合模型，计算出金属接触复合J_0,metal的值为：斜率k与钝化区域暗态饱和电流密度值J_0,pass之和。

具体地，所述太阳电池复合模型公式为：

J_T＝χ*J_0,metal+(1-χ)*J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear (1)；

J_T为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J_0,metal为待测面金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,pass为待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,bulk为硅衬底的暗态饱和电流密度，J_0,rear为非待测面的暗态饱和电流密度；其中，非待测面的暗态饱和电流密度J_0,rear，以及待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度均为已知；经变形之后，上述公式(1)变为：

J_T＝(J_0,metal-J_0,pass)*χ+(J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear) (2)；

由于待测面掺杂工艺一样，各个不同金属占比的单元电池的J_0,pass相同；由于单元电池在同一片硅片上，因此J_0,bulk相同；由于非待测面为均匀分布的细栅线，因此J_0,rear相同；因此，上式后面三项为常数。以金属占比的比例χ为横坐标，与之对应的总暗态饱和电流密度值J_T为纵坐标，绘制散点图，通过线性拟合，在拟合决定系数大于95％的条件下，得到线性函数的斜率k，则太阳电池复合公式模型可得：

根据公式(2)可得：

k＝J_0,metal-J_0,pass

待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度J_0,pass为已知量，则金属接触区域暗态饱和电流密度J_0,metal的值为：

J_0,metal＝k+J_0,pass

因此，可以得到金属接触区域的复合值。

本实施例中，电池片待测面中的八个栅线图形，以电池片中心点呈镜像对称，其中八个栅线图形包含四种不同的金属面积占比，即每种金属面积占比对应两个栅线图形，综合考虑了由于工艺带来的不均匀性；四种金属面积的占比呈等差递增，分别为4.0％、7.5％、11％和14.5％，测试钝化接触结构金属接触复合的数据拟合图如附图6所示，拟合决定系数R^2达到98.3％。线性拟合得到的方程为J_0,metal＝586.57*χ+72.76，即斜率k的值为586.57，发射极钝化区域的暗态饱和电流密度值为已知量，大小为35fA/cm²，计算得到的金属接触复合值为621.6fA/cm²。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (10)

1.一种测试金属接触复合值的方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、在电池片待测面上印刷至少两个不同金属占比的栅线图形；

(2)、在电池片非待测面印刷多个细栅线，并烧结；

(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；

(4)、采集不同金属占的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率；根据所述线性函数的斜率、以及太阳能电池复合模型，计算出金属接触复合值。

2.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述太阳能电池复合模型的计算公式为：

J_T＝χ*J_0,metal+(1-χ)*J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear (1)

其中，J_T为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J_0,metal为待测面金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,pass为待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度，J_0,bulk为硅衬底的暗态饱和电流密度，J_0,rear为非待测面的暗态饱和电流密度；其中，非待测面的暗态饱和电流密度J_0,rear，以及待测面非金属接触区域的暗态饱和电流密度J_0,pass均为已知；经变形之后，上述公式(1)变为：

J_T＝(J_0,metal-J_0,pass)*χ+(J_0,pass+J_0,bulk+J_0,rear) (2)

根据公式(2)可得：

k＝J_0,metal-J_0,pass

则金属接触区域暗态饱和电流密度J_0,metal的值为：

J_0,metal＝k+J_0,pass

其中，k为线性函数的斜率。

3.根据权利要求1或2所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述电池片待测面上印刷有不同金属占比的八个栅线图形，所述不同金属占比的八个栅线图形以太阳能电池片中心点呈镜像对称分布。

4.根据权利要求3所述的所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述不同金属占比的八个栅线图形包含四种不同的金属占比面积，所述四种不同的金属占比面积呈等差数列递增；每个所述栅线图形金属占比的范围为1％～20％。

5.根据权利要求1或2所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述太阳能电池的待测面由内至外依次包括晶体硅衬底、第一载流子选择性层、以及减反射膜；所述太阳能电池的非待测面从内到外依次包括晶体硅衬底、第二载流子选择性层、以及减反射膜。

6.根据权利要求1或2所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述电池片待测面上的栅线图形由主栅线和细栅线组成，所述主栅线和细栅线呈“H”型分布；所述栅线图形在硅片上的占比为1％～20％，不同占比的栅线图形的数量为4～24个。

7.根据权利要求6所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，将电池片待测面朝上，电池片非待测面朝下，使得电池片非待测面与测试台接触，并使测试探针与电池片待测面上的栅线图形的主栅线接触。

8.根据权利要求7所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，

所述第一载流子选择性层通过扩散或离子注入磷原子进行掺杂形成N型单晶硅层，所述第二载流子选择性层通过扩散或离子注入硼原子进行掺杂形成P单晶硅层；或，

所述第一载流子选择性层通过扩散或离子注入硼原子进行掺杂形成P型单晶硅层，所述第二载流子选择性层通过扩散或离子注入磷原子进行掺杂形成N单晶硅层；

所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层的方阻值均为10～500Ω/sq，结深均为0.3～3μm。

9.根据权利要求5所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层均为同质结构；或，

所述第一载流子选择性层和第二载流子选择性层均为钝化接触结构；

所述钝化接触结构包括隧穿氧化层和掺杂多晶硅层；所述隧穿氧化层包括氧化硅、氧化钛、或氧化铝中的一种或任几种的组合，其厚度为0.5～3.0nm；所述掺杂多晶硅层的厚度为30～600nm，掺杂浓度为0.1～5.0E+20cm^-3。

10.一种用于测试金属接触复合值的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的待测面由内至外依次包括晶体硅衬底、第一载流子选择性层、以及减反射膜；所述太阳能电池的非待测面从内到外依次包括晶体硅衬底、第二载流子选择性层、以及减反射膜；

所述晶体硅衬底待测面的减反射膜上印刷有至少两个不同金属占比的栅线图形，所述栅线图形由主栅线和细栅线组成，所述主栅线和细栅线呈“H”型分布；

所述晶体硅衬底非待测面的减反射膜上印刷有相互垂直的细栅线，所述相互垂直的细栅线呈“十”字形分布。

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