CN111641387B - 一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 171
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 171
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000012886 linear function Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 16
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 11
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007567 mass-production technique Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 silver aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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Abstract
本发明涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。该方法包括：(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；(2)、去除待测样品上不同金属占比的栅线图形；(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。本发明在测试总暗态饱和电流密度的过程中，载流子在待测样品前后表面的分布一致，避免了载流子在前后表面分布不均匀引起测试不准确，更具准确性。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。
背景技术
在晶体硅太阳电池中，金属-半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳电池效率发展的重要因素。目前商业化的高效晶体硅太阳电池中，如P型PERC或者N型PERT电池，发射极钝化区域的暗饱和电流密度(J0,pass)一般为30～60fA/cm2，而发射极与金属接触区域的暗饱和电流密度(J0,metal)为1000～2000fA/cm2，比非金属接触区域的复合高出一到两个数量级。金属接触复合成为提升太阳电池开路电压和转换效率的重要挑战。
钝化接触结构，如隧穿氧化层/掺杂多晶硅层、超薄本征非晶硅层/重掺杂非晶硅层，不仅具有优异的界面钝化性能，可以显著降低金属接触复合，还具有优异的接触性能。钝化接触结构的优异性能受到研究机构及企业的广泛关注，研究机构如德国Fraunhofer、ISFH太阳能系统研究所针对隧穿氧化层/掺杂多晶硅层结构分别开发了TOPCon电池和POLO电池，企业如中来、天合等将实验室小尺寸的钝化接触电池技术转化为大面积全尺寸的量产技术。在量产技术中，金属化的方式为丝网印刷和烧结，烧结过程中金属浆料的“穿刺”效应会局域破坏钝化接触结构，同样会使接触区域的金属复合升高。对于产业化的钝化接触结构电池而言，金属接触复合依然是一个重大的挑战。
为了进一步提升电池的效率，一些新的辅料、工艺、结构等会被开发用于降低金属接触复合；因而，如何去定量评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等对金属接触复合的影响成为这些工作的基础。
鉴于此，开发一种工艺过程简单、耗时短、成本低，可以定量、准确测试金属接触复合大小的测试方法，其对于评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等的优劣及优化电池的效率具有重要的意义。
发明内容
本发明主要针对现有技术难以准确测试金属接触复合值的大小，以及难以定量评估不同工艺、技术对金属接触复合的影响的问题，提供一种能够精确测试金属接触复合值的方法及太阳能电池。
本发明的一种测试金属接触复合值的方法，其技术方案为：包括以下步骤：
(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；
(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形；
(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；
(4)、采集不同的金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。
本发明提供的一种测试金属接触复合值的方法，还包括如下附属技术方案：
其中，在步骤(4)中，所述表面复合模型的计算公式为：
JT＝χ*J0,metal+(1-χ)*J0,pass+J0,pass (1)；
其中，JT为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J0,metal为金属接触区域的暗态饱和电流密度，J0,pass为钝化区域的暗态饱和电流密度，χ*J0,metal和(1-χ)*J0,pass为待测样品上金属化一面的表面复合值，J0,pass为待测样品上非金属化一面的表面复合值；经变形之后，上述公式(1)变为：
JT＝(J0,metal-J0,pass)*χ+2*J0,pass (2)；
根据公式(2)可得：
k＝J0,metal-J0,pass
b＝2*J0,pass
其中，k为线性函数的斜率，b为线性函数的截距。
其中，所述待测样品的前表面印刷有三个具有不同金属占比的栅线图形；其中，
以太阳能电池片中心为原点，沿太阳能电池片的纵向中线和横向中线将太阳能电池片分割成四个象限，所述具有不同金属占比的三个栅线图形分别位于所述四个象限中的任意三个中。
其中，所述具有不同金属占比的三个栅线图形的金属占比面积呈等差数列递增；每个所述栅线图形金属占比的范围为1％～20％。
其中，所述栅线图形设置为连续的直线状、不连续的线段状、或点状，所述连续的直线状的栅线图形的宽度与不连续的线段状的栅线图形的宽度和点状栅线图形的直径相同；所述连续的直线状的栅线图形的宽度、不连续的线段状的栅线图形的宽度、或点状栅线图形的直径均为30～60μm。
其中，在步骤(1)中，所述待测样品为具有双面对称结构的太阳能电池片。
其中，在步骤(1)中，所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、同质结构和减反射膜；或，
所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、钝化接触结构和减反射膜。
其中，在步骤(2)中，去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形的方法为溶液腐蚀法；腐蚀溶液为盐酸、硝酸、氢氟酸中的一种或者任几种的混合，腐蚀时间为4-24h。
其中，在步骤(3)中：将待测样品上金属化的一面朝下，并将待测样品的栅线图形区域放置在测试仪样品台中心。
其中，所述待测样品的硅衬底导电类型为N型或者P型，其电阻率为0.3～10Ω·cm,厚度为90～300μm，表面形貌为金字塔或者平面；
减反射膜包括氧化铝、二氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅中的一种或任几种的组合，其厚度为40～90nm。
其中，所述钝化接触结构由隧穿氧化层和掺杂多晶硅层构成；所述隧穿氧化层包括氧化硅、氧化钛、氧化铝中的一种或任几种的组合，其厚度为0.5～3.0nm；所述掺杂多晶硅层的导电类型为N型或者P型，其厚度为30～600nm，掺杂浓度为0.1～5.0E+20cm-3。
本发明还提供了一种用于测试金属接触复合值的太阳能电池，所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、同质结构和减反射膜；或
所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、钝化接触结构和减反射膜；
所述待测样品的前表面印刷至少两个具有不同金属占比的栅线图形。
本发明创造性的采用具有对称结构的测试样品，不需要完成整个电池的制备工艺，可以将工艺步骤减少一半。同时，样品为对称结构，在测试总暗态饱和电流密度的过程中，载流子在待测样品前后表面的分布一致，避免了载流子在前后表面分布不均匀引起测试不准确，更具准确性。
本发明体现的技术优点为：1)测试样品采用对称结构，样品制备工艺过程简单；2)避免载流子在待测样品前后表面分布不均匀，提高了测试的准确性；3)数据采集与处理的方法简单，耗时短；4)适合企业批量快速测试样品。因此，本发明可以用于定量测试金属接触复合的大小，其准确性好、精确性高，可用于评估不同辅料类型、不同工艺条件、不同电池结构等的优劣，为优化金属接触复合奠定了基础；(5)本发明的测试金属接触复合值的方法能够与工业生产零距离和无缝对接，方便调整、修改配方、工艺、条件等。
附图说明
图1为本发明的一种用于测试金属接触复合值的太阳能电池示意图；
图2为本发明步骤(1)后具有钝化接触结构的待测样品的结构示意图；
图3为本发明步骤(2)后具有钝化接触结构的待测样品的结构示意图；
图4为本发明步骤(1)后常规同质结构的待测样品的结构示意图；
图5为本发明步骤(2)后常规同质结构的待测样品的结构示意图；
图6为本发明步骤(4)测试样品后的数据拟合示意图；
图7为实施例1中本发明方法测试钝化接触结构金属接触复合的数据拟合图；
图8为实施例2中本发明方法测试常规同质结构金属接触复合的数据拟合图。
图中，1是待测样品，2是金属栅线，11是硅衬底，12是隧穿氧化层，131是掺杂多晶硅层，132是同质结构，14是减反射膜。
具体实施方式
下面结合实例对本发明进行详细的说明。
(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；
(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形；
(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；
(4)、采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。
需要说明的是，本发明中的不同金属占比是指相同栅线图形的占空比，即，不同区域内栅线图形印刷的面积不同。
在一个实施例中，在步骤(4)中，所述表面复合模型的计算公式为：
JT＝χ*J0,metal+(1-χ)*J0,pass+J0,pass (1)；
在一个实施例中，JT为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J0,metal为金属接触区域的暗态饱和电流密度，J0,pass为钝化区域的暗态饱和电流密度，χ*J0,metal和(1-χ)*J0,pass为待测样品上金属化一面的表面复合值，J0,pass为待测样品上非金属化一面的表面复合值；经变形之后，上述公式(1)变为：
JT＝(J0,metal-J0,pass)*χ+2*J0,pass (2)；
根据公式(2)可得：
k＝J0,metal-J0,pass
b＝2*J0,pass
在一个实施例中，k为线性函数的斜率，b为线性函数的截距。
在一个实施例中，所述待测样品的前表面印刷有三个具有不同金属占比的栅线图形；其中，
以太阳能电池片中心为原点，沿太阳能电池片的纵向中线和横向中线将太阳能电池片分割成四个象限，所述具有不同金属占比的三个栅线图形分别位于所述四个象限中的任意三个中。
在一个实施例中，所述具有不同金属占比的三个栅线图形的金属占比面积呈等差数列递增；每个所述栅线图形金属占比的范围为1％～20％。
在一个实施例中，所述电池片的待测面上印刷2-8个金属栅线图形。
在一个实施例中，所述栅线图形设置为连续的直线状、不连续的线段状、或点状，所述连续的直线状的栅线图形的宽度与不连续的线段状的栅线图形的宽度和点状栅线图形的直径相同；所述连续的直线状的栅线图形的宽度、不连续的线段状的栅线图形的宽度、或点状栅线图形的直径均为30～60μm。
当然，可以理解的是，本发明中的栅线图形还可以以其他形式进行分布，比如圆周等，本发明不对其具体的分布方式进行限制。
在一个实施例中，在步骤(1)中，所述待测样品为具有双面对称结构的太阳能电池片；所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、同质结构和减反射膜。
在一个实施例中，在步骤(1)中，所述待测样品为具有双面对称结构的太阳能电池片；所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、钝化接触结构和减反射膜。
在一个实施例中，在步骤(2)中，去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形的方法为溶液腐蚀法；腐蚀溶液为盐酸、硝酸、氢氟酸中的一种或者任几种的混合，腐蚀时间为4-24h。
在一个实施例中，在步骤(3)中：
将待测样品上金属化的一面朝下，并将待测样品的栅线图形区域放置在测试仪样品台中心。
在一个实施例中，在步骤(1)中，
所述待测样品的硅衬底导电类型为N型或者P型，其电阻率为0.3～10Ω·cm,厚度为90～300μm，表面形貌为金字塔或者平面；
同质结构的导电类型为N型或者P型，其方阻值为10～500Ω/sq；
减反射膜包括氧化铝、二氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅中的一种或任几种的组合，其厚度为40～90nm。
在一个实施例中，在步骤(1)中，所述钝化接触结构由隧穿氧化层和掺杂多晶硅层构成；
在一个实施例中，
所述隧穿氧化层包括氧化硅、氧化钛、氧化铝中的一种或任几种的组合，其厚度为0.5～3.0nm；
所述掺杂多晶硅层的导电类型为N型或者P型，其厚度为30～600nm，掺杂浓度为0.1～5.0E+20cm-3。
本发明还提供了一种用于测试金属接触复合值的太阳能电池，所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、同质结构和减反射膜；或，
所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、钝化接触结构和减反射膜；
所述待测样品的前表面印刷有至少两个具有不同金属占比的栅线图形。
下面将以具体的实施例对本发明的测试金属接触复合值的方法进行详细地说明。
实施例1
(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结。
该步骤包括：
(a)、在单晶硅衬底上制备钝化接触结构：将电阻率为3.0～5.0Ω·cm、厚度为160μm的N型硅衬底11进行去损伤层处理并刻蚀或者抛光，接着将硅片置于低压化学气相沉积设备中，先通过热氧化生长一层隧穿二氧化硅层12，其厚度为1.0～1.5nm，然后双面沉积原位磷掺杂的多晶硅层131，多晶硅层的厚度为100～200nm，接着将样品进行高温退火，退火的温度为850～900℃，退火的时间为15～90min，退火后掺杂的多晶硅层131的方阻为80～110Ohm/sq，磷原子峰值掺杂浓度为1.0～4.0E+20cm-3；
(b)、双面沉积减反射膜；采用PECVD在重掺杂多晶硅层131上沉积SiNX减反射膜14，厚度为75～85nm；
(c)、在待测样品的一面印刷不同金属占比的栅线图形；栅线图形的形状为正方形，边长为3.0～6.0cm，该栅线图形由等间距连续的直线段组成，栅线的宽度为30～60μm，材料为银，不同栅线图形金属占比依次递增，丝网印刷的网版图形如图1所示，印刷完成后待测样品的结构示意图如图2所示。
(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线。该步骤包括：
(a)、配置腐蚀金属栅线的溶液：分别在两个容器中配置质量分数为63～68％的浓硝酸溶液和体积分数为2～5％的氢氟酸溶液；
(b)、将带有金属栅线的待测样品完全浸入配置好的溶液中清洗，具体为：首先，在常温下将待测样品浸入浓硝酸溶液中静置3～6h，接着在常温下将待测样品浸入配置的氢氟酸溶液中30～120s，然后将待测样品重新浸入浓硝酸溶液中3～6h；
(c)、将待测样品用去离子水洗净，并甩干或者烘干，测样品的结构示意图如图3所示。
(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值，该步骤包括：
(a)、将烘干后的待测样品置于少子寿命测试仪样品台上，并使待测样品金属化的一面朝下，未金属化的一面朝上；
(b)、分别将待测样品上具有不同金属比例图形的区域挪至样品台正中央，分别得到不同金属比例区域的总暗态饱和电流密度值，如金属占比为X1、X2、X3、X4等对应的总暗态饱和电流密度值分别为JT1、JT2、JT3、JT4等。
(4)采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。该步骤包括：
(a)、以金属占比X1、X2、X3、X4等为横坐标，与之对应的总暗态饱和电流密度值JT1、JT2、JT3、JT4等为纵坐标，绘制散点图，通过线性拟合，得到线性函数的斜率k和截距b；
根据线性函数的斜率k和截距b，以及表面复合模型，计算出金属接触复合J0,metal的值为k+b/2。
具体地，表面复合模型公式为：
JT＝χ*J0,metal+(1-χ)*J0,pass+J0,pass
公式中，JT为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J0,metal为金属接触区域的暗态饱和电流密度，J0,pass为钝化区域的暗态饱和电流密度，χ*J0,metal和(1-χ)*J0,pass为待测样品上金属化一面的表面复合值，J0,pass为待测样品上非金属化一面的表面复合值；经变形之后，上述公式(1)变为：
JT＝(J0,metal-J0,pass)*χ+2*J0,pass (2)；
根据公式(2)可得：
k＝J0,metal-J0,pass
b＝2*J0,pass
则金属接触区域暗态饱和电流密度J0,metal的值为：
J0,metal＝k+b/2，
因此，可以得到金属接触区域的复合值。
本实施例中，可以设置三个具有不同金属占比的栅线图形，并进一步使这三个具有不同金属占比的栅线图形分别随机位于四个象限区域中的任意三个象限，剩余一个象限区域不设置金属栅线图形，其中，该三个象限中的栅线图形的金属占比依次递增，例如，可以分别设置为6％、12％和18％。
测试钝化接触结构金属接触复合的数据拟合图如附图7所示，拟合决定系数达到99.99％，线性拟合得到的方程为：JT＝252*χ+26.07，即斜率k的值为252，截距b的值为26.07，计算得到的金属接触复合值为265fA/cm。
实施例2
(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结。
该步骤包括：
(a)、在单晶硅衬底上制备钝化接触结构：将电阻率为3.0～5.0Ω·cm、厚度为160μm的N型硅衬底11进行去损伤层处理并刻蚀或者抛光，接着将硅片置于硼扩散炉中进行双面硼扩散，扩散后在硅衬底表面形成双面硼同质结构132，方阻为90～100Ohm/sq，硼原子峰值掺杂浓度为1.0～2.0E+19cm-3，结深为0.8～1.1μm；
(b)、双面沉积减反射膜；采用PECVD在重掺杂多晶硅层131上沉积SiNX减反射膜14，厚度为75～85nm；
(c)、在待测样品的一面印刷不同金属占比的栅线图形；栅线图形的形状为正方形，边长为3.0～6.0cm，由等间距连续的直线段组成，栅线的宽度为30～60μm，材料为银铝，不同栅线图形金属占比依次递增，丝网印刷的网版图形如附图1所示，印刷完成后待测样品的结构示意图如图4所示。
(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线。该步骤包括：
(a)、配置腐蚀金属栅线的溶液：分别在两个容器中配置质量分数为63～68％的浓硝酸和30～35％的浓盐酸混合溶液及体积分数为2～5％的氢氟酸溶液，混合溶液中浓硝酸与浓盐酸的体积比为0.3:1～3:1；
(b)、将带有金属栅线的待测样品完全浸入配置的溶液中清洗；首先，在常温下将待测样品浸入浓硝酸与浓盐酸混合溶液中静置3～6h，接着在常温下将待测样品浸入配置的氢氟酸溶液中30～120s，然后将待测样品重新浸入浓硝酸与浓盐酸混合溶液中3～6h；
(c)、将待测样品用去离子水洗净，并甩干或者烘干，测样品的结构示意图如图5所示；
(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值，该步骤包括：
(a)、将烘干后的待测样品置于少子寿命测试仪样品台上，金属化面朝下，未金属化的一面朝上。
(b)、分别将待测样品上具有不同金属比例图形的区域挪至样品台正中央，分别得到不同金属比例区域的总暗态饱和电流密度值，如金属占比为X1、X2、X3、X4等对应的总暗态饱和电流密度值分别为JT1、JT2、JT3、JT4等。
(4)采集不同金属占比的数据、以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距、以及表面复合模型，计算出金属接触复合值。该步骤包括：
以金属占比X1、X2、X3、X4等为横坐标，与之对应的总暗态饱和电流密度值JT1、JT2、JT3、JT4等为纵坐标，绘制散点图，通过线性拟合，得到线性函数的斜率k和截距b；
根据线性函数的斜率k和截距b，以及表面复合模型，计算出金属接触复合J0,metal的值为k+b/2。
具体地，表面复合模型公式为：
JT＝χ*J0,metal+(1-χ)*J0,pass+J0,pass
公式中，JT为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J0,metal为金属接触区域的暗态饱和电流密度，J0,pass为钝化区域的暗态饱和电流密度，χ*J0,metal和(1-χ)*J0,pass为待测样品上金属化一面的表面复合值，J0,pass为待测样品上非金属化一面的表面复合值；经变形之后，上述公式(1)变为：
JT＝(J0,metal-J0,pass)*χ+2*J0,pass (2)；
根据公式(2)可得：
k＝J0,metal-J0,pass
b＝2*J0,pass
则金属接触区域暗态饱和电流密度J0,metal的值为：
J0,metal＝k+b/2，
因此，可以得到金属接触区域的复合值。
本实施例中，可以设置三个具有不同金属占比的栅线图形，并进一步使这三个具有不同金属占比的栅线图形分别随机位于四个象限区域中的任意三个象限，剩余一个象限区域不设置金属栅线图形，三个象限中的栅线图形的金属占比依次递增，例如，可以分别设置为6％、12％和18％。
测试钝化接触结构金属接触复合的数据拟合图如附图8所示，拟合决定系数R2达到99.99％，线性拟合得到的方程为JT＝583*χ+64.4，即斜率k的值为583，截距b的值为64.4，计算得到的金属接触复合值为615.2fA/cm。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (8)
1.一种测试金属接触复合值的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、在待测样品上单面印刷至少两个不同金属占比的栅线图形，并烧结；
(2)、去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形；
(3)、测试不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值；
(4)、采集不同金属占比的数据以及不同金属占比的栅线图形对应的总暗态饱和电流密度值数据，绘制散点图，得到线性函数的斜率和截距；根据所述线性函数的斜率和截距以及表面复合模型，计算出金属接触复合值；
在步骤(4)中，所述表面复合模型的计算公式为：
JT＝χ*J0,metal+(1-χ)*J0,pass+J0,pass (1)；
其中，JT为总暗态饱和电流密度，χ为栅线图形的金属占比，J0,metal为金属接触区域的暗态饱和电流密度，J0,pass为钝化区域的暗态饱和电流密度，χ*J0,metal和(1-χ)*J0,pass为待测样品上金属化一面的表面复合值，J0,pass为待测样品上非金属化一面的表面复合值；经变形之后，上述公式(1)变为：
JT＝(J0,metal-J0,pass)*χ+2*J0,pass (2)；
根据公式(2)可得：
k＝J0,metal-J0,pass
b＝2*J0,pass
则金属接触区域暗态饱和电流密度J0,metal的值为：
J0,metal＝k+b/2
其中，k为线性函数的斜率，b为线性函数的截距。
2.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述待测样品的前表面印刷有三个具有不同金属占比的栅线图形；其中，
以太阳能电池片中心为原点，沿太阳能电池片的纵向中线和横向中线将太阳能电池片分割成四个象限，所述具有不同金属占比的三个栅线图形分别位于所述四个象限中的任意三个中。
3.根据权利要求2所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述具有不同金属占比的三个栅线图形的金属占比面积呈等差数列递增；每个所述栅线图形金属占比的范围为1％～20％。
4.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述栅线图形设置为连续的直线状、不连续的线段状或点状，所述连续的直线状的栅线图形的宽度与不连续的线段状的栅线图形的宽度和点状栅线图形的直径相同；所述连续的直线状的栅线图形的宽度、不连续的线段状的栅线图形的宽度或点状栅线图形的直径均为30～60μm。
5.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述待测样品为具有双面对称结构的太阳能电池片。
6.根据权利要求5所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、同质结构和减反射膜；或，
所述待测样品的前表面和背表面由内到外均依次包括硅衬底、钝化接触结构和减反射膜。
7.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(2)中，去除待测样品上所述不同金属占比的栅线图形的方法为溶液腐蚀法；腐蚀溶液为盐酸、硝酸、氢氟酸中的一种或者任几种的混合，腐蚀时间为4-24h。
8.根据权利要求1所述的测试金属接触复合值的方法，其特征在于，在步骤(3)中：将待测样品上金属化的一面朝下，并将待测样品的栅线图形区域放置在测试仪样品台中心。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010464927.6A CN111641387B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010464927.6A CN111641387B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111641387A CN111641387A (zh) | 2020-09-08 |
| CN111641387B true CN111641387B (zh) | 2023-09-26 |
Family
ID=72332427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010464927.6A Active CN111641387B (zh) | 2020-05-28 | 2020-05-28 | 一种测试金属接触复合值的方法及太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111641387B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112701190B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-02-15 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种太阳能电池金属化接触复合电流的测试方法 |
| CN113241308B (zh) * | 2021-04-30 | 2023-07-25 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法 |
| CN113270336B (zh) * | 2021-05-21 | 2024-02-13 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | Se-perc电池正银的测试方法及系统 |
| CN113707570B (zh) * | 2021-08-25 | 2023-09-15 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种测试金属接触复合值的方法及网版图形 |
| CN115728273A (zh) * | 2021-08-31 | 2023-03-03 | 环晟光伏(江苏)有限公司 | 一种采用pl表征太阳电池金属复合的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108120869A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-05 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法 |
| CN109494168A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-03-19 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 一种晶硅太阳能电池金属化栅线电性能测试方法 |
| CN109714000A (zh) * | 2018-12-25 | 2019-05-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版 |
| CN110993726A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-04-10 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池片的印刷工艺 |
-
2020
- 2020-05-28 CN CN202010464927.6A patent/CN111641387B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108120869A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-05 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法 |
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| Title |
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|---|---|
| CN111641387A (zh) | 2020-09-08 |
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |