CN111638628B - 纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板，以有效地解决由于段差的存在而导致的压印残胶厚度不均或者脱离的问题。该制备方法包括：S1：提供一基底，基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；S2：在基底上形成保护层，保护层位于保护区域；S3：形成压印胶层，并将压印胶层上的压印图案转移至压印胶层下方的结构层上；S4：去除压印胶层；其中，当保护层的厚度小于3倍的连接部的厚度时，在步骤S2中，保护层与非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；当保护层的厚度大于或等于3倍的连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成平坦层后的结构上形成压印胶层。

Description

纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板。

背景技术

纳米压印技术是一种光刻技术之外的重要薄膜图案化技术，主要包括热压印、紫外压印和微接触压印。其图案化原理可以描述为：在热或者紫外照射下将预先制备的有图案的模版压在压印胶上，再通过脱模、刻蚀多余胶、刻蚀和去胶等工艺，制备与模版互补的图案。

在纳米压印工艺中，由于待压印的膜层根据设计要求需要具有或高或低的段差，为形成或高或低的段差，在进行图案化时，常常对一些区域进行保护，使另一些区域裸露出来，此时被保护的区域与未被保护的区域就会形成段差。

因此，在被保护的区域与未被保护的区域的邻接位置经常出现压印残胶厚度不一样的问题，位于邻接位置的压印残胶的厚度要远大于位于非邻接位置(正常位置)的压印残胶的厚度，如此将会影响后续的干刻工艺，造成干刻后的图形形貌不一致，压印胶光栅图形能够在正常位置成功转移到下层图形，而在被保护的区域与未被保护的区域的邻接位置由于压印残胶太厚无法完成压印胶光栅的图形转移；不仅如此，如果位于邻接位置的压印残胶的厚度达到一定程度，还会直接导致压印后脱模时，压印残胶产生脱离，即基底上的压印胶丢失，粘附到模版上。

发明内容

本申请提供一种纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板，以有效地解决由于段差的存在而导致的压印残胶厚度不均或者脱离的问题。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种纳米图案的制备方法，包括以下步骤：

S1：提供一基底，所述基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；

S2：在所述基底上形成保护层，所述保护层位于保护区域；

S3：形成压印胶层，并将所述压印胶层上沿所述第一方向依次重复排列的凸起部以及连接部所形成的压印图案转移至所述压印胶层下方的结构层上；

S4：去除所述压印胶层；

其中，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S2中，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；

当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成所述保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成所述平坦层后的结构上形成压印胶层。

可选的，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端形成有多个厚度呈依次递增的台阶。

可选的，相邻的所述台阶之间的厚度差为10nm～20nm；和/或，

每一所述台阶沿所述第一方向的长度均不小于300nm。

可选的，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面为一斜面，且所述斜面由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向向远离所述基底方向斜向延伸。

可选的，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面与所述基底所在的平面形成一夹角，所述夹角为0.3度～1.0度。

可选的，所述斜面沿所述第一方向的长度不小于300nm。

可选的，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度的逐渐增加；或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始保护层，并减薄所述初始平坦层形成所述保护层。

可选的，当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在形成所述保护层后的结构上形成平坦层包括：

所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上，所述平坦层远离所述基底的一侧为一平面；

或者，所述平坦层仅形成于所述非保护区域的所述基底上，且与所述保护层邻接，所述平坦层远离所述基底的一侧与所述保护层远离所述基底的一侧位于同一平面。

可选的，当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，且当所述平坦层位于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上时，所述平坦层位于所述非保护区域的厚度为所述保护层的厚度的1.5倍～3倍。

可选的，在形成所述保护层后的结构上形成平坦层中，包括：

当所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上时，通过两次曝光分别形成位于所述非保护区域的所述基底上的所述保护层、以及位于所述保护区域的所述保护层上的所述保护层，或者，通过单次半掩膜版曝光工艺同时形成所述非保护区域的所述基底上的所述保护层、以及位于所述保护区域的所述保护层上的所述保护层，或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始平坦层，并减薄所述初始平坦层形成所述平坦层；

当所述平坦层仅形成于所述非保护区域的所述基底上，通过单次曝光形成所述平坦层，或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始平坦层，并减薄所述初始平坦层形成所述平坦层。

可选的，所述保护层的材料为金属、氧化物、氮化物、金属氧化物、或者有机胶材；和/或，

所述平坦层的材料为有机胶材。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种纳米压印基板，所述纳米压印基板采用如上所述的制备方法制作而成。

根据本申请实施例的第三方面，提供一种显示基板，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如上所述的制备方法制作而成。

上述实施例的纳米图案的制备方法、纳米压印基板、显示基板，当保护层的厚度为压印胶层的连接部的厚度的3倍以内时，通过设置保护层与非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加，能够使压印胶层从基底的上表面到保护层最厚处的上表面有一个逐渐过渡的过程，从而能够解决压印胶层位于不同区域厚度不均的问题；当保护层的厚度为压印胶层的连接部的厚度的3倍以及大于3倍时，通过设置保护层，以使压印胶层形成于一个平整的平面上，从而避免了压印胶层产生脱离。

附图说明

图1(a)-图1(d)是本申请的实施例1的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。

图2是本申请的实施例1的纳米压印基板的局部截面结构示意图。

图3是本申请的实施例1的纳米压印基板的另一实施方式的局部截面结构示意图。

图4是本申请的实施例2的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。

图5是本申请实施例2的纳米压印基板的局部截面结构示意图。

图6(a)-图6(b)是本申请的实施例3的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。

图7是本申请实施例3的纳米压印基板的局部截面结构示意图。

图8(a)-图8(b)是本申请的实施例4的纳米压印基板的制备方法的工艺流程图。

图9是本申请的实施例4的纳米压印基板的局部截面结构示意图。

附图标记说明

纳米压印基板 1

基底 10

保护区域 10a

非保护区域 10b

保护层 20

台阶 21

第一台阶 211

第二台阶 212

第三台阶 213

斜面 22

压印胶层 30

凸起部 31

连接部 32

平坦层 40

夹角 α

厚度方向 T

第一方向 L

凸起部的厚度 t1

连接部的厚度 t2

保护层的厚度 t3

平坦层位于非保护区域的厚度 t4

台阶沿第一方向的长度 l1

斜面沿第一方向的长度 l2

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个，相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

实施例1

如图1(a)-图1(d)所示，本申请的实施例1提供一种纳米图案的制备方法，纳米图案的制备方法用于制备纳米压印基板1，该制备方法包括以下步骤：

步骤100：提供一基底，所述基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；

步骤200：在所述基底上形成保护层，所述保护层位于保护区域；

步骤300：形成压印胶层，并将所述压印胶层上沿所述第一方向依次重复排列的凸起部以及连接部所形成的压印图案转移至所述压印胶层下方的结构层上；

步骤400：去除所述压印胶层；

其中，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S200中，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加。

在步骤100中，如图1(a)所示，在提供一基底10，基底10沿第一方向L包括保护区域10a和非保护区域10b。第一方向L可以是纳米压印基板1的长度方向，也可以是纳米压印基板1的宽度方向。

在步骤200中，如图1(b)所示，沿厚度方向T，在基底10上形成保护层20，保护层20位于保护区域10a。具体地，在步骤200中，通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现形成多个台阶21，以达到保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度的逐渐增加的效果，其中，多次曝光的次数与台阶21的数量相对应；或者，通过在非保护区域10b的基底10上、以及保护区域10a的保护层20上形成初始保护层20，并减薄初始平坦层40形成保护层20。

保护层20的具体结构与形成在后面步骤中形成在其上的压印胶层的连接部的厚度有关联，当保护层的厚度t3小于3倍的连接部的厚度时，由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向，保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度逐渐增加。需要说明的是，保护层的厚度t3指保护层20的最厚位置的厚度。

这样，通过设置保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度逐渐增加，能够使压印胶层30从基底10的上表面到保护层20最厚处的上表面有一个逐渐过渡的过程，从而能够解决压印胶层30位于不同区域厚度不均的问题。

具体的，通过在由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向，保护层20与非保护区域10b邻接的一端形成有多个厚度呈依次递增的台阶21，来实现保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度的逐渐增加。其中，距离非保护区域10b最远的台阶21的厚度与保护层20最厚位置的厚度相同。台阶21的数量可以根据设计的需要进行调整，在本实施例中，台阶21的数量为三个。由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向分别即为第一台阶211、第二台阶212以及第三台阶213，第一台阶211、第二台阶212以及第三台阶213的厚度依次递增。

较佳的，相邻的台阶21之间的厚度差为10nm～20nm，以提供一个较为小的落差，以避免形成在其上的压印胶层30不会在基底10与其最临近的台阶21的连接处、以及相邻的台阶21的连接处产生明显的厚度差别，从而干刻后光栅形貌也没有明显差别。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整相邻的台阶21之间的厚度差为其他数值。

在本实施例中，压印胶层30的凸起部31的厚度为120nm，需要的连接部的厚度t2是30nm，如上所述，通过设置第一台阶211、第二台阶212以及第三台阶213三个台阶21来实现过渡，最左边的第一台阶211的厚度为20nm，中间的第二台阶212的厚度为40nm，最右边第三台阶213的厚度为60nm。不同厚度台阶21的制作可以通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现，是成熟的工艺，在此不做详细设定。其中，多次曝光的次数与台阶21的数量相对应。

较佳的，每一台阶21沿第一方向L的长度l1均不小于300nm，以使压印胶层30在每一台阶21上有一个较长的缓冲。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整台阶21沿第一方向L的长度l1为其他数值；根据设计需要，台阶21沿第一方向L的长度l1可以相互相同也可以相互不相同。

在本实施例中，保护层20的材料为金属、氧化物、氮化物、金属氧化物、或者有机胶材。

在步骤300中，如图1(c)所示，形成压印胶层30，并将压印胶层30上沿第一方向L依次重复排列的凸起部31以及连接部32所形成的压印图案转移至压印胶层30下方的结构层上(即基底10的非保护区域10b上)。具体的，沿厚度方向T，在保护层20上、以及基底10的非保护区域10b上形成压印胶层30，即压印胶层30位于保护区域10a和非保护区域10b。压印胶层30上沿第一方向L包括依次重复排列的凸起部31以及连接部32所形成的压印图案，凸起部的厚度t1大于连接部的厚度t2。压印胶层30沿第一方向L的依次重复排列的凸起部31以及连接部32所形成的压印图案即为待通过刻蚀工艺转移的光栅形貌。

在步骤400中，如图1(d)所示，去除压印胶层30，制得纳米压印基板1。制得的纳米压印基板1的基底10的非保护区域10b上形成有与其上方压印胶层30的压印图案相对应的图案(图中未标示)。

如图2所示，本实施例还提供一种纳米压印基板1，该纳米压印基板1采用本实施例的制备方法制作而成。该纳米压印基板1沿厚度方向T包括基底10、以及层叠于基底10上的保护层，基底10沿第一方向L包括保护区域10a和非保护区域10b，保护层20位于保护区域10a，由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向，保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度逐渐增加。基底10的非保护区域10b上形成有与其上方已去除的压印胶层的压印图案相对应的图案(图中未标示)。这样，通过设置保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度逐渐增加，能够使压印胶层从基底10的上表面到保护层20最厚处的上表面有一个逐渐过渡的过程，从而能够解决压印胶层位于不同区域厚度不均的问题。

具体的，通过设置由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向，保护层20与非保护区域10b邻接的一端包括多个厚度呈依次递增的台阶21，来实现保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度的逐渐增加。其中，距离非保护区域10b最远的台阶21的厚度与保护层20最厚位置的厚度相同。台阶21的数量可以根据设计的需要进行调整，在本实施例中，台阶21的数量为三个。由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向分别即为第一台阶211、第二台阶212以及第三台阶213，第一台阶211、第二台阶212以及第三台阶213的厚度依次递增。

较佳的，相邻的台阶21之间的厚度差为10nm～20nm，以提供一个较为小的落差，以避免形成在其上的压印胶层不会在基底10与其最临近的台阶21的连接处、以及相邻的台阶21的连接处产生明显的厚度差别，从而干刻后光栅形貌也没有明显差别。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整相邻的台阶21之间的厚度差为其他数值。

较佳的，每一台阶21沿第一方向L的长度l1均不小于300nm，以使压印胶层在每一台阶21上有一个较长的缓冲。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整台阶21沿第一方向L的长度l1为其他数值；根据设计需要，台阶21沿第一方向L的长度l1可以相互相同也可以相互不相同。

在本实施例中，保护层20的材料为金属、氧化物、氮化物、金属氧化物、或者有机胶材。

需要说明的是，如图3所示，在另一实施方式中，基底10沿第一方向L包括非保护区域10b、保护区域10a、非保护区域10b，位于保护区域10a的保护层20的两端均与非保护区域10b邻接，从而在保护层20的两端均形成有多个厚度逐渐增加的台阶21，以使压印胶层从基底10的上表面到保护层20最厚处的上表面有一个逐渐过渡的过程，从而能够解决压印胶层位于不同区域厚度不均的问题。

本实施例还提供一种显示基板，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如上所述的制备方法制作而成。

实施例2

本实施例2还提供一种纳米图案的制备方法，该制备方法与实施例1的制备方法基本相同，其不同之处在于：

当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤200中，如图4所示，保护层20与非保护区域10b邻接的一端的上表面为一斜面22，且斜面22由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向向远离基底10方向斜向延伸，来实现保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度逐渐增加。

这样，通过设置保护层20与非保护区域10b邻接的一端的上表面为一斜面22，以使形成在其上的压印胶层能从基底10上平缓地过渡至保护层的厚度t3最大的位置，从而能够解决压印胶层位于不同区域厚度不均的问题。

较佳的，保护层20与非保护区域10b邻接的一端的上表面与基底10所在的平面形成一夹角α，夹角α为0.3度～1.0度。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整夹角为其他度数。

较佳的，斜面22沿第一方向L的长度l2不小于300nm，以使压印胶层在斜面22上有一个较长的缓冲。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整斜面22沿第一方向L的长度l2为其他数值。

通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现形成斜面22，以达到所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度的逐渐增加的效果；或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始保护层，并减薄所述初始平坦层形成所述保护层。

如图5所示，本实施例还提供一种纳米压印基板1，该纳米压印基板1采用本实施例的制备方法制作而成。该纳米压印基板1与实施例1中的纳米压印基板的结构基板相同，其不同之处在于：保护层20与非保护区域10b邻接的一端的上表面为一斜面22，且斜面22由靠近非保护区域10b至远离非保护区域10b方向向远离基底10方向斜向延伸，来实现保护层20与非保护区域10b邻接的一端的厚度逐渐增加。

这样，通过设置保护层20与非保护区域10b邻接的一端的上表面为一斜面22，以使形成在其上的压印胶层能从基底10上平缓地过渡至保护层的厚度t3最大的位置，从而能够解决压印胶层位于不同区域厚度不均的问题。

较佳的，保护层20与非保护区域10b邻接的一端的上表面与基底10所在的平面形成一夹角α，夹角α为0.3度～1.0度。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整夹角为其他度数。

较佳的，斜面22沿第一方向L的长度l2不小于300nm，以使压印胶层在斜面22上有一个较长的缓冲。但不限于此，在其他实施例中，根据设计需要，也可以调整斜面22沿第一方向L的长度l2为其他数值。

本实施例还提供一种显示基板，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如上所述的制备方法制作而成。

实施例3

本实施例提供一种纳米图案的制备方法，该制备方法与实施例1的制备方法基本相同，其不同之处在于：

当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S300之前，还包括：

步骤S210：在形成所述保护层后的结构上形成平坦层；及

在步骤S300中，包括在形成所述平坦层后的结构上形成压印胶层。

在步骤S210中，如图6(a)所示，平坦层40形成于非保护区域10b的基底10上、以及保护区域10a的保护层20上，平坦层40远离基底10的一侧为一平面50。即，平坦层40位于非保护区域10b的厚度t4等于保护层的厚度t3与平坦层40位于保护区域10b的厚度之和。

具体的，通过两次曝光分别形成位于非保护区域10b的基底10上的保护层20、以及位于保护区域10a的保护层20上的保护层20，以使平坦层40远离基底10的一侧为一平面50；或者，通过单次半掩膜版曝光工艺同时形成非保护区域10b的基底10上的保护层20、以及位于保护区域10a的保护层20上的保护层20，以使平坦层40远离基底10的一侧为一平面50；或者，通过在非保护区域10b的基底10上、以及保护区域10a的保护层20上形成初始平坦层(图中未标示)，并减薄所述初始平坦层形成平坦层40，其中，所述初始平坦层的厚度为保护层的厚度t3的5倍～10倍。

形成的平坦层40位于非保护区域10b的厚度t4为保护层的厚度t3的1.5倍～3倍。需要说明的是，如果平坦层的厚度t4过厚会导致吸收增加，会使这整个纳米压印基板1的透过率下降，显然这对于任何产品都是不利的。因此，通过设置平坦层的厚度t4范围，以避免胶材厚度过厚，提高产品的性能。平坦层40的材料为有机胶材。

在步骤S300中，如图6(b)所示，在形成平坦层40后的结构上形成压印胶层30，即，在平面50上形成的压印胶层30。

需要说明的是，在本实施例中，由于压印胶层30是形成在平坦层40上的，因此，最后是在位于基底10的非保护区域10b的平坦层40上形成与其上方压印胶层30的压印图案相对应的图案(图中未标示)，制得纳米压印基板1。

在本实施例中，当保护层的厚度t3大于或等于3倍的连接部的厚度t2的情况，属于保护层20与基底10之间的落差较大的情况，此时，通过改变保护层20与非保护区域10b邻接的一端的结构不能完全达到缓冲落差的效果，因此，通过设置平坦层40，而达到提供一个平面的目的，以使压印胶层30形成于一个平整的平面上，从而避免了压印胶层30产生脱离。

如图7所示，本实施例还提供一种纳米压印基板1，该纳米压印基板1采用本实施例的制备方法制作而成。本实施例的纳米压印基板1的整体结构基本和实施例1中的结构相同，其不同的之处在于，纳米压印基板1还包括平坦层40，平坦层40位于非保护区域10b的基底10上、以及保护区域10a的保护层20上，平坦层40远离基底10的一侧为一平面50。即，平坦层40位于非保护区域10b的厚度t4等于保护层的厚度t3与平坦层40位于保护区域10b的厚度之和。

位于基底10的非保护区域10b的平坦层40上形成有与其上方已去除的压印胶层的压印图案相对应的图案(图中未标示)。

具体的，平坦层40位于非保护区域10b的厚度t4为保护层的厚度t3的1.5倍～3倍。需要说明的是，如果平坦层的厚度t4过厚会导致吸收增加，会使这整个纳米压印基板1的透过率下降，显然这对于任何产品都是不利的。因此，通过设置平坦层的厚度t4范围，以避免胶材厚度过厚，提高产品的性能。平坦层40的材料为有机胶材。

在本实施例中，当保护层的厚度t3大于或等于3倍的连接部的厚度t2的情况，属于保护层20与基底10之间的落差较大的情况，此时，通过改变保护层20与非保护区域10b邻接的一端的结构不能完全达到缓冲落差的效果，因此，通过设置保护层20，而达到提供一个平面的目的，以使压印胶层30形成于一个平整的平面上，从而避免了压印胶层30产生脱离。

本实施例还提供一种显示基板，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如上所述的制备方法制作而成。

实施例4

本实施例提供一种纳米图案的制备方法，该制备方法与实施例3的制备方法基本相同，其不同之处在于：

在步骤S210中，如图8(a)所示，平坦层40仅形成于非保护区域10b的基底10上，且与保护层20邻接，平坦层40远离基底10的一侧与保护层20远离基底10的一侧位于同一平面50。平坦层40远离基底10的一侧与保护层20远离基底10的一侧位于同一平面50，即，平坦层的厚度t4与保护层的厚度t3相同。

具体地，通过单次曝光形成平坦层40，或者，通过在非保护区域10b的基底10上、以及保护区域10a的保护层20上形成初始平坦层(图中未标示)，并减薄所述初始平坦层形成平坦层40，其中，所述初始平坦层的厚度为保护层的厚度t3的5倍～10倍。

这样，同样通过设置平坦层40，而达到提供一个平面的目的，以使压印胶层30形成于一个平整的平面上，从而避免了压印胶层30产生脱离。

在步骤S300中，如图8(b)所示，在形成平坦层40后的结构上形成压印胶层30，即，在平面50上形成的压印胶层30。

如图9所示，本实施例还提供一种纳米压印基板1，该纳米压印基板1采用本实施例的制备方法制作而成。该纳米压印基板1的整体结构基本和实施例3中的结构相同，其不同的之处在于，平坦层40仅位于非保护区域10b的基底10上，且与保护层20邻接，平坦层40远离基底10的一侧与保护层20远离基底10的一侧位于同一平面50。平坦层40远离基底10的一侧与保护层20远离基底10的一侧位于同一平面50，即，平坦层的厚度t4与保护层的厚度t3相同。

位于基底10的非保护区域10b的平坦层40上形成有与其上方已去除的压印胶层的压印图案相对应的图案(图中未标示)。

这样，同样通过设置平坦层40，而达到提供一个平面的目的，以使压印胶层形成于一个平整的平面上，从而避免了压印胶层产生脱离。

本实施例还提供一种显示基板，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如上所述的制备方法制作而成。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (13)

1.一种纳米图案的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供一基底，所述基底沿第一方向包括保护区域和非保护区域；

S2：在所述基底上形成保护层，所述保护层位于保护区域；

S3：形成压印胶层，并将所述压印胶层上沿所述第一方向依次重复排列的凸起部以及连接部所形成的压印图案转移至所述压印胶层下方的结构层上；

S4：去除所述压印胶层；

其中，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S2中，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度逐渐增加；

当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在步骤S3之前，还包括在形成所述保护层后的结构上形成平坦层，在步骤S3中包括在形成所述平坦层后的结构上形成压印胶层。

2.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端形成有多个厚度依次递增的台阶。

3.如权利要求2所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，相邻的所述台阶之间的厚度差为10nm～20nm；和/或，

每一所述台阶沿所述第一方向的长度均不小于300nm。

4.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面为一斜面，且所述斜面由靠近所述非保护区域至远离所述非保护区域方向向远离所述基底方向斜向延伸。

5.如权利要求4所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的上表面与所述基底所在的平面形成一夹角，所述夹角为0.3度～1.0度。

6.如权利要求4所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，所述斜面沿所述第一方向的长度不小于300nm。

7.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度小于3倍的所述连接部的厚度时，通过多次曝光或者单次半掩膜版曝光工艺实现所述保护层与所述非保护区域邻接的一端的厚度的逐渐增加；或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始保护层，并减薄所述初始平坦层形成所述保护层。

8.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述保护层的厚度大于或等于3倍的所述连接部的厚度时，在形成所述保护层后的结构上形成平坦层包括：

所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上，所述平坦层远离所述基底的一侧为一平面；

或者，所述平坦层仅形成于所述非保护区域的所述基底上，且与所述保护层邻接，所述平坦层远离所述基底的一侧与所述保护层远离所述基底的一侧位于同一平面。

9.如权利要求8所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，当所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上时，所述平坦层位于所述非保护区域的厚度为所述保护层的厚度的1.5倍～3倍。

10.如权利要求8所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，在形成所述保护层后的结构上形成平坦层中，包括：

当所述平坦层形成于所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上时，通过两次曝光分别形成位于所述非保护区域的所述基底上的所述保护层、以及位于所述保护区域的所述保护层上的所述保护层，或者，通过单次半掩膜版曝光工艺同时形成所述非保护区域的所述基底上的所述保护层、以及位于所述保护区域的所述保护层上的所述保护层，或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始平坦层，并减薄所述初始平坦层形成所述平坦层；

当所述平坦层仅形成于所述非保护区域的所述基底上，通过单次曝光形成所述平坦层，或者，通过在所述非保护区域的所述基底上、以及所述保护区域的所述保护层上形成初始平坦层，并减薄所述初始平坦层形成所述平坦层。

11.如权利要求1所述的纳米图案的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为金属、氧化物、氮化物、金属氧化物、或者有机胶材；和/或，

所述平坦层的材料为有机胶材。

12.一种纳米压印基板，其特征在于，所述纳米压印基板采用如权利要求1～11任一项所述的制备方法制作而成。

13.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板具有纳米图案，所述纳米图案采用如权利要求1-11任一项所述的制备方法制作而成。