CN111627972B - 一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 241000425571 Trepanes Species 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N alumane;molybdenum Chemical compound [AlH3].[Mo] ZXTFQUMXDQLMBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置,包括:衬底基板,依次位于衬底基板上的晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和像素界定层;其中,反射电极包括第一分部和第二分部,且第一分部通过贯穿钝化层的过孔与晶体管的漏极电连接,第二分部通过贯穿平坦层的沟槽与阳极电连接;像素界定层包括像素开口,第一分部在衬底基板上的正投影被像素开口的正投影所覆盖,第二分部在衬底基板上的正投影被像素界定层的正投影所覆盖。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置。
背景技术
近来大尺寸OLED显示器件因其高对比度、自发光等优点逐渐成为显示行业发展主流。然而,在OLED显示器件中,如图1所示,包括自下而上依次设置的衬底基板101、晶体管(具体包括有源层、栅极、源极和漏极102)、钝化层103、平坦层104、反射阳极(具体包括反射电极105和氧化铟锡材质的阳极106),其中,反射阳极通过位于晶体管的漏极102正上方且贯穿平坦层104与钝化层103的套孔与晶体管的漏极102电连接,导致反射阳极在套孔处呈现一个大凹坑,为了保证后续发光层蒸镀或者打印的均一性,像素开口需要避开套孔,这就大大限制了像素开口的大小,使像素开口率非常低。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置,用以提高显示面板的像素开口率。
因此,本发明实施例提供的一种显示基板,包括:衬底基板,依次位于所述衬底基板上的晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和像素界定层;其中,
所述反射电极包括第一分部和第二分部,且所述第一分部通过贯穿所述钝化层的过孔与所述晶体管的漏极电连接,所述第二分部通过贯穿所述平坦层的沟槽与所述阳极电连接;
所述像素界定层包括像素开口,所述第一分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素开口的正投影所覆盖,所述第二分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素界定层的正投影所覆盖。
可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述沟槽在所述衬底基板上的正投影至少局部包围所述像素开口在所述衬底基板上的正投影。
可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述沟槽包括:多个子沟槽,各所述子沟槽之间相互断开。
可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述沟槽包括:多个子沟槽,各所述子沟槽为一体结构。
可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述沟槽在所述衬底基板上的正投影被所述阳极的正投影所覆盖。
可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述沟槽在所述衬底基板上的正投影与所述阳极的正投影部分重叠。
可选地,在本公开实施例提供的上述显示基板中,所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述晶体管的漏极的正投影内。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括上述显示基板。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和具有像素开口的像素界定层;其中,
所述反射电极包括第一分部和第二分部;所述第一分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素开口的正投影所覆盖,且所述第一分部通过贯穿所述钝化层的过孔与所述晶体管的漏极电连接;所述第二分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素界定层的正投影所覆盖,且所述第二分部通过贯穿所述平坦层的沟槽与所述阳极电连接。
本发明有益效果如下:
本发明实施例提供的一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置,包括:衬底基板,依次位于衬底基板上的晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和像素界定层;其中,反射电极包括第一分部和第二分部,且第一分部通过贯穿钝化层的过孔与晶体管的漏极电连接,第二分部通过贯穿平坦层的沟槽与阳极电连接;像素界定层包括像素开口,第一分部在衬底基板上的正投影被像素开口的正投影所覆盖,第二分部在衬底基板上的正投影被像素界定层的正投影所覆盖。通过将反射电极设置在钝化层与平坦层之间,并利用反射电极实现阳极与晶体管的漏极的电连接,使得通过反射电极搭接阳极与晶体管的漏极的沟槽可相对于现有技术中搭接阳极、反射电极与晶体管的漏极的套孔远离像素区域的中心区设置,从而增大了像素开口率。
附图说明
图1为相关技术中显示基板的剖面结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示基板的一种俯视结构示意图;
图3为沿图2中I-I’的剖面结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示基板的一种俯视结构示意图;
图5为沿图4中II-II’的剖面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视结构示意图;
图7为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视结构示意图;
图8为本发明实施例提供的显示基板的又一种俯视结构示意图;
图9为沿图6中III-III’、图7中IV-IV’和图8中V-V’的剖面结构示意图;
图10至图13分别为图3所示显示基板在制作过程中的结构示意图;
图14至图17分别为图9所示显示基板在制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明实施例提供的一种显示基板,如图2和图3所示,包括:衬底基板101,依次位于衬底基板101上的晶体管(包括有源层、栅极、源极和漏极102)、钝化层103、反射电极105、平坦层104、阳极106和像素界定层107;其中,反射电极105包括第一分部和第二分部,且第一分部通过贯穿钝化层103的过孔与晶体管的漏极102电连接,第二分部通过贯穿平坦层104的沟槽与阳极106电连接;
像素界定层107包括像素开口K,第一分部在衬底基板101上的正投影被像素开口K的正投影所覆盖,第二分部在衬底基板101上的正投影被像素界定层107的正投影所覆盖。
在本发明实施例提供的上述显示基板中,通过将反射电极105设置在钝化层103与平坦层104之间,并利用反射电极105实现阳极106与晶体管的漏极102的电连接,使得通过反射电极105搭接阳极106与晶体管的漏极102的沟槽可相对于现有技术中搭接阳极106、反射电极105与晶体管的漏极102的套孔远离像素区域的中心区设置,从而增大了像素开口率。具体地,相关技术中的像素开口率一般约为40%,而在本发明中的像素开口率可达约62%。
具体地,反射电极105的材质可以为钼铝合金(MoAl)、铝(Al)或其他反射率高且导电性优良的材料,阳极107的材质可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,沟槽在衬底基板101上的正投影至少局部包围像素开口K在衬底基板101上的正投影。由于反射电极105的第二分部通过沟槽与阳极电连接,因此,沟槽在衬底基板101上的正投影至少局部包围像素开口K在衬底基板101上的正投影,相当于被沟槽暴露出的反射电极105在衬底基板101上的正投影至少局部包围像素开口在衬底基板101上的正投影。具体地,如图2至图5所示,沟槽在衬底基板101上的正投影包围像素开口K在衬底基板101上的正投影,即沟槽为四周型结构;或者,如图6所示,沟槽在衬底基板101上的正投影半包围像素开口K在衬底基板101上的正投影,即沟槽为“Γ”型结构;或者,如图7所示,沟槽在衬底基板101上的正投影单边包围像素开口K在衬底基板101上的正投影,即沟槽为一字型结构。当然,沟槽的形状和位置具体还可以根据实际需求进行设计,并不限于上述形状与位置。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,沟槽包括:多个子沟槽;各子沟槽之间相互断开,如图8所示;或者,如图2、图4、图6和图7所示,各子沟槽为一体结构。在本发明中各子沟槽之间相互断开或为一体结构均可以暴露出部分反射电极105,实现后续阳极107与被暴露出反射电极105的电连接。
需要说明的是,在本发明实施例提供的上述显示基板中,相较于图2所示在像素开口K的局部边界设置沟槽的实施例,在图9所示仅在像素开口K的局部边界设置沟槽的实施例中,后续蒸镀或打印形成的发光层不必在未设置沟槽的边界处避让,因此,图9所示实施例的像素开口K大于图2所示实施例的像素开口K。
可选地,在本发明实施例提供的上述显示基板中,如图2和图3所示,沟槽在衬底基板101上的正投影与阳极106的正投影部分重叠,或者如图4和图5所示,沟槽在衬底基板101上的正投影被阳极106的正投影所覆盖。换句话说,阳极106通过部分填充或完全填充沟槽来实现与反射电极105的电连接。
可选地,在本公开实施例提供的显示基板中,过孔在衬底基板101上的正投影位于晶体管的漏极102的正投影内,以实现反射电极105与晶体管的漏极102之间的良好电连接。
相应地,针对本发明实施例提供的上述显示基板,本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
提供一衬底基板;
在衬底基板上依次形成晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和具有像素开口的像素界定层;其中,
反射电极包括第一分部和第二分部;第一分部在衬底基板上的正投影被像素开口的正投影所覆盖,且第一分部通过贯穿钝化层的过孔与晶体管的漏极电连接;第二分部在衬底基板上的正投影被像素界定层的正投影所覆盖,且第二分部通过贯穿平坦层的沟槽与阳极电连接。
以下将针对图3和图9所示结构的显示基板的制作过程进行详细说明。
具体地,图3所示显示基板的制作过程具体如下:
在衬底基板101上依次形成遮光层(图中未示出)、缓冲层(图中未示出)晶体管和钝化层103,其中晶体管包括有源层(图中未示出)、栅绝缘层(图中未示出)、栅极(图中未示出)、层间介电层(图中未示出)、源极(图中未示出)和漏极102,在漏极102上方具有贯穿钝化层103的过孔H,如图10和图11所示;
在钝化层103上依次形成反射电极105和平坦层104,其中平坦层104上具有沟槽G,如图12和图13所示;
在平坦层104上依次形成阳极106和像素界定层107通过贯穿平坦层104的沟槽与反射电极105电连接,如图2和图3所示。
至此完成了图3所示显示基板的制作。
具体地,图9所示显示基板的制作过程具体如下:
在衬底基板101上依次形成遮光层(图中未示出)、缓冲层(图中未示出)晶体管和钝化层103,其中晶体管包括有源层(图中未示出)、栅绝缘层(图中未示出)、栅极(图中未示出)、层间介电层(图中未示出)、源极(图中未示出)和漏极102,在漏极102上方具有贯穿钝化层103的过孔H,如图10和图11所示;
在钝化层103上依次形成反射电极105和平坦层104,其中平坦层104上具有沟槽G,如图14至图17所示;
在平坦层104上依次形成阳极106和像素界定层107通过贯穿平坦层104的沟槽与反射电极105电连接,如图6至图9所示。
至此完成了图9所示显示基板的制作。
另外,一般在完成像素界定层107的制作之后,还可以通过蒸镀工艺或喷墨打印工艺来制作发光层(EL),通过磁控溅射工艺来制作阴极、通过沉积工艺制作薄膜封装层。可选地,薄膜封装层包括两层无机层和位于无机层之间的有机层。
需要说明的是,在本发明实施例提供的上述制作方法中,形成各层结构涉及到的构图工艺,不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程,还可以包括其他工艺过程,具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准,在此不做限定。例如,在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。
其中,沉积工艺可以为化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法,在此不做限定;掩膜工艺中所用的掩膜板可以为半色调掩膜板(Half ToneMask)、单缝衍射掩模板(Single Slit Mask)或灰色调掩模板(Gray Tone Mask),在此不做限定;刻蚀可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀,在此不做限定。
基于同一发明构思,本发明实施例提供了一种显示面板,包括本发明实施例提供的上述显示基板。该显示面板可以为OLED显示面板或QLED显示面板。显示面板还可以包括与显示基板相对而置的保护盖板,对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。另外,由于该显示面板解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似,因此,本发明实施例提供的该显示面板的实施可以参见本发明实施例提供的上述显示基板的实施,重复之处不再赘述。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示面板,该显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。另外,由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板解决问题的原理相似,因此,该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例,重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的上述显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置,包括:衬底基板,依次位于衬底基板上的晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和像素界定层;其中,反射电极包括第一分部和第二分部,且第一分部通过贯穿钝化层的过孔与晶体管的漏极电连接,第二分部通过贯穿平坦层的沟槽与阳极电连接;像素界定层包括像素开口,第一分部在衬底基板上的正投影被像素开口的正投影所覆盖,第二分部在衬底基板上的正投影被像素界定层的正投影所覆盖。通过将反射电极设置在钝化层与平坦层之间,并利用反射电极实现阳极与晶体管的漏极的电连接,使得通过反射电极搭接阳极与晶体管的漏极的沟槽可相对于现有技术中搭接阳极、反射电极与晶体管的漏极的套孔远离像素区域的中心区设置,从而增大了像素开口率。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板,依次位于所述衬底基板上的晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和像素界定层;其中,
所述反射电极包括第一分部和第二分部,且所述第一分部通过贯穿所述钝化层的过孔与所述晶体管的漏极电连接,所述第二分部通过贯穿所述平坦层的沟槽与所述阳极电连接;
所述像素界定层包括像素开口,所述第一分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素开口的正投影所覆盖,所述第二分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素界定层的正投影所覆盖;
所述沟槽在所述衬底基板上的正投影至少局部包围所述像素开口在所述衬底基板上的正投影。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述沟槽包括:多个子沟槽,各所述子沟槽之间相互断开。
3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述沟槽包括:多个子沟槽,各所述子沟槽为一体结构。
4.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述沟槽在所述衬底基板上的正投影被所述阳极的正投影所覆盖。
5.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述沟槽在所述衬底基板上的正投影与所述阳极的正投影部分重叠。
6.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述晶体管的漏极的正投影内。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~6任一项所述的显示基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成晶体管、钝化层、反射电极、平坦层、阳极和具有像素开口的像素界定层;其中,
所述反射电极包括第一分部和第二分部;所述第一分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素开口的正投影所覆盖,且所述第一分部通过贯穿所述钝化层的过孔与所述晶体管的漏极电连接;所述第二分部在所述衬底基板上的正投影被所述像素界定层的正投影所覆盖,且所述第二分部通过贯穿所述平坦层的沟槽与所述阳极电连接;所述沟槽在所述衬底基板上的正投影至少局部包围所述像素开口在所述衬底基板上的正投影。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010507158.3A CN111627972B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010507158.3A CN111627972B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111627972A CN111627972A (zh) | 2020-09-04 |
CN111627972B true CN111627972B (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=72260214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010507158.3A Active CN111627972B (zh) | 2020-06-05 | 2020-06-05 | 一种显示基板、其制作方法及显示面板、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111627972B (zh) |
Citations (5)
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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