CN111627888A - 对准标记及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一种对准标记及其形成方法，其中所述对准标记的形成方法，在基底上形成具有损坏处的对准标记后，进行修补工艺，形成修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，使得修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷，该缺陷已经不足以影响对准，因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度。

Description

对准标记及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种对准标记及其形成方法。

背景技术

光刻是集成电路制作的主要工艺，光刻工艺的任务是实现掩模板上的图形向硅片上的光刻胶层的转移。

光刻工艺一般是通过光刻装置进行，现有的光刻装置一般包括：晶圆载物台，用于装载晶圆；掩模板载物台，位于晶圆载物台上方，用于装载掩模板；光源，位于掩模板载物台上方，用于提供曝光光线；光学投影单元，位于掩模板载物台和晶圆载物台之间，用于将透过掩模板的光投射到晶圆上。

现有技术对晶圆的曝光时，首先需要将晶圆上的区域划分为一个一个的曝光区，然后对每一个曝光区依次进行曝光。为了能实现对晶圆的准确曝光，在对晶圆进行曝光之前获得晶圆(或者晶圆上的曝光区)相对于掩模板的精确位置信息是非常重要的，现有光刻装置通过对准(alignment)这一步骤建立晶圆载物台、晶圆和掩模板之间的位置关系。该对准包括晶圆载物台对准、掩模板对准和晶圆对准，其中，晶圆载物台对准可以获得晶圆载物台在坐标系内的位置信息，掩模板对准可以获得掩模板相对于晶圆载物台的位置信息、晶圆对准可以获得晶圆相对于晶圆载物台的位置信息，通过晶圆载物台对准、掩模板对准和晶圆对准后可以建立晶圆相对于掩模板和晶圆载物台的位置信息。

在进行晶圆对准时，首先需要在晶圆上形成对准标记，然后对准标记检测系统检测晶圆上的对准标记，当在对准标记检测系统的图形传感器上获得对准标记时，即完成晶圆的对准过程。

现有在晶圆上形成的对准标记一般为具有凸起和凹槽的周期性图形，在检测对准标记时，首先对对准标记进行照明，照明光在对准标记处发生衍射，衍射光成像在对准标记检测系统的图形传感器上，然后对图形传感器上接受的图像进行处理，实现对准标记的识别。

但是现有技术在检测对准标记时，有时会遇到无法进行对准或者对准精度较差的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样使得对准过程顺利进行以及保证对准的精度。

本发明提供了一种对准标记的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成对准标记，所述对准标记存在损坏处；

进行修补工艺，形成修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，将修补后的对准标记作为新的对准标记。

可选的，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽，所述损坏处是指至少一个凸起存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种。

可选的，所述修补工艺包括：在所述基底上形成修补材料层，所述修补材料层覆盖所述存在损坏处的对准标记；刻蚀去除不需要的修补材料层，形成修补层，所述修补层对对准标记的损坏处进行修补。

可选的，在所述基底上形成修补材料层后，还包括：在所述修补材料层上形成掩膜层图形，所述掩膜层图形的形状和位置与不存在损坏处的对准标记的形状和位置对应；以所述掩膜层图形为掩膜，刻蚀去除不需要的修补材料层。

本发明还提供了一种对准标记，包括：

基底；

位于基底上的对准标记，所述对准标记存在损坏处；

修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，将存在修补层的对准标记作为新的对准标记。

可选的，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽，所述损坏处是指至少一个凸起存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种。

本发明还提供了一种对准标记的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成对准标记，所述对准标记存在损坏处；

在所述基底上形成掩膜材料层，所述掩膜材料层覆盖所述存在损坏处对准标记；

刻蚀所述掩膜材料层，在所述存在损坏处的对准标记上形成新的对准标记。

可选的，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽；所述掩膜材料层填充满对准标记的凹槽，且掩膜材料层的表面高于存在损坏处的对准标记顶部表面；刻蚀存在损坏处的对准标记顶部表面上的那一部分掩膜材料层，形成新的对准标记。

可选的，在所述基底上形成掩膜材料层之前，在所述基底上形成刻蚀停止层，然后在刻蚀停止层上形成掩膜材料层。

可选的，所述新的对准标记位于存在损坏处的对准标记的凸起和凹槽上方，或者新的对准标记仅位于存在损坏处的对准标记的凸起上方。

可选的，所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记为同一类型的对准标记或不同类型的对准标记。

本发明还提供了一种对准标记，包括：

基底；

位于所述基底上的对准标记，所述对准标记存在损坏处；

位于所述存在损坏处的对准标记上的新的对准标记。

可选的，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽；所述凹槽中填充有填充层。

可选的，所述新的对准标记位于存在损坏处的对准标记的凸起、凹槽和填充层上方，或者新的对准标记仅位于存在损坏处的对准标记的凸起上方。

可选的，所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记为同一类型的对准标记或不同类型的对准标记。

可选的，所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记之间具有刻蚀停止层。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：

本发明的对准标记的形成方法，进行修补工艺，形成修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，使得修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷，该缺陷已经不足以影响对准，因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度。

同时，由于修补后的对准标记没有改变对准标记的位置、类型和形状，因而仍可以采用现有的对准方法和对准工艺，无需更改现有的工艺流程，节省成本，提高了效率。

进一步，所述修补材料层与对准标记的材料相同，使得后续形成的修补层与对准标记的材料保持一致，因而修补后的对准标记与不存在缺陷的对准标记基本一致，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度，并且修补工艺简单；此外，由于修补后的对准标记没有改变对准标记的材料、位置、类型和形状，因而仍可以采用现有的对准方法和对准工艺，无需更改现有的工艺流程，节省成本，提高了效率。

进一步，在所述基底上形成修补材料层后，还包括：在所述修补材料层上掩膜层图形，所述掩膜层图形的形状和位置与不存在损坏处的对准标记的形状和位置对应。形成所述掩膜层图形的作用是：保证在去除不需要的修补材料层时，剩余的修补材料层(修补层)刚好修补的对准标记的损坏处，使得修补后的对准标记与不存在的损坏处的对准标记保持一致。

本发明的对准标记，包括修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，将存在修补层的对准标记作为新的对准标记，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度。

本发明的对准标记的形成方法，在所述基底上形成掩膜材料层，所述掩膜材料层覆盖所述存在损坏处对准标记；刻蚀所述掩膜材料层，在所述存在损坏处的对准标记上形成新的对准标记。通过在所述存在损坏处的对准标记上形成新的对准标记，后续在进行对准时以新的对准标记作为对准标记，防止了采用存在损坏的对准标记进行对准时的不能对准以及对准精度的问题。

进一步，刻蚀存在损坏处的对准标记顶部表面上的那一部分掩膜材料层，形成新的对准标记，即形成的新的对准标记对应位于存在损坏处的对准标记的凸起和凹槽上方，因而新的对准标记不会占据额外的晶圆的横向面积。且所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记的类型相同，新的对准标记不仅不会占据额外的晶圆的横向面积，使得对准过程，而且由于新的对准标记与存在损坏处的对准标记的类型相同位置对应，因而仍可以采用现有的对准方法和对准工艺，无需更改现有的工艺流程，节省成本，提高了效率。

进一步，在所述基底上形成掩膜材料层之前，在所述基底上形成刻蚀停止层，形成所述刻蚀停止层的目的一方面在后续刻蚀去除部分掩膜材料层时，保护器件区域形成的半导体器件不会被损伤，另一方面，在存在损坏处的对准标记上形成新的对准标记时，以刻蚀停止层作为刻蚀掩膜材料层时的停止层，使得新的对准标记可以刚好形成在存在损坏处的对准标记的凸起上，形成的新的对准标记位置精度高，且形貌较高，并且新的对准标记与存在损坏处的对准标记通过刻蚀停止层分开时，使得新的对准标记与存在损坏处的对准标记存在明显的区分界面，后续对新的对准标记进行对准校测时，防止或减少存在损坏处的对准标记对新的对准标记的检测干扰。

本发明的对准标记，包括位于所述存在损坏处的对准标记上的新的对准标记，在进行对准时以新的对准标记作为对准标记，防止了采用存在损坏的对准标记进行对准时的不能对准以及对准精度的问题。

附图说明

图1-5为本发明一实施例中对准标记形成方法的示意图；

图6-8为本发明另一实施例中对准标记形成方法的示意图；

图9-13为本发明又一实施例中对准标记形成方法的示意图。

具体实施方式

如背景技术所言，现有技术在检测对准标记时，会经常遇到无法进行对准或者对准精度较差的问题。

研究发现，现有的对准标记通常为具有凸起和凹槽的周期性图形，对准标记一般通过光刻和刻蚀工艺形成。在实际形成工艺中，由于光刻和刻蚀工艺的偏差、设备稳定性波动、缺陷或者其他因素的影响，使得形成的对准标记会存在损坏处，所述损坏处具体体现为对准标记中至少一个凸起存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种，对存在损坏处的对准标记进行检测时，设备无法识别该具有损坏处的对准标记，因而无法进行对准，或者即使设备能识别该对准标记，但由于损坏处的存在使得对准标记产生的衍射光存在了偏差，使得对准的精度难以保证。

此外，如果对晶圆进行返工，再重新制作对准标记，势必增加工艺成本，同时对已经形成的器件区域产生不利影响。

为此，本发明提供了一种对准标记及其形成方法，其中所述对准标记的形成方法，在基底上形成具有损坏处的对准标记后，进行修补工艺，形成修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，使得修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷，该缺陷已经不足以影响对准，因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

图1-5为本发明一实施例中对准标记形成方法的示意图。

请参考图1，提供基底201；在所述基底201上形成对准标记21，所述对准标记21存在损坏处(22、23)。

本实施例中所述基底201为半导体衬底，所述半导体衬底的材料可以为硅(Si)、锗(Ge)、或硅锗(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是绝缘体上硅(SOI)，绝缘体上锗(GOI)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物。在一实施例中，对准标记21通过刻蚀半导体衬底形成，或者在半导体衬底上形成一层材料层，然后刻蚀所述材料层形成。

在本发明的其他实施例中，所述基底201包括半导体衬底和位于半导体衬底上的介质层，所述对准标记21形成在介质层上。在一实施例中，所述对准标记21通过在介质层上形成一层材料层，然后刻蚀所述材料层形成。

在一实施例中，所述基底201可以包括切割道区域和位于切割道区域之间的器件区域，所述对准标记21形成在基底201的切割道区域上。

所述形成的对准标记21为进行光刻工艺时，用于晶圆与晶圆载物台，以及晶圆与掩模板对准时所采用的对准标记，本实施例中，由于形成的对准标记21存在损坏处，因而在进行对准时，存在无法进行对准或对准不精确的问题。

所述存在损坏处的对准标记21包括若干平行的凸起202和位于相邻凸起202之间的凹槽203，所述损坏处是指至少一个凸起202存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种，所述损坏处的存在会影响对准的进行以及对准的精度。需要说明的是，所述损坏处可以为其他会影响对准的缺陷。

本实施例中，以对准标记21具有4个凸起202和三个凹槽203作为示例进行说明。在其他实施例中，所述对准标记21中的凸起和凹槽的数量可以为其他数量，比如可以为2个凸起和1个凹槽，或者可以为3个凸起和2个凹槽。

本实施例中，参考图1，以损坏处为对准标记21中一个凸起202具有表面凹陷缺陷22或者一个凸起202具有尺寸缺陷23作为示例。凹陷缺陷22是指凸起202的表面(顶部和/或侧壁表面)缺少一块或多块，使得凸起202不完整。尺寸缺陷23是指凸起23的宽度存在异常，具体为凸起23的宽度大于或小于设定的宽度。侧壁不平整缺陷是指凸起23的侧壁不平坦或平整度较低。倾斜缺陷是指凸起23的侧壁向某一方向倾斜。

结合参考图2-图5，进行修补工艺，形成修补层206，对所述对准标记21的损坏处进行修补，将修补后的对准标记21作为新的对准标记。

本实施例中，通过修补工艺，形成修补层206，对所述对准标记21的损坏处进行修补，使得修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷，该缺陷已经不足以影响对准，因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度；同时，由于修补后的对准标记没有改变对准标记的位置、类型和形状，因而仍可以采用现有的对准方法和对准工艺，无需更改现有的工艺流程，节省成本，提高了效率。

在一实施例中，所述修补工艺包括：在所述基底201上形成修补材料层204(参考图2)，所述修补材料层204覆盖所述存在损坏处的对准标记21；刻蚀去除不需要的修补材料层，形成修补层206(参考图4)，所述修补层206对对准标记21的损坏处进行修补。

具体的，先参考图2，在所述基底201上形成修补材料层204，所述修补材料层204覆盖所述存在损坏处的对准标记21，所述修补材料层204具有平坦的表面。例如，所述修补材料层204可以是旋涂碳层(SOC)，或者旋涂玻璃层(SOG)等其他可以旋涂的材料层，使得形成的修补材料层204达到平坦的表面。

可选的，也可以通过化学气相沉积工艺(CVD)和平坦化工艺形成所述修补材料层204。

本实施例中，所述修补材料层204与对准标记21的材料相同，使得后续形成的修补层与对准标记21的材料保持一致，因而修补后的对准标记21与不存在缺陷的对准标记基本一致，使得对准过程可以顺利进行，同时保证对准的精度，并且修补工艺简单；此外，由于修补后的对准标记没有改变对准标记的材料、位置、类型和形状，因而仍可以采用现有的对准方法和对准工艺，无需更改现有的工艺流程，节省成本，提高了效率。

在一实施例中，所述修补材料层204与对准标记21的材料均为硅或氮化硅。

需要说明的是，在其他实施例中，所述修补材料层204与对准标记21的材料可以不相同。

请参考图3，在所述基底201上形成修补材料层204后，还包括：在所述修补材料层204上形成掩膜层图形205，所述掩膜层图形205的形状和位置与不存在损坏处的对准标记21的形状和位置对应。

形成所述掩膜层图形205的作用是：保证在去除不需要的修补材料层时，剩余的修补材料层(修补层)刚好修补对准标记21的损坏处，使得修补后的对准标记与不存在的损坏处的对准标记保持一致。

所述掩膜层图形205的形状和位置与不存在损坏处的对准标记21的形状和位置对应是指：掩膜层图形205的形状与不存在损坏处的对准标记21的形状相同，如掩膜层图形205和对准标记21的宽度均为1um。掩膜层图形205的位置位于不存在损坏处的对准标记21的正上方。

在一实施例中，所述掩膜层图形205的材料为光刻胶，通过旋涂、曝光和显影工艺形成所述掩膜层图形205。

请参考图4，以所述掩膜层图形205为掩膜，刻蚀去除不需要的修补材料层，形成修补层206，所述修补层206对对准标记21的损坏处进行修补。

刻蚀去除不需要的修补材料层采用各向异性的干法刻蚀工艺，在一实施例中，所述各项异性的干法刻蚀工艺为等离子体刻蚀工艺，以使得形成的修补层206可以对损坏处进行精确的修复。

通过修补层206可以修补图4中的凹陷缺陷22，并且在去除不需要的修补材料层时，同时可以去除对准标记21中的尺寸较宽处(对应修复尺寸缺陷)以及倾斜处(对应修复倾斜缺陷)，使得修补后的对准标记21不存在缺陷。

在一实施例中，在形成所述修补层206时，同步去除所述掩膜层图形205.

在其他实施例中，参考图5，形成修补层206后，通过刻蚀工艺去除所述掩膜层图形205。

本发明实施例还提供了一种对准标记，请参考图5，包括：

基底201；

位于基底201上的对准标记21，所述对准标记21存在损坏处；

修补层206，对所述对准标记21的损坏处进行修补，将存在修补层206的对准标记21作为新的对准标记。

具体的，所述存在损坏处的对准标记21包括若干平行的凸起202和位于相邻凸起202之间的凹槽203，所述损坏处是指至少一个凸起203存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种。

在本实施例中，所述修补层206的材料与存在损坏处的对准标记21的材料一致。

图6-8为本发明另一实施例中对准标记形成方法的示意图。需要说明的是，本实施例中与前述实施例中相同或相似结构的限定或描述，在本实施例中不再赘述，具体请参考前述实施例中相应部分的限定或描述。

参考图6，提供基底201；在所述基底201上形成对准标记，所述对准标记21存在损坏处；在所述基底201上形成掩膜材料层210，所述掩膜材料层210覆盖所述存在损坏处对准标记21。

在一实施例中，所述掩膜材料层210的材料为氮化硅、金属氮化物或其他合适的材料。

所述存在损坏处(22、23)的对准标记21包括若干平行的凸起202和位于相邻凸起之间的凹槽；所述形成的掩膜材料层210覆盖存在损坏处的对准标记，所述掩膜材料层210填充满对准标记的凹槽，且掩膜材料层210的表面高于存在损坏处的对准标记21的顶部表面，所述掩膜材料层210具有平坦的表面。在一实施例中，通过化学气相沉积工艺和平坦化工艺形成所述掩膜材料层210。

参考图7，刻蚀所述掩膜材料层210(参考图6)，在所述存在损坏处的对准标记21上形成新的对准标记32。

在一实施例中，在刻蚀所述掩膜材料层210之前，在所述掩膜材料层210表面形成图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述掩膜材料层210，在所述存在损坏处的对准标记21上形成新的对准标记32。

本实施例中，刻蚀存在损坏处的对准标记21顶部表面上的那一部分掩膜材料层210，形成新的对准标记32，即形成的新的对准标记32对应位于存在损坏处的对准标记21的凸起和凹槽上方，因而新的对准标记32不会占据额外的晶圆的横向面积。本实施例中，通过在所述存在损坏处的对准标记21上形成新的对准标记32，后续在进行对准时以新的对准标记32作为对准标记，防止了采用存在损坏的对准标记21进行对准时的不能对准以及对准精度的问题。

在形成新的对准标记32后，存在损坏处的对准标记21的凹槽中以及基底201上剩余的那一部分掩膜材料层作为填充层211。

所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21为同一类型的对准标记或不同类型的对准标记。

在一实施例中，参考图7，所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21为不同类型的对准标记。不同类型的对准标记是指新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21在凸起和凹槽的数量和/或凸起和凹槽的特征尺寸上存在不同。

图7中存在损坏处的对准标记21的类型为AH74(凸起和凹槽的总数量为7个，凸起的数量为4个)，新的对准标记32的类型为AH32(凸起和凹槽的总数量为3个，凸起的数量为2个)。

在其他实施例中，所述新的对准标记32的类型还可以为AH74或AH53。

在另一实施例中，参考图8，所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21为相同类型的对准标记。相同类型的对准标记是指新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21在凸起和凹槽的数量和凸起和凹槽的特征尺寸上相同。

参考图8，所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21的类型均为AH74。

本实施例中，所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21的类型相同，新的对准标记32不仅不会占据额外的晶圆的横向面积，而且由于新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21的类型相同位置对应，因而仍可以采用现有的对准方法和对准工艺，无需更改现有的工艺流程，节省成本，提高了效率。

图9-13为本发明又一实施例中对准标记形成方法的示意图。需要说明的是，本实施例中与前述实施例中相同或相似结构的限定或描述，在本实施例中不再赘述，具体请参考前述实施例中相应部分的限定或描述。

参考图9，提供基底201；在所述基底201上形成对准标记21，所述对准标记21存在损坏处。

本实施例中，所述基底201包括对准标记区域11和器件区域12，所述对准标记区域11上用于形成对准标记，所述器件区域12上形成有半导体器件。所述半导体器件可以包括晶体管、存储器、传感器、无缘器件以及相关的介质层和位于介质层中的金属线路。

参考图10和图11，在所述基底201上形成掩膜材料层之前，在所述基底201上形成刻蚀停止层209，然后在刻蚀停止层209上形成掩膜材料层210，所述掩膜材料层210具有平坦的表面，且所述掩膜材料层210的表面高于刻蚀停止层209的表面。

形成所述刻蚀停止层209的目的一方面在后续刻蚀去除部分掩膜材料层210时，保护器件12区域形成的半导体器件不会被损伤，另一方面，在存在损坏处的对准标记21上形成新的对准标记时，以刻蚀停止层209作为刻蚀掩膜材料层210时的停止层，使得新的对准标记可以刚好形成在存在损坏处的对准标记21的凸起上，形成的新的对准标记位置精度高，且形貌较高，并且新的对准标记与存在损坏处的对准标记21通过刻蚀停止层分开时，使得新的对准标记与存在损坏处的对准标记21存在明显的区分界面，后续对新的对准标记进行对准校测时，防止或减少存在损坏处的对准标记21对新的对准标记的检测干扰。

在一实施例中，所述刻蚀停止层209的材料与新的对准标记的材料以及存在损坏处的对准标记21的材料均不相同。

参考图12，将对准标记21上方之外的掩膜材料层210去除。

在去除对准标记21上方之外的掩膜材料层210去除时，可以同时去除对准标记21上方之外的刻蚀停止层。

在其他实施例中，对准标记21上方之外的掩膜材料层210和刻蚀停止层也可以在形成新的对准标记之后去除。

参考图13，刻蚀所述对准标记21上的掩膜材料层210，形成新的对准标记32。

本实施例中，所述新的对准标记32形成于存在损坏处的对准标记21的凸起202上方。

本发明实施例还提供了一种对准标记，请参考图7或图8或图13，包括：

基底201；

位于所述基底201上的对准标记21，所述对准标记21存在损坏处；

位于所述存在损坏处的对准标记21上的新的对准标记32。

具体的，所述存在损坏处的对准标记21包括若干平行的凸起202和位于相邻凸起202之间的凹槽；所述凹槽中填充有填充层211。

所述新的对准标记32位于存在损坏处的对准标记21的凸起、凹槽和填充层上方(参考图7或图8)，或者新的对准标记32仅位于存在损坏处的对准标记21的凸起上方(参考图13)。

所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记31为同一类型的对准标记或不同类型的对准标记。

所述新的对准标记32的类型为AH32、AH53或AH74。

在一实施例中，所述新的对准标记32与存在损坏处的对准标记21之间具有刻蚀停止层209。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (15)

1.一种对准标记的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成对准标记，所述对准标记存在损坏处；

进行修补工艺，形成修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，将修补后的对准标记作为新的对准标记。

2.如权利要求1所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽，所述损坏处是指至少一个凸起存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种。

3.如权利要求1或2所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述修补工艺包括：在所述基底上形成修补材料层，所述修补材料层覆盖所述存在损坏处的对准标记；刻蚀去除不需要的修补材料层，形成修补层，所述修补层对对准标记的损坏处进行修补。

4.如权利要求3所述的对准标记的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成修补材料层后，还包括：在所述修补材料层上形成掩膜层图形，所述掩膜层图形的形状和位置与不存在损坏处的对准标记的形状和位置对应；以所述掩膜层图形为掩膜，刻蚀去除不需要的修补材料层。

5.一种对准标记，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上的对准标记，所述对准标记存在损坏处；

修补层，对所述对准标记的损坏处进行修补，将存在修补层的对准标记作为新的对准标记。

6.如权利要求5所述的对准标记，其特征在于，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽，所述损坏处是指至少一个凸起存在表面凹陷缺陷、侧壁不平整缺陷、尺寸缺陷或倾斜缺陷中的一种或几种。

7.一种对准标记的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成对准标记，所述对准标记存在损坏处；

在所述基底上形成掩膜材料层，所述掩膜材料层覆盖所述存在损坏处对准标记；

刻蚀所述掩膜材料层，在所述存在损坏处的对准标记上形成新的对准标记。

8.如权利要求7所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽；所述掩膜材料层填充满对准标记的凹槽，且掩膜材料层的表面高于存在损坏处的对准标记顶部表面；刻蚀存在损坏处的对准标记顶部表面上的那一部分掩膜材料层，形成新的对准标记。

9.如权利要求7所述的对准标记的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成掩膜材料层之前，在所述基底上形成刻蚀停止层，然后在刻蚀停止层上形成掩膜材料层。

10.如权利要求7或8所述的对准标记的形成方法，其特征在于，所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记为同一类型的对准标记或不同类型的对准标记。

11.一种对准标记，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的对准标记，所述对准标记存在损坏处；

位于所述存在损坏处的对准标记上的新的对准标记。

12.如权利要求11所述的对准标记，其特征在于，所述存在损坏处的对准标记包括若干平行的凸起和位于相邻凸起之间的凹槽；所述凹槽中填充有填充层。

13.如权利要求12所述的对准标记，其特征在于，所述新的对准标记位于存在损坏处的对准标记的凸起、凹槽和填充层上方，或者新的对准标记仅位于存在损坏处的对准标记的凸起上方。

14.如权利要求11或12所述的对准标记，其特征在于，所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记为同一类型的对准标记或不同类型的对准标记。

15.如权利要求11或12所述的对准标记，其特征在于，所述新的对准标记与存在损坏处的对准标记之间具有刻蚀停止层。

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