CN111626999B - 贴片电容失效检测方法及磨抛方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种贴片电容失效检测方法及磨抛方法。其中，贴片电容失效检测方法，包括获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。通过对叠层侧进行磨抛，得到贴片电容内部结构的显微图像，并根据贴片电容内部结构的比对、贴片电容不同类型失效的内部结构的区别以及常见的贴片电容失效形式进行分析，能够快速有效的找到贴片电容的失效原因，避免给生产造成更大的损失，从而能够尽快地找到设计、加工、运输过程中的问题点。

Description

贴片电容失效检测方法及磨抛方法

技术领域

本申请涉及电容失效检测技术领域，特别是涉及一种贴片电容失效检测方法及磨抛方法。

背景技术

电子元器件生产过程中，由于厂家来料不良或者加工焊接等因素会导致元器件失效。贴片电容全称为：多层(积层，叠层)片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，是电子元器件中用途最为广泛的器件，在智能手机、平板电脑、PC产业、物联网、新能源汽车、工业自动化及医疗领域得到广泛应用，具体用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。随着如此庞大的应用数量，虽然加工技术一直在进步，但是贴片电容的失效每年都在发生。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统贴片失效检测方法存在效率低的问题。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高检测效率的贴片电容失效检测方法及磨抛方法。

为了实现上述目的，一方面，本发明实施例提供了一种贴片电容失效检测方法，包括步骤：

获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；

若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；

根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在其中一个实施例中，确定待测电容的叠层侧的步骤包括：

向待测电容施加磁场；

根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧。

在其中一个实施例中，向待测电容施加磁场的步骤之前，包括步骤：

确认待测电容表面的焊锡是否剔除；

在确认焊锡已剔除时，施加磁场；磁场为将剔除焊锡后的待测电容置于磁铁的任意一极中得到。

在其中一个实施例中，根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧的步骤包括：

待测电容中磁性物质最多的一面为待测电容吸附在磁铁上的吸附面；

将待测电容中磁性物质最多的一面、以及待测电容中磁性物质最多的一面的相对面，确定为叠层侧。

在其中一个实施例中，在获取待测电容的外表面图像的步骤之前，还包括步骤：

获取待测电容的测试电性能参数，并将测试电性能参数与规格书电性能参数进行比对，得到比对结果；

根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤包括：

根据显微图像、比对结果以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在其中一个实施例中，根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤包括：

比对显微图像中的结构特征信息与预设失效图像中的结构特征信息；

将相关度最高的预设失效图像对应的失效原因，确定为待测电容的失效原因。

一方面，本发明实施例还提供了一种磨抛方法，磨抛方法应用于上述任一项贴片电容失效检测方法中的叠层侧磨抛，包括步骤：

采用砂布对叠层侧进行磨抛，直至待测电容的电容层的裂痕暴露。

在其中一个实施例中，显微图像包括粗磨过程中的裂痕图像，以及精磨过程中的裂痕图像；

采用砂布对叠层侧进行磨抛直至待测电容的电容层中的裂痕暴露的步骤，包括：

采用2000目至3000目的砂布对叠层侧进行粗磨、直至待测电容的电容层暴露；

采用5000目至7000目的砂布对电容层进行精磨、直至电容层中的裂痕暴露。

在其中一个实施例中，采用2000目至3000目的砂布对叠层侧进行粗磨、直至待测电容的电容层暴露的步骤之前，还包括步骤：

将待测电容的叠层侧固定于印制板或金相夹具上。

另一方面，本发明实施例还提供了一种磨抛方法，磨抛方法应用于上述任一项贴片电容失效检测方法中的叠层侧磨抛，包括步骤：

采用金相抛光机对待测电容的叠层侧进行磨抛处理，直至待测电容的电容层的裂痕暴露；显微图像包括磨抛过程中的各裂痕图像。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

本申请提供的贴片电容失效检测方法，包括获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。通过对叠层侧进行磨抛，得到贴片电容内部结构的显微图像，并根据贴片电容内部结构的比对、贴片电容不同类型失效的内部结构的区别以及常见的贴片电容失效形式进行分析，能够快速有效的找到贴片电容的失效原因，避免给生产造成更大的损失。从而能够尽快地找到设计、加工、运输过程中的问题点，并持续改进，进而极大限度的降低了对生产进度、交货进度及产品质量的影响。同时，厂家能够自主分析，也能做出贴片电容的假冒伪劣鉴定，以助于快速界定责任、停止使用和止损，解决质量隐患，缩短分析时间。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为一个实施例中贴片电容失效检测方法的流程示意图；

图2为一个实施例中确定待测电容的叠层侧的步骤的流程示意图；

图3为一个实施例中向待测电容施加磁场的步骤的流程示意图；

图4为一个实施例中贴片电容采用磁铁确定叠层侧的示意图；

图5为一个实施例中根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤的流程示意图；

图6为一个实施例中采用砂布对叠层侧进行磨抛直至待测电容的电容层中的裂痕暴露的步骤的流程示意图；

图7为一个实施例中贴片电容磨抛前固定于印制板的焊接示意图；

图8为一个实施例中贴片电容失效检测装置的结构框图；

图9为一个实施例中计算机设备的内部结构图；

图10为一个实施例中贴片电容的结构框图；

图11为一个实施例中预设失效图像的示意图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

贴片电容的失效形式主要有：假冒伪劣电容、机械应力失效、热应力失效、耐压失效等，其中，假冒伪劣电容往往伴随着机械应力失效和热应力失效等。贴片电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠，一般地，相同体积和材质下，层数越多，容量越大。贴片电容的特点是能够承受较大的压应力，但抗弯曲能力比较差，器件组装过程中任何可能产生弯曲形变的操作都可能导致器件开裂。贴片电容制作中各种兼容材料的接入，会导致内部出现不同热膨胀系数及导热率，当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂。

贴片电容的失效品往往是孤品，如果分析方法不正确，失效品破坏之后，没找到问题点，甚至会误导问题的解决方向。传统技术一般存在以下两个问题：1.贴片电容的截面有正方形和长方形，截面正方形的“叠层侧”在外观上看不出来，传统方法用X-ray，通过X光拍照来确认电容的“叠层侧”，此方法需要分辨率较高的X-ray机器，仅为判断电容方向，此法不方便实施，而且效率低。2.贴片电容发生失效后，厂家的失效分析往往依赖贴片电容制造商的分析，时间长达7-15个工作日，极大地影响了生产进度、交货进度及产品质量，给电子产品造成了很大的质量隐患。

而本申请提供的贴片电容失效检测方法可以有效解决上述问题。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种贴片电容失效检测方法，包括步骤：

S110，获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；

其中，待测电容的外表面图像包括待测电容六个面的图像。异常区域包括擦痕区域、裂痕区域、色差区域和碰撞区域。

具体的，可以通过本领域任意一种方法获取到待测电容的外表面图像。例如：采用摄像头进行拍摄得到待测电容的外表面图像。又如：应用金相显微镜对待测电容的外表面进行显微观测和拍照。

本步骤中可以采用本领域任意一种方法进行判断外表面图像中是否存在异常区域。例如，通过对比外表面图像和正常图像得到判断结果。又如：采用机器视觉识别算法对异常区域进行识别，从而得到判断结果。

需要说明的是，上述步骤可以通过计算机实现，也可以通过人工实现，在此不做限定。

S120，若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；

其中，叠层侧为设有至少一个电介体片材的侧面，一般相对设置。可以通过本领域任意手段确定待测电容的叠层侧。

具体的，磨抛处理可以采用任意设备。显微图像可以为磨抛过程中的带有裂痕的显微图像，也可以为无裂痕显微图像。需要说明的是，该显微图像的数量可以为一个，也可以为多个。

S130，根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

具体的，可以根据显微图像确定待测电容的当前状态，例如若显微图像中不存在裂痕，则确定待测电容为正常电容。

也可以根据显微图像以及预设失效图像确定待测电容的当前状态。例如当显微图像中存在裂痕，则比对显微图像和预设失效图像，并根据预设失效图像将显微图像归于各类失效原因。需要说明的是，失效原因包括：焊料热冲击失效、焊锡高度过高失效、弯曲应力失效、焊锡数量过多失效。

上述贴片电容失效检测方法，通过对叠层侧进行磨抛，得到贴片电容内部结构的显微图像，并根据贴片电容内部结构的比对、贴片电容不同类型失效的内部结构的区别以及常见的贴片电容失效形式进行分析，能够快速有效的找到贴片电容的失效原因，避免给生产造成更大的损失。从而能够尽快地找到设计、加工、运输过程中的问题点，并持续改进，进而极大限度的降低了对生产进度、交货进度及产品质量的影响。同时，厂家能够自主分析，也能做出贴片电容的假冒伪劣鉴定，以助于快速界定责任、停止使用和止损，解决质量隐患，缩短分析时间。

在其中一个实施例中，如图2所示，确定待测电容的叠层侧的步骤包括：

S210，向待测电容施加磁场；

具体的，可以通过本领域任意一种方式向待测电容施加磁场。例如：采用磁场施加装置对待测电容的存放区域施加磁场。又如：将待测电容置于磁铁旁。

S220，根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧。

具体的，叠层侧为磁性物质最多和次多的侧面，可以根据磁场中待测电容的偏转情况，得到叠层侧。也即，磁性物质最多的一侧在磁场的作用下，会根据磁场的方向进行转动。根据转动方向即可得到待测电容的叠层侧。

在其中一个实施例中，如图3所示，向待测电容施加磁场的步骤包括：

S310，确认待测电容表面的焊锡是否剔除；

具体的，可以通过人工确认，也可以通过机器识别确认待测电容表面的焊锡是否剔除。

S320，并在确认焊锡已剔除时，施加磁场；磁场为将剔除焊锡后的待测电容置于磁铁的任意一极中得到。图4为贴片电容采用磁铁确定叠层侧的示意图。

具体的，将剔除焊锡后的待测电容置于磁铁的正磁极或负磁极的磁场范围内，使得待测电容的叠层侧会吸附于磁铁的一极。在一个具体示例中，磁铁为磁场强度为200mT-300mT的磁铁。

在其中一个实施例中，根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧的步骤包括：

待测电容中磁性物质最多的一面为待测电容吸附在磁铁上的吸附面；

将待测电容中磁性物质最多的一面、以及待测电容中磁性物质最多的一面的相对面，确定为叠层侧。上述得到叠层侧的方法，便于实施且效率较快，从而提高了质检速度。

在其中一个实施例中，在获取待测电容的外表面图像的步骤之前，还包括步骤：

获取待测电容的测试电性能参数，并将测试电性能参数与规格书电性能参数进行比对，得到比对结果；

具体的，电性能参数包括电容量、损耗因数、品质因数、绝缘电阻和漏电流。在一个具体示例中，可以应用电桥和绝缘电阻测试仪，测试所述贴片电容的上述电性能参数，得到测试电性能参数并将其与规格书电性能参数进行比对。规格书电性能参数为产品规格书中对应的各电性能参数。

电容量：是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉(F)。

损耗因数：电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。损耗因数是每个周期电容所损失的能量与所存储的能量之比。

品质因数：表征电容器中所储能量同每周期损耗能量之比的一种质量指标。

绝缘电阻：电容器的绝缘电阻是指电容器两根引脚之间的综合电阻值,它包括介质的绝缘电阻和两个电极间外壳绝缘物质形成的电阻。

漏电流：电容介质不可能绝对不导电，当电容加上直流电压时，电容器会有漏电流产生。若漏电流太大，电容器就会发热损坏。

根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤包括：

根据显微图像、比对结果以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

具体地，可以根据比对结果判断待测电容电性能状态，并可以根据电性能状态辅助判断待测电容的当前状态。当前状态包括：失效、失效原因以及有效。

在其中一个实施例中，如图5所示，根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤包括：

S510，比对显微图像中的结构特征信息与预设失效图像中的结构特征信息；

具体的，可以通过提取显微图像的结构特征信息和预设失效图像中的结构特征信息，并将两者进行比对，获取显微图像与预设失效图像的相关度。其中，预设失效图像可以从经典失效图像数据库中得到。

S520，将相关度最高的预设失效图像对应的失效原因，确定为待测电容的失效原因。

具体的，相关度最高的预设失效图像对应的失效原因，即为待测电容的失效原因。相关度最高也即结构特征信息最相近。

在一个实施例中，提供了一种磨抛方法，该磨抛方法应用于上述任一项贴片电容失效检测方法中的叠层侧磨抛，包括步骤：

采用砂布对叠层侧进行磨抛，直至待测电容的电容层的裂痕暴露。

具体的，在贴片电容失效检测方法中的对所述待测电容的叠层侧进行磨抛处理的步骤中，可以采用上述磨抛方法。即采用砂布对待测电容的叠层侧进行磨抛。

在其中一个实施例中，如图6所示，显微图像包括粗磨过程中的裂痕图像，以及精磨过程中的裂痕图像；

采用砂布对叠层侧进行磨抛直至待测电容的电容层中的裂痕暴露的步骤包括：

S610，采用2000目至3000目的砂布对叠层侧进行粗磨、直至待测电容的电容层暴露；

需要说明的是，可以通过人工进行粗磨，也可以指示机器进行粗磨。对叠层侧进行粗磨直至待测电容的电容层暴露，进一步的可以采用机器视觉识别判断是否待测电容的电容层暴露。

S620，采用5000目至7000目的砂布对电容层进行精磨、直至电容层中的裂痕暴露；

具体的，可以通过人工采用5000目至7000目的砂布进行精磨，也可以指示机器进行精磨，例如通过固定有5000目至7000目的砂布的机械手臂对电容层进行精磨。

上述获取裂痕图像的步骤可以通过金相显微镜获取。进一步的，裂痕图像可以包括放大5倍至50倍中任意倍数的显微裂痕图像。

具体的，上述磨抛过程中，磨抛速度应当控制在预设阈值下，避免导致待测电容温度升高，影响失效的判断。

采用2000目至3000目的砂布对叠层侧进行粗磨、直至待测电容的电容层暴露的步骤之前，还包括：

将待测电容的叠层侧固定于印制板或金相夹具上，具体可以如图7所示。

进一步的，还可以在待测电容镶嵌在固化剂中，可以避免待测电容进一步受热。

在一个实施例中，提供了一种磨抛方法，磨抛方法应用于上述任一项贴片电容失效检测方法中的叠层侧磨抛，包括步骤：

采用金相抛光机对待测电容的叠层侧进行磨抛处理，直至待测电容的电容层的裂痕暴露；显微图像包括磨抛过程中的各裂痕图像。

上述磨抛方法通过金相抛光机金相磨抛处理，相较于采用砂布金相磨抛效率更高。

应该理解的是，虽然图1-6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1-6中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，如图8所示，提供了一种贴片电容失效检测装置，包括：

获取模块，用于获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；

判断模块，用于若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；

输出模块，用于根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在其中一个实施例中，判断模块包括：

磁场施加模块，用于向待测电容施加磁场；

确认模块，用于根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧。

在其中一个实施例中，磁场施加模块包括：

剔除模块，用于确认待测电容表面的焊锡是否剔除；

放置模块，用于在确认焊锡已剔除时，施加磁场；磁场为将剔除焊锡后的待测电容置于磁铁的任意一极中得到。

关于贴片电容失效检测装置的具体限定可以参见上文中对于贴片电容失效检测方法的限定，在此不再赘述。上述贴片电容失效检测装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图9所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口和数据库。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库用于存储预设失效图像数据。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种贴片电容失效检测方法。

本领域技术人员可以理解，图9中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

进一步的，贴片电容的结构如图10所示，预设失效图像如图11所示。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；

若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；

根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在一个实施例中，处理器执行确定待测电容的叠层侧的步骤时还实现以下步骤：

向待测电容施加磁场；

根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧。

在一个实施例中，处理器执行向待测电容施加磁场的步骤时还实现以下步骤：

确认待测电容表面的焊锡是否剔除；

在确认焊锡已剔除时，施加磁场；磁场为将剔除焊锡后的待测电容置于磁铁的任意一极中得到。

在一个实施例中，处理器执行根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧的步骤时，还实现以下步骤：

待测电容中磁性物质最多的一面为待测电容吸附在磁铁上的吸附面；

将待测电容中磁性物质最多的一面、以及待测电容中磁性物质最多的一面的相对面，确定为叠层侧。

在一个实施例中，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：

获取待测电容的测试电性能参数，并将测试电性能参数与规格书电性能参数进行比对，得到比对结果；

在一个实施例中，该处理器执行根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤时，还实现以下步骤：

根据显微图像、比对结果以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在一个实施例中，该处理器执行根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤还实现以下步骤：

比对显微图像中的结构特征信息与预设失效图像中的结构特征信息；

将相关度最高的预设失效图像对应的失效原因，确定为待测电容的失效原因。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取待测电容的外表面图像，并判断外表面图像中是否存在异常区域；

若判断的结果为否，则确定待测电容的叠层侧，并基于叠层侧获取待测电容的显微图像；其中，显微图像为叠层侧经磨抛处理后得到；

根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在一个实施例中，确定待测电容的叠层侧的步骤被处理器执行时还实现以下步骤：

向待测电容施加磁场；

根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧。

在一个实施例中，向待测电容施加磁场的步骤被处理器执行时还实现以下步骤：

确认待测电容表面的焊锡是否剔除；

在确认焊锡已剔除时，施加磁场；磁场为将剔除焊锡后的待测电容置于磁铁的任意一极中得到。

在一个实施例中，根据磁场中待测电容的偏转状态，得到叠层侧的步骤被处理器执行时还实现以下步骤：

待测电容中磁性物质最多的一面为待测电容吸附在磁铁上的吸附面；

将待测电容中磁性物质最多的一面、以及待测电容中磁性物质最多的一面的相对面，确定为叠层侧。在一个实施例中，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

获取待测电容的测试电性能参数，并将测试电性能参数与规格书电性能参数进行比对，得到比对结果；

在一个实施例中，根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤被处理器执行时实现以下步骤：

根据显微图像、比对结果以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态。

在一个实施例中，根据显微图像以及预设失效图像，确定待测电容的当前状态的步骤被处理器执行时实现以下步骤：

比对显微图像中的结构特征信息与预设失效图像中的结构特征信息；

将相关度最高的预设失效图像对应的失效原因，确定为待测电容的失效原因。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线式动态随机存储器(Rambus DRAM，简称RDRAM)、以及接口动态随机存储器(DRDRAM)等。

下面以一个具体的实施例，对本发明进行进一步的说明。

首先选取待测试的贴片电容，并记录该贴片电容的型号，应用电桥和绝缘电阻测试仪测试该贴片电容的电容量、损耗因数、品质因数、绝缘电阻和漏电流，然后与该型号贴片电容的规格书做比对。

用金相显微镜拍摄该贴片电容的六个面，观察该贴片电容表面有无擦痕、裂纹、色差和碰撞。如果碰撞严重，则断定该电容失效；如果是轻微的碰撞或者表面完好的贴片电容，继续做解剖分析以确认失效原因。

将该贴片电容表面的焊锡清理干净，并放在一块磁场强度为200mT-300mT的磁铁的正磁极或负磁极上方，则看到该贴片电容含铁量最多的两侧中的一侧与该磁铁吸附。将该贴片电容的叠层侧焊接到印制板上，对其进行磨抛，用2000目-3000目的砂布从判断出的磁性物质最多一侧粗磨所述贴片电容，边磨边观察，当磨到该贴片电容的电容层后，改用5000目-7000目砂布精磨抛光，然后将精磨抛光后的该贴片电容放在金相显微镜下观察，该金相显微镜从5倍依次增加到10倍，发现所述贴片电容如图11(3)所示，从而判断出该贴片电容的失效原因是机械应力失效。

根据本方法，分析人员只在11个小时左右就找到了电容的失效原因，极大的缩短了失效分析的时间，由此可证明本发明方法的有效性。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种贴片电容失效检测方法，其特征在于，包括步骤：

获取待测电容的外表面图像，并判断所述外表面图像中是否存在异常区域；

若所述判断的结果为否，则确定所述待测电容的叠层侧，并基于所述叠层侧获取所述待测电容的显微图像；其中，所述显微图像为所述叠层侧经磨抛处理后得到；所述叠层侧为设有至少一个电介体片材的侧面；

根据所述显微图像以及预设失效图像，确定所述待测电容的当前状态；

确定所述待测电容的叠层侧的步骤包括：

向所述待测电容施加磁场；

根据所述磁场中所述待测电容的偏转状态，得到所述叠层侧；

向所述待测电容施加磁场的步骤之前，包括步骤：

确认所述待测电容表面的焊锡是否剔除；

在确认所述焊锡已剔除时，施加磁场；所述磁场为将剔除焊锡后的所述待测电容置于磁铁的任意一极中得到；

根据磁场中所述待测电容的偏转状态，得到所述叠层侧的步骤包括：

所述待测电容中磁性物质最多的一面为所述待测电容吸附在所述磁铁上的吸附面；

将所述待测电容中磁性物质最多的一面、以及所述待测电容中磁性物质最多的一面的相对面，确定为所述叠层侧。

2.根据权利要求1所述的贴片电容失效检测方法，其特征在于，所述异常区域包括擦痕区域、裂痕区域、色差区域和碰撞区域。

3.根据权利要求1所述的贴片电容失效检测方法，其特征在于，所述预设失效图像从经典失效图像数据库中得到。

4.根据权利要求1所述的贴片电容失效检测方法，其特征在于，在获取待测电容的外表面图像的步骤之前，还包括步骤：

获取待测电容的测试电性能参数，并将所述测试电性能参数与规格书电性能参数进行比对，得到比对结果；

根据所述显微图像以及预设失效图像，确定所述待测电容的当前状态的步骤包括：

根据所述显微图像、所述比对结果以及所述预设失效图像，确定所述待测电容的当前状态。

5.根据权利要求1所述的贴片电容失效检测方法，其特征在于，根据所述显微图像以及预设失效图像，确定所述待测电容的当前状态的步骤包括：

比对所述显微图像中的结构特征信息与所述预设失效图像中的结构特征信息；

将相关度最高的预设失效图像对应的失效原因，确定为所述待测电容的失效原因。

6.根据权利要求5所述的贴片电容失效检测方法，其特征在于，所述失效原因包括焊料热冲击失效、焊锡高度过高失效、弯曲应力失效和焊锡数量过多失效。

7.一种磨抛方法，其特征在于，所述磨抛方法应用于权利要求1至6任一项所述的贴片电容失效检测方法中所述叠层侧的磨抛，包括步骤：

采用砂布对所述叠层侧进行磨抛，直至所述待测电容的电容层的裂痕暴露。

8.根据权利要求7所述的磨抛方法，其特征在于，所述显微图像包括粗磨过程中的裂痕图像，以及精磨过程中的裂痕图像；

采用砂布对所述叠层侧进行磨抛直至所述待测电容的电容层中的裂痕暴露的步骤，包括：

采用2000目至3000目的砂布对所述叠层侧进行粗磨、直至所述待测电容的电容层暴露；

采用5000目至7000目的砂布对所述电容层进行精磨、直至所述电容层中的裂痕暴露。

9.根据权利要求8所述的磨抛方法，其特征在于，采用2000目至3000目的砂布对所述叠层侧进行粗磨、直至所述待测电容的电容层暴露的步骤之前，还包括步骤：

将所述待测电容的叠层侧固定于印制板或金相夹具上。

10.一种磨抛方法，其特征在于，所述磨抛方法应用于权利要求1至6任一项所述的贴片电容失效检测方法中所述叠层侧的磨抛，包括步骤：

采用金相抛光机对所述待测电容的叠层侧进行磨抛处理，直至所述待测电容的电容层的裂痕暴露；所述显微图像包括所述磨抛过程中的各裂痕图像。

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