CN111615668A

CN111615668A - 光刻设备、操作方法和器件制造方法

Info

Publication number: CN111615668A
Application number: CN201880086925.9A
Authority: CN
Inventors: G·G·A·德格西姆
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2018-01-19
Filing date: 2018-12-14
Publication date: 2020-09-01
Also published as: US20210132512A1; US11243477B2; KR102447776B1; NL2022210A; TWI727249B; TW201932974A; KR20200094206A; WO2019141450A1

Abstract

本发明涉及一种光刻设备，所述光刻设备包括：致动系统，所述致动系统被用于定位物体；控制单元(CU)，所述控制单元用于控制所述致动系统；以及冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，其中所述致动系统包括线圈组件(CA)，所述线圈组件包括一个或更多个线圈(CO)作为产生力的构件，其中所述冷却系统包括与所述线圈组件相互作用以用于冷却所述线圈组件的冷却元件(CE)，并且其中所述控制单元被配置成控制所述一个或更多个线圈的温度，以将循环应力的量值保持在预定值以下。

Description

光刻设备、操作方法和器件制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月19日递交的欧洲申请18152449.7的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备、一种用于操作光刻设备的方法和一种使用光刻设备的器件制造方法。

背景技术

光刻设备是将期望的图案施加至衬底上，通常施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)制造中。在这种情况下，替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生将要形成在IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。典型地经由成像至提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描仪，其中在通过在给定方向(“扫描”方向)上由辐射束扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向来同步地扫描衬底从而辐照每个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上来将图案从图案形成装置转印至衬底。

在光刻设备中，可以提供多个致动系统以将诸如平台、透镜等的部件定位在光刻设备中。线圈通常被用于致动系统中作为产生力的构件。线圈是电流承载构件且因此也产生热。在光刻设备的使用期限期间，线圈以及因此围绕线圈的材料可以经历许多热循环，并且这些热循环具有可能损害致动系统的部分的相应的热诱发应力和应变。尤其在致动系统的部分的疲劳方面出现大的变化或是未知的情况下，使用大的安全裕度和保守设计，和/或致动系统的平均负载必须相对较低以实现期望的使用期限。

发明内容

期望提供一种光刻设备，其中由致动系统中的多个热循环引起的效应被减小。

根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，包括：

-致动系统，所述致动系统用于定位物体；

-控制单元，所述控制单元用于控制所述致动系统；以及

-冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，

其中所述致动系统包括线圈组件，所述线圈组件包括一个或更多个线圈，作为产生力的构件，

其中所述冷却系统包括与所述线圈组件相互作用以用于冷却所述线圈组件的冷却元件，

并且其中所述控制单元被配置成控制所述一个或更多个线圈的温度，以将循环应力的量值保持在预定值以下。

根据本发明的另一实施例，提供一种光刻设备，包括：

-致动系统，所述致动系统用于定位物体；

-控制单元，是控制单元用于控制所述致动系统；以及

-冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，

其中所述控制单元优选被配置成将产生力的电流提供至所述线圈组件的所述一个或更多个线圈，目的在于定位所述物体，

并且其中所述控制单元还被配置成在定位所述物体期间将所述线圈组件的所述一个或更多个线圈与所述冷却元件之间的温度差保持在预定范围内预定时间量。

根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，包括：

-致动系统，所述致动系统用于定位物体；

-控制单元，所述控制单元用于控制所述致动系统；以及

-冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，

并且其中所述控制单元还被配置成在定位所述物体期间将所述线圈组件的所述一个或更多个线圈之间的温度保持在预定范围内预定时间量。

根据本发明的又一实施例，提供一种操作光刻设备的方法，所述光刻设备包括：致动系统，所述致动系统用于定位物体；和冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，其中所述致动系统包括线圈组件，所述线圈组件包括一个或更多个线圈，作为产生力的构件，其中所述冷却系统包括与所述线圈组件相互作用以用于冷却所述线圈组件的冷却元件，

并且其中所述方法包括以下步骤：

a)将产生力的电流提供至所述线圈组件的所述一个或更多个线圈以定位所述物体；

b)在定位所述物体期间将所述线圈组件的所述一个或更多个线圈与所述冷却元件之间的温度差、或所述一个或更多个线圈的温度保持在预定范围内预定时间量。

根据本发明的另一实施例，提供一种器件制造方法，其中使用根据本发明所述的光刻设备。

附图说明

现将参考随附的示意性附图而仅通过示例的方式来描述本发明的实施例，在所述附图中，相应的参考符号指示相应的部分，并且在所述附图中：

-图1描绘根据本发明的实施例的光刻设备；并且

-图2示意性地描绘根据本发明的实施例的致动系统的线圈组件的一部分。

具体实施方式

图1示意性地描绘根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或EUV辐射)。

-支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且被连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置的第一定位器PM；

-衬底台(例如，晶片台)WTa或WTb，所述衬底台被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位衬底的第二定位器PW；以及

-投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。

支撑结构MT支撑(即，承载)图案形成装置MA的重量。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计、以及其它条件(诸如，图案形成装置MA是否保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或台，其可以根据需要而是固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS处于期望的位置。可以认为本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用与更上位的术语“图案形成装置”同义。

本文中所使用的术语“图案形成装置”应被广义地解释为是指可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以便在衬底W的目标部分中产生图案的任何装置。应注意，例如，如果被赋予至辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则所述图案可能不确切地对应于衬底W的目标部分中的期望图案。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于目标部分中产生的器件(诸如，集成电路)中的特定功能层。

图案形成装置MA可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列，和可编程LCD面板。掩模在光刻中是众所周知的，并且包括诸如二元型、交替相移型和衰减相移型以及各种混合式掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小反射镜的矩阵布置，所述小反射镜中的每个小反射镜可以被单独地倾斜以便在不同方向上反射入射辐射束。被倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

本文中所使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有为或约为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外线(EUV)辐射(例如，具有在5nm至20nm的范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。

本文中所使用的术语“投影系统”应被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所描绘的，所述设备属于透射类型(例如，使用透射型掩模)。作为替代，所述设备可以属于反射类型(例如，使用如上文提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射掩模)。

光刻设备可以属于具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这些“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或可以在对一个或更多个台进行预备步骤的同时将一个或更多个其它台用于曝光。图1的示例中的两个衬底台WTa和WTb是这种情形的图示。可以单独的方式来使用此处所公开的本发明，但具体地，本发明可以在单平台装置或多平台设备的曝光前测量阶段中提供额外的功能。

光刻设备也可以属于如下类型：其中衬底W的至少一部分可以由具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统PS与衬底W之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其它空间，例如图案形成装置MA与投影系统PS之间的空间。浸没技术在本领域中是众所周知的，用于增大投影系统的数值孔径。如本文中所使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底W之类的结构必须浸没在液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于投影系统PS与衬底W之间。

参考图1，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如，当辐射源SO是准分子激光器时，辐射源SO和光刻设备可以是分立的实体。在这些情况下，不认为辐射源SO构成光刻设备的部分，并且辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜面和/或扩束器的束传递系统BD而从辐射源SO传递至照射器IL。在其它情况下，例如，当源是汞灯时，所述源可以是光刻设备的组成部分。辐射源SO和照射器IL连同束传递系统BD在需要时可以被称作辐射系统。

照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别被称作σ外部和σ内部)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。

辐射束B入射到被保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上的图案形成装置MA(例如，掩模)上，并且由图案形成装置MA来图案化。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底台WTa/WTb，例如以便使不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(其在图1中未明确地描绘)可以用于例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。通常，可以借助于形成第一定位器PM的部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WTa/WTb的移动。在步进器(相对于扫描仪)的情况下，支撑结构MT可以仅连接至短行程致动器，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA与衬底W。虽然如所图示的衬底对准标记占据专用的目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这些专用的目标部分被称为划线对准标记)。类似地，在多于一个管芯提供在图案形成装置MA上的情形中，掩模对准标记M1、M2可以位于所述管芯之间。

所描绘的设备可以至少被用于扫描模式中，其中在将被赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WTa/WTb(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WTa/WTb相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。

除扫描模式外，所描绘的设备也可以被用于以下模式中的至少一种中：

1.在步进模式中，在将被赋予至辐射束的整个图案一次性投影至目标部分C上时，使支撑结构MT和衬底台WTa/WTb保持基本上静止(即，单次静态曝光)。接着，使衬底台WTa/WTb在X和/或Y方向上移动，使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制单次静态曝光中成像的目标部分C的大小。

2.在另一模式中，在将被赋予至辐射束的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WTa/WTb。在这种模式中，通常使用脉冲式辐射源，并且在衬底台WTa/WTb的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用至利用可编程图案形成装置(诸如，如上文提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。

也可以使用对上文描述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。

光刻设备LA属于所谓的双平台类型，其具有两个衬底台WTa和WTb以及两个站—曝光站和测量站，在所述两个站之间可以交换衬底台。当在曝光站处曝光一个衬底台上的一个衬底时，可以在测量站处将另一衬底装载至另一衬底台上，使得可以进行各种预备步骤。所述预备步骤可以包括使用水平传感器LS来映射衬底的表面，和使用对准传感器AS来测量衬底上的对准标识的位置。这实现设备的生产量的实质性增加。如果在衬底台处于测量站处和处于曝光站处时位置传感器IF不能够测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器以使得能够在两个站处追踪衬底台的位置。

所述设备还包括光刻设备控制单元LACU，所述光刻设备控制单元控制所描述的各种致动器和传感器的所有移动和测量。控制单元LACU也包括用于实施与设备的操作相关的期望的计算的信号处理和数据处理能力。实际上，控制单元LACU将被实现为许多子单元的系统，每个子单元处理设备内的子系统或部件的实时数据获取、处理和控制。例如，一个处理子系统可以专用于衬底定位器PW的伺服控制。分开的单元甚至可以处理粗致动器和精致动器，或不同的轴线。另一单元可以专用于位置传感器IF的读取。设备的总体控制可以受中央处理单元控制，中央处理单元与这些子系统处理单元通信、与操作者通信，并且与光刻制造过程中涉及的其它设备通信。

图2示意性地描绘根据本发明的实施例的致动系统的线圈组件CA的一部分。致动系统可以例如是如上文关于图1的光刻设备描述的第一定位器PM或第二定位器PW的部分。

致动系统可以被配置成定位物体，例如支撑件MT或衬底台WTa/WTb。致动系统包括线圈组件CA，所述线圈组件包括一个或更多个线圈CO作为产生力的构件。图2描绘一个或更多个线圈CO中的一个线圈的横截面。

光刻设备包括用于控制致动系统的控制单元CU，所述控制单元可以是前述光刻设备控制单元LACU的部分。控制单元CU被配置成将产生力的电流提供至一个或更多个线圈CO，以旨在定位物体。致动系统可以是洛伦兹型致动系统、磁阻型致动系统或任何其它类型的致动系统，其中流经一个或更多个线圈的电流产生施加至一个或更多个线圈的力，从而允许定位物体，优选地由于与由永久磁体或由另一线圈产生的磁场相互作用。术语产生力的电流用于指示产生力的电流的目标是产生力且热的产生是副产物。换句话说，基于将要施加至物体的期望的力来确定产生力的电流的值。

光刻设备包括冷却系统，所述冷却系统允许冷却光刻设备的部分，在这种情况下是线圈组件CA。用于光刻设备的冷却系统包括用于冷却线圈组件CA的冷却元件CE。冷却系统的示例是流体冷却系统，其中冷却元件CE是具有恒定温度的例如水的液体通过的管道、软管或冷却板。存在于冷却板、管道或软管处的液体自身也可以被称作冷却元件。然而，也设想例如珀尔帖(Peltier)元件的其它冷却机构。这里应明确地注意，冷却系统可以是被动或主动的。

线圈组件CA的一个或更多个线圈CO被嵌入在一层密封材料PO中。密封材料PO的功能是在一个或更多个线圈CO与冷却元件CE之间传递热，并且还可以将由一个或更多个线圈CO产生的力传输至线圈组件CA的其它部分。另外，密封材料PO可以被配置成使一个或更多个线圈CO与线圈组件CA的其它部分电隔离。密封材料PO可以是树脂或液体材料。

包括密封材料PO的线圈组件CA的制造可以包括在高温下使密封材料PO固化以实现密封材料PO的最终强度的步骤。

密封材料PO的缺陷可能是：在固化期间整个线圈组件CA处于高温，而在正常使用期间冷却元件CE通常处于低于一个或更多个线圈CO的温度，导致在密封材料PO中产生拉伸应力。应避免例如呈分层形式的密封材料的损害，这是因为这可能引入可能导致过高线圈温度和失效的额外的热阻。

密封材料PO的另一缺陷可能是：密封材料PO的疲劳参数可能是未知的，或者如果信息是可获得的则示出大的变化。另外，由于时间效应对参数的影响，可能难以加速寿命测试。

为了延长致动系统的部件的使用期限，或者为了使用较小的安全因子或较不保守的设计，控制单元CU被配置成将循环应力的量值保持在预定值以下，在这种情况下，通过还被配置成在定位物体期间将线圈组件CA的一个或更多个线圈CO与冷却元件CE之间的温度差保持在预定范围内(例如，示出最大5摄氏度或最大10摄氏度的变化)预定时间量来实现。

可以以不同方式获得在定位物体期间将温度差保持在预定范围内预定时间量，其示例将在下文描述。

在第一示例中，控制单元CU始终假定最坏情况情境，意味着致动系统可以具有在最大电流被施加至一个或更多个线圈CO达相当长的时间段时发生的最大温度。最大电流由致动系统的容许规格或电流供应系统能够提供的最大电流来确定。

在第二示例中，控制单元CU在预定时间段期间假定最坏情况情境，意味着致动系统可以具有在最大电流被施加至一个或更多个线圈CO达相当长的时间段时发生的最大温度。最大电流由预期在预定时间段期间出现的最大电流确定。

当致动系统被操作以定位物体时，控制单元CU被配置成使一个或更多个线圈CO的温度大致保持在第一示例或第二示例的最大温度处，使得虽然所施加的产生力的电流发生变化，但温度差大致是恒定的且线圈组件经受较少的热循环，这减轻与热循环相关联的效应。这意味着当产生力的电流不处于其最大容许值时，控制单元CU导致产生额外的热。

在实施例中，当没有产生力的电流或大致没有产生力的电流被提供至线圈组件CA的一个或更多个线圈CO时，预定时间量结束。另外或作为替代，预定时间量也可以是固定的时间量，例如在定位包括重复图案的物体时，预定时间量可以等于重复图案的一个循环。

在需要时，可以使用分开的加热元件AH来施加额外的热。优选地，使用加热元件AH不会引入可能干扰使用产生力的电流产生的力的额外的力的产生。因此，控制单元CU被配置成驱动加热元件AH，以便在由产生力的电流通过线圈组件CA的一个或更多个线圈CO所产生的热不足以保持所述温度差恒定时，保持温度差恒定。加热元件AH的示例是缠绕在一个或更多个线圈内的绞线对载流导体。

在实施例中，对加热元件AH的控制是开环的，意味着至加热元件AH的驱动信号基于期望的总热产生、由产生力的电流引起的所计算的热产生、与加热元件AH的操作规格之间的差异。

在实施例中，线圈组件CA包括用于测量线圈组件CA的一个或更多个线圈CO的温度的温度传感器TS，其中至加热元件AH的驱动信号基于如由温度传感器TS确定的一个或更多个线圈CO的被测量到的温度。因此，对加热元件AH的控制可以是闭环的。

在替代实施例中，可以通过查看一个或更多个线圈自身的电阻来测量一个或更多个线圈CO的温度。

替代地或另外，在需要时，可以通过除产生力的电流外也将产生热的电流提供至线圈组件CA的一个或更多个线圈CO，使用一个或更多个线圈CO自身来施加额外的热。术语产生热的电流用于指示目标是将热提供至一个或更多个线圈CO的电流，其中力的产生作为副产物。换句话说，产生热的电流的值基于所需的热量。为了最小化由产生力的电流产生的力与由产生热的电流产生的力之间的干扰，可以以比移动质量的刚体本征模式相关联的频率更高的频率来调谐产生热的电流，使得施加具有零平均值的交变力且移动质量受到交变力扰动最小。因此，产生热的电流的频率高于产生力的电流的频率含量。

在替代性实施例中，尤其是当线圈组件中存在两个或更多个线圈时，可能在两个不同的线圈中产生产生热的电流，使得所产生的力相等但彼此相反。

在实施例中，对产生热的电流的控制是开环的，其中控制单元CU例如被配置成保持产生力的电流和产生热的电流的总和的均方根值恒定，以便保持温度差恒定。

在实施例中，线圈组件CA包括用于测量线圈组件CA的一个或更多个线圈CO的温度的温度传感器TS，其中控制单元被配置成依赖于一个或更多个线圈CO的被测量到的温度来确定产生热的电流。因此，对产生热的电流的控制可以是闭环的。

虽然上文描述的实施例假定冷却元件CE具有恒定的或大致恒定的温度，但本发明也涉及冷却元件CE可能不具有恒定的或大致恒定的温度的实施例。在这些实施例中，可以优选地包括用于测量冷却元件的温度的温度传感器，这可以有利于维持某一温度差。

虽然整个申请到目前为止描述了由于控制单元的适当控制而在一个或更多个线圈与冷却元件之间存在恒定的温度差，但也设想了控制单元被配置成在定位物体期间将线圈组件的一个或更多个线圈的温度保持在预定范围内预定时间量，以便减少热循环的数目和/或降低热循环的程度。

虽然所示出的实施例仅描绘单个线圈组件和单个线圈，但本领域技术人员将明白，本发明也涉及包括多个线圈的线圈组件和/或包括多个线圈组件的致动系统。在多个线圈组件的情况下，所述控制单元可以被配置成独立于彼此或依赖于彼此来控制线圈组件的对应的线圈与冷却元件之间的温度差、或对应的线圈的温度。例如，可以针对所有线圈组件提供单个冷却元件，或每线圈组件提供一冷却元件。

虽然可以在整个本说明书中使用术语“恒定”，但这里明确提出，这包括将变化保持在对应的参数值的1％、5％或10％内，或在一温度差、或一温度的情况下，包括将变化保持在±1摄氏度、±5摄氏度或±10摄氏度内。

虽然没有具体地提出，但控制单元可以包括一个或更多个放大器和/或一个或更多个电源，以将产生力的电流和/或产生热的电流供应至线圈组件的一个或更多个线圈。

虽然在本文中可以具体地参考光刻设备在IC制造中的使用，但应理解，本文中描述的光刻设备可以具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将了解，在这些替代应用的内容背景下，可以认为本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在例如涂覆显影系统(典型地将抗蚀剂层施加至衬底且对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文中的公开内容应用至这些和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已包含多个处理后的层的衬底。

虽然上文可能已具体地参考在光学光刻术的内容背景下对本发明的实施例的使用，但将了解，本发明可以用于例如压印光刻术的其它应用中，并且在内容背景允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定衬底上产生的图案。可以将图案形成装置的拓扑压制至被供应至衬底的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂是通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化的。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，以在其中留下图案。

虽然上文已描述本发明的具体实施例，但将了解，可以与所描述的方式不同的其它方式来实践本发明。例如，本发明可以采取以下形式：计算机程序，所述计算机程序包含描述如上文所公开的方法的机器可读指令的一个或更多个序列；或数据储存介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)，所述数据储存介质具有储存在其中的这种计算机程序。

以上描述意图是说明性的而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下对如所描述的本发明进行修改。

Claims

1.一种光刻设备，所述光刻设备包括：

-致动系统，所述致动系统用于定位物体；

-控制单元，所述控制单元用于控制所述致动系统；以及

-冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，

其中所述致动系统包括线圈组件，所述线圈组件包括作为产生力的构件的一个或更多个线圈，

2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述控制单元被配置成在定位所述物体期间将所述线圈组件的所述一个或更多个线圈与所述冷却元件之间的温度差保持在预定范围内预定时间量，以便将循环应力的所述量值保持在预定值以下。

3.根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述控制单元被配置成在定位所述物体期间将所述线圈组件的所述一个或更多个线圈的温度保持在预定范围内达预定时间量，以便将循环应力的所述量值保持在预定值以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻设备，其中所述线圈组件包括分开的加热元件以加热所述线圈组件的所述一个或更多个线圈。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光刻设备，其中所述控制单元被配置成将产生力的电流提供至所述一个或更多个线圈，目的在于定位所述物体，并且除了所述产生力的电流外也提供产生热的电流，目的在于将额外的热施加至所述一个或更多个线圈。

6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述控制单元被配置成将所述产生力的电流和所述产生热的电流的总和的均方根值保持在预定范围内，优选为恒定的。

7.根据权利要求5或6所述的光刻设备，其中所述线圈组件包括用于测量所述线圈组件的所述一个或更多个线圈的温度的温度传感器，并且其中所述控制单元被配置成依赖于所述一个或更多个线圈的被测量到的温度来确定所述产生热的电流。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光刻设备，其中所述线圈组件包括被布置在所述一个或更多个线圈与所述冷却元件之间的密封材料。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的光刻设备，还包括：

-照射系统，所述照射系统被配置成调节辐射束；

-支撑件，所述支撑件被构造成支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在所述辐射束的横截面中赋予所述辐射束图案以形成图案化的辐射束；

-衬底台，所述衬底台构造成保持衬底；以及

-投影系统，所述投影系统被配置成将所述图案化的辐射束投影至所述衬底的目标部分上，

其中所述致动系统被配置成定位所述支撑件或所述衬底台。

10.一种操作光刻设备的方法，所述光刻设备包括：致动系统，所述致动系统用于定位物体；和冷却系统，所述冷却系统用于冷却所述致动系统，其中所述致动系统包括线圈组件，所述线圈组件包括作为产生力的构件的一个或更多个线圈，其中所述冷却系统包括与所述线圈组件相互作用以用于冷却所述线圈组件的冷却元件，

并且其中所述方法包括以下步骤：

11.根据权利要求10所述的方法，其中步骤b)包括以下子步骤：

b1)确定由所述产生力的电流产生的热量；

b2)在由所述产生力的电流产生的所述热量不足时将额外的热增加至所述线圈组件的所述一个或更多个线圈。

12.根据权利要求10所述的方法，其中步骤b)包括以下子步骤：

b1)测量所述一个或更多个线圈与所述冷却元件之间的温度差、或测量所述一个或更多个线圈的温度；

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中通过驱动所述线圈组件中的加热元件来执行步骤b2)。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中通过将产生热的电流增加至所述产生力的电流并将这两种电流的总和提供至所述一个或更多个线圈来执行步骤b2)。

15.一种器件制造方法，其中使用根据权利要求1至9中任一项所述的光刻设备。