CN111613644A - 有机发光二极管显示设备 - Google Patents

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金起旭
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Abstract

有机发光二极管(OLED)显示设备包括基板、发光层、第一电源线、第二电源线、连接图案和上电极。基板具有显示区域、围绕显示区域的周边区域以及设置在周边区域的侧面的焊盘区域。周边区域包括第一、第二和第三周边区域。发光层被设置在显示区域中。第一电源线被设置在第一周边区域的一部分以及第二周边区域和第三周边区域中。第二电源线被设置在显示区域、第一周边区域和第三周边区域中，且位于第二周边区域的外侧。连接图案被设置为与第二周边区域和第三周边区域中的第一电源线重叠，并且电连接至第一电源线。上电极被设置在周边区域的一部分和显示区域中连接图案和发光层上方，并且与第一电源线和连接图案重叠。上电极电连接至连接图案。

Description

有机发光二极管显示设备
技术领域
本公开总的来说涉及一种有机发光二极管(OLED)显示设备，并且更具体地涉及一种用于OLED显示设备的电源线配置，该电源线配置最小化可能由电源线产生的热量而导致的包括短路和对其他显示设备部件的损坏的缺陷的机会。
背景技术
现在，诸如液晶显示器和OLED显示器的平板显示设备比阴极射线管显示设备更优选，因为它们重量轻且外形薄。
通常，OLED显示设备可以包括显示区域、围绕显示区域的周边区域以及设置在周边区域的一侧的焊盘区域。像素电路和有机发光二极管可以与第一电源线和第二电源线一起设置在显示区域中。焊盘电极可以设置在焊盘区域中。例如，低电源电压和高电源电压可以从外部设备产生，并且这些电压可以通过焊盘电极被分别提供至第一电源线和第二电源线。施加至第一电源线的低电源电压可以被提供至有机发光二极管的阴极电极，并且施加至第二电源线的高电源电压可以被提供至有机发光二极管的阳极电极。这样，第一电源线和第二电源线一起被设置在周边区域中，使得第一电源线的宽度可能相对小。当OLED显示设备以高亮度驱动时，电流可能会集中于设置在与显示区域和焊盘区域邻近的周边区域中的第一电源线上，从而导致周边区域和焊盘区域中的一个或多个中的温度变得过高。当温度变得过高时，第一电源线可能短路，或设置在第一电源线周围的绝缘层可能会由于热量过多而变形。
应当理解，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用背景。但是，该背景技术部分还可以包括在本文中公开的主题的对应有效递交日期之前不是相关领域的技术人员已知或了解的部分的思想、构思或认识。
发明内容
本文的实施例针对一种用于OLED显示设备的电源线配置，该电源线配置最小化可能由电源线产生的热量而导致的包括短路和对其他显示设备部件的损坏的缺陷的机会。
根据示例性实施例的OLED显示设备包括基板、发光层、第一电源线、第二电源线、连接图案和上电极。基板具有显示区域、围绕显示区域并包括第一、第二和第三周边区域的周边区域以及设置在周边区域的侧面的焊盘区域。发光层被设置在显示区域中。第一电源线被设置在第一周边区域的一部分以及第二周边区域和第三周边区域中。第二电源线被设置在显示区域、第一周边区域和第三周边区域中，并位于第二周边区域的外侧。连接图案被设置为与第二周边区域和第三周边区域中的第一电源线重叠，并且电连接至第一电源线。上电极被设置在周边区域的一部分和显示区域中连接图案和发光层上方，并且与第一电源线和连接图案重叠。上电极电连接至连接图案。
有机发光二极管显示设备可以进一步包括设置在焊盘区域的第一部分中的焊盘电极。第一周边区域被设置为与焊盘区域的第一部分邻近，并且第二周边区域可以被设置在第一周边区域的侧面，并且与焊盘区域的未设置焊盘电极的第二部分邻近。
第一电源线可以电连接至焊盘电极。
第一电源线可以与焊盘电极中的至少两个电连接，并且第二电源线可以与焊盘电极中的至少一个电连接，并且焊盘电极中与第二电源线连接的至少一个可以被设置在焊盘电极中与第一电源线连接的至少两个的内部。
连接图案可以被设置在第一周边区域的外侧。
低电源电压可以被施加至第一电源线，并且高电源电压可以被施加至第二电源线。
第二电源线可以包括设置在第一周边区域中的第一部分、设置在显示区域中并且具有格子形状的第二部分以及设置在第三周边区域的一部分中以围绕第二部分的第三部分。第二电源线的第一部分、第二部分和第三部分可以彼此一体地形成。
第二电源线的第一部分和第二部分可以在第一周边区域的与显示区域和周边区域之间的边界邻近的部分中彼此连接，并且第二电源线的第二部分和第三部分可以在第三周边区域的与显示区域和周边区域之间的边界邻近的部分中彼此连接。
第二电源线的第三部分可以在第三周边区域中与第一电源线的内侧间隔开。
第二电源线的第三部分可以被设置在第二周边区域的外侧。
当在平面图中观察时，显示区域可以具有带有弧形拐角的矩形形状。显示区域的拐角可以包括邻近于焊盘区域设置的第一弧形拐角和面对第一弧形拐角的第二弧形拐角。
第一弧形拐角可以邻近于第二周边区域设置，并且第二弧形拐角可以邻近于第三周边区域设置。
第一电源线可以在第二周边区域中具有第一宽度，并且可以在第三周边区域中具有小于第一宽度的第二宽度。
连接图案可以具有与第一电源线的第一宽度和第二宽度中的每一个对应的宽度。
有机发光二极管显示设备可以进一步包括保护绝缘层、第一平坦化层和第二平坦化层。保护绝缘层可以被设置在显示区域和周边区域中并且在基板和发光层之间，并且可以在第二周边区域中具有开口。第一平坦化层可以被设置在周边区域的一部分和显示区域中，并且可以被设置在保护绝缘层上以暴露保护绝缘层的开口。第二平坦化层可以被设置在周边区域的一部分和显示区域中，并且被设置在第一平坦化层上，并且可以具有用于暴露第二周边区域中的第一电源线的开口。
发光层可以从显示区域延伸到周边区域，并且发光层被设置在周边区域中以不与第二平坦化层的开口重叠。
有机发光二极管显示设备可以进一步包括设置在显示区域中并且在第二平坦化层上的下电极。上电极可以被设置在下电极上，并从显示区域延伸到周边区域。
上电极可以直接接触第二周边区域中的连接图案。
下电极和连接图案可以被设置在同一层上。
第一电源线可以包括第一子电源线和第二子电源线。第一子电源线可以被设置在基板和保护绝缘层之间，并且可以被保护绝缘层的开口暴露。第二子电源线可以被设置在第一平坦化层和第二平坦化层之间，并且可以通过保护绝缘层的开口直接接触第一子电源线。第二子电源线可以被第二平坦化层的开口暴露。
连接图案可以通过第二平坦化层的开口直接接触第二子电源线。
有机发光二极管显示设备可以进一步包括设置在显示区域中并且在基板和保护绝缘层之间的半导体元件；以及设置在显示区域中并且在第一平坦化层和第二平坦化层之间的线图案和连接电极。
线图案、连接电极和第二子电源线可以被设置在同一层上。
半导体元件可以包括设置在显示区域中的有源层、设置在有源层上的栅绝缘层、设置在栅绝缘层上的栅电极、设置在栅电极上的绝缘中间层以及设置在绝缘中间层上的源电极和漏电极。
源电极和漏电极以及第一子电源线可以被设置在同一层上。
由于根据示例性实施例的OLED显示设备包括具有相对宽的宽度的第一电源线和连接图案，因此由设置在第一周边区域和第二周边区域中的第一电源线产生的热量的量可以相对减小。
OLED显示设备包括具有相对宽的宽度的第一电源线和连接图案两者，以使连接图案可以通过第二平坦化层中提供的开口与第二周边区域中的第一电源线直接接触。结果，第一电源线中产生的热量的量可以进一步减小。因此，OLED显示设备可以防止否则由于过量热量的产生而可能发生的缺陷。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的实施例，根据本发明实施例的附加理解将变得更加明显，附图中：
图1是示出根据本发明示例性实施例的OLED显示设备的平面图；
图2是示出图1的OLED显示设备中包括的第一电源线和第二电源线的平面图；
图3A是示出设置在图2的第一电源线上的连接图案的平面图；
图3B是示出传统OLED显示设备的平面图；
图4是示出可以电连接至图1的OLED显示设备的外部设备的框图；
图5是示出设置在图1的子像素电路区域中的子像素电路的电路图以及设置在子像素电路上的OLED；
图6A是沿图3A的线I-I’截取的截面图；
图6B是示出设置在图3A的连接图案上的发光层和上电极的平面图；
图6C是示出图6B的区域A的局部放大平面图；并且
图7至图19是示出制造根据本发明示例性实施例的OLED显示设备的方法的视图。
具体实施方式
通过参考附图详细描述本发明的实施例，根据本发明实施例的附加理解将变得更加明显。
尽管本发明可以以各种方式修改并且具有附加的实施例，但是在附图中示出并且将主要在说明书中描述实施例。然而，本发明的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应被解释为包括本发明的精神和范围中包括的所有改变、等同和替代。
附图和描述被认为本质上仅仅是说明性的，因此不是对本文描述和要求保护的实施例的限制。为了描述本发明的实施例，可以不提供与描述不相关联的一些部分，并且在整个说明书中，相同的附图标记指相同的元件。
为了更好地理解和易于描述，在附图中，每个元件的尺寸和厚度被任意地表示，但是本发明不限于此。为了清楚起见，在附图中，层、膜、面板、区域和其他元件的厚度可能被放大。为了更好地理解和易于描述，在附图中，一些层和区的厚度可能被放大。
进一步，在说明书中，短语“在平面图中”是指当从上方观察对象部分时，短语“在横截面图中”是指当从侧面观察通过垂直切割对象部分而截取的横截面时。另外，术语“重叠”或“被重叠”是指第一对象可以在第二对象上方或下方，反之亦然。当层、膜、区域、基板或区被称为在另一层、膜、区域、基板或区“上”时，它可以直接在另一层、膜、区域、基板或区上，或者其间可以存在中间层、膜、区域、基板或区。相反，当层、膜、区域、基板或区被称为“直接”在另一层、膜、区域、基板或区“上”时，其间可以不存在中间层、膜、区域、基板或区。进一步地，当层、膜、区域、基板或区被称为在另一层、膜、区域、基板或区“下方”时，它可以直接在另一层、膜、区域、基板或区下方，或者其间可以存在中间层、膜、区域、基板或区。相反，当层、膜、区域、基板或区被称为“直接”在另一层、膜、区域、基板或区“下方”时，其间可以不存在中间层、膜、区域、基板或区。进一步地，“之上”或“上”可以包括定位在对象上或下方，并且不一定暗示基于重力的方向。
为了便于描述，本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”或“上”等来描述如附图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，空间相对术语旨在涵盖除附图中描绘的定向之外设备在使用中或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，被定位在另一设备“下方”或“下面”的设备可以被放置在另一设备“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下定位和上定位两者。设备还可以以其他方向定向，并且因此空间相对术语可以取决于定向而不同地解释。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”至另一元件时，该元件可以“直接连接”至另一元件，或者“电连接”至另一元件，其中在它们之间插入有一个或多个中间元件。进一步将理解，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，它们或它可以指明所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的任意组合的存在或者添加。
将理解，虽然本文中术语“第一”、“第二”或“第三”等可被用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件与另一元件区分开，或为了便于对其描述和解释。例如，当在说明书中讨论“第一元件”时，其可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式命名，而不脱离本文的教导。
除非另有限定，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的那些技术人员通常理解的含义相同的含义。进一步将理解，诸如在常用词典中所限定的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在说明书中被明确定义。
图1是示出根据本发明示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示设备的平面图，并且图2是用于解释图1的有机发光二极管显示设备中包括的第一电源线和第二电源线的平面图。图3A是用于解释设置在图2的第一电源线上的连接图案的平面图，并且图3B是示出传统OLED显示设备的平面图。图4是用于解释电连接至图1的OLED显示设备的外部设备的框图。
参考图1、图2、图3A和图4，OLED显示设备100可以包括第一电源线350、第二电源线390、连接图案295、焊盘电极470，并且可以包括显示区域10、周边区域20和焊盘区域60。在这种情况下，周边区域20可以基本围绕显示区域10的周边，并且焊盘区域60可以被设置在周边区域20的侧面。显示区域10可以包括子像素电路区域30。在示例性实施例中，当在平面图中观察时，显示区域10可以具有带有弧形拐角的矩形形状，并且当在平面图中观察时，OLED显示设备100(或图6A的基板110)也可以具有带有弧形拐角的矩形形状。例如，显示区域10可以包括邻近焊盘区域60设置的第一拐角11和面对第一拐角11的第二拐角12。
周边区域20可以包括第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23。例如，周边区域20的第一周边区域21可以与设置在焊盘区域60中的焊盘电极470邻近，以便与焊盘区域60中设置有焊盘电极470的第一部分相对应。第二周边区域22可以被设置在第一周边区域21的各侧中的每一侧，以便位于周边区域20的两个下侧端部处。这样，第二周边区域22可以是在第一周边区域21的外侧即与第一周边区域21分离的区域。第三周边区域23可以与周边区域20的除了第一周边区域21和第二周边区域22之外的其余部分相对应。
此外，第二周边区域22可以与焊盘区域60中没有设置焊盘电极470的第二部分相对应。在这种情况下，焊盘区域60的第二部分可以被设置在焊盘区域60的其中设置有焊盘电极470的第一部分的各侧中的每一侧。这样，第二周边区域22因此也在焊盘区域60的第一部分的外侧。第二周边区域22可以被设置为与显示区域10的第一拐角11邻近。换句话说，第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23可以彼此不同，并且可以彼此不重叠。在示例性实施例中，在OLED显示设备100的平面图中，第二周边区域22在纵向方向(例如，第一方向D1或与第一方向D1相反的第二方向D2)上可以不与焊盘电极470重叠，并且可以被设置在周边区域20的两个下侧端部处。例如，当在平面图中观察时，周边区域20可以具有带有空心的跑道形状。
子像素电路区域30可以被布置在显示区域10中。例如，图5的子像素电路SPC(例如，图6A的半导体元件250)可以被设置在子像素电路区域30中的每一个中，并且有机发光二极管OLED(例如，图6A的子像素结构200)可以被设置在子像素电路SPC上。图像可以通过子像素电路SPC和OLED而显示在显示区域10上。
例如，第一子像素电路、第二子像素电路和第三子像素电路可以被设置在子像素电路区域30中。第一子像素电路可以连接至用于发射红光的第一有机发光二极管，第二子像素电路可以连接至用于发射绿光的第二有机发光二极管，并且第三子像素电路可以连接至用于发射蓝光的第三有机发光二极管。
在示例性实施例中，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路重叠，第二有机发光二极管可以与第二子像素电路重叠，并且第三有机发光二极管可以与第三子像素电路重叠。作为另一示例，第一有机发光二极管可以与第一子像素电路的一部分和不同于第一子像素电路的其他子像素电路的一部分重叠，第二有机发光二极管可以与第二子像素电路的一部分和不同于第二子像素电路的其他子像素电路的一部分重叠，并且第三有机发光二极管可以与第三子像素电路的一部分和不同于第三子像素电路的其他子像素电路的一部分重叠。例如，第一至第三有机发光二极管可以通过使用以下方案来布置：其中具有相同尺寸的矩形被顺序布置的RGB条纹方案、包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二极管的S条纹方案、进一步包括白色有机发光二极管的WRGB方案、其中RG-GB图案被重复布置的蜂窝状方案等。
至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管和至少一个电容器等可以被设置在子像素电路区域30中的每一个中。在示例性实施例中，一个驱动晶体管(例如，图5的第一晶体管TR1)和六个开关晶体管(例如，图5的第二至第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7)以及一个存储电容器(例如，图5的存储电容器CST)等可以被设置在子像素电路区域30中的每一个中。
虽然已经将本发明的OLED显示设备100描述为当从顶部观察时具有跑道形状，但是形状不限于此。例如，当从顶部观察时，OLED显示设备100可以具有矩形形状、三角形形状、菱形形状、多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
线可以被设置在周边区域20中。例如，线可以包括数据信号线、栅信号线、发光控制信号线、栅初始化信号线、初始化电压线、电源线等。线可以从周边区域20延伸到显示区域10，并且可以电连接至子像素电路SPC和有机发光二极管OLED。此外，栅驱动器和数据驱动器等可以被设置在周边区域20中。
如图2和图3A所示，第一电源线350可以被设置在周边区域20的一部分中。换句话说，第一电源线350可以被设置在第一周边区域21的一部分、第二周边区域22和第三周边区域23中。第一电源线350可以具有钩形(例如，具有下开口的环形)。在示例性实施例中，第一电源线350可以在第二周边区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三周边区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。第一电源线350可以在第一周边区域21中电连接至焊盘电极470。例如，第一电源线350可以电连接至焊盘区域60中的最外侧焊盘电极470。低电源电压可以被施加至第一电源线350，并且低电源电压可以通过连接图案295而提供至阴极电极(例如，图6A的上电极340)。
虽然第一电源线350在图2中被示出为单线，但是第一电源线350可以是彼此重叠的至少两条线。换句话说，第一电源线350可以具有其中至少两条线被堆叠的结构(例如，图6A中的第一子电源线351和第二子电源线352)。
第二电源线390可以被设置在周边区域20的一部分和显示区域10中。换句话说，第二电源线390可以被设置在第三周边区域23的一部分、显示区域10和第一周边区域21中。第二电源线390在第一周边区域21中可以被设置在第一电源线350的端部之间，并且在显示区域10中具有格子形状。第二电源线390在第三周边区域23中可以与第一电源线350的内侧间隔开。在这种情况下，第二电源线390的被设置在第一周边区域21中的一部分被定义为第一部分，第二电源线390的被设置在显示区域10中的一部分被定义为第二部分，并且第二电源线390的围绕第二部分的部分被定义为第三部分。第一部分、第二部分和第三部分可以彼此一体地形成。第二电源线390的第一部分和第二部分可以在与显示区域10和周边区域20之间的边界邻近的第一周边区域21中彼此连接，并且第二电源线390的第二部分和第三部分可以在与显示区域10和周边区域20之间的边界邻近的第三周边区域23中彼此连接。在示例性实施例中，第二电源线390的第三部分可以不设置在第二周边区域22中。当参考图2时，第二电源线390的第二部分和第三部分可以被设置在第二周边区域22的外侧。同样，第二电源线390的第一部分也可以被设置在第二周边区域22的外侧。以此方式，第二电源线390的任何部分都可以不被包含在第二周边区域22内。结果，仅第一电源线350可以被设置在第二周边区域22中并且具有第一宽度W1，第一宽度W1比第一电源线350在第三周边区域23中的第二宽度W2相对更宽。第二电源线390可以在第一周边区域21中电连接至焊盘电极470。例如，第二电源线390可以电连接至位于最外侧焊盘电极470内的焊盘电极470，以便在第三方向D3上向第一电源线350的连接的内部被连接。这样，当第二电源线390的第一部分被设置在第一周边区域21和焊盘区域60中以与位于第一电源线350所连接的最外侧焊盘电极470的远处的焊盘电极470连接时，第二电源线390被设置在第二周边区域22的外侧。高电源电压可以被施加至第二电源线390，并且然后被提供至阳极电极(例如，图6A的下电极290)。
虽然第二电源线390在图2中被示出为单线，但是第二电源线390可以是彼此重叠的至少两条线。换句话说，第二电源线390可以具有其中至少两条线堆叠的结构。
连接图案295可以仅被设置在第二周边区域22中以及仅被设置在第三周边区域23中，并且在第二周边区域22和第三周边区域23中可以位于第一电源线350上。因此，在示例性实施例中，连接图案295不被设置在第一周边区域21中。即，连接图案295被设置在第一周边区域21的外侧，以使没有连接图案的部分被包含在第一周边区域21中。连接图案295可以具有具有下开口的环形的形状。连接图案295在第二周边区域22中可以与第一电源线350重叠，以与第一电源线350相对应。这样的对应关系可以包括连接图案295在第二周边区域22中具有既小于第一电源线350的第一宽度W1又大于连接图案295在第三周边区域23中的其余宽度的宽度。连接图案295可以与第二电源线390的第三部分和第三周边区域23中的第一电源线350重叠。作为另一示例，连接图案295可以进一步与第一电源线350相对应，以致于连接图案295的宽度可以等于或大于第一电源线350在第二周边区域22中的第一宽度W1，并且连接图案295可以不与第二电源线390的位于第三周边区域23中的第三部分重叠，并且具有等于或大于第一电源线350的第二宽度W2的宽度。低电源电压可以从第一电源线350被施加至连接图案295，并且然后低电源电压可以被提供至阴极电极(例如，图6A的上电极340)。
当参考图3B中示出的传统OLED显示设备时，第一电源线1350和第二电源线1390可以一起被设置在周边区域20中。换句话说，第二电源线1390的第二部分可以被设置在第一周边区域21的一部分中，并且与本文的示例性实施例相反，还可以被设置在第二周边区域22中。因此，第一电源线1350可以在第一周边区域21的一部分和第二周边区域22中具有相对减小的宽度。换句话说，第一电源线1350可以在周边区域20的第一周边区域21和第二周边区域22两者中具有基本相同的宽度(例如，第二宽度W2)。当遇到这种情况并且传统有机发光二极管显示设备以高亮度驱动时，电流可能过度集中于设置在第一周边区域21的一部分和第二周边区域22中的第一电源线1350上，从而导致产生过量的热量。这样，第一电源线1350可能会短路，或者设置在第一电源线1350周围的绝缘层可能会由于过多的热量而变形。在这些情况中的任一种下，传统OLED显示设备可能变得有缺陷。
然而，在本发明的示例性实施例中，第一电源线350和连接图案295在第二周边区域22中具有相对宽的宽度。结果，由于与传统的OLED显示设备相比时增大了第一电源线350和连接图案295的面积，所以在设置在第一周边区域21和第二周边区域22中的第一电源线350中产生的热量可以相对减少。例如，与像传统OLED显示设备的情况中那样根据第二宽度W2的热量分布相比，根据与连接图案295的连接在第一电源线350中产生的热量可以根据第一宽度W1而分布。
再次参考图1、图2、图3A和图4，电连接至外部设备101的焊盘电极470可以被设置在焊盘区域60中。连接电极可以被设置在焊盘电极470与第一和第二电源线350和390之间。例如，连接电极可以将焊盘电极470电连接至第一电源线350和第二电源线390中的每一条。作为另一示例，第一电源线350和第二电源线390中的每一条的端部可以直接连接至焊盘电极470。
外部设备101可以通过柔性印刷电路板或印刷电路板电连接至OLED显示设备100。例如，柔性印刷电路板的一侧可以与焊盘电极470直接接触，而柔性印刷电路板的对侧可以与外部设备101直接接触。外部设备101可以提供数据信号、栅信号、发光控制信号、栅初始化信号、初始化电压、高电源电压和低电源电压等至OLED显示设备100。在示例性实施例中，低电源电压(例如，图5的低电源电压ELVSS)可以从外部设备101产生，并且低电源电压可以通过柔性印刷电路板、焊盘电极470和连接电极被提供至第一电源线350。高电源电压(例如，图5的高电源电压ELVDD)可以从外部设备101产生，并且高电源电压可以通过柔性印刷电路板、焊盘电极470和连接电极被提供至第二电源线390。此外，驱动器集成电路可以被安装在柔性印刷电路板上。在示例性实施例中，驱动器集成电路可以邻近于焊盘电极470而被安装在OLED显示设备100上。
图5是示出设置在图1的子像素电路区域中的子像素电路的电路图，以及设置在子像素电路上的OLED。
参考图5，子像素电路SPC和OLED(例如，图6A的子像素结构200)可以被设置在OLED显示设备100的子像素电路区域30中的每一个中，并且一个子像素电路SPC可以包括第一至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7(例如，图6A的半导体元件250)、存储电容器CST、用于高电源电压ELVDD的线(例如，图2和图3A的第二电源线390)、用于低电源电压ELVSS的线(例如，图2和图3A的第一电源线350)、用于初始化电压VINT的线、用于数据信号DATA的线、用于栅信号GW的线、用于栅初始化信号GI的线、用于发光控制信号EM的线、用于二极管初始化信号GB的线等。如上所述，第一晶体管TR1可以对应于驱动晶体管，并且第二至第七晶体管TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7可以对应于开关晶体管。第一至第七晶体管TR1、TR2、TR3、TR4、TR5、TR6和TR7中的每一个可以包括第一端子、第二端子、沟道和栅端子。在示例性实施例中，第一端子可以是源端子，并且第二端子可以是漏端子。作为另一示例，第一端子可以是漏端子，并且第二端子可以是源端子。
OLED可以基于驱动电流ID而输出光。OLED可以包括第一端子和第二端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以被供应有低电源电压ELVSS，并且有机发光二极管OLED的第一端子可以被供应有高电源电压ELVDD。例如，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阴极端子。作为另一示例，有机发光二极管OLED的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管OLED的第二端子可以是阳极端子。在示例性实施例中，有机发光二极管OLED的阳极端子可以对应于图6A的下电极290，并且有机发光二极管OLED的阴极端子可以对应于图6A的上电极340。
第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。在示例性实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管TR1可以基于栅端子和源端子之间的电压差而产生驱动电流ID。灰度可以基于供应至有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小而呈现。作为另一示例，第一晶体管TR1可以在线性区域中操作。在这种情况下，灰度可以基于在一个帧内、期间驱动电流被供应至有机发光二极管OLED的时间的总和而呈现。
第二晶体管TR2的栅端子被供应有栅信号GW。第二晶体管TR2的第一端子被供应有数据信号DATA。第二晶体管TR2的第二端子可以连接至第一晶体管TR1的第一端子。例如，栅信号GW可以从栅驱动器提供，并且栅信号GW可以通过用于栅信号GW的线而施加至第二晶体管TR2的栅端子。第二晶体管TR2可以在栅信号GW的有效时段期间将数据信号DATA供应至第一晶体管TR1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管TR2可以在线性区域中操作。
第三晶体管TR3的栅端子被供应有栅信号GW。第三晶体管TR3的第一端子可以连接至第一晶体管TR1的栅端子。第三晶体管TR3的第二端子可以连接至第一晶体管TR1的第二端子。例如，栅信号GW可以从栅驱动器提供，并且栅信号GW可以通过用于栅信号GW的线而施加至第三晶体管TR3的栅端子。第三晶体管TR3可以在栅信号GW的有效时段期间将第一晶体管TR1的栅端子连接至第一晶体管TR1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管TR3可以在线性区域中操作。换句话说，第三晶体管TR3可以在栅信号GW的有效时段期间二极管连接第一晶体管TR1。由于第一晶体管TR1被二极管连接，因此第一晶体管TR1的第一端子与第一晶体管TR1的栅端子之间的电压差可以与第一晶体管TR1的阈值电压一样大。结果，在栅信号GW的有效时段期间，通过将电压差(即，阈值电压)加到供应至第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA的电压上而获得的电压可以被供应至第一晶体管TR1的栅端子。换句话说，数据信号DATA可以被补偿与第一晶体管TR1的阈值电压一样大的量，并且补偿后的数据信号DATA可以被供应至第一晶体管TR1的栅端子。随着阈值电压补偿被执行，由第一晶体管TR1的阈值电压偏差引起的不均匀驱动电流的问题可以被解决。
初始化电压线的被提供有初始化电压VINT的输入端子可以连接至第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子，并且初始化电压线的输出端子可以连接至第四晶体管TR4的第二端子和存储电容器CST的第一端子。
第四晶体管TR4的栅端子可以被供应有栅初始化信号GI。第四晶体管TR4的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接至第一晶体管TR1的栅端子。
第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的有效时段期间将初始化电压VINT供应至第一晶体管TR1的栅端子。在这种情况下，第四晶体管TR4可以在线性区域中操作。换句话说，第四晶体管TR4可以在栅初始化信号GI的有效时段期间将第一晶体管TR1的栅端子初始化为初始化电压VINT。在示例性实施例中，初始化电压VINT可以具有充分低于在上一帧中由存储电容器CST保持的数据信号DATA的电压电平的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应至第一晶体管TR1的栅端子。在示例性实施例中，初始化电压VINT可以具有充分高于在上一帧中由存储电容器CST保持的数据信号DATA的电压电平的电压电平，并且初始化电压VINT可以被供应至第一晶体管TR1的栅端子。
在示例性实施例中，栅初始化信号GI可以是与在一个水平时间之前传输的栅信号GW基本相同的信号。例如，供应至包括在OLED显示设备100中的子像素电路SPC中第n行(其中n是2或大于2的整数)中的子像素电路SPC的栅初始化信号GI可以是与供应至子像素电路SPC中第n-1行中的子像素电路SPC的栅信号GW基本相同的信号。换句话说，有效的栅初始化信号GI可以通过将有效的栅信号GW供应至子像素电路SPC中第n-1行中的子像素电路SPC而被供应至子像素电路SPC中第n行中的子像素电路SPC。结果，在包括在子像素电路SPC中第n行中的子像素电路SPC中的第一晶体管TR1的栅端子被初始化为初始化电压VINT时，数据信号DATA可以被供应至子像素电路SPC中第n-1行中的子像素电路SPC。
第五晶体管TR5的栅端子可以被供应有发光控制信号EM。第五晶体管TR5的第一端子可以连接至用于高电源电压ELVDD的线。第五晶体管TR5的第二端子可以连接至第一晶体管TR1的第一端子。例如，发光控制信号EM可以从发光控制驱动器提供，并且发光控制信号EM可以通过用于发光控制信号EM的线而施加至第五晶体管TR5的栅端子。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的有效时段期间将高电源电压ELVDD供应至第一晶体管TR1的第一端子。相反，第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的无效时段期间切断高电源电压ELVDD的供应。在这种情况下，第五晶体管TR5可以在线性区域中操作。第五晶体管TR5在发光控制信号EM的有效时段期间将高电源电压ELVDD供应至第一晶体管TR1的第一端子，以使第一晶体管TR1可以产生驱动电流ID。第五晶体管TR5在发光控制信号EM的无效时段期间切断高电源电压ELVDD的供应，以使供应至第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA可以被供应至第一晶体管TR1的栅端子。
第六晶体管TR6的栅端子可以被供应有发光控制信号EM。第六晶体管TR6的第一端子可以连接至第一晶体管TR1的第二端子。第六晶体管TR6的第二端子可以连接至有机发光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的有效时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应至有机发光二极管OLED。在这种情况下，第六晶体管TR6可以在线性区域中操作。换句话说，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的有效时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应至有机发光二极管OLED，以使有机发光二极管OLED可以输出光。第六晶体管TR6在发光控制信号EM的无效时段期间将第一晶体管TR1与有机发光二极管OLED电分离，以使供应至第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA(更准确地说，是经过阈值电压补偿的数据信号)可以被供应至第一晶体管TR1的栅端子。
第七晶体管TR7的栅端子可以被供应有二极管初始化信号GB。第七晶体管TR7的第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以连接至有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的有效时段期间将初始化电压VINT供应至有机发光二极管OLED的第一端子。在这种情况下，第七晶体管TR7可以在线性区域中操作。换句话说，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的有效时段期间将有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压VINT。
作为另一示例，栅初始化信号GI和二极管初始化信号GB可以是彼此基本相同的信号。对第一晶体管TR1的栅端子进行初始化的操作和对有机发光二极管OLED的第一端子进行初始化的操作可以彼此不影响。换句话说，对第一晶体管TR1的栅端子进行初始化的操作和对有机发光二极管OLED的第一端子进行初始化的操作可以彼此独立。因此，二极管初始化信号GB不被单独产生，以使经济效率可以被优化。
存储电容器CST可以包括第一端子和第二端子。存储电容器CST可以连接在用于高电源电压ELVDD的线和第一晶体管TR1的栅端子之间。例如，存储电容器CST的第一端子可以连接至第一晶体管TR1的栅端子，并且存储电容器CST的第二端子可以连接至用于高电源电压ELVDD的线。存储电容器CST可以在栅信号GW的无效时段期间保持第一晶体管TR1的栅端子的电压电平。栅信号GW的无效时段可以包括发光控制信号EM的有效时段，并且在发光控制信号EM的有效时段期间，由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以被供应至有机发光二极管OLED。因此，基于由存储电容器CST保持的电压电平，由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID可以被供应至有机发光二极管OLED。
虽然本发明的子像素电路SPC已经被描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本发明的配置不限于此。例如，子像素电路SPC可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的配置。
图6A是沿图3A的线I-I’截取的截面图，并且图6B是示出设置在图3A的连接图案上的发光层和上电极的平面图。图6C是示出图6B的区域A的局部放大平面图。
参考图6A、图6B和图6C，OLED显示设备100可以包括基板110、缓冲层115、半导体元件250、保护绝缘层400、第一电源线350、第一平坦化层270、线图案215、连接电极235、第二平坦化层275、像素限定层310、子像素结构200、盖层345、阻止结构370、薄膜封装结构450等。在这种情况下，半导体元件250可以包括有源层130、栅绝缘层150、第一栅电极170、第一绝缘中间层190、第二栅电极175、第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230，并且第一电源线350可以包括第一子电源线351和第二子电源线352。阻止结构370可以包括第一阻止图案371和第二阻止图案372，并且子像素结构200可以包括下电极290、发光层330和上电极340。此外，薄膜封装结构450可以包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453。
包括透明或不透明材料的基板110可以被提供。基板110可以通过使用柔性透明树脂基板来形成。在示例性实施例中，基板110可以具有其中第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层被顺序地层叠的配置。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括诸如氧化硅的无机材料，并且可以阻止湿气和/或潮气透过第一有机层和第二有机层。第一有机层和第二有机层可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的有机材料，并且可以具有柔性。
由于基板110薄且是柔性的，因此基板110可以被形成在刚性玻璃基板上以支撑半导体元件250和子像素结构200的形成。例如，在将缓冲层115设置在第二阻挡层上之后，半导体元件250和子像素结构200可以被形成在缓冲层115上。在形成半导体元件250和子像素结构200之后，玻璃基板可以被去除。换句话说，由于基板110的柔性物理性质，可能难以直接在基板110上形成半导体元件250和子像素结构200。考虑到以上要点，在使用刚性玻璃基板形成半导体元件250和子像素结构200之后，玻璃基板被去除，以使第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层可以被用作基板110。
如图6A和图7中示出，由于OLED显示设备100包括显示区域10、包括第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23的周边区域20以及焊盘区域60，因此基板110也可以被划分为显示区域10、第一周边区域21和第二周边区域22(见图1)。
作为另一示例，基板110可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺氟石英基板(F掺杂石英基板)、钠钙玻璃基板、非碱玻璃基板等。
虽然基板110被描述为具有四层，但是本发明的配置不限于此。例如，在示例性实施例中，基板110可以包括单层或多层。
缓冲层115可以被设置在基板110上。在示例性实施例中，缓冲层115可以被设置在显示区域10和周边区域20(例如，第二周边区域22)中整个基板110上。缓冲层115可以防止金属原子或杂质从基板110扩散到半导体元件250中，并且可以在用于形成有源层130的结晶工艺期间控制传热速率以获得基本均匀的有源层130。当基板110的表面不均匀时，缓冲层115可以用于改善基板110的表面的平坦度。根据基板110的类型，可以在基板110上提供至少两个缓冲层115，或者可以不在基板110上提供缓冲层115。缓冲层115可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，缓冲层115可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等。
有源层130可以被设置在显示区域10中缓冲层115上。有源层130可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅或多晶硅)、有机半导体等。有源层130可以具有源区、漏区以及设置在源区和漏区之间的沟道区。
栅绝缘层150可以被设置在有源层130上。栅绝缘层150可以覆盖显示区域10中缓冲层115上的有源层130，并且可以在第三方向D3(例如，垂直于第一方向D1和第二方向D2的第三方向D3)上从显示区域10延伸到周边区域20。例如，栅绝缘层150可以充分覆盖缓冲层115上的有源层130，并且可以具有在有源层130周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，栅绝缘层150可以覆盖缓冲层115上的有源层130同时沿有源层130的轮廓以均匀的厚度被设置，或者可以被设置在显示区域10和第二周边区域22中整个缓冲层115上。栅绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，栅绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一栅电极170可以被设置在显示区域10中栅绝缘层150上。第一栅电极170可以被设置在栅绝缘层150的其下设置有源层130的部分上(例如，以与有源层130的沟道区重叠)。第一栅电极170可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，第一栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。
第一绝缘中间层190可以被设置在第一栅电极170上。第一绝缘中间层190可以覆盖显示区域10中栅绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以在第三方向D3上从显示区域10延伸到周边区域20。例如，第一绝缘中间层190可以充分地覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以具有在第一栅电极170周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，第一绝缘中间层190可以覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以沿第一栅电极170的轮廓以均匀的厚度被设置。第一绝缘中间层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，第一绝缘中间层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第二栅电极175可以被设置在显示区域10中第一绝缘中间层190上。第二栅电极175可以被设置在第一绝缘中间层190的其下设置第一栅电极170的部分上。作为示例，第一栅电极170和第二栅电极175可以被用作图5的存储电容器CST。第二栅电极175可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，第二栅电极175可以具有包括多个层的多层结构。
第二绝缘中间层195可以被设置在第二栅电极175上。第二绝缘中间层195可以覆盖显示区域10中第一绝缘中间层190上的第二栅电极175，并且可以在第三方向D3上从显示区域10延伸到周边区域20。例如，第二绝缘中间层195可以充分地覆盖第一绝缘中间层190上的第二栅电极175，并且可以具有在第二栅电极175周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，第二绝缘中间层195可以覆盖第一绝缘中间层190上的第二栅电极175，并且可以沿第二栅电极175的轮廓以均匀的厚度被设置。第二绝缘中间层195可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，第二绝缘中间层195可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
源电极210和漏电极230可以被设置在显示区域10中第二绝缘中间层195上。源电极210可以经由通过去除栅绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的第一部分而形成的接触孔连接至有源层130的源区，并且漏电极230可以经由通过去除栅绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的第二部分而形成的接触孔连接至有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每一个可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
因此，包括有源层130、栅绝缘层150、第一栅电极170、第一绝缘中间层190、第二栅电极175、第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230的半导体元件250可以被设置。
虽然半导体元件250已经被描述为具有顶栅结构，但是本发明的配置不限于此。例如，半导体元件250可以具有底栅结构。
虽然OLED显示设备100已经被描述为包括一个半导体元件，但是本发明的配置不限于此。例如，OLED显示设备100可以包括至少一个半导体元件和至少一个存储电容器。
第一子电源线351可以被设置在第一周边区域21的一部分、第二周边区域22和第三周边区域23中第二绝缘中间层195上(见图2和图6A)。第一子电源线351可以具有：具有下开口的环形的形状。在示例性实施例中，第一子电源线351可以在第一周边区域21的一部分和第二周边区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三周边区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。换句话说，第一子电源线351可以在第一和第二周边区域21和22与第三周边区域23中具有不同的宽度。
第一子电源线351可以在第一周边区域21中电连接至图2的焊盘电极470。例如，第一子电源线351可以电连接至焊盘电极470中最外面的焊盘电极470。图5的低电源电压ELVSS可以被施加至第一子电源线351，并且低电源电压ELVSS可以通过连接图案295而提供至上电极340。第一子电源线351可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一子电源线351可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、氮化铝(AlNx)、含银合金、氮化钨(WNx)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。作为另一示例，第一子电源线351可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，源电极210、漏电极230和第一子电源线351可以被设置在彼此相同的层上。
保护绝缘层400可以被设置在第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230以及第一子电源线351上。保护绝缘层400可以覆盖显示区域10中第二绝缘中间层195上的源电极210和漏电极230，并且可以覆盖第二周边区域22中第二绝缘中间层195上的第一子电源线351。在示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有用于暴露第二周边区域22中第一子电源线351的一部分的第一开口401和第二开口402。第二子电源线352可以通过第一开口401和第二开口402连接至第一子电源线351。保护绝缘层400可以具有用于暴露显示区域10中的漏电极230的一部分的开口。连接电极235可以通过设置在显示区域10中的该开口连接至漏电极230。例如，保护绝缘层400可以充分覆盖第二绝缘中间层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源线351，并且可以具有在源电极210和漏电极230以及第一子电源线351周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，保护绝缘层400可以覆盖第二绝缘中间层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源线351，并且可以沿源电极210和漏电极230以及第一子电源线351的轮廓被设置为基本均匀的厚度。保护绝缘层400可以包括硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一平坦化层270可以被设置在保护绝缘层400上。第一平坦化层270可以被设置在第二周边区域22的一部分和显示区域10中保护绝缘层400上。换句话说，第一平坦化层270可以覆盖显示区域10中的保护绝缘层400同时在第三方向D3上延伸，并且可以暴露第二周边区域22中的保护绝缘层400的第一开口401和第二开口402。换句话说，第一平坦化层270可以从显示区域10延伸到第二周边区域22，以覆盖第一开口401的至少一部分。例如，第一平坦化层270可以具有相对厚的厚度，并且在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本平坦的上表面。为了实现第一平坦化层270的这种平坦上表面，可以另外对第一平坦化层270执行平坦化工艺。作为另一示例，第一平坦化层270可以沿保护绝缘层400的轮廓以均匀的厚度设置在保护绝缘层400上。第一平坦化层270可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，第一平坦化层270可以包括有机材料。例如，第一平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。
线图案215和连接电极235可以被设置在显示区域10中第一平坦化层270上。线图案215可以传输栅信号、数据信号、发光控制信号、初始化信号、电源电压等。连接电极235可以在显示区域10中第一平坦化层270上与线图案215间隔开。连接电极235可以经由通过去除设置在显示区域10中的第一平坦化层270的一部分而形成的接触孔连接至漏电极230，并且连接电极235可以将下电极290电连接至漏电极230。作为另一示例，连接电极235可以不连接至漏电极230，并且可以通过OLED显示设备100的另一截面图中的接触孔将半导体元件250电连接至另一半导体元件。线图案215和连接电极235中的每一个可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，线图案215和连接电极235中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
第二子电源线352可以被设置在周边区域20中第一平坦化层270上。第二子电源线352可以具有：具有下开口的环形的形状。在示例性实施例中，第二子电源线352可以在第一周边区域21和第二周边区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三周边区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。换句话说，第二子电源线352可以在第一和第二周边区域21和22与第三周边区域23中具有不同的宽度。
第二子电源线352可以通过第二周边区域22中的第一开口401与第一子电源线351直接接触，并且可以通过第二开口402与第一子电源线351直接接触。第二子电源线352可以具有用于暴露第二周边区域22中第一开口401和第二开口402之间的保护绝缘层400的上表面的开口(见图11)。作为另一示例，第二子电源线352可以被连续地设置，而在第二周边区域22中没有开口。
第二子电源线352可以在第一周边区域21中电连接至图2的焊盘电极470。例如，第二子电源线352可以电连接至最外面的焊盘电极470。低电源电压ELVSS可以通过第一子电源线351施加至第二子电源线352，并且低电源电压ELVSS可以通过连接图案295提供至上电极340。第二子电源线352可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。作为另一示例，第二子电源线352可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，线图案215、连接电极235和第二子电源线352可以被设置在彼此相同的层上。
因此，如上所述，包括第一子电源线351和第二子电源线352的第一电源线350可以彼此相关地设置。
尽管第一电源线350已经被描述为包括第一子电源线351和第二子电源线352，但是本发明的配置不限于此。例如，第一电源线350可以具有仅包括第一子电源线351的配置，仅包括第二子电源线352的配置或者包括第一子电源线351、第二子电源线352和另外的线的配置。
虽然第一子电源线351和第二子电源线352已经被描述为在第二周边区域22中具有第一宽度W1并且被描述为在第三周边区域23中具有第二宽度W2，但是本发明的配置不限于此。例如，在示例性实施例中，仅第一子电源线351和第二子电源线352中的一条可以在第二周边区域22中具有第一宽度W1。
第二平坦化层275可以被设置在线图案215、连接电极235、第二子电源线352和第一平坦化层270上。第二平坦化层275可以覆盖显示区域10中第一平坦化层270上的线图案215和连接电极235同时在第三方向D3上延伸，以便覆盖第二周边区域22中的第二子电源线352。在示例性实施例中，如图6C中示出，第二平坦化层275可以具有用于暴露第二周边区域22中的第二子电源线352的上表面的开口490。连接图案295可以通过第二平坦化层275的开口490与第二子电源线352直接接触。开口490可以被形成于在第二周边区域22中第一电源线350和连接图案295彼此重叠的部分中。换句话说，开口490可以被形成在第二平坦化层275中，以不与第二周边区域22和第三周边区域23中第一平坦化层270上的发光层330重叠。此外，第二平坦化层275可以覆盖设置在第二周边区域22中的第一开口401中的第二子电源线352的端部。
当参考图3B中示出的传统OLED显示设备时，第一电源线1350和第二电源线1390可以一起被设置在周边区域20中。换句话说，第二电源线1390的第二部分可以被设置在第一周边区域21的一部分以及第二周边区域22中。因此，第一电源线1350可以在第一周边区域21和第二周边区域22中具有相对减小的宽度。换句话说，第一电源线1350可在整个周边区域20中具有基本相同的宽度。在这种情况下，在第二周边区域22中，第一电源线1350和连接图案1295彼此重叠的部分可能相对减少。结果，形成在第二周边区域22中第二平坦化层275中的开口的数量可能相对小。当传统有机发光二极管显示设备以高亮度驱动时，电流可能会集中于设置在第一周边区域21和第二周边区域22中的第一电源线1350上，从而导致产生的热量的量过多。当存在过多的热量产生时，第一电源线1350可能会短路，或者由于过多的热量产生，设置在第一电源线1350周围的绝缘层可能会变形，并且可能因此导致传统的OLED显示设备有缺陷。然而，在本发明的示例性实施例中，第一电源线350和连接图案295在第一周边区域21和第二周边区域22中具有相对宽的宽度，使得可以形成相对较多数量的用于允许连接图案295与第二周边区域22中的第一电源线350直接接触的开口490。因此，当与传统的OLED显示设备相比时，在OLED显示设备100中，在第一周边区域21和第二周边区域22中的第一电源线350中产生的热量可以相对减少。如将理解的，这部分地是由于第二平坦化层275中的开口490的数量的增加，使得能够跨越第一电源线350和连接图案295的相应增大的面积而实现第一电源线350与连接图案295的连接。
再次参考图6A、图6B和图6C，第二平坦化层275可以具有相对厚的厚度以充分覆盖线图案215、连接电极235和第二子电源线352，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以具有基本平坦的上表面。为了实现第二平坦化层275的这种平坦上表面，可以另外对第二平坦化层275执行平坦化工艺。作为示例，第二平坦化层275可以覆盖线图案215、连接电极235和第二子电源线352，并且可以沿线图案215、连接电极235和第二子电源线352的轮廓以均匀的厚度被设置。第二平坦化层275可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，第二平坦化层275可以包括有机材料。
第一阻止图案371可以被设置在周边区域20中保护绝缘层400和第二子电源线352上。第一阻止图案371可以在第三方向D3上与第二平坦化层275间隔开，并且可以覆盖设置在第二开口402中的第二子电源线352的第一端部。例如，第一阻止图案371可以沿显示区域10的外周边缘的轮廓设置。换句话说，第一阻止图案371可以在第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23中围绕显示区域10。在示例性实施例中，第一阻止图案371可以用于阻止第二薄膜封装层452的泄漏。第一阻止图案371可以包括有机材料或无机材料。在示例性实施例中，第一阻止图案371可以包括有机材料。第二平坦化层275和第一阻止图案371的上表面可以处于相同层面。
下电极290可以被设置在显示区域10中第二平坦化层275上。下电极290可以经由通过去除第二平坦化层275的一部分而形成的接触孔连接至连接电极235，并且下电极290可以电连接至半导体元件250。下电极290可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。
连接图案295可以被设置在周边区域20中第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻止图案371和第二子电源线352上。连接图案295可以具有下开口环形的形状。连接图案295可以被设置在第二平坦化层275、第二平坦化层275的开口490的内侧、设置在第二平坦化层275和第一阻止图案371之间的保护绝缘层400、第一阻止图案371以及设置在第二开口402中的第二子电源线352上，并且可以在第三方向D3上延伸。换句话说，连接图案295可以沿第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻止图案371和第二子电源线352的轮廓被设置。连接电极295可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，连接图案295可以具有包括多个层的多层结构，并且下电极290的上表面和连接图案295的最上表面可以处于相同层面。
像素限定层310可以被设置在显示区域10和第二周边区域22中第二平坦化层275上。像素限定层310可以暴露显示区域10中下电极290的一部分同时在第三方向D3上延伸，并且可以被设置在连接图案295上同时暴露设置在第二周边区域22中的开口490中的连接图案295。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在示例性实施例中，像素限定层310可以包括有机材料。
第二阻止图案372可以被设置在周边区域20中连接图案295上。第二阻止图案372可以在第三方向D3上与像素限定层310间隔开，并且可以覆盖被设置在第一阻止图案371上的连接图案295。例如，第二阻止图案372可以在第一方向D1上延伸，并且可以沿显示区域10的轮廓被设置。换句话说，第二阻止图案372可以在第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23中围绕显示区域10。在示例性实施例中，第二阻止图案372可以用于与第一阻止图案371一起阻止第二薄膜封装层452的泄漏。第二阻止图案372可以包括有机材料或无机材料。在示例性实施例中，第二阻止图案372可以包括有机材料。像素限定层310和第二阻止图案372的上表面可以处于相同层面。
因此，包括第一阻止图案371和第二阻止图案372的阻止结构370可以被设置。
虽然OLED显示设备100已经被描述为包括一个阻止结构370，但是本发明的配置不限于此。例如，在示例性实施例中，至少一个阻止结构可以被进一步提供，同时在从显示区域10到周边区域20的方向上与阻止结构370间隔开。换句话说，OLED显示设备100可以包括至少两个阻止结构。
形成在像素限定层310和阻止结构370之间的部分可以被限定为第一阻止区域。第一阻止区域可以被设置为平行于阻止结构370，并且第一平坦化层270、第二平坦化层275和像素限定层310可以不被设置在第一阻止区域中。例如，为了防止湿气或潮气通过设置在周边区域20中的第一平坦化层270、第二平坦化层275和像素限定层310渗透至显示区域10中，第一平坦化层270、第二平坦化层275和像素限定层310可以不被设置在第一阻止区域中。在示例性实施例中，当OLED显示设备100进一步包括另外的阻止结构时，第二阻止区域可以被另外地形成在阻止结构370和另外的阻止结构之间。
发光层330可以被设置在周边区域20的一部分和显示区域10中基板110上(见图6B、图6C和图16)。例如，发光层330可以被设置在显示区域10中的像素限定层310和下电极290上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被设置在周边区域20中像素限定层310的一部分上。换句话说，发光层330可以沿像素限定层310和下电极290的轮廓被设置。在示例性实施例中，发光层330可以不与开口490重叠。
发光层330可以具有包括有机发光层(“EML”)、空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等的多层结构。在示例性实施例中，EML、HIL、HTL、ETL和EIL可以被设置在周边区域20中。在示例性实施例中，除了EML之外，HIL、HTL、ETL和EIL可以被设置在周边区域20中。
发光层330的EML可以根据子像素而使用用于发射不同颜色的光(即，红光、绿光、蓝光等)的发光材料中的至少一种来形成。作为示例，发光层330的EML可以通过层叠用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色的光的发光材料来形成以整体上发射白光。在这种情况下，滤色器可以被设置在设置在下电极290上的发光层330上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。作为另一示例，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以包括光敏树脂或彩色光致抗蚀剂。
上电极340可以被设置在周边区域20的一部分和显示区域10中基板110上(见图6B、图6C和图18)。例如，上电极340可以被设置在显示区域10中的发光层330上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被设置在发光层330、像素限定层310的一部分以及设置在周边区域20中的开口490中的连接图案295上。换句话说，上电极340可以沿发光层330、像素限定层310和连接图案295的轮廓被设置。在示例性实施例中，上电极340可以与设置在开口490中的连接图案295直接接触，并且可以从连接图案295接收低电源电压ELVSS。上电极340可以包括金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。
因此，包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200可以被设置。
盖层345可以被设置在第二周边区域22的一部分和显示区域10中基板110上。例如，盖层345可以被设置在显示区域10中的上电极340上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被设置在周边区域20中的上电极340上。换句话说，盖层345可以沿显示区域10和周边区域20中的上电极340的轮廓被设置。在示例性实施例中，盖层345可以与周边区域20中的上电极340重叠。盖层345可以保护子像素结构200，并且可以包括有机材料或无机材料。在示例性实施例中，盖层345可以包括三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯)(CBP)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。
第一薄膜封装层451可以被设置在显示区域10和周边区域20中基板110上。例如，第一薄膜封装层451可以被设置在显示区域10中的盖层345上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被设置在周边区域20中的盖层345、像素限定层310、阻止结构370和连接图案295上。换句话说，第一薄膜封装层451可以沿盖层345、像素限定层310、阻止结构370和连接图案295的轮廓被设置。在示例性实施例中，第一薄膜封装层451可以与开口490中的盖层345直接接触，并且可以与阻止区域(例如，设置在第二周边区域22中的像素限定层310和阻止结构370之间的部分)中的连接图案295直接接触。第一薄膜封装层451可以防止子像素结构200由于湿气、氧气等的渗透而劣化。第一薄膜封装层451可以起到保护子像素结构200免受外部影响的作用。第一薄膜封装层451可以包括柔性无机材料。
第二薄膜封装层452可以被设置在周边区域20的一部分和显示区域10中第一薄膜封装层451上。第二薄膜封装层452可以与阻止结构370的侧壁的一部分重叠。作为另一示例，第二薄膜封装层452可以不与阻止结构370重叠，或者可以覆盖阻止结构370同时在第三方向D3上延伸。第二薄膜封装层452可以改善OLED显示设备100的平坦度，并且可以保护子像素结构200。第二薄膜封装层452可以包括柔性有机材料。
第三薄膜封装层453可以被设置在第二薄膜封装层452和第一薄膜封装层451上。第三薄膜封装层453可以覆盖显示区域10中的第二薄膜封装层452，同时沿第二薄膜封装层452的轮廓以均匀的厚度被设置，并且可以延伸到周边区域20。第三薄膜封装层453可以沿周边区域20中的第一薄膜封装层451的一部分和第二薄膜封装层452的轮廓被设置。第三薄膜封装层453可以与第一薄膜封装层451一起防止子像素结构200由于湿气、氧气等的渗透而劣化。第三薄膜封装层453可以与第一薄膜封装层451和第二薄膜封装层452一起起到保护子像素结构200免受外部影响的作用。第三薄膜封装层453可以包括柔性无机材料。
因此，包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450可以被设置。作为示例，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一至第五薄膜封装层而形成的五层结构或通过层叠第一至第七薄膜封装层而形成的七层结构。
如上所述，图6A中示出的OLED显示设备100可以被提供。
根据本发明示例性实施例的OLED显示设备100包括设置为至少在第二周边区域22中各自具有大于第二宽度W2的相对宽的宽度的第一电源线350和连接图案295。如上所述，由于第一电源线350和连接图案295中的每一个都被如此设置，所以由于通过第一电源线350的开口490与连接图案295直接连接，由第一电源线350产生的热量可以减少。
鉴于以上所述，本发明的OLED显示设备100包括可操作以为OLED显示设备100供电的第一电源线350、第二电源线390和连接图案390。第一电源线350被设置在第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23中的每一个中。第一电源线350在第二周边区域22中的宽度是第一宽度W1，该第一宽度W1大于第一电源线350在第三周边区域23中的第二宽度W2。由于这种配置，由第一电源线350的操作产生的热量，经由与连接图案295的连接，例如通过热量在第一电源线350和连接图案295的增大的面积上的分布，可以被减小。如上所讨论，第二周边区域22中第一电源线350的宽度W1和连接图案295的宽度至少是第二电源线390被排除在第二周边区域22之外即不被设置或包含在第二周边区域22中的结果。
图7至图19是示出制造根据本发明示例性实施例的OLED显示设备的方法的视图。例如，图7至图15、图17和图19是示出制造OLED显示设备的方法的截面图，图16是示出包括在OLED显示设备中的发光层的平面图，并且图18是用于解释包括在OLED显示设备中的上电极的平面图。
参照图7，刚性玻璃基板105可以被提供。包括透明材料或不透明材料的基板110可以被形成在刚性玻璃基板105上。基板110可以通过使用柔性透明树脂基板来形成。在示例性实施例中，基板110可以具有其中第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层被顺序地层叠的配置。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括诸如氧化硅的无机材料。第一有机层和第二有机层可以包括诸如聚酰亚胺类树脂的有机材料。在这种情况下，第一阻挡层和第二阻挡层中的每一个可以阻挡湿气透过第一有机层和第二有机层。
缓冲层115可以被形成在基板110上。在示例性实施例中，缓冲层115可以被形成在显示区域10和第二周边区域22中整个基板110上。根据基板110的类型，可以在基板110上提供至少两个缓冲层115，或者可以不在基板110上提供缓冲层115。缓冲层115可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。例如，缓冲层115可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy、AlOx、AlNx、TaOx、HfOx、ZrOx、TiOx等。
有源层130可以被形成在显示区域10中缓冲层115上。有源层130可以使用氧化物半导体、无机半导体、有机半导体等形成。有源层130可以具有源区、漏区以及设置在源区和漏区之间的沟道区。
栅绝缘层150可以被形成在有源层130上。栅绝缘层150可以覆盖显示区域10中缓冲层115上的有源层130，并且可以在第三方向D3上从显示区域10延伸到周边区域20。例如，栅绝缘层150可以充分覆盖缓冲层115上的有源层130，并且可以具有在有源层130周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，栅绝缘层150可以覆盖缓冲层115上的有源层130同时沿有源层130的轮廓以均匀的厚度形成，或者可以被形成在显示区域10和第二周边区域中整个缓冲层115上。栅绝缘层150可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。在示例性实施例中，栅绝缘层150可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第一栅电极170可以被形成在显示区域10中栅绝缘层150上。第一栅电极170可以被形成在栅绝缘层150的其下设置有源层130的部分上。第一栅电极170可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，第一栅电极170可以具有包括多个层的多层结构。
第一绝缘中间层190可以被形成在第一栅电极170上。第一绝缘中间层190可以覆盖显示区域10中栅绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以在第三方向D3上延伸。例如，第一绝缘中间层190可以充分地覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以具有在第一栅电极170周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，第一绝缘中间层190可以覆盖栅绝缘层150上的第一栅电极170，并且可以沿第一栅电极170的轮廓以均匀的厚度形成。第一绝缘中间层190可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。在示例性实施例中，第一绝缘中间层190可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
第二栅电极175可以被形成在显示区域10中第一绝缘中间层190上。第二栅电极175可以被形成在第一绝缘中间层190的其下设置第一栅电极170的部分上。第二栅电极175可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，第二栅电极175可以具有包括多个层的多层结构。
第二绝缘中间层195可以被形成在第二栅电极175上。第二绝缘中间层195可以覆盖显示区域10中第一绝缘中间层190上的第二栅电极175，并且可以在第三方向D3上延伸。例如，第二绝缘中间层195可以充分地覆盖第一绝缘中间层190上的第二栅电极175，并且可以具有在第二栅电极175周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，第二绝缘中间层195可以覆盖第一绝缘中间层190上的第二栅电极175，并且可以沿第二栅电极175的轮廓以均匀的厚度形成。第二绝缘中间层195可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。在示例性实施例中，第二绝缘中间层195可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参考图8，源电极210和漏电极230可以被形成在显示区域10中第二绝缘中间层195上。源电极210可以经由通过去除栅绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的第一部分而形成的接触孔连接至有源层130的源区，并且漏电极230可以经由通过去除栅绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195的第二部分而形成的接触孔连接至有源层130的漏区。源电极210和漏电极230中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，源电极210和漏电极230中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
因此，包括有源层130、栅绝缘层150、第一栅电极170、第一绝缘中间层190、第二栅电极175、第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230的半导体元件250可以鉴于以上内容而形成。
第一子电源线351可以被形成在第一周边区域21的一部分、第二周边区域22和第三周边区域23中第二绝缘中间层195上(见图2)。在示例性实施例中，第一子电源线351可以在第二周边区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三周边区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。换句话说，第一子电源线351可以在第二周边区域22和第三周边区域23中具有不同的宽度。第一子电源线351可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，第一子电源线351可以使用Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、含铝合金、AlNx、含银合金、WNx、含铜合金、含钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SrRuxOy、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。作为另一示例，第一子电源线351可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，源电极210、漏电极230和第一子电源线351可以使用相同的材料同时形成在彼此相同的层上。
例如，在初始第一电极层被形成在第二绝缘中间层195上之后，初始第一电极层可以被部分蚀刻以同时形成源电极210、漏电极230和第一子电源线351。
参考图9，保护绝缘层400可以被形成在第二绝缘中间层195、源电极210和漏电极230以及第一子电源线351上。保护绝缘层400可以覆盖显示区域10中第二绝缘中间层195上的源电极210和漏电极230，并且可以覆盖第二周边区域22中第二绝缘中间层195上的第一子电源线351。在示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有用于暴露第二周边区域22中的第一子电源线351的一部分的第一开口401和第二开口402。保护绝缘层400可以具有用于暴露显示区域10中的漏电极230的一部分的开口。例如，保护绝缘层400可以充分覆盖第二绝缘中间层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源线351，并且可以具有在源电极210和漏电极230以及第一子电源线351周围不产生台阶的基本平坦的上表面。作为另一示例，保护绝缘层400可以覆盖第二绝缘中间层195上的源电极210和漏电极230以及第一子电源线351，并且可以沿源电极210和漏电极230以及第一子电源线351的轮廓被形成为基本均匀的厚度。保护绝缘层400可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。在示例性实施例中，保护绝缘层400可以具有多层结构，该多层结构具有包括彼此不同的材料的多个绝缘层。
参考图10，第一平坦化层270可以被形成在保护绝缘层400上。第一平坦化层270可以被形成在第二周边区域22的一部分和显示区域10中保护绝缘层400上。换句话说，第一平坦化层270可以覆盖显示区域10中的保护绝缘层400同时在第三方向D3上延伸，并且可以暴露周边区域20中保护绝缘层400的第一开口401和第二开口402。换句话说，第一平坦化层270可以从显示区域10延伸到周边区域20，以覆盖第一开口401的至少一部分。第一平坦化层270可以具有用于暴露漏电极230的一部分的接触孔。例如，第一平坦化层270可以具有相对厚的厚度，并且在这种情况下，第一平坦化层270可以具有基本平坦的上表面。为了实现第一平坦化层270的这种平坦上表面，可以另外对第一平坦化层270执行平坦化工艺。作为另一示例，第一平坦化层270可以沿保护绝缘层400的轮廓以均匀的厚度形成在保护绝缘层400上。第一平坦化层270可以使用有机材料形成。例如，第一平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等。
参考图11，线图案215和连接电极235可以被形成在显示区域10中第一平坦化层270上。连接电极235可以与显示区域10中第一平坦化层270上的线图案215间隔开。连接电极235可以通过设置在显示区域10中的第一平坦化层270的接触孔连接至漏电极230。线图案215和连接电极235中的每一个可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，线图案215和连接电极235中的每一个可以具有包括多个层的多层结构。
第二子电源线352可以被形成在周边区域20中第一平坦化层270上(见图2)。在示例性实施例中，第二子电源线352可以在第二周边区域22中具有第一宽度W1，并且可以在第三周边区域23中具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。换句话说，第二子电源线352可以在第二周边区域22和第三周边区域23中具有不同的宽度。第二子电源线352可以通过第二周边区域22中的第一开口401与第一子电源线351直接接触，并且可以通过第二开口402与第一子电源线351直接接触。第二子电源线352可以具有用于暴露第二周边区域22中的第一开口401和第二开口402之间的保护绝缘层400的上表面的开口。作为另一示例，第二子电源线352可以被连续地形成，而在第二周边区域22中没有开口。第二子电源线352可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。作为另一示例，第二子电源线352可以具有包括多个层的多层结构。在示例性实施例中，线图案215、连接电极235和第二子电源线352可以使用相同的材料同时形成在彼此相同的层上。
例如，在初始第二电极层被形成在第一平坦化层270、第一子电源线351和保护绝缘层400上之后，初始第二电极层可以被部分蚀刻以同时形成线图案215、连接电极235和第二子电源线352。
参考图12，第二平坦化层275可以被形成在线图案215、连接电极235、第二子电源线352和第一平坦化层270上。第二平坦化层275可以覆盖显示区域10中第一平坦化层270上的线图案215和连接电极235同时在第三方向D3上延伸，以覆盖周边区域20中的第二子电源线352。在示例性实施例中，第二平坦化层275可以具有用于暴露第二周边区域22中的第二子电源线352的上表面的开口490。开口490可以被形成在第二周边区域22中第一电源线350和连接图案295彼此重叠的部分中。此外，第二平坦化层275可以覆盖形成在第二周边区域22中的第一开口401中的第二子电源线352的端部，并且可以具有用于暴露显示区域10中的连接电极235的接触孔。
第二平坦化层275可以具有相对厚的厚度以充分覆盖线图案215、连接电极235和第二子电源线352，并且在这种情况下，第二平坦化层275可以具有基本平坦的上表面。为了实现第二平坦化层275的这种平坦上表面，可以另外对第二平坦化层275执行平坦化工艺。作为示例，第二平坦化层275可以覆盖线图案215、连接电极235和第二子电源线352，并且可以沿线图案215、连接电极235和第二子电源线352的轮廓以均匀的厚度形成。第二平坦化层275可以使用有机材料形成。
第一阻止图案371可以被形成在周边区域20中保护绝缘层400和第二子电源线352上。第一阻止图案371可以在第三方向D3上与第二平坦化层275间隔开，并且可以覆盖形成在第二开口402中的第二子电源线352的第一端部。例如，第一阻止图案371可以沿显示区域10的外周边缘的轮廓形成。换句话说，第一阻止图案371可以在第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23中围绕显示区域10。在示例性实施例中，第二平坦化层275和第一阻止图案371可以使用相同的材料同时形成。
参考图13，下电极290可以被形成在显示区域10中第二平坦化层275上。下电极290可以经由通过去除第二平坦化层275的一部分而形成的接触孔连接至连接电极235。下电极290可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，下电极290可以具有包括多个层的多层结构。
连接图案295可以被形成在周边区域20中第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻止图案371和第二子电源线352上。连接图案295可以被形成在第二平坦化层275、第二平坦化层275的开口490的内侧、设置在第二平坦化层275和第一阻止图案371之间的保护绝缘层400、第一阻止图案371以及形成在第二开口402中的第二子电源线352上，并且可以在第三方向D3上延伸。换句话说，连接图案295可以沿第二平坦化层275、保护绝缘层400、第一阻止图案371和第二子电源线352的轮廓形成。连接图案295可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，连接图案295可以具有包括多个层的多层结构，并且下电极290和连接图案295可以使用相同的材料同时形成。
例如，在初始第三电极层被形成在第二平坦化层275、第二子电源线352第一阻止图案371和保护绝缘层400上之后，初始第三电极层可以被部分蚀刻以同时形成下电极290和连接图案295。
参考图14，像素限定层310可以被形成在显示区域10和第二周边区域22中第二平坦化层275上。像素限定层310可以暴露显示区域10中的下电极290的一部分同时在第三方向D3上延伸，并且可以形成在连接图案295上同时暴露形成在第二周边区域22中的开口490中的连接图案295。像素限定层310可以使用有机材料形成。
第二阻止图案372可以被形成在周边区域20中连接图案295上。第二阻止图案372可以在第三方向D3上与像素限定层310间隔开，并且可以覆盖形成在第一阻止图案371上的连接图案295。例如，第二阻止图案372可以在第一方向D1上延伸，并且可以沿显示区域10的外周边缘的轮廓形成。换句话说，第二阻止图案372可以在第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23中围绕显示区域10。第二阻止图案372可以使用有机材料形成。像素限定层310和第二阻止图案372可以使用相同的材料同时形成。
因此，包括第一阻止图案371和第二阻止图案372的阻止结构370可以被形成。
参考图15和图16，发光层330可以被形成在周边区域20的一部分和显示区域10中基板110上。例如，发光层330可以被形成在显示区域10中的像素限定层310和下电极290上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被形成在周边区域20中的像素限定层310的一部分上。换句话说，发光层330可以沿像素限定层310和下电极290的轮廓形成。在示例性实施例中，发光层330可以不与开口490重叠。发光层330可以具有包括EML、HIL、HTL、ETL、EIL等的多层结构。发光层330的EML可以根据子像素使用用于发射不同颜色的光的发光材料中的至少一种来形成。作为另一示例，发光层330的EML可以通过层叠用于发射诸如红光、绿光或蓝光的不同颜色的光的发光材料来形成以整体上发射白光。在这种情况下，滤色器可以被形成在形成在下电极290上的发光层330上。滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的至少一种。作为另一示例，滤色器可以包括黄色滤色器、青色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以使用光敏树脂或彩色光致抗蚀剂形成。
参考图17和图18，上电极340可以被在形成周边区域20的一部分和显示区域10中基板110上。例如，上电极340可以被形成在显示区域10中的发光层330上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被形成在发光层330、像素限定层310的一部分和形成在周边区域20中的开口490中的连接图案295上。换句话说，上电极340可以沿发光层330、像素限定层310和连接图案295的轮廓形成。在示例性实施例中，上电极340可以与形成在开口490中的连接图案295直接接触。上电极340可以使用金属、金属的合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以被单独使用或彼此组合使用。在示例性实施例中，上电极340可以具有包括多个层的多层结构。
因此，如上所述，包括下电极290、发光层330和上电极340的子像素结构200可以被形成。
如图17和18中示出，上电极340可以在第三方向D3(例如，从显示区域10到周边区域20的方向)上从发光层330突出第一距离d1。换句话说，上电极340的面积可以大于发光层330的面积。当从顶部观察时，显示区域10可以具有带有弧形拐角的矩形形状，并且当从顶部观察时，发光层330和上电极340也可以具有带有弧形拐角的矩形形状。
由于当从顶部观察时带有弧形拐角的矩形形状，上电极340在第三方向D3上从发光层330突出的距离可以在第一周边区域21、第二周边区域22和第三周边区域23中彼此不同。例如，上电极340在区域A中从发光层330突出的第二距离d2可以相对小于上电极340在其他区域中从发光层330突出的距离。在这种情况下，由于在区域A中第二距离d2太小，因此可能难以在第二平坦化层275中形成用于暴露第二子电源线352的开口。因此，开口490未被形成在区域A中的第二平坦化层275中。
再次参考图17，盖层345可以被形成在第二周边区域22的一部分和显示区域10中基板110上。例如，盖层345可以被形成在显示区域10中的上电极340上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被形成在周边区域20中的上电极340上。换句话说，盖层345可以沿显示区域10和周边区域20中的上电极340的轮廓形成。在示例性实施例中，盖层345可以与周边区域20中的上电极340重叠。盖层345可以使用三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(CBP)、Alq3等形成。
参考图19，第一薄膜封装层451可以被形成在显示区域10和周边区域20中基板110上。例如，第一薄膜封装层451可以被形成在显示区域10中的盖层345上同时在第三方向D3上延伸，并且可以被形成在周边区域20中的盖层345、像素限定层310、阻止结构370和连接图案295上。换句话说，第一薄膜封装层451可以沿盖层345、像素限定层310、阻止结构370和连接图案295的轮廓形成。在示例性实施例中，第一薄膜封装层451可以与开口490中的盖层345直接接触，并且可以与设置在第二周边区域22中的像素限定层310和阻止结构370之间的部分中的连接图案295直接接触。第一薄膜封装层451可以使用柔性无机材料形成。
第二薄膜封装层452可以被形成在周边区域20的一部分和显示区域10中第一薄膜封装层451上。第二薄膜封装层452可以与阻止结构370的侧壁的一部分重叠。作为另一示例，第二薄膜封装层452可以不与阻止结构370重叠，或者可以覆盖阻止结构370同时在第三方向D3上延伸。第二薄膜封装层452可以使用柔性有机材料形成。
第三薄膜封装层453可以被形成在第二薄膜封装层452和第一薄膜封装层451上。第三薄膜封装层453可以覆盖显示区域10中的第二薄膜封装层452同时沿第二薄膜封装层452的轮廓以均匀的厚度形成，并且可以延伸到周边区域20。第三薄膜封装层453可以沿周边区域20中的第一薄膜封装层451的一部分和第二薄膜封装层452的轮廓形成。第三薄膜封装层453可以使用柔性无机材料形成。
因此，包括第一薄膜封装层451、第二薄膜封装层452和第三薄膜封装层453的薄膜封装结构450可以被形成。作为另一示例，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一至第五薄膜封装层而形成的五层结构，或通过层叠第一至第七薄膜封装层而形成的七层结构。
在薄膜封装结构450被形成之后，玻璃基板105可以从基板110移除。因此，图6A中示出OLED显示设备100可以被制造。
本发明可以被应用于包括OLED显示设备的各种显示设备。例如，本发明可以被应用于车辆显示设备、船舶显示设备、飞机显示设备、便携式通信设备、用于显示或用于信息转送的显示设备、医疗显示设备等。
虽然已经参考本发明的实施例对本发明进行了说明和描述，但是对于本领域普通技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种有机发光二极管显示设备，包括：
基板，具有显示区域、围绕所述显示区域的周边区域以及设置在所述周边区域的侧面的焊盘区域，所述周边区域包括第一周边区域、第二周边区域和第三周边区域；
设置在所述显示区域中的发光层；
设置在所述第一周边区域的一部分、所述第二周边区域和所述第三周边区域中的第一电源线；
设置在所述显示区域、所述第一周边区域和所述第三周边区域中的第二电源线，所述第二电源线被设置在所述第二周边区域的外侧；
被设置为与所述第二周边区域和所述第三周边区域中的所述第一电源线重叠的连接图案，所述连接图案电连接至所述第一电源线；以及
设置在所述周边区域的一部分和所述显示区域中所述连接图案和所述发光层上方的上电极，所述上电极与所述第一电源线和所述连接图案重叠，所述上电极电连接至所述连接图案。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，进一步包括：
设置在所述焊盘区域的第一部分中的焊盘电极，
其中：
所述第一周边区域被设置为与所述焊盘区域的所述第一部分邻近，并且
所述第二周边区域被设置在所述第一周边区域的侧面，并且与所述焊盘区域的未设置焊盘电极的第二部分邻近。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第一电源线电连接至所述焊盘电极。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第一电源线与所述焊盘电极中的至少两个电连接，并且所述第二电源线与所述焊盘电极中的至少一个电连接，所述焊盘电极中与所述第二电源线连接的所述至少一个被设置在所述焊盘电极中与所述第一电源线连接的所述至少两个的内部。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，所述连接图案被设置在所述第一周边区域的外侧。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中低电源电压被施加至所述第一电源线，并且高电源电压被施加至所述第二电源线。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第二电源线包括：
设置在所述第一周边区域中的第一部分；
设置在所述显示区域中并具有格子形状的第二部分；以及
设置在所述第三周边区域的一部分中以围绕所述第二部分的第三部分，并且
所述第二电源线的所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分彼此一体地形成。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第二电源线的所述第一部分和所述第二部分在所述第一周边区域的与所述显示区域和所述周边区域之间的边界邻近的部分中彼此连接，并且
所述第二电源线的所述第二部分和所述第三部分在所述第三周边区域的与所述显示区域和所述周边区域之间的所述边界邻近的部分中彼此连接。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第二电源线的所述第三部分在所述第三周边区域中与所述第一电源线的内侧间隔开。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第二电源线的所述第三部分被设置在所述第二周边区域的外侧。
11.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中，当在平面图中观察时，所述显示区域具有带有弧形拐角的矩形形状，并且
所述显示区域的所述弧形拐角包括：
邻近于所述焊盘区域设置的第一弧形拐角；以及
面对所述第一弧形拐角的第二弧形拐角。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第一弧形拐角邻近于所述第二周边区域设置，并且所述第二弧形拐角邻近于所述第三周边区域设置。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第一电源线在所述第二周边区域中具有第一宽度，并且在所述第三周边区域中具有小于所述第一宽度的第二宽度。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管显示设备，其中所述连接图案具有与所述第一电源线的所述第一宽度和所述第二宽度中的每一个对应的宽度。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示设备，进一步包括：
设置在所述显示区域和所述周边区域中并且在所述基板和所述发光层之间的保护绝缘层，所述保护绝缘层在所述第二周边区域中具有开口；
设置在所述周边区域的一部分和所述显示区域中并且在所述保护绝缘层上以暴露所述保护绝缘层的所述开口的第一平坦化层；以及
设置在所述周边区域的一部分和所述显示区域中并且在所述第一平坦化层上的第二平坦化层，所述第二平坦化层具有用于暴露所述第二周边区域中的所述第一电源线的开口。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示设备，其中所述发光层从所述显示区域延伸到所述周边区域，并且所述发光层被设置在所述周边区域中以不与所述第二平坦化层的所述开口重叠。
17.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示设备，进一步包括：
设置在所述显示区域中并且在所述第二平坦化层上的下电极，
其中所述上电极被设置在所述下电极上，并从所述显示区域延伸到所述周边区域。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示设备，其中所述上电极直接接触所述第二周边区域中的所述连接图案。
19.根据权利要求18所述的有机发光二极管显示设备，其中所述下电极和所述连接图案被设置在同一层上。
20.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示设备，其中所述第一电源线包括：
设置在所述基板和所述保护绝缘层之间的第一子电源线，所述第一子电源线被所述保护绝缘层的所述开口暴露；以及
设置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间的第二子电源线，所述第二子电源线通过所述保护绝缘层的所述开口直接接触所述第一子电源线，所述第二子电源线被所述第二平坦化层的所述开口暴露。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示设备，其中所述连接图案通过所述第二平坦化层的所述开口直接接触所述第二子电源线。
22.根据权利要求20所述的有机发光二极管显示设备，进一步包括：
设置在所述显示区域中并且在所述基板和所述保护绝缘层之间的半导体元件；以及
设置在所述显示区域中并且在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间的线图案和连接电极。
23.根据权利要求22所述的有机发光二极管显示设备，其中所述线图案、所述连接电极和所述第二子电源线被设置在同一层上。
24.根据权利要求22所述的有机发光二极管显示设备，其中所述半导体元件包括：
设置在所述显示区域中的有源层；
设置在所述有源层上的栅绝缘层；
设置在所述栅绝缘层上的栅电极；
设置在所述栅电极上的绝缘中间层；以及
设置在所述绝缘中间层上的源电极和漏电极。
25.根据权利要求24所述的有机发光二极管显示设备，其中所述源电极和所述漏电极以及所述第一子电源线被设置在同一层上。
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