CN111613503B - 半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备，所述上电级机构包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，所述射频线圈包括至少两条并联的支路；每条所述支路上均设置有一所述电流传感器，用于检测该支路的支路电流；所述电流调整装置设置在所述射频线圈上，用于调整每个所述支路的支路电流，以使各所述支路的支路电流均相等。这样，通过电流调整装置，可以使射频线圈中每个支路的支路电流相等，实现刻蚀的均匀性。

Description

半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备。
背景技术
在等离子体刻蚀设备中，提高刻蚀在晶圆范围内的均匀性非常重要。
在目前的电感耦合等离子体设备中，射频源输出射频功率，通过匹配器连接至外线圈和内线圈，匹配器与线圈之间通过连接条部分进行过渡连接。通过匹配器的匹配作用，使内线圈和外线圈产生的感应磁场，经介质窗在腔室中产生感应耦合等离子体。此射频源可以通过调节内线圈和外线圈中的电流比例来控制等离子体的径向均匀性。
但是，通过上述方法调节电流，以实现等离体子的径向均匀性时，由于匹配器与线圈之间的连接条部分与每个线圈相连接的部分均可看做线圈阻抗的一部分，由于机械结构(如连接条分支长度)的不同，以及对地部分空间的限制带来的分布参数的差异，每个并联支路上的所串联的连接条部分的分布参数均不同，因此支路总电感值也各不相同，则经过两条并联支路的电流均不相同，从而经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，导致刻蚀工艺不均匀的问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备，以解决现有技术中存在的通过调节内外圈和外线圈的电流比例来实现等离体子的径向均匀性时，存在的刻蚀工艺不均匀的问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例是这样实现的：
第一方面，本发明实施例提供的一种半导体工艺设备的上电极机构，包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，
所述射频线圈包括至少两条并联的支路；
每条所述支路上均设置有一所述电流传感器，用于检测该支路的支路电流；
所述电流调整装置设置在所述射频线圈上，用于调整每个所述支路的支路电流，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述电流调整装置包括：至少两个可调电容，所述至少两个可调电容一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上。
可选地，所述电流调整装置包括：第一连接条、第二连接条、移动连接条，其中，所述第一连接条通过匹配器连接至射频源，所述第二连接条分别与所述至少两条并联的支路连接，所述移动连接条与所述第一连接条、第二连接条可移动地连接，所述移动连接条与所述第一连接条的连接点可沿所述第一连接条移动，所述移动连接条与所述第二连接条的连接点可沿所述第二连接条移动。
可选地，所述移动连接条的两端分别通过一连接组件与所述第一连接条、第二连接条连接，所述连接组件包括：第一垫片、第二垫片、弹性件、螺钉，所述第一连接条、第二连接条上就开设有条形槽，所述移动连接条的两端分别开设有与所述螺钉配合的螺纹孔，所述第一垫片、所述第二垫片上均开设有供所述螺钉穿过的过孔，其中，
所述第一垫片与所述第一连接条或所述第二连接条贴合设置，所述弹性件设置在所述第一垫片和所述第二垫片之间，所述螺钉依次穿过所述第二垫片上的过孔、第一垫片上的过孔、所述第一连接条或所述第二连接条上的条形槽与所述移动连接条上的螺纹孔连接。
第二方面，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室上设置有如第一方面所述的上电极机构。
第三方面，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备中射频线圈的电流控制方法，应用于上述第一方面所述上电极机构，包括：
获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流；
判断各所述支路电流是否均相等；
在各所述支路电流是不相等时，调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等，包括：
调整一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上的至少两个可调电容中的一个或多个可调电容的容值，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等，包括：
调整所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述调整所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置，包括：
向远离所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量减小；
沿所述第一连接条及所述第二连接条移动所述移动连接条的两端，以改变所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置；
向靠近所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量增加，以固定所述移动连接条。
第四方面，本发明实施例提供了一种半导体工艺设备的电流调整装置，所述装置包括：
获取模块，用于获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流；
判断模块，用于判断各所述支路电流是否均相等；
调整模块，用于在各所述支路电流是不相等时，调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述调整模块，用于：
调整一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上的至少两个可调电容中的一个或多个可调电容的容值，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述调整模块，用于：
调整所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置，以使各所述支路的支路电流均相等。
可选地，所述调整模块，用于：
向远离所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量减小；
沿所述第一连接条及所述第二连接条移动所述移动连接条的两端，以改变所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置；
向靠近所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量增加，以固定所述移动连接条。
由以上本发明实施例提供的技术方案可见，本发明实施例通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种半导体工艺设备的构造的示意图；
图2为本发明一种半导体工艺设备的构造的示意图；
图3为本发明一种等效电路图的示意图；
图4为本发明一种移动连接条的结构示意图；
图5为本发明一种移动连接条的剖视结构示意图；
图6为本发明另一种等效电路图的示意图；
图7为本发明一种半导体工艺设备的电流调整方法的流程示意图；
图8为本发明另一种半导体工艺设备的电流调整方法的流程示意图；
图9为本发明一种半导体工艺设备的电流调整装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供一种半导体工艺设备的上电极机构及半导体工艺设备。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供一种半导体工艺设备的上电极机构，包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，
射频线圈可以包括至少两条并联的支路。每条支路上均设置有一电流传感器，可以用于检测该支路的支路电流。电流调整装置设置在射频线圈上，可以用于调整每个支路的支路电流，以使各支路的支路电流均相等。
半导体工艺设备的结构可以如图1所示，在半导体工艺设备中可以配置有射频源、匹配器、射频线圈(包括内线圈和外线圈)、连接条、介质窗(通常由石英或陶瓷等材料制成)、腔室和静电卡盘。射频源输出射频功率，通过匹配器连接至外线圈和内线圈(即射频线圈)，匹配器与射频线圈之间通过连接条进行过渡连接，外线圈可以由两组相同的线圈并联连接，内线圈也可以由两组相同的线圈并联连接，以实现径向的电压均匀分布。
通过匹配器的匹配作用，使内线圈和外线圈产生的感应磁场，经介质窗在腔室中产生感应耦合等离子体。其中，在腔室内可以引入各种反应气体(如Cl2，SF6，C4F8，O2等)，然后利用射频线圈产生的感应电磁场，使腔室内的气体原子内束缚电子摆脱势阱成为自由电子，获得动能的自由电子再与分子、原子或离子产生碰撞使得气体完全解离，形成等离子体。等离子体中含有大量电子、离子(包括正离子和负离子)、激发态原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和置于腔体并曝露在等离子体中的晶圆表面相互作用，使晶圆材料表面发生各种物理化学反应，从而使材料表面性能发生变化，完成刻蚀等工艺。此外，在腔室内，静电卡盘还可以外接射频偏压以调控轰击晶圆的离子能量。
优选地，在射频线圈的每个线圈的支路上可以设置有电流传感器，用于获取每条支路上的支路电路。可以分别获取射频线圈中每个支路的支路电流。例如，如图1所示，外线圈中的支路分支1和支路分支4为同一支路的两个部分，即电流从支路分支1输入，并由支路分支4输出，所以支路分支1和支路分支4上的支路电流相等，同样的，支路分支2和支路分支3也为同一支路上的两个部分，即电流从支路分支2输入，并由支路分支3输出。因此，可以在支路分支1和支路分支3上设置电流传感器，并将分别获取的支路分支1和支路分支3的支路电流，作为外线圈的两条并联支路的支路电流，或者，也可以在支路分支2和支路分支4上设置电流传感器，并将分别获取的支路分支2和支路分支4的支路电流，作为外线圈的两条并联支路的支路电流。
电流调整装置可以分别获取射频线圈中每个线圈的两条并联支路的支路电流，射频线圈包括至少两个用于产生等离子体的线圈(即内线圈和外线圈)。对射频线圈中的每个线圈的支路电流进行检测，在检测到射频线圈中存在两条并联支路的支路电流不相等的线圈的情况下，可以对支路电流进行调整，以使射频线圈中每个线圈的两条并联支路的支路电流相等，以实现对等离子体刻蚀的均匀性。
此外，半导体工艺设备可以为电感偶合体光谱发生仪(Inductive CoupledPlasma Emission Spectrometer，ICP)、电容耦合等离子体(Capacitively CoupledPlasma，CCP)设备、微波等离体子设备、电子回旋共振等离子体(ElectronCyclotronResonance，ECR)设备等。
本发明实施例提供一种半导体工艺设备，通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
实施例二
本发明实施例提供又一种半导体工艺设备的上电极机构。该半导体工艺设备的上电极机构包含了上述实施例一的半导体工艺设备的上电极机构的全部功能单元，并在其基础上，对其进行了改进，改进内容如下：
电流调整装置包括：至少两个可调电容，至少两个可调电容一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上。
例如，如图2所示，电流调整装置可以包括设置于每个线圈的某两条并联支路上的可调电容(如可调节电e、可调电容f、可调电容g和可调电容h)，则由可调电容e所在的支路和可调电容h所在的并联支路构成的等效电路图可以如图3所示。此外，每条支路上的可调电容的初始电容值可以是相同的，例如，可调电容的初始值可以设置为100pF，从整体上来看可以减小阻抗的变化，从而减小对刻蚀速率的影响。每个可调电容的可调节范围可以是预设的，例如，预设可调节范围可以为初始值±10pF，即在可调节范围内可以对可调电容做精确调节。
此外，如图4所示，电流调整装置还可以包括：第一连接条10、第二连接条12、移动连接条11，其中，第一连接条10可以通过匹配器连接至射频源，第二连接条12可以分别与至少两条并联的支路连接(12(a)和12(b))，移动连接条11可以与第一连接条10、第二连接条12可移动地连接，移动连接条11可以与第一连接条10的连接点可沿第一连接条移动，移动连接条11可以与第二连接条12的连接点可沿第二连接条移动。
如图4和图5所示，移动连接条11的两端可以分别通过一连接组件与第一连接条10、第二连接条12连接，连接组件可以包括：第一垫片15(a)、第二垫片15(b)、弹性件16、螺钉14，第一连接条10、第二连接条12上就开设有条形槽13，移动连接条11的两端分别开设有与螺钉14配合的螺纹孔，第一垫片15(a)、第二垫片15(b)上均开设有供螺钉14穿过的过孔，其中，
第一垫片15(a)与第一连接条10或第二连接条12贴合设置，弹性件16设置在第一垫片15(a)和第二垫片15(b)之间，螺钉14依次穿过第二垫片15(b)上的过孔、第一垫片15(a)上的过孔、第一连接条10或第二连接条12上的条形槽13与移动连接条11上的螺纹孔连接。
当需要滑动移动连接条11时，可将螺钉14拧松使弹性件16压力减小，减小移动连接条11与第一连接条10和第二连接条12之间的摩擦力，便于移动连接条11沿着第一连接条10与第二连接条12上的条形槽13左右滑动。可以将螺钉14拧紧至弹性件16完全压缩，将移动连接条11固定在某一位置上不再滑动。由移动连接条11和第二连接条12(a)和第二连接条12(b)所在的支路构成的等效电路图可以如图6所示，其中，图6(a)是内线圈的一组支路构成的等效电路图(即第二连接条12(a)和第二连接条12(b)分别对应内线圈的一组支路)，图6(b)是外线圈的一组支路构成的等效电路图(即第二连接条12(a)和第二连接条12(b)分别对应外线圈的一组支路)，其中，L1和L2为一组线圈，对应射频线圈中的内线圈，L3和L4为一组线圈，对应射频线圈中的外线圈，支路的电感为可变电感。
本发明实施例提供一种半导体工艺设备，通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
实施例三
本实施例提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，该工艺腔室上设置有如实施例一和实施例二所述的上电极机构，所述半导体工艺设备的上电极机构，包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，
射频线圈可以包括至少两条并联的支路，每条支路上均设置有一电流传感器，用于检测该支路的支路电流，电流调整装置设置在射频线圈上，用于调整每个支路的支路电流，以使各支路的支路电流均相等。
电流调整装置可以包括：至少两个可调电容，至少两个可调电容一一对应地设置在至少两条并联的支路上。
电流调整装置可以包括：第一连接条、第二连接条、移动连接条，其中，第一连接条通过匹配器连接至射频源，第二连接条分别与至少两条并联的支路连接，移动连接条与第一连接条、第二连接条可移动地连接，移动连接条与第一连接条的连接点可沿第一连接条移动，移动连接条与第二连接条的连接点可沿第二连接条移动。
移动连接条的两端可以分别通过一连接组件与第一连接条、第二连接条连接，连接组件包括：第一垫片、第二垫片、弹性件、螺钉，所述第一连接条、第二连接条上就开设有条形槽，移动连接条的两端分别开设有与螺钉配合的螺纹孔，第一垫片、第二垫片上均开设有供所述螺钉穿过的过孔，其中，
第一垫片与第一连接条或第二连接条贴合设置，弹性件设置在第一垫片和第二垫片之间，螺钉依次穿过第二垫片上的过孔、第一垫片上的过孔、第一连接条或第二连接条上的条形槽与移动连接条上的螺纹孔连接。
本发明实施例提供一种半导体工艺设备，通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
实施例四
如图7所示，本发明实施例提供一种半导体工艺设备的电流调整方法，该方法的执行主体可以为实施例三中的半导体工艺设备的控制器，也可以是具备电流调整机制的半导体工艺设备，还可以是半导体工艺设备的服务器，该服务器可以是独立的服务器，也可以是由多个服务器组成的服务器集群。该方法具体可以包括以下步骤：
在S702中，获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流。
其中，射频线圈包括至少两个用于产生等离子体的线圈，半导体工艺设备可以是用于在晶圆表面进行刻蚀工艺的设备。
例如，如图1所示，射频线圈可以包括外线圈和内线圈，其中，外线圈中的支路分支1和支路分支4为同一支路的两个部分，即电流从支路分支1输入，并由支路分支4输出，所以支路分支1和支路分支4上的支路电流相等，同样的，支路分支2和支路分支3也为同一支路上的两个部分，即电流从支路分支2输入，并由支路分支3输出。因此，可以在支路分支1和支路分支3上设置电流传感器，并将分别获取的支路分支1和支路分支3的支路电流，作为外线圈的两条并联支路的支路电流，或者，也可以在支路分支2和支路分支4上设置电流传感器，并将分别获取的支路分支2和支路分支4的支路电流，作为外线圈的两条并联支路的支路电流。
上述是以射频线圈包括内线圈和外线圈为例进行说明，在实际应用场景中，半导体工艺设备中还可以有多个用于产生等离子体的线圈，可以根据实际应用场景的不同而有所不同，本发明实施例对此不作具体限定。
在S704中，判断各支路电流是否均相等。
优选地，以射频线圈包括内外圈和外线圈为例，可以检测射频线圈中每个线圈的两条并联支路的支路电流是否相等。
在S706中，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。
如图2所示，以射频线圈包括内线圈和外线圈为例，在外线圈的两条并联支路上，可以分别设置有电流传感器和可调电容(即电流调整装置)，例如，如图2所示，支路分支1和支路分支4可以为同一支路的两个部分，即电流从支路分支1输入，并由支路分支4输出，所以支路分支1和支路分支4上的支路电流相等，同样的，支路分支2和支路分支3也可以为同一支路上的两个部分，即电流从支路分支2输入，并由支路分支3输出，所以，可以在支路分路2上设置有电流传感器a和可调电容，在支路分路4上设置有电流传感器d和可调电容。同样的，在内线圈的两条并联支路上，也可以设置有电流传感器(如电流传感器b和电流传感器c)和可调电容。
可以通过支路上的电流传感器，获取该支路上的支路电流，并对每个线圈的两条并联支路上的支路电流是否相等进行检测。例如，如果检测到外线圈的支路分路2和支路分路4上的支路电流不相等，则可以根据支路分路2和支路分路4上的支路电流，调整外线圈电流的电容。同样的，如果内线圈的两条并联支路的支路电流不相等，也可以根据内线圈的两条支路的支路电流，调整内线圈电流的电容。这样，可以使每个线圈上的并联支路的支路电流相等，提高等离子体的均匀分布，从而提高半导体工艺设备的刻蚀均匀性。
本发明实施例提供一种半导体工艺设备的电流调整方法，通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
实施例五
如图8所示，本发明实施例提供一种半导体工艺设备的电流调整方法，该方法具体可以包括以下步骤：
在S802中，获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流。
其中，两条并联的支路可以为射频线圈的两条并联输入支路或射频线圈的两条并联输出支路。
如图1所示，在半导体工艺设备中，射频线圈可以包括内线圈和外线圈，每个线圈可以有两组并联支路，如在外线圈中，支路分路1和支路分路3可以为两条并联的支路，支路分路2和支路分路4可以为两条并联的支路，由于支路分路1和支路分路4为同一条支路，支路2和支路3也为同一条支路。所以，可以获取外线圈中支路1和支路3的支路电流，作为外线圈的两条并联支路的支路电流，即获取外线圈的两条并联输入支路的支路电流作为外线圈的两条并联支路的支路电流。
此外，对于射频线圈中不同的线圈，可以获取不同的线圈的并联支路的支路电流，如对于线圈1，可以获取线圈1的两条并联输入支路的支路电流，对于线圈2，可以获取线圈2的两条并联输出支路的支路电流等，本发明实施例对此不作具体限定。
在S804中，判断各支路电流是否均相等。
在各支路电流是不相等时，可以根据下述S806或S808，对支路的支路电流进行调整。
在S806中，在各支路电流是不相等时，调整一一对应地设置在至少两条并联的支路上的至少两个可调电容中的一个或多个可调电容的容值，以使各支路的支路电流均相等。
优先地，可以通过手动调节的方式，对支路上的可调电容的容值进行调整，以使各支路的支路电流相等。或者，还可以通过控制器，基于电流和电容的预设对应关系，确定对应的容值，电流和电容的预设对应关系可以如表1所示。
表1
电流 电容容值
不大于I<sub>1</sub> C1
不小于I<sub>1</sub>且不大于I<sub>2</sub> C2
大于I<sub>2</sub> C3
如果射频线圈中存在两条并联支路(如支路1和支路2)的支路电流不相等的线圈，且该线圈的支路1的支路电流不小于I1且不大于I2，该线圈的支路2的支路电流不大于I2，则基于上述表1中的预设对应关系，可以确定用于调整支路1的容值为C2和确定用于调整支路2的容值为C3。
上述预设对应关系的确定方法是一种可选地、可实现的确定方法，在实际应用场景中，还可以有多种不同的确定方法，可以根据实际应用场景的不同而有所不同，本发明实施例对此不作具体限定。
在S808中，在各支路电流是不相等时，在各支路电流是不相等时，调整移动连接条与第一连接条及第二连接条的连接点的位置，以使各支路的支路电流均相等。
在实际应用中，上述S808的处理方式可以多种多样，以下再提供一种可选的实现方式，具体可以参见下述步骤一～步骤三。
步骤一，向远离移动连接条的方向拧动螺钉，使位于第一垫片和第二垫片之间的弹性件的压缩量减小。
步骤二，沿第一连接条及第二连接条移动移动连接条的两端，以改变移动连接条与第一连接条及第二连接条的连接点的位置。
步骤三，向靠近移动连接条的方向拧动螺钉，使位于第一垫片和第二垫片之间的弹性件的压缩量增加，以固定移动连接条。
本发明实施例提供一种半导体工艺设备的电流调整方法，通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
实施例六
以上为本发明实施例提供的半导体工艺设备的电流调整方法，基于同样的思路，本发明实施例还提供一种半导体工艺设备的电流调整装置，如图9所示。
该半导体工艺设备的电流调整装置包括：获取模块901、判断模块902和调整模块903，其中：
获取模块901，用于获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流；
判断模块902，用于判断各所述支路电流是否均相等；
调整模块903，用于在各所述支路电流是不相等时，调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等。
在本发明实施例中，所述调整模块903，用于：
调整一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上的至少两个可调电容中的一个或多个可调电容的容值，以使各所述支路的支路电流均相等。
在本发明实施例中，所述调整模块903，用于：
调整所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置，以使各所述支路的支路电流均相等。
在本发明实施例中，所述调整模块903，用于：
向远离所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量减小；
沿所述第一连接条及所述第二连接条移动所述移动连接条的两端，以改变所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置；
向靠近所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量增加，以固定所述移动连接条。
本发明实施例提供一种半导体工艺设备的电流调整装置，通过获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流，判断各支路电流是否均相等，在各支路电流是不相等时，调整设置在射频线圈上的电流调整装置，以使各支路的支路电流均相等。这样，对存在并联的支路的支路电流不相等的射频线圈，可以通过电流调整装置进行调整，以使射频线圈中两条并联的支路的支路电流相等，这样就可以避免由于线圈的并联支路的电流不同，导致的经过介质窗耦合至腔室等离子体的能量出现高低不均匀的情况，从而保证刻蚀工艺的均匀性。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
本领域技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (8)

1.一种半导体工艺设备的上电极机构，包括：射频线圈、电流传感器、电流调整装置，其中，
所述射频线圈包括至少两条并联的支路；
每条所述支路上均设置有一所述电流传感器，用于检测该支路的支路电流；
所述电流调整装置设置在所述射频线圈上，用于调整每个所述支路的支路电流，以使各所述支路的支路电流均相等；
所述电流调整装置包括：第一连接条、第二连接条、移动连接条，其中，所述第一连接条通过匹配器连接至射频源，所述第二连接条分别与所述至少两条并联的支路连接，所述移动连接条与所述第一连接条、第二连接条可移动地连接，所述移动连接条与所述第一连接条的连接点可沿所述第一连接条移动，所述移动连接条与所述第二连接条的连接点可沿所述第二连接条移动。
2.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述电流调整装置包括：至少两个可调电容，所述至少两个可调电容一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上。
3.根据权利要求1所述的上电极机构，其特征在于，所述移动连接条的两端分别通过一连接组件与所述第一连接条、第二连接条连接，所述连接组件包括：第一垫片、第二垫片、弹性件、螺钉，所述第一连接条、第二连接条上就开设有条形槽，所述移动连接条的两端分别开设有与所述螺钉配合的螺纹孔，所述第一垫片、所述第二垫片上均开设有供所述螺钉穿过的过孔，其中，
所述第一垫片与所述第一连接条或所述第二连接条贴合设置，所述弹性件设置在所述第一垫片和所述第二垫片之间，所述螺钉依次穿过所述第二垫片上的过孔、第一垫片上的过孔、所述第一连接条或所述第二连接条上的条形槽与所述移动连接条上的螺纹孔连接。
4.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室上设置有如权利要求1-3任一项所述的上电极机构。
5.一种半导体工艺设备中射频线圈的电流控制方法，应用于权利要求1-3任一项所述上电极机构，包括：
获取射频线圈的至少两条并联的支路的支路电流；
判断各所述支路电流是否均相等；
在各所述支路电流是不相等时，调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等，包括：
调整一一对应地设置在所述至少两条并联的支路上的至少两个可调电容中的一个或多个可调电容的容值，以使各所述支路的支路电流均相等。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述调整设置在所述射频线圈上的电流调整装置，以使各所述支路的支路电流均相等，包括：
调整所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置，以使各所述支路的支路电流均相等。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，应用于权利要求3所述的上电极机构，所述调整所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置，包括：
向远离所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量减小；
沿所述第一连接条及所述第二连接条移动所述移动连接条的两端，以改变所述移动连接条与所述第一连接条及所述第二连接条的连接点的位置；
向靠近所述移动连接条的方向拧动所述螺钉，使位于所述第一垫片和所述第二垫片之间的弹性件的压缩量增加，以固定所述移动连接条。
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