CN111599925A - 一种以双（甲酸）二甲基锡n型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池材料及器件技术领域，包括以下步骤：（1）将异辛酸亚锡溶解到一种或者多种共混的弱极性有机溶剂中，通过搅拌方式将其完全溶解，得到无色透明溶液；将溶液滴到洁净的透明导电衬底上，进行旋涂，然后在紫外臭氧机中进行紫外臭氧处理，得到薄膜；记为：衬底负电极/CSCO。（2）在步骤（1）所得样品上沉积具有光电转换性能的材料，得到活性层，然后制备空穴传输层，最后蒸镀顶层正电级，得到太阳能电池，记为：衬底负电极/CSCO/活性层/空穴传输层/顶层正电级。

Description

一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的 太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明属于新型太阳能电池材料及器件领域，具体涉及一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法。
背景技术
在不可再生能源大量消耗的背景下，利用作为绿色能源代表的太阳能成为未来获取能源的首选途径。太阳能电池是直接将太阳能转为电能的一种重要装置，是利用太阳能的最佳方式之一。作为太阳能能电池中重要的组成部分，电子传输层用于提取光生电子并转移负电极，其成本和性能直接决定电池的商业制作成本。为了提高电池性能和降低制备成本，科研工作者在传统高温制备二氧化钛电子传输层的基础上，研发了非常多改性和替代的半导体材料。比如改性二氧化钛（Zhou et al., Science, 2014, 345, 542. DIO:10.1126/science.1254050）、二氧化锡（Jiang et al., Nat. Photonics, 2019, 13,460. DIO: 10.1038/s41566-019-0398-2）、氧化锌（Ding et al., Adv. Funct. Mater.,2019, 29, 1900265. DIO: 10.1002/adfm.201900265）和有机PCBM材料（Tao et al.,Energy Environ. Sci., 2015, 8, 2365. DIO:10.1039/C5EE01720C）等。然而在材料的多项物理性能方面仍有必要进一步提升，比如导电性、光吸收性和与活性层能级匹配等。
本发明提供一种双（甲酸）二甲基锡（(CH3)2Sn(COOH)2；缩写：CSCO）N型半导体的制备方法，其具有高的导电性，在可见光范围内几乎无吸收，同时具备非常宽的带隙，以及合适的导带及价带位置。非常适合作为电子传输层运用于新型的太阳能电池中，比如钙钛矿太阳能能电池、量子点太阳能电池、聚合物太阳能电池和小分子太阳能电池等。更为重要的是，该材料的制备工艺非常简单，制作成本非常低，有助于促进新型太阳能电池的商业化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池及其制备方法。
基于上述目的，本发明采取如下技术方案：
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，步骤如下：
（1）将异辛酸亚锡溶解到有机溶剂中，搅拌至完全溶解，得到无色透明溶液；将溶液滴到洁净的透明导电衬底上，进行旋涂，然后进行紫外臭氧处理，即得双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜；所述有机溶剂为乙醇、异丙醇、正丁醇、乙酸乙酯、乙醚、异丙醚、二氯甲烷、氯仿、溴乙烷、苯、氯苯、二氯苯、四氯化碳、二硫化碳、环己烷、正己烷、煤油中的任一中或两种以上任意比例的环合物；
（2）以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为样品或将双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜经KCl修饰后作为样品，在样品上沉积活性层，然后制备Spiro-OMeTAD空穴传输层，最后蒸镀顶层正电级，得到太阳能电池，所述活性层为钙钛矿层或P3HT:PCBM活性层，所述顶层正电级为金、银或三氧化钼中的至少一种。
进一步地，所述有机溶剂为下述中的一种：（1）乙醇，（2）正己烷，（3）异丙醇、环己烷按照质量比1:4的混合溶剂。
进一步地，异辛酸亚锡和有机溶剂的质量比为1:（4~20），紫外臭氧处理温度25-50℃，处理时间30~90分钟。紫外臭氧处理温度具体地，如为25~35℃，30~40℃，35~50℃，40~50℃中的任意范围，处理时间具体地，如为30~40分钟、35~50分钟，40~55分钟，45~60分钟，50~65分钟，60~80分钟，70~90分钟中的任意范围。紫外光波波长范围为160-300 nm，臭氧的浓度范围为738~778 ppm。
进一步地，步骤（1）中所述透明导电衬底为ITO、FTO或AZO玻璃，旋涂是指2000-6500转/分钟旋涂5-60 s。
进一步地，KCl修饰的具体过程如下：将KCl溶于去离子水中，每1 mL去离子水加入5 mg KCl，室温搅拌1~3小时，4000~6000转/分钟旋涂20-40 s，100℃退火5~15分钟，即得。
进一步地，所述钙钛矿层的具体制备过程如下：DMF和DMSO按照体积比4:1混合作为溶剂；然后按照摩尔比为0.05:0.81:0.14:0.78:0.22加入碘化铯、甲脒碘、甲胺碘、碘化铅和碘化铅，50℃搅拌10~15小时得到均匀的钙钛矿前驱体溶液；其中，溶液中五种固体总含量为1.4 mol/L，取60 µL所得钙钛矿前驱体溶液，将其滴到样品上，匀胶旋涂，旋涂结束前5 s时向样品上滴加800 µL无水乙醚，100℃退火处理20~40分钟，自然降温到室温即得；或者将DMF和DMSO按照体积比9:1混合；然后加入MAI和PbI2，MAI和PbI2的摩尔比为1:1；50℃搅拌10~15小时得到均匀的钙钛矿前驱体溶液，其中，溶液中MAI和PbI2总含量为1.1 mol/L，取60 µL所得钙钛矿前驱体溶液，将其滴到样品上，匀胶旋涂，旋涂结束前5 s时向样品上滴加800 µL无水乙醚，100℃退火处理5~15分钟，自然降温到室温即得。
进一步地，所述P3HT:PCBM活性层的具体制备过程如下：将聚3-己基噻吩和[6,6]－苯基-C61-丁酸异甲酯按照质量比1:1加入邻二氯苯配制成浓度为36 mg/mL的溶液；50℃搅拌10~15小时得到均匀的聚合物前驱体溶液，取100 µL所得聚合物前驱体溶液滴到样品上并旋涂，然后150℃退火处理10~30分钟，自然降温到室温即得。
上述制备方法制得的以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池，空穴传输层的厚度为80 nm，顶层电机的厚度为100~105 nm。
和现有技术相比，本发明产生的有益效果如下：
1）本发明使用紫外光处理制备CSCO电子传输层，适合作为太阳能电池的电子传输层，同时活性层在紫外处理后的薄膜上润湿性和附着性非常好，容易制备高质量活性层薄膜。
2）本发明制备的CSCO是导电性能非常好的N性半导体材料。
3）本发明制备双（甲酸）二甲基锡N型半导体的操作工艺流程极其简单，对设备要求非常低，整体能耗低，试验成本非常低。
4）本发明制备双（甲酸）二甲基锡N型半导体的制作温度低，适合应用到玻璃衬底的太阳能电池中，同时适合应用到柔性衬底的太阳能电池中。其应用前景广阔。
附图说明
图1为本发明制做的电池结构示意图；
图2为本发明CSCO的晶胞结构示意图；
图3为实施例1中CSCO的物理化学性质。其中a）图为CSCO表面SEM， b）图为CSCO的XRD图，c）图为CSCO的XPS图，d）、e）和f）图为C 1s、Sn 3d5/2和O 1s的XPS分图；
图4为实施例1中Au/CSCO/Au及Au/SnO2/Au的电流电压特性曲线；
图5为实施例1中Au/CSCO/Au及Au/SnO2/Au的结构示意图；
图6为实施例1中CSCO的UPS图，其中插图为UV-vis图；
图7为实施例1制得钙钛矿太阳能电池（实施试样1）的电流密度-电压特性曲线；
图8为实施例2制得钙钛矿太阳能电池（实施试样2）的电流密度-电压特性曲线；
图9为实施例3制得钙钛矿太阳能电池（实施试样3）的电流密度-电压特性曲线；
图10为实施例4制得聚合物太阳能电池（实施试样4）的电流密度-电压特性曲线；
图11为实施例5制得钙钛矿太阳能电池（实施试样5）的电流密度-电压特性曲线；
图12为实施例6制得钙钛矿太阳能电池（实施试样6）的电流密度-电压特性曲线。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明的技术方案作进一步地详细介绍，但本发明的保护范围并不局限于此。
下述实施例中的旋涂均在匀胶机上进行。
实施例1
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
步骤1），使用盐酸加锌粉湿法刻蚀方法刻蚀ITO导电玻璃，得到合适面积的导电区域，用于控制电池的有效面积（0.04 mm2）。将刻蚀好的ITO导电玻璃用玻璃水清洗剂浸泡24小时，然后依次用丙酮、无水乙醇、异丙醇、去离子水各超声清洗20分钟，氮气吹干，然后将其放置到紫外臭氧清洗机中处理，处理15分钟后得到洁净的ITO导电玻璃衬底；
步骤2），CSCO致密层的制备：在样品瓶中加入100 mg的异辛酸亚锡（99.5%，百灵威科技有限公司），再滴加1500 mg的无水乙醇，室温下磁力搅拌2小时后得到无色的透明胶体溶液；将100 µL胶体溶液滴到洁净的ITO导电玻璃上，匀胶旋涂，6000转/分钟下旋涂30 s。然后在紫外臭氧清洗机中进行紫外臭氧处理，处理温度为50℃，处理时间为1小时，所得样品记为：ITO/ CSCO；
表1 紫外臭氧清洗机开机 30min 后，持续 90min 所测试原始数据
Figure DEST_PATH_IMAGE001
CSCO的晶胞结构示意图详见图2，CSCO薄膜的SEM、XRD、XPS以及C 1s、Sn 3d5/2和O 1s的XPS分图详见图3，其中2a）图为CSCO表面SEM，可以看出CSCO薄膜表面非常平整、致密；2b）图为CSCO的XRD图，其中衍射角38.45°、44.68°和69.13°的峰位分别对应于CSCO的(501)面、(232)面和(062)面（参考JCPDS卡片，卡片号码：01-074-6952）；2c）图为CSCO的XPS图，结合能285.0 eV、486.8 eV和531.9 eV分别对应于C 1s、Sn 3d5/2和O 1s，同时通过原子比例可以得到Sn、C和O的比例为1:3.9:4.1，这个与CSCO的元素组分（Sn：C：O=1：4：4）比例非常接近；2d）、2e）和2f）图为C 1s、Sn 3d5/2和O 1s的XPS分图，d）图中结合能495.3 eV和486.8 eV分别对应Sn3d3/2和Sn3d5/2，e）图中结合能288.7 eV、285.5 eV和284.7 eV分别对应C所处的化学状态为Sn–COOH, Sn–CH3 and C-Hx，f）图中结合能532.1 eV和530.8 eV分别对应O所处的化学状态为-C-O-Sn-和C=O。
CSCO的UPS图详见图6，通过公式可以计算出CSCO的导带为-4.00 eV，价带为-7.85eV，因此CSCO为N性半导体材料，同时非常适合作为电子传输层材料运用到太阳能电池中。
步骤3），活性层的制备：在样品瓶中加入二甲基甲酰胺（DMF，99.9%）和二甲亚砜（DMSO，99.9%）（以上两种药品由上海阿拉丁生化科技股份有限公司提供），DMF和DMSO的体积比为4:1；然后加入碘化铯（CsI，99.9%）、甲脒碘（FAI，99.5%）、甲胺碘（MAI，99.5%）、碘化铅（PbI2，99.9%）和溴化铅（PbBr2，99.9%）（以上五种药品均由西安宝莱特光电科技有限公司提供），CsI、FAI、MAI、PbI2和PbBr2的摩尔比为0.05:0.81:0.14:0.78:0.22；50℃搅拌12小时得到均匀的钙钛矿前驱体溶液（CFMPIB溶液）；其中，溶液中五种固体总含量为1.4 mol/L。在手套箱中，将60 µL所得钙钛矿前驱体溶液滴到步骤2）所得样品上，匀胶旋涂，旋涂转速先使用1000转/分钟，旋涂5 s，然后使用4000转/分钟，旋涂30 s，旋涂结束前5 s时向样品上滴加800 µL无水乙醚，使材料快速结晶成膜，然后将样品转移放置到平板加热台上，100℃退火处理30分钟，自然降温到室温，所得样品记为：ITO/CSCO/CFMPIB活性层；
步骤4），制备空穴传输层的制备：将70 mM的Spiro-OMeTAD（99.95%，西安宝莱特光电科技有限公司）、55 mM的四叔丁基吡啶（tBP，99.9%，色谱级，aladdin，上海阿拉丁生化科技股份有限公司）以及28.8 µL锂盐（Li-TFSI，双三氟甲烷磺酰亚胺锂，99.9%，色谱级，aladdin，上海阿拉丁生化科技股份有限公司）乙腈溶液（锂盐的浓度为520 mg/mL）加入到盛有1 mL氯苯（99.99%，aladdin，上海阿拉丁生化科技股份有限公司）的小瓶中，空气环境中常温搅拌24小时，得到空穴传输材料溶液。将空穴传输材料溶液滴到步骤3）所得样品ITO/CSCO/CFMPIB活性层上，然后匀胶旋涂，5000转/分钟下旋涂15 s，得到80 nm厚的空穴传输层，所得样品记为：ITO/CSCO/CFMPIB活性层/Spiro-OMeTAD空穴传输层；
步骤5），将步骤4）所得样品转移至真空蒸发镀膜机中，蒸镀一层厚100 nm的金属Au作为顶端正电极，即得到太阳能电池，所得样品记为：实施试样1，电池结构如图1所示。
在空气环境中测试的电池的电流密度-电压特性曲线如图7所示，由图7可以得出，电池的能量转换效率、开路电压、短路电流密度和填充因子分别是20.57%、1.161 V、23.89mA cm-1和0.74。
另外，为了了解CSCO的导电性能，制备了Au/CSCO/Au及Au/SnO2/Au两种薄膜，结构如图5所示，具体的：与以上步骤2）相同的工艺条件，在干净的石英玻璃衬底上制备CSCO薄膜，然后在薄膜上蒸镀2个Au电极得到Au/CSCO/Au，测试Au电极两端的电流电压特性曲线。类似的工艺条件制备Au/SnO2/Au薄膜，其中SnO2使用浓度为10wt%的SnO2水溶液（通过15wt%水溶液稀释所得，材料由Alfa Aesar，阿法埃莎（中国）化学有限公司提供），并测试Au电极两端的电流电压特性曲线，结果如图4所示，通过电阻率及电导率计算公式ρ=R•W•d/L和σ=1/ρ，其中ρ为电阻率，R为电阻，W为样品宽度，d为样品厚度，L为样品长度，σ为电导率。可以得到CSCO的电导率为2.95×10-3 S cm-1，比SnO2的电导率（为3.80×10-5 S cm-1）高出约两个数量级。具体的参数参考表1所以，因此可以看出CSCO是导电性能非常好的半导体材料。
表1 实施例1中Au/CSCO/Au及Au/SnO2/Au薄膜的各项参数的统计表
Figure DEST_PATH_IMAGE002
实施例2
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，步骤1）、3）、4）和5）同实施例1。
步骤2），CSCO致密层的制备：在样品瓶中加入100 mg的异辛酸亚锡（99.5%，百灵威科技有限公司），滴加1500 mg的无水乙醇，室温下磁力搅拌2小时后得到无色的透明胶体溶液；将100 µL胶体溶液滴到洁净的ITO导电玻璃上，匀胶旋涂，6000转/分钟下旋涂30 s。然后在紫外臭氧清洗机中进行紫外臭氧处理，处理温度为50℃，处理时间为1小时，所得样品记为：ITO/CSCO。在新样品瓶中加入1 mL的去离子水和5 mg氯化钾（KCl），室温下磁力搅拌2小时后得到无色的透明溶液，将100 µL溶液滴到ITO/CSCO，匀胶旋涂，5000转/分钟下旋涂30 s。然后在热台上处理10分钟，处理温度为100℃，所得样品记为：ITO/CSCO(KCl)。步骤5）结束后所得样品记为：实施试样2。电池的电流密度-电压特性曲线详见图8，由图8可知，该实施例制得的电池的能量转换效率、开路电压、短路电流密度和填充因子分别是22.21%、1.184 V、24.03 mA cm-1和0.78。
实施例3
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，步骤1）、2）、4）和5）同实施例1。
步骤3），活性层的制备：在样品瓶中加入DMF和DMSO，DMF和DMSO的体积比为9:1；然后加入MAI和PbI2，MAI和PbI2的摩尔比为1:1；50℃搅拌12小时得到均匀的钙钛矿前驱体溶液（MAPbI3溶液），其中，溶液中MAI和PbI2含量为1.1 mol/L。在手套箱中，将60 µL所得钙钛矿前驱体溶液滴到步骤2）所得样品上，匀胶旋涂，旋涂转速先使用1000转/分钟，旋涂2s，然后使用4000转/分钟，旋涂13 s，旋涂结束前5 s时向样品上滴加800 µL无水乙醚，使材料快速结晶成膜，然后将样品转移放置到平板加热台上，100℃退火处理10分钟，自然降温到室温后得到ITO/CSCO/MAPbI3活性层，步骤5）结束后所得样品记为：实施试样3。电池的电流密度-电压特性曲线详见图9，由图9可知，该实施例制得的电池的能量转换效率、开路电压、短路电流密度和填充因子分别是19.12%、1.131 V、22.16 mA cm-1和0.75。
实施例4
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，步骤1）和2）同实施例1。
步骤3），活性层的制备：在样品瓶中加入18.0 mg的聚3-己基噻吩（P3HT，95+%，），18.0 mg的[6，6]-苯基-C61-丁酸异甲酯（PCBM，99.5%）和1.0mL邻二氯苯（以上三种材料是由长春阪和科技有限公司提供）；50℃搅拌12小时得到均匀的聚合物前驱体溶液（P3HT:PCBM溶液）。在手套箱中，将100 µL所得聚合物前驱体溶液滴到步骤2）所得样品上，匀胶旋涂，然后使用2000转/分钟，旋涂30 s，然后将样品转移放置到平板加热台上，150℃退火处理20分钟，自然降温到室温后得到ITO/CSCO/P3HT:PCBM活性层；
步骤4），将步骤3）所得样品转移至真空蒸发镀膜机中，依次蒸镀厚度为1 nm的MoO3和厚度为100 nm的金属Au作为顶端正电极，即得到太阳能电池，所得样品记为：实施试样4。电池的电流密度-电压特性曲线详见图10，由图10可知，该实施例制得的电池的能量转换效率、开路电压、短路电流密度和填充因子分别是3.47%、0.617 V、8.52 mA cm-1和0.66。
实施例5
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，步骤2）中，使用正己烷代替无水乙醇作为CSCO的溶剂，其他同实施例1，步骤5）结束后所得样品记为：实施试样5。电池的电流密度-电压特性曲线详见图11，由图11可知，该实施例制得的电池的能量转换效率、开路电压、短路电流密度和填充因子分别是20.12%、1.183 V、23.47 mA cm-1和0.73。
实施例6
一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，步骤2）中，使用异丙醇与环己烷的混合溶液（质量比为1:4）代替无水乙醇作为CSCO的溶剂，其他同实施例1，步骤5）结束后所得样品记为：实施试样6。电池的电流密度-电压特性曲线详见图12，由图12可知，该实施例制得的电池的能量转换效率、开路电压、短路电流密度和填充因子分别是19.81%、1.181 V、23.65 mA cm-1和0.71。
以上实施案例仅用于说明本发明的优选实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，在所述领域普通技术人员所具备的知识范围内，本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替代及改进等，均应视为本申请的保护范围。

Claims (8)

1.一种以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤如下：
（1）将异辛酸亚锡溶解到有机溶剂中，搅拌至完全溶解，得到无色透明溶液；将溶液滴到洁净的透明导电衬底上，进行旋涂，然后进行紫外臭氧处理，即得双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜；所述有机溶剂为乙醇、异丙醇、正丁醇、乙酸乙酯、乙醚、异丙醚、二氯甲烷、氯仿、溴乙烷、苯、氯苯、二氯苯、四氯化碳、二硫化碳、环己烷、正己烷和煤油中的任一中或两种以上任意比例的混合物；
（2）以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为样品或将双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜经KCl修饰后作为样品，在样品上沉积活性层，然后制备Spiro-OMeTAD空穴传输层，最后蒸镀顶层正电级，得到太阳能电池，所述活性层为钙钛矿层或P3HT:PCBM活性层，所述顶层正电级为金、银或三氧化钼中的至少一种。
2.根据权利要求1所述以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为下述中的一种：（1）乙醇，（2）正己烷，（3）异丙醇、环己烷按照质量比1:4的混合溶剂。
3.根据权利要求1所述以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，异辛酸亚锡和有机溶剂的质量比为1:（4~20），紫外臭氧处理的温度为25~50℃，处理时间为30~90分钟。
4. 根据权利要求1所述以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤（1）中所述透明导电衬底为ITO、FTO或AZO玻璃，旋涂是指2000-6500转/分钟旋涂5-60 s。
5. 据权利要求1所述以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，KCl修饰的具体过程如下：将KCl溶于去离子水中配制成5mg/mL的溶液，4000~6000转/分钟旋涂20-40 s，100℃退火5~15分钟，即得。
6. 根据权利要求1所述以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿层的具体制备过程如下：DMF和DMSO按照体积比4:1混合作为溶剂；然后按照碘化铯、甲脒碘、甲胺碘、碘化铅和碘化铅的摩尔比0.05:0.81:0.14:0.78:0.22加入各物质，50℃搅拌10~15小时得到均匀的钙钛矿前驱体溶液；其中，溶液中五种固体总含量为1.4 mol/L，取所得钙钛矿前驱体溶液，将其滴到样品上，匀胶旋涂，旋涂结束前5 s时滴加无水乙醚，100℃退火处理20~40分钟，自然降温到室温即得；
或者将DMF和DMSO按照体积比9:1混合；然后加入MAI和PbI2，MAI和PbI2的摩尔比为1:1；50℃搅拌10~15小时得到均匀的钙钛矿前驱体溶液，其中，溶液中MAI和PbI2总含量为1.1mol/L，取所得钙钛矿前驱体溶液，将其滴到样品上，匀胶旋涂，旋涂结束前5 s时滴加无水乙醚，100℃退火处理5~15分钟，自然降温到室温即得。
7. 根据权利要求1所述以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述P3HT:PCBM活性层的具体制备过程如下：将聚3-己基噻吩和[6,6]－苯基-C61-丁酸异甲酯按照质量比1:1加入邻二氯苯配制成浓度为36 mg/mL的溶液；50℃搅拌10~15小时得到均匀的聚合物前驱体溶液，取所得聚合物前驱体溶液滴到样品上并旋涂，然后150℃退火处理10~30分钟，自然降温到室温即得。
8.权利要求1至7任一所述的制备方法制得的以双（甲酸）二甲基锡N型半导体薄膜作为电子传输层的太阳能电池。
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