CN111599913A - 一种led灯珠制备方法 - Google Patents
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- 239000011324 bead Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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Abstract
本发明涉及一种LED灯珠制备方法。所述LED灯珠制备方法包括：将相差17nm或以上不同波段的两个芯片设于同一反射壁中，并采集所述不同波段的两个芯片所反射出未增加荧光粉的集成光谱；判断所述集成光谱的半峰波宽是否大于等于30nm，若是，由所述不同波段的两个芯片制备LED灯珠；若否，调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直至调整后的两个芯片所反射出的半峰波宽大于等于30nm；根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠。根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠采用本发明所提供的LED灯珠制备方法能够削弱蓝光危害，调整人体生理周期。
Description
技术领域
本发明涉及LED灯珠制备领域，特别是涉及一种LED灯珠制备方法。
背景技术
在LED灯珠普及照明成品中，人们对光的要求越来越高，光源对物体颜色的还原能力由LED灯珠的显指表现，显指越高还原越真实。不同显指用荧光粉来调节，目前不管用荧光粉来调多高的显指，但是蓝光危害这部份并没有削弱，也没有办法达到调整人体生理周期；由两个波段相差17nm以上的芯片采用串联或并联方式制成的LED灯珠发出的光谱接近自然光谱，而此光谱能够削弱蓝光危害，调整人体生理周期，因此使用两个波段区分很大的芯片能够接近自然光谱；而如果把芯片波段区分的很大，长波段的芯片电压会低于短波段的芯片，因为芯片波长越长，量子井能细就越细，从而电压就越低，两个芯片就会造成电压差问题，如果用于并联，就会出现电压低的芯片通过的电流大，另一个芯片通过的电流小，通过电流大的芯片会造成电流密度过大，光维偏低或出现单颗芯片毁坏。因此，现有的LED灯珠通常是采用两个波段相同的芯片制备，以防止电压差的问题，而两个波段相同的芯片所产生的光谱无法削弱蓝光危害，无法调整人体生理周期。
发明内容
本发明的目的是提供一种LED灯珠制备方法，以解决现有的采用两个波段相同或单波段的芯片制备而成的LED灯珠所产生的光谱无法削弱蓝光危害，无法调整人体生理周期的问题。
为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
一种LED灯珠制备方法，包括：
将相差17nm或以上不同波段的两个芯片设于同一反射壁中，并采集所述不同波段的两个芯片所反射出未增加荧光粉的集成光谱；
判断所述集成光谱的半峰波宽是否大于等于30nm，得到第一判断结果；
若所述第一判断结果表示为所述的半峰波宽大于等于30nm，由所述不同波段的两个芯片制备LED灯珠；
若所述第一判断结果表示为所述半峰波宽小于30nm，调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直至调整后的两个芯片所反射出的半峰波宽大于等于30nm；
根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠。
可选的，所述调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直至调整后的两个芯片所反射出的半峰波宽大于等于30nm，具体包括：
加温将所述两个芯片固定于所述芯片载体，连接所述两个芯片的电极以及芯片载体，形成回路；通入电流后，获取所述两个芯片集成反射出的半峰波宽，调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直到调整后的两个芯片所反射出来的集成光谱大于等于30nm。
可选的，所述调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直到调整后的两个芯片所反射出来的集成光谱大于等于30nm，之后还包括：
通过调整红色荧光粉、绿色荧光粉、黄绿荧光粉以及蓝绿荧光粉的比例调整所述不同波段的两个芯片所发射的色度值，直至调整后的两个芯片的激发荧光粉所反射出的集成光谱等于自然光谱。
可选的，所述由所述不同波段的两个芯片制备LED灯珠，之后还包括：
获取所述LED灯珠的第一实际电流；
根据所述第一实际电流调整所述不同波段的两个芯片的尺寸，以调整所述不同波段的两个芯片在任一电流范围内伏安特性保持一致。
可选的，所述根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠，之后还包括：
获取所述LED灯珠的第二实际电流；
根据所述第二实际电流调整所述不同波段的两个芯片的尺寸，以调整所述不同波段的两个芯片在任一电流范围内伏安特性保持一致。
根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：本发明提出了一种LED灯珠制备方法，通过两个相差大于等于17nm波段不同的芯片制备LED灯珠，以削弱蓝光危害，调整人体生理周期。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明所提供的LED灯珠制备方法流程图；
图2为本发明所提供的不同波段的两个芯片的波段示意图；
图3为本发明所提供的不同波段的两个芯片制备的LED灯珠结构示意图；
图4为本发明所提供的另一种不同波段的两个芯片制备的LED灯珠结构示意图。
符号说明：反射壁①；芯片载体②；第一芯片③；第二芯片④；金手指⑤
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的目的是提供一种LED灯珠制备方法，能够削弱蓝光危害，调整人体生理周期。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明所提供的LED灯珠制备方法流程图，如图1所示，一种LED灯珠制备方法，包括：
步骤101：将相差17nm或以上不同波段的两个芯片设于同一反射壁中，并采集所述不同波段的两个芯片所反射出未增加荧光粉的集成光谱。
步骤102：判断所述集成光谱的半峰波宽是否大于等于30nm，若是，执行步骤103，若否，执行步骤104。
步骤103：由所述不同波段的两个芯片制备LED灯珠。
步骤104：调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直至调整后的两个芯片所反射出的半峰波宽大于等于30nm。
所述步骤104具体包括：
通过设备把芯片③放入芯片载体里②，然后通过设备把芯片④放入芯片载体②，加温后让两颗芯片固定于载体，通过设备连线连接两颗芯片电极与载体，形成回路，通过电流后确认两个芯片集成反射出的半峰波宽，调整所术不同波段的两个芯片的色度值，直到调整后的两个芯片所反射出来的集成光谱大于等于30nm。
通过调整红色荧光粉、绿色荧光粉、黄绿荧光粉以及蓝绿荧光粉的比例来调整所述不同波段的两个芯片所发射的色度值，直至调整后的两个芯片激发荧光粉所反射出的集成光谱等于自然光谱。
步骤105：根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠。
所述步骤105之后还包括：获取所述LED灯珠的第二实际电流；根据所述第二实际电流调整所述不同波段的两个芯片的尺寸，以调整所述不同波段的两个芯片在任一电流范围内伏安特性保持一致。
本发明使用不同波段的两个芯片通过调整荧光粉接近自然光谱，两者芯片波段相差17nm或以上；通过调整红色荧光粉，绿色荧光粉，黄绿荧光粉，蓝绿荧光粉来调整R1-R15值，两个波段相差这么大是用来调节蓝光危害及人们的白天与黑夜的生理周期；如果两颗芯片的波段为一致，则半波宽约为15nm，如两颗不同芯片波段差20nm，则半波宽约40nm，波段宽相差越大，则通过调整荧光粉红绿粉的比例，得到的蓝光光谱段就越平整，如图2所示，本发明通过计算半波宽差来控制波段相差。
本发明根据成品实际使用电流，调整芯片电流扩展线路图(即是芯片表面的图形)及ITO扩展层的厚度或两颗芯片的尺寸或两颗芯片不同外延及衬底结构。
成品所指的是灯管、球泡、吸顶灯等等；芯片是在蓝宝石衬底做图案后发蓝光，芯片固晶、焊PN结连接导线后通电发光，然后把LED发光二极管贴在PCB板上组装成灯管、球泡类的成品；芯片的电流扩展是芯片电极通过ITO及金手指⑤扩展的，如图3所示。
因正常长短波存在电压差问题，所以要提高长波段芯片电压或降低短波段芯片电压，最终让两者电压保持一致。要让长短波段在某个电流范围伏安特性保持一致，在长短波段芯片并联的时候流过的电流一致，本发明根据成品的实际应用电流，调整两种芯片不同尺寸来调整芯片在某个电流范围时伏安特性保持一致，根据欧姆定律，并联电路要使流过两端的电流一样，在一样的内阻条件下，电压必须一致，从而达到解决长波段与短波段电压差问题。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (5)
1.一种LED灯珠制备方法，其特征在于，包括：
将相差17nm或以上不同波段的两个芯片设于同一反射壁中，并采集所述不同波段的两个芯片所反射出未增加荧光粉的集成光谱；
判断所述集成光谱的半峰波宽是否大于等于30nm，得到第一判断结果；
若所述第一判断结果表示为所述的半峰波宽大于等于30nm，由所述不同波段的两个芯片制备LED灯珠；
若所述第一判断结果表示为所述半峰波宽小于30nm，调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直至调整后的两个芯片所反射出的半峰波宽大于等于30nm；
根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠。
2.根据权利要求1所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直至调整后的两个芯片所反射出的半峰波宽大于等于30nm，具体包括：
加温将所述两个芯片固定于所述芯片载体，连接所述两个芯片的电极以及芯片载体，形成回路；通入电流后，获取所述两个芯片集成反射出的半峰波宽，调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直到调整后的两个芯片所反射出来的集成光谱大于等于30nm。
3.根据权利要求2所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述调整所述不同波段的两个芯片的色度值，直到调整后的两个芯片所反射出来的集成光谱大于等于30nm，之后还包括：
通过调整红色荧光粉、绿色荧光粉、黄绿荧光粉以及蓝绿荧光粉的比例调整所述不同波段的两个芯片所发射的色度值，直至调整后的两个芯片的激发荧光粉所反射出的集成光谱等于自然光谱。
4.根据权利要求1所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述由所述不同波段的两个芯片制备LED灯珠，之后还包括：
获取所述LED灯珠的第一实际电流；
根据所述第一实际电流调整所述不同波段的两个芯片的尺寸，以调整所述不同波段的两个芯片在任一电流范围内伏安特性保持一致。
5.根据权利要求1所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述根据所述调整后的两个芯片制备LED灯珠，之后还包括：
获取所述LED灯珠的第二实际电流；
根据所述第二实际电流调整所述不同波段的两个芯片的尺寸，以调整所述不同波段的两个芯片在任一电流范围内伏安特性保持一致。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010183249.6A CN111599913B (zh) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | 一种led灯珠制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010183249.6A CN111599913B (zh) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | 一种led灯珠制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111599913A true CN111599913A (zh) | 2020-08-28 |
| CN111599913B CN111599913B (zh) | 2021-06-08 |
Family
ID=72191098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010183249.6A Active CN111599913B (zh) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | 一种led灯珠制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111599913B (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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