CN214226940U - Led光源及led灯 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及光源领域,特别是涉及到了一种LED光源及LED灯。LED光源包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层,所述晶片为红光晶片,所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层;或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片,所述荧光粉层为绿色荧光粉层。红光晶片为主发光源,裸晶亮度是蓝光晶片裸晶亮度的3~4倍,故红光晶片作为主发光源,明显比蓝光作为主发光源提高光效,混光混色后,蓝光的成分自然减少,显色性明显提高,更适合做低色温、高色坐标LED光源,进而降低了蓝光危害的发生。显色性可以轻松达到95以上,做到和卤素灯等效的全光谱、宽光谱LED光源。
Description
技术领域
本实用新型涉及光源领域,特别是涉及到了一种LED光源及LED灯。
背景技术
随着半导体技术及工艺的飞速发展,各种颜色的LED灯源不断的快速发展,现如今,除了照明灯具外,背光领域,如电视背光、显示器背光、广告机背光、手机以及平板灯背光领域中,LED光源也得到了极为广泛地应用。自1996年,第一只白光LED光源出现开始,白光LED光源的发光效率不断提高,并且由于其自身的无污染、低功耗、高可靠、长寿命等优点,已经基本取代白炽灯(Clncandescent Lamp) 和荧光灯CFluorescent Lamp) 成为了第四代光源。
现有技术中,作为照明用的白光LED光源的形成方式主要是荧光粉与光晶片结合的方式,其中LED晶片为蓝光LED晶片,荧光粉采用黄色荧光粉或者黄绿色荧光粉及红色荧光粉。由于主发光光源是蓝光,依靠蓝光激发荧光粉,存在光效低、蓝光危害及光普窄等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种LED光源,以解决现有LED光源存在的光效低、蓝光危害及光普窄的问题。
同时,本实用新型的目的还在于提供使用了上述LED光源的LED灯。
本实用新型的LED光源采用如下技术方案: LED光源,包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层,所述晶片为红光晶片,所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层;或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片,所述荧光粉层为绿色荧光粉层。
有益效果:红光晶片为主发光源,其裸晶亮度是蓝光晶片裸晶亮度的3~4倍,故红光晶片作为主发光源,明显比蓝光作为主发光源提高光效,混光混色后,蓝光的成分自然减少,显色性明显提高,更适合做低色温、高色坐标LED光源,进而降低了蓝光危害的发生。显色性可以轻松达到95以上,做到和卤素灯等效的全光谱、宽光谱LED光源。
更进一步地,当所述晶片为红光晶片时,所述红光晶片的波长为620-640nm。红光芯片波长620nm~~640nm红光颜色纯正,结构成分为AlGaInP/GaAs ,为高亮晶片。
更进一步地,所述蓝绿色荧光粉的波长为495,X:0.085;Y:0.477。蓝绿色荧光粉的波长为495,X:0.085;Y:0.477蓝绿色颜色纯正,氮氧化合物,结构稳定,适合做全光谱、宽光谱或者显色性大于95的LED光源,同时15um粒径,具有高亮度被激发效果。
更进一步地,当所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片时,红光晶片的波长为620-640nm,蓝光晶片的波长为450-470nm。红光芯片波长620nm~~640nm红光颜色纯正,结构成分为AlGaInP/GaAs ,为高亮晶片;蓝光晶片波长450nm~~470nm蓝光颜色纯正,结构成分为GaInN/Sapphire,为高亮晶片。
更进一步地,所述绿色荧光粉的波长为525nm,X:0.279;Y:0.628。说明:绿色荧光粉的波长为525nm,X:0.279;Y:0.628绿色颜色纯正,高稳定性硅酸盐,15um粒径,具有高亮度被激发效果,同时具有高显色高稳定的特性。
本实用新型的LED灯采用如下技术方案:LED灯,包括灯罩及安装在灯罩内的LED光源,所述LED光源包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层,所述晶片为红光晶片,所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层;或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片,所述荧光粉层为绿色荧光粉层。
更进一步地,当所述晶片为红光晶片时,所述红光晶片的波长为620-640nm。
更进一步地,所述蓝绿色荧光粉的波长为495,X:0.085;Y:0.477。
更进一步地,当所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片时,红光晶片的波长为620-640nm,蓝光晶片的波长为450-470nm。
更进一步地,所述绿色荧光粉的波长为525nm,X:0.279;Y:0.628。
本实用新型的LED灯的技术方案的有益效果是由于采用了本实用新型的LED光源而带来的,具体可参考LED光源的技术方案的有益效果,此处不予赘述。
附图说明
图1是本实用新型的LED光源的实施例1的结构示意图(带透视);
图2是本实用新型的LED光源的实施例1中的红光晶片的示意图;
图3是本实用新型的LED光源的实施例1中的支架的示意图;
图4是实用新型的LED光源的实施例1固晶后的示意图;
图5是实用新型的LED光源的实施例1焊线后的示意图。
图中:1-红光晶片,11-LED芯片透明导电层,12-LED芯片第一正极金属层,13- LED芯片第二正极金属层,14-LED芯片第一电极金道,15-LED芯片第二电极金道,16-LED芯片电极第三金道,2-支架,21-支架外壳,22-支架负极,23-支架正极,3-蓝绿色荧光层,4-第一连接线,5-第二连接线。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请,即所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
LED光源的实施例1:
如图1-5所示,该LED光源包括红光晶片1、支架2、蓝绿色荧光层3、第一连接线4和第二连接线5。
红光晶片1包括LED芯片透明导电层11、LED芯片第一正极金属层12、 LED芯片第二正极金属层13、LED芯片第一电极金道14、LED芯片第二电极金道15、LED芯片电极第三金道16,其中金道指的是金属线路。红光晶片1的结构为现有技术,关于其结构,此处不予赘述。在本实施例中,红光晶片1红光波长620nm~~640nm,红光颜色纯正,结构成分为AlGaInP/GaAs ,为高亮晶片。
支架2包括支架外壳21、支架负极22和支架正极23。其中支架外壳21的材质为EMC(白色塑胶料),支架负极22和支架正极23的材质均为镀银红铜,在工作中,支架负极22同时起到热沉的作用。支架2本身的结构也为现有技术,具体的可根据需要采用现有技术中的任意类型的支架,此处就支架2的结构不再进行过多描述。支架正极23通过第一连接线4、第二连接线5分别与红光晶片的LED芯片第一正极金属层12、LED芯片第二正极金属层13连接。
蓝绿色荧光层3是通过在红光晶片1及支架2上涂覆蓝绿色荧光粉构成,蓝绿色荧光粉的的波长为495,X:0.085;Y:0.477蓝绿色颜色纯正,氮氧化合物,结构稳定,适合做全光谱、宽光谱或者显色性大于95的LED光源,同时15um粒径,具有高亮度被激发效果。
本实施例的核心在于将红光晶片1、支架2和蓝绿色荧光粉3进行了有机组合,其中的红光晶片、支架和蓝绿色荧光粉均可以采用市售的成熟产品,具体使用时,本领域技术人员根据需要进行任意选取即可。
LED光源的实施例2:
本实施例与实施例1的区别仅在于,在本实施例中,支架上同时设置了红光晶片和蓝光晶片,通过绿色荧光粉替代了实施例1中的蓝绿色荧光粉。其中红光晶片的波长为620-640nm,蓝光晶片的波长为450-470nm。红光芯片结构成分为AlGaInP/GaAs ,蓝光晶片结构成分为GaInN/Sapphire,红光晶片和蓝光晶片均为高亮晶片。绿色荧光粉的波长为525nm,X:0.279;Y:0.628绿色颜色纯正,高稳定性硅酸盐,15um粒径,具有高亮度被激发效果,同时具有高显色高稳定的特性。
LED灯的实施例:
该LED灯包括灯罩及安装在灯罩内的LED光源,其中灯罩的结构为现有技术,LED光源为上述实施例中的LED光源,此处不予赘述。
以上所述,仅为本申请的较佳实施例,并不用以限制本申请,本申请的专利保护范围以权利要求书为准,凡是运用本申请的说明书及附图内容所作的等同结构变化,同理均应包含在本申请的保护范围内。
Claims (10)
1.LED光源,包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层,其特征在于,所述晶片为红光晶片,所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层;或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片,所述荧光粉层为绿色荧光粉层;红光晶片包括LED芯片透明导电层、LED芯片第一正极金属层、 LED芯片第二正极金属层、LED芯片第一电极金道、LED芯片第二电极金道及LED芯片电极第三金道。
2.根据权利要求1所述的LED光源,其特征在于,当所述晶片为红光晶片时,所述红光晶片的波长为620-640nm。
3.根据权利要求1或2所述的LED光源,其特征在于,所述蓝绿色荧光粉的波长为495,X:0.085;Y:0.477。
4.根据权利要求1所述的LED光源,其特征在于,当所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片时,红光晶片的波长为620-640nm,蓝光晶片的波长为450-470nm。
5.根据权利要求1或4所述的LED光源,其特征在于,所述绿色荧光粉的波长为525nm,X:0.279;Y:0.628。
6.LED灯,包括灯罩及安装在灯罩内的LED光源,所述LED光源包括晶片和覆盖在所述晶片上的荧光粉层,其特征在于,所述晶片为红光晶片,所述荧光粉层为蓝绿色荧光粉层;或者所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片,所述荧光粉层为绿色荧光粉层;红光晶片包括LED芯片透明导电层、LED芯片第一正极金属层、 LED芯片第二正极金属层、LED芯片第一电极金道、LED芯片第二电极金道及LED芯片电极第三金道。
7.根据权利要求6所述的LED灯,其特征在于,当所述晶片为红光晶片时,所述红光晶片的波长为620-640nm。
8.根据权利要求6或7所述的LED灯,其特征在于,所述蓝绿色荧光粉的波长为495,X:0.085;Y:0.477。
9.根据权利要求6所述的LED灯,其特征在于,当所述晶片包括红光晶片和蓝光晶片时,红光晶片的波长为620-640nm,蓝光晶片的波长为450-470nm。
10.根据权利要求6或9所述的LED灯,其特征在于,所述绿色荧光粉的波长为525nm,X:0.279;Y:0.628。
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2020
- 2020-10-16 CN CN202022310885.9U patent/CN214226940U/zh active Active
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