CN111599664A - 一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。

Description

一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法。

背景技术

现有的一些半导体器件需要以非对称扩散掺杂后的硅片为原料进行制造。目前，对硅片进行非对称扩散掺杂时，一般是先利用杂质源对硅片的两面完成对称扩散掺杂，然后再以机械去除或化学去除(如，化学腐蚀)的方式对其中一面的杂质进行去除，实现非对称扩散掺杂。

现有技术中，实现非对称扩散掺杂的工序复杂，效率低。

因此，如何简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率成为了一个亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是如何简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。

为了解决上述技术问题，本申请的实施例首先提供了一种硅片承载装置，其包括：

第一体，其具有第一内壁，所述第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个所述平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及

第二体，其包括两个侧壁以及固定连接两个所述侧壁的连接体，两个所述侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与所述第一容纳槽对应的第二容纳槽；

所述第一体和第二体被配置为：当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配，两个所述侧壁能够分别在两个所述平台上进行滑动以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离。

优选地，所述第一内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆。

优选地，所述第一体还包括从两个所述平台分别沿远离所述第一容纳槽延伸的两个延伸部，两个所述延伸部具有分别与两个所述侧壁的外壁面配合的两个第二内壁。

优选地，所述第一体还包括分别与两个所述第二内壁的远离所述第一容纳槽的一侧连接的两个突出部，两个所述突出部分别突出于两个所述第二内壁。

优选地，两个所述突出部上沿径向设置有多个与所述第一容纳槽对应的第三容纳槽，当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第三容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配。

优选地，所述第一容纳槽、所述第二容纳槽和所述第三容纳槽的槽宽相同；多个所述第一容纳槽中的任意相邻两个所述第一容纳槽之间的间距相同。

优选地，所述第一内壁、所述两个第二内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第三容纳槽的槽底和槽顶共圆。

优选地，所述第一体上设置有第一锁紧部件，所述第二体上设置有与所述第一锁紧部件配合的第二锁紧部件，当两个所述侧壁分别在两个所述平台上滑动使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离时，所述第一锁紧部件和所述第二锁紧部件配合使两个所述侧壁和两个所述平台不能相互滑动。

优选地，所述第一体和所述第二体的材质为硅、石英或碳化硅。

本发明实施例还提供了一种非对称扩散掺杂方法，其包括：

将硅片进行清洗并烘干；

将烘干后的硅片放置在上述硅片承载装置中，其中，两片硅片放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽中；

移动具有第一容纳槽的第一体和具有第二容纳槽的第二体，以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离；

将放置硅片的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中，并对密闭腔体加热以实现对硅片的非对称扩散掺杂。

优选地，上述非对称扩散掺杂方法还包括：在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，对错开预定距离的第一体和第二体进行锁定，以防止所述第一体和所述第二体之间的相对滑动。

优选地，所述杂质源为铝源、镓源、硼源或磷源。

优选地，上述非对称扩散掺杂方法还包括：

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中的其中一片硅片替换为遮挡片；或，

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中间增加放置至少一片耐高温片；或，

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中间增加放置一片石英片或硅片。

优选地，移动具有第一容纳槽的第一体和具有第二容纳槽的第二体，以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离，包括：

对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离时，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽与放置在对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽中的两片硅片的接触方式为点接触或面接触。

优选地，还包括：在对硅片的非对称扩散掺杂过程中，调整所述第一容纳槽和所述第二容纳槽之间的预定压力。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

应用本发明的硅片承载装置，第二体的两个侧壁分别位于两个平台上能够使多个第一容纳槽和多个第二容纳槽分别对应，对应的第一容纳槽和第二容纳槽能够拼接起来容纳硅片，当滑动两个侧壁时，对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离，从而对应的第一容纳槽和第二容纳槽里的硅片受到第一容纳槽中的一个槽壁和第二容纳槽的一个槽壁的挤压。如果对应的第一容纳槽和第二容纳槽里设置两片硅片时，两片硅片的相对的两个面紧贴在一起，紧贴在一起的面称为接触面，硅片的另外一个面称为非接触面，将放置硅片的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中并对密闭腔体加热，接触面扩散掺杂的杂质少于非接触面扩散掺杂的杂质，从而可以实现硅片的非对称扩散掺杂。不需要先进行对称扩散掺杂，也不需要对完成对称扩散掺杂的硅片的其中一面进行机械去除或化学去除，能够简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。

本发明的其他优点、目标，和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书，权利要求书，以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本申请的技术方案或现有技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分。其中，表达本申请实施例的附图与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，但并不构成对本申请技术方案的限制。

图1是根据本发明一实施例的硅片承载装置的第一体和第二体分离时的结构示意图；

图2是根据本发明一实施例的硅片承载装置的第一体和第二体结合时的结构示意图，其中，硅片设置在硅片承载装置内；

图3是根据本发明一实施例的硅片承载装置内的两片硅片受力区域的示意图；

图4是根据本发明一实施例的非对称扩散掺杂方法的流程图。

附图标记说明

1-第一体；2-第一内壁；3-平台；4-第一容纳槽；5-第二体；6-侧壁；7-连接体；8-第二容纳槽；9-延伸部；10-第二内壁；11-突出部；12-第三容纳槽；13-硅片。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成相应技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。本申请实施例以及实施例中的各个特征，在不相冲突前提下可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

为了解决现有技术中实现非对称扩散掺杂的工序复杂、效率低的问题，本发明实施例提供了一种硅片承载装置。该硅片承载装置包括第一体和第二体。第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽。第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁连接到一起的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；两个侧壁能够分别在两个平台上进行滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。

第二体的两个侧壁分别位于两个平台上能够使多个第一容纳槽和多个第二容纳槽分别对应，对应的第一容纳槽和第二容纳槽能够拼接起来容纳硅片。当滑动两个侧壁时，对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离，从而对应的第一容纳槽和第二容纳槽里的硅片受到第一容纳槽中的一个槽壁和第二容纳槽的一个槽壁的挤压。如果对应的第一容纳槽和第二容纳槽里设置两片硅片时，两片硅片的相对的两个面紧贴在一起，紧贴在一起的面称为接触面，硅片的另外一个面称为非接触面，将放置硅片的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中并对密闭腔体加热，接触面扩散掺杂的杂质少于非接触面扩散掺杂的杂质，从而可以实现硅片的非对称扩散掺杂。

利用本发明实施例的硅片承载装置实现硅片的非对称扩散掺杂，不需要先进行对称扩散掺杂，也不需要对完成对称扩散掺杂的硅片的其中一面进行机械去除或化学去除，能够简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。

本发明实施例并不限定承载的硅片的外侧轮廓的形状，下面以待承载的圆形硅片为例详细描述本发明各具体实施例。

结合图1和图2，本发明实施例的硅片承载装置，其包括第一体1和第二体5。

第一体1，其具有弧形的第一内壁2，第一内壁2上沿轴向设置有两个平台3并且在两个平台3之间沿径向设置有容纳硅片13的多个第一容纳槽4。

第二体5，其包括弧形的两个侧壁6以及将两个侧壁6连接到一起的连接体7，两个侧壁6的内侧面上沿径向设置有容纳硅片13的多个与第一容纳槽4对应的第二容纳槽8；

两个侧壁6能够分别在两个平台3上进行滑动以使对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离。

第一体1中的多个第一容纳槽4可以是均匀排布的，能够使容纳的硅片13均匀地进行非对称扩散掺杂，相应的，多个第二容纳槽8也是均匀排布的。当两个侧壁6分别位于两个平台3上时，多个第一容纳槽4和多个第二容纳槽8的槽底共圆，且多个第一容纳槽4和多个第二容纳槽8的槽顶共圆，即第一容纳槽4和第二容纳槽8对应拼接形成一个完整的弧形槽(如图2所示)，用于容纳圆形硅片13。当沿着平台3滑动两个侧壁6时，对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离，对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8里的硅片13受到第一容纳槽4中的一个槽壁和第二容纳槽8的一个槽壁的挤压，例如，对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8里设置两片硅片13，因挤压两片硅片13紧贴在一起，紧贴在一起的面称为接触面，硅片13的另外一个面称为非接触面，将放置硅片13的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中并对密闭腔体加热，接触面扩散掺杂的杂质少于非接触面扩散掺杂的杂质，从而可以实现硅片13的非对称扩散掺杂。

其中，两个侧壁6分别在两个平台3上进行滑动使对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离后，依靠两个侧壁6与两个平台3的摩擦力使第一体1与第二体5的相对位置保持不变。两个侧壁6与两个平台3的摩擦力与第二体5的材质和形状有关，可以通过调节第二体5的材质和形状，使第二体5依靠摩擦力保持与第一体1的相对位置不变。另外，在利用硅片承载装置承载硅片13实现非对称扩散掺杂时，需要进行加热，加热造成的高温差可以通过两个侧壁6与两个平台3的摩擦力进行调节，对硅片13造成的高温形变应力损伤较小。优选地，第一体1和第二体5的材质为硅、石英或碳化硅，在利用硅片承载装置承载硅片13实现非对称扩散掺杂时，需要进行加热，硅、石英或碳化硅材质的第一体1和第二体5在加热过程中不会引入新污染。

其中，第一容纳槽4和第二容纳槽8的槽宽相同，多个第一容纳槽4中的任意相邻两个第一容纳槽4之间的间距相同，相应的，多个第二容纳槽8中的任意相邻两个第二容纳槽8之间的间距相同，当对硅片13进行非对称扩散掺杂时，扩散掺杂的均匀性更好。

在一个实施例中，结合图1和图2，第一体1还包括从两个平台3分别沿远离第一容纳槽4延伸的两个延伸部9，两个延伸部9具有分别与两个侧壁6的外壁面配合的两个第二内壁10。

两个延伸部9的两个内壁分别与两个侧壁6的外壁面配合，一方面可以起到定位的作用，另一方面，可以增加第一体1和第二体5之间的摩擦力使对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离后保持该预定距离。

在一个实施例中，结合图1和图2，第一体1还包括分别与两个第二内壁10的远离第一容纳槽4的一侧连接的两个突出部11，两个突出部11分别突出于两个第二内壁10。设置两个突出部11，可以起到定位的作用。

在一个实施例中，结合图1和图2，两个突出部11上沿径向设置有多个与第一容纳槽4对应的第三容纳槽12。第一体1的两个侧壁6分别在第二体5的两个平台3上滑动能够使对应的第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12拼接在一起，即使第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12的槽底共圆，且使第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12的槽顶共圆，即第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12对应拼接形成一个完整的弧形槽(如图2所示)。如果对应的第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12内容纳两片硅片13时，相对于两个平台3滑动两个侧壁6，对应的第一容纳槽4和第三容纳槽12与第二容纳槽8错开预定距离，使两片硅片13紧贴在一起，如图3所示，一片硅片13的非接触面与第一容纳槽4和第三容纳槽12的槽壁紧贴，另一片硅片13的非接触面与第二容纳槽8的槽壁紧贴。

可选地，第一体1和第二体5还可以设置更多的与第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12拼接在一起的容纳槽。

在一个实施例中，第一容纳槽4、第二容纳槽8或第三容纳槽12内可以设置多个凸起，使容纳槽与硅片13实现点接触。在第一容纳槽4、第二容纳槽8或第三容纳槽12内不设置凸起的情况下，第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽13与硅片13的接触方式为面接触。

在一个实施例中，结合图1和图2，第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12的槽宽相同，多个第一容纳槽4中的任意两个相邻第一容纳槽4之间的间距相同，相应的，多个第二容纳槽8中的任意两个相邻第二容纳槽8之间的间距相同，多个第三容纳槽12中的任意两个相邻第三容纳槽12之间的间距相同，当对硅片13进行非对称扩散掺杂时，扩散掺杂的均匀性更好。对应的第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12拼接到一起后的弧形槽的圆心角大于180°并且小于200°，从而能够更好的容纳硅片13，实现非对称扩散掺杂时更加均匀，同时能够方便的将硅片13放置在弧形槽中。

在一个实施例中，第一体1上设置有第一锁紧部件(图中未示出)，第二体5上设置有与第一锁紧部件配合的第二锁紧部件(图中未示出)，当两个侧壁6分别在两个平台3上滑动使对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离时，第一锁紧部件和第二锁紧部件配合使两个侧壁6和两个平台3不能相互滑动。通过相互配合的第一锁紧部件和第二锁紧部件，可以使第一体1和第二体5保持相对位置不变。另外，还可以根据硅片承载装置被加热时产生的高温形变应力调整相互配合的第一锁紧部件和第二锁紧部件以抵消高温形变应力。例如，第一锁紧部件和第二锁紧部件为卡扣结构。优选地，第一锁紧部件和第二锁紧部件能够实时根据高温形变应力调整两者之间的锁紧力。

如图4所示，本发明实施例还公开了一种非对称扩散掺杂方法，其包括步骤S1至步骤S4。

在步骤S1中，将硅片13进行清洗并烘干。

通过清洗，去除硅片13表面的有机沾污、金属离子和颗粒等物质，使硅片13保持洁净状态。清除硅片13表面的水，使硅片13在加热前保持干燥。

在步骤S2中，将烘干后的硅片13放置在上述的硅片承载装置中，其中，两片硅片13放置在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8中；

当然，如果还设置有第三容纳槽12的话，第三容纳槽12与第一容纳槽4和第二容纳槽8对应。第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12的槽宽大于硅片13厚度的两倍。

在步骤S3中，移动第一体1和第二体5，以使对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离。

将第一体1和第二体5反向拉紧，使位于拼接在一个容纳槽内的两片硅片13贴紧。

在步骤S4中，将放置硅片13的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中，并对密闭腔体加热以实现对硅片13的非对称扩散掺杂。硅片承载装置可以与密闭腔体固定连接。

其中，杂质源为铝源、镓源、硼源或磷源。例如，杂质源为铝源，可以实现硅片13的铝杂质非对称扩散掺杂。

扩散运动是微观粒子作无规则热运动的统计结果，这种运动总是由粒子浓度较高的区域向着浓度较低的区域进行，使浓度趋向于均匀的一种热运动。扩散工艺就是利用杂质的扩散运动，将所需要的杂质掺入硅衬底(硅片)中，并使其具有特定的浓度分布。通过将放置硅片13的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中，并对密闭腔体加热，加速分子或原子的扩散运动，使杂质元素的原子扩散进入硅片13内，实现将杂质扩散掺杂进硅片13的效果。例如，杂质源为铝源，扩散过程中，铝元素先从含铝物质(铝源)中扩散出来并分布在硅片13周围，作为硅片13的环境氛围，均匀的围绕硅片13。利用本发明中的硅片承载装置，通过两片硅片13的接触面的相互贴合，互相遮挡，减小接触面与铝元素的氛围接触，来实现硅片13的非对称扩散掺杂。

为了实现硅片13的非对称扩散掺杂，硅片13的接触面的平面度小于15μm,其可以经过酸腐蚀或抛光的工艺实现对平面度的要求。另外，硅片13的接触面的颗粒直径不大于5μm，烘干后的硅片13的两面的水吸附量小于0.04mg/cm²。

对密闭腔体进行加热可以通过将密闭腔体置于加热设备中的方式或将加热设备置于密闭腔体中的方式进行加热，或者将放置硅片13的硅片承载装置和杂质源放置于含有加热功能的密闭腔体中实现加热。

根据需要，按照相应的扩散掺杂工艺温度进行升温，一般温度设置为800℃至1200℃。完成升温步骤后，待硅片13降温至室温后，可以从硅片承载装置中取下硅片13。

在一个实施例中，在上述步骤S3和步骤S4之间，对错开预定距离的第一体和第二体进行锁定，以防止所述第一体和所述第二体之间的相对滑动。因此，在锁定第一体和第二体的情况下进行步骤S4，可进一步提高非对称扩散掺杂的效果。

在一个实施例中，非对称扩散掺杂方法还包括：在对硅片13的非对称扩散掺杂过程中，调整第一容纳槽4和第二容纳槽8之间的预定压力。例如，根据非对称扩散掺杂过程中，硅片13的高温形变情况实时调整对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8之间的距离，从而使第一容纳槽4和第二容纳槽8之间的压力发生变化，使两片硅片13的掺杂效果更好。

在一个实施例中，在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8的两片硅片13中的其中一片硅片13替换为遮挡片；或，在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8的两片硅片13中间增加放置至少一片耐高温片；或

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8的两片硅片13中间增加放置一片石英片或硅片，从而可以调整硅片13的掺杂浓度。

在一个实施例中，移动具有第一容纳槽4的第一体1和具有第二容纳槽8的第二体5，以使对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离，包括：

对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8错开预定距离时，第一容纳槽4和第二容纳槽8与放置在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8中的两片硅片13的接触方式为点接触或面接触。例如，第一容纳槽4和第二容纳槽8与硅片13接触的部分为平面，则第一容纳槽4和第二容纳槽8与硅片13的接触方式为面接触。第一容纳槽4、第二容纳槽8内可以设置多个凸起，使容纳槽与硅片13实现点接触。当然，第三容纳槽12可以相应的设置为平面或设置凸起。

在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8拼接为一个容纳槽或者对应的第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12拼接为一个容纳槽时，将一片硅片13和一片遮挡片一起放入一个容纳槽进行步骤S3和步骤S4，可以实现一片硅片13的非对称扩散掺杂。优选地，遮挡片的材质可以是例如二氧化硅、碳化硅或碳化镓等的半导体材质，对硅片13、遮挡片和杂质源进行加热时，杂质源中的杂质会扩散掺杂进硅片13和遮挡片中，由于杂质会进入遮挡片内，能够使硅片13的两个面的杂质含量不同，实现硅片13的非对称扩散掺杂。

在对应的第一容纳槽4和第二容纳槽8拼接为一个容纳槽或者对应的第一容纳槽4、第二容纳槽8和第三容纳槽12拼接为一个容纳槽时，将第一片硅片13、至少一片高温片和第二片硅片13依次一起放入一个容纳槽进行步骤S3和步骤S4，可以利用机械遮挡的方式实现第一片硅片13和第二片硅片13的非对称扩散掺杂。在容纳槽中放置至少一片高温片时，可以利用高温片的高温变形量保持第一片硅片13和第二片硅片13相互贴紧。优选地，高温片的材质与遮挡片的材质相同，既可以保证高温片的高温变形量，还可以实现较好的非对称扩散掺杂效果。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人员在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种硅片承载装置，其特征在于，包括：

第一体，其具有第一内壁，所述第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个所述平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及

第二体，其包括两个侧壁以及固定连接两个所述侧壁的连接体，两个所述侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与所述第一容纳槽对应的第二容纳槽；

所述第一体和第二体被配置为：当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶以及所述第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配，两个所述侧壁能够分别在两个所述平台上进行滑动以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离。

2.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆。

3.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体还包括从两个所述平台分别沿远离所述第一容纳槽延伸的两个延伸部，两个所述延伸部具有分别与两个所述侧壁的外壁面配合的两个第二内壁。

4.根据权利要求3所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体还包括分别与两个所述第二内壁的远离所述第一容纳槽的一侧连接的两个突出部，两个所述突出部分别突出于两个所述第二内壁。

5.根据权利要求4所述的硅片承载装置，其特征在于，两个所述突出部上沿径向设置有多个与所述第一容纳槽对应的第三容纳槽，当所述第二体嵌入所述第一体内时，由所述第一容纳槽的槽底和槽顶、所述第二容纳槽的槽底和槽顶、以及所述第三容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与待容纳的硅片的外侧轮廓匹配。

6.根据权利要求5所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一容纳槽、所述第二容纳槽和所述第三容纳槽的槽宽相同；多个所述第一容纳槽中的任意相邻两个所述第一容纳槽之间的间距相同。

7.根据权利要求5所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一内壁、所述两个第二内壁以及所述两个侧壁呈弧形，当所述第二体嵌入所述第一体内时，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第二容纳槽的槽底和槽顶共圆，所述第一容纳槽的槽底和槽顶分别与所述第三容纳槽的槽底和槽顶共圆。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体上设置有第一锁紧部件，所述第二体上设置有与所述第一锁紧部件配合的第二锁紧部件，当两个所述侧壁分别在两个所述平台上滑动使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离时，所述第一锁紧部件和所述第二锁紧部件配合使两个所述侧壁和两个所述平台不能相对滑动。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的硅片承载装置，其特征在于，所述第一体和所述第二体的材质为硅、石英或碳化硅。

10.一种非对称扩散掺杂方法，其特征在于，包括：

将硅片进行清洗并烘干；

将烘干后的硅片放置在权利要求1-9中任一项所述的硅片承载装置中，其中，两片硅片放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽中；

移动具有第一容纳槽的第一体和具有第二容纳槽的第二体，以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离；

将放置硅片的硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中，并对密闭腔体加热以实现对硅片的非对称扩散掺杂。

11.根据权利要求10所述的非对称扩散掺杂方法，其特征在于，还包括：

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，对错开预定距离的第一体和第二体进行锁定，以防止所述第一体和所述第二体之间的相对滑动。

12.根据权利要求10所述的非对称扩散掺杂方法，其特征在于，

所述杂质源为铝源、镓源、硼源或磷源。

13.根据权利要求10所述的非对称扩散掺杂方法，其特征在于，还包括：

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中的其中一片硅片替换为遮挡片；或，

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中间增加放置至少一片耐高温片；或

在将硅片承载装置和杂质源放置在密闭腔体中之前，将放置在对应的第一容纳槽和第二容纳槽的两片硅片中间增加放置一片石英片或硅片。

14.根据权利要求10所述的非对称扩散掺杂方法，其特征在于，移动具有第一容纳槽的第一体和具有第二容纳槽的第二体，以使对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离，包括：

对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽错开预定距离时，所述第一容纳槽和所述第二容纳槽与放置在对应的所述第一容纳槽和所述第二容纳槽中的两片硅片的接触方式为点接触或面接触。

15.根据权利要求10所述的非对称扩散掺杂方法，其特征在于，还包括：在对硅片的非对称扩散掺杂过程中，调整所述第一容纳槽和所述第二容纳槽之间的预定压力。

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